DE2209852A1 - Hermetisch geschlossene Mikrowellen-Transistor-Baueinheit - Google Patents
Hermetisch geschlossene Mikrowellen-Transistor-BaueinheitInfo
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Description
GemäiJ siner speziellen Ausbildung dar Ir-firxhmg sind Mikrostrip-LeitTmgS'Eisigangs-
und Ausg&ßgs~8ehaltusigeia, die mit festem
Dielektrikum gefüllt sind, in den Keramikzylinder montiert 9
und diese Erdleitungen weisen Eingangs- und Ausgangs-Bandleiter
auf, die über einem gemeinsamen Leiter liegen; die Eingangs- und Ausgangs-Band-Zuleitungen, die durch den geschlitzten Keramikzylinder
hindurchführen, sind mit den jeweiligen Bandleitern der Bandleiterschaltungen innerhalb des Keramikzylinders verbunden.
Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung schließt eine metallische Kappe das obere Ende des Keramikzylinders ab, um
einen Transistorwürfel einzuschließen, der über die Bandleiter»
schaltung montiert ist; diese Kappe ist mit einer metallisierten Endfläche des Keramikzylinders verbunden, so daß sich eine
hermetische Abdichtung ergibt, und metallisierte Streifen auf dem Keramikzylinder verbinden die Metallkappe mit dem gemeinsamen
Leiter der Bandleitungßschaltung, so daß die Kappe auf
dem gleichen Potential betrieben wird wie die Masse-Ebene der Bandleiterschaltung.
Gemäß einer speziellen Ausbildung der Erfindung wird die Bandleiterstthaltung durch metallisierte Schichten auf einem
Keraraikblock gebildet, und diese metallisierten Lagen bilden
einen Eingangs-Band-Leiter, einen Ausgangs-Band-Leiter und einen gemeinsamen Band-Leiter, der unter den Eingangs- und
Ausgings-Band-Leitern liegt.
Weitire Merkriale und Vorteile der Erfindung ergeben eich aus
der folgenden Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung;
2098 4 0/098A
es zeigenι
Fig. 1 ©ine teilweise geschnittene Aufsicht auf ©ine
Transistor-Baueinheit mit Merkmalen der Erfindung;
Fig. 2 einen Schnitt längs der Linie 2-2 in Figo 1;
Fig. 3 2Ine Ansicht entsprechend der Linie 3~3 ix? FIg4 2;
Fig. 4 2ine Ansicht entsprechend der Linie 4»4 in Fig. 1.
Die in den Fig. 1 und 2 dargestellte Bandleiter-Transistor-Baueinheit
1 nach der Erfindung weist einen metallischen Wärmeabfuhr-Flansch 2 auf, der allgemein rechteckig ausgebildet ist
und zwei Montagelöcher 3 und 4 an beiden Enden sowie einen vertieften Mittelteil 5 aufweist.
Eine scheibenförmige, elektrisch leitende Basis 6, beispielsweise
aus Kupfer, ist mit der Unterseite an den vertieften Teil 5 des Flansches 2 angelötet. Bei einer typischen Ausführungsform
ist die Basis 6 eine kreisförmige Scheibe von beispielsweise 6,35 mm (0,250 ") Durchmesser, 2,35 mm (0,080 ") Stärke und
einer ausgesparten Itafangsschulter, die eine Höhe von 1,02 mm (0,040 ") von der Unterseite der Basis 6 und eine radiale Tiefe
von 0,65 mm (0,025 ") hat. Auf diese Weise hat der zentrale Scheibenteil der Basis einen Außendurctsmesser von 5,08 mm
(0,200 r). 3in metallisierter keramischer Montageblock 8r
beispielsweise aus Beryll- oder Tonerde, ist an die Oberseite der Basis 6 angelötet. In einem typischen Ausführungsbeispiel
hat der Montageblock β einen Außendurchmesser von 5,08 mm (0,200 ")
und eine Stärke von 0,51 mm (0,020 B). Der Montageblock ist über
seine gesamte Oberfläche metallisiert, so daß sich eine Verlängeruni
2098A0/0984
der Basis 6 ergibt.
Eins mit faßten Dielektrikum gefüllt© Mikrostrip-Leiterkon»
struktion 9 ist über den Moatageblock 8 gelötet» Die Mikrostrip=
Leitung 9 wird von einem metallisierten Keramikblock 11, bei»
spielsweise aus Beryllerdekeramik, gebildet, die über der ganzen Unterseite bei 12 metallisiert ist, so daß eine Grund- oder
Masse-Ebene für die Bandleiterkonstruktion 9 gebildet wird, und ist auf der Oberseite mit zwei Bandleitern bei 13 und 14 metallisiert, so daß Eingangs- und Ausgangs-Band-Leiter 13 bzw= 14
gebildet werden. Die Bandleiterkonstruktion 9 weist einen Eingangs-Bandleiterteil
und einen Ausgangs-Bandleiterteil auf, die durch den Bereich der Bandleiterkonstruktion 9 gebildet werden, die
unter den jeweiligen Eingangs- und Ausgangs-Bandleitern 13 und 14 liegen..
In einem typischen Ausführungsbeispiel bestehen die metallisierten
Eingangs- und Ausgangsleiter 13 und 14 aus aufmetallisiertem Molybdän-Mangan, das mit Gold zu einer Gesamtstärke von 25$
(0,001 n) plattiert ist. Die Eingangs- und Ausgangs-Bandleiter 13
und 14 haben an ihren inneren Enden einen Abstand voneinander, so daß ein länglicher Spalt 15 gebildet wird· In einem typischen
AusführungBbeisplel hat der Spalt 15 eine Breite von 0,89 mm
(0,035 B) und eine Länge von beispielsweise 4,45 mm (0,175 n).
Der Keramikblock 11 weist einen Schlitz 16 auf, der sich in Längsrichtung des Spaltes 15 erstreckt. In einem typischen Aus·»
führungsbeispiel hat der Schlitz 16 eine Breite von 0,38 mm
(0,015 ") und eine Länge von 2,92 mm (0,115 "). Ein elektrisch
leitender Draht 17 ist im Schlitz 16 angeordnet und füllt den Schlitz 16 im wesentlichen aus; er ist an der Unterseite an
die gemeinsame leitende Schicht 12 der Bandleitung 9 angelötet.
Ein Transistorwürfel 18, beispielsweise 0,89 mm (0,035 w) breit,
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2,28 mm (0,090 w) lang und 0,076 mm (0,003 ") stark, ist über
den Ausgangs-Band-Leiter 14 des Ausgangs-Band-Leiter-Teils
montiert. Der Würfel 18 weist auf der Oberseite Basis- und Emitter-Elektroden-Anschlüsse und einen Kollektor-Elektrodenanschluß an der Unterseite auf, die dem Bandleiter 14 benachbart
ist. Der Kollektor-Elektrodenanschluß des Würfels 18 ist an den Ausgangs-Band-Leiter 14 gebunden, so daß eine elektrisch und
thermisch leitende Verbindung zwischen diesen beiden Teilen erhalten wird.
Die Basis- und Emitter-Elektroden weisen jeweils eine Vielzahl Anschlüsse auf, an die Leitungen angeschlossen werden können.
Ein Satz Leitungen 19 verbinden den Eingangs-Band-Leiter 13 mit den Basis- oder Emitter-Anschlüssen des Transistorwürfels 18,
je nachdem ob eine Emitter-Schaltung oder Basis-Schaltung
gewünscht wird. Der zweite Satz Leitungen 21 liegt zwischen dem gemeinsamen Anschlußband 17 und den Emitter- oder Basis-Anschlüssen
des Transistorwürfels 18, je nachdem, ob Emitterschaltung oder
Basisschaltung des Transistors gewünscht ist.
Ein keramischer Hohlzylinder 22, beispielsweise aus Berylloder Tonerde-Keramik, ist an beiden Enden metallisiert und an
einem Ende an die Schulter 7 der Basis 6 gelötet, so daß sich eine thermisch leitende, hermetisch dichte Verbindung ergibt.
In einem typischen Ausführungsbeispiel hat der Keraxnikzylinder eine Länge von 2,79 mm (0,110 n), eine Wandstärke von 0,635 mm
(0,025 ")* einen Innendurchmesser von 5,08 mm (0,200 n) und
einen Außendurchmesser von 6,35 mm (0,250 n). Die Innenwand
des Keramikzylinders 22 weist zwei diametrale, flache Sehnenteile 20 auf, die mit entsprechenden Abflachungen am Umfang des
Bandleitungsschlitzes 11, des Hontageblockes 8 und der Basis 6 korrespondieren, um eine richtige Ausfluchtung der entsprechenden
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- 7 -Teile zu gewährleisten.
Zwei in Umfangsrichtung gerichtete Schlitze 23 und 24 sind an gegenüberliegenden Seiten durch den Zylinder 22 geschnitten.
In einem typischen Ausführungsbeispiel haben die Schlitze 23 und 24 eine Sehnenlänge von beispielsweise 3»30 mm (0,130 "),
eine Höhe von 0,234 mm (0,010 n) und führen vollständig durch
die Seitenwand des Zylinders 22· Ein Bereich um Jeden der Schlitze ist bei 27 bzw. 28 metallisiert (Fig. 3)» so daß eine
metallisierte Verbindung mit einem entsprechenden Eingangsleiter bzw. Ausgangsleiter 26 gebildet wird. Jede Leitung hat eine Stärke
von beispielsweise 0,013 nm (0,005 n) und eine Breite von beispielsweise 2,92 mm (0,113 n). Die Leitungen 25 und 26 führen
durch die jeweiligen Schlitze 23 und 24 und sind an ihren Inneren
Enden mit dem Eingangs-Bandleiter 13 bzw. Ausgangs-Bandleiter verbunden, so daß sie Verlängerungen der Eingangs« und Ausgangs-Bandleiter-Schaltungen bilden. Die Eingangs- und Ausgangs-Leiter 25 und 26 sind mit den metallisierten Bereichen 27 bzw.
verbunden, so daß sich eine hermetische Abdichtung zwischen den Leitungen und dem Zylinder 22 ergibt.
Eine elektrisch leitende Kappe 29t beispielsweise aus Kovar,
ist mit dem zweiten metallisierten Ende des Keramikzylinders 22 verbunden, so daß sich eine hermetische Metall-Keramik-Abdichtung
zwischen der Kappe 29 und dem Zylinder 22 ergibt, um die Transistorschaltung einzuschließen. Zwei metallisierte Streifen 31
sind auf zwei Seiten des Zylinders 22, etwa 90° gegen die Eingangs- und Ausgangs-Leiter 25 bzw. 26 versetzt, um eine
elektrische Verbindung zwischen der leitenden Basis 6 und der leitenden Kappe 29 zu schaffen, so daß die Kappe auf dem gleichen
Gleichstrompotential arbeitet wie der gemeinsame Leiter 12 der Bandleitung 9 (vgl. Fig. 1 und 4).
2Q9840/0984
Der Vorteil der Bandleitungs-Transistor-Baueinheit 1 nach der Erfindung liegt darin, daß die Baueinheit 1 leichter
hergestellt werden kann. Insbesondere wird der geschlitzte Keramikzylinder 22 auf die Basis 6 sich selbst justierend
gesetzt, und dann werden der Hontageblock 8 und der Bandleitungsblock 11 in den Zylinder 22 eingesetzt. Leitungen 25 und 26
werden durch die geschlitzten Seitenwände des Zylinders eingesetzt und die so erhaltene Teil-Baueinheit wird gelötet, so
daß sich eine integrale Metall-Keramik-Konstruktion ergibt. Dann wird der Transistorwürfel montiert und werden die Leitungen
19 und 21 angebunden. Die Kappe 29 wird dann auf das Ende des Zylinders aufgesetzt und die endgültige Abdichtung wird
vorgenommen. Die so erhaltene Transistor-Baueinheit ist eine vollständig aus Keramik und Metall bestehende Baueinheit, die
sehr leicht herzustellen ist und darüberhinaus eine gute Abdichtung und Zuverlässigkeit aufweist. Die Metall-Keramik-Verbindungen
ergeben relativ hohe thermische Leitfähigkeit und hohe elektrische Leitfähigkeit für Hochfrequenz» so
daß auch ein gutes thermisches und elektrisches Betriebsverhalten erreicht wird.
Bei einer anderen Ausführungsform kann der Montageblodk 8
weggelassen werden und der gemeinsame Anschluß 17 als integrals^
von der Oberseite der Basis 6 vorstehendes Element gebildet werden= Der metallisierte, dielektrische Bandleiterblock 11
wird dann direkt auf die Oberseite der Basis 6 gelötetj, wobei
sich der Anschluß 17 in den Schlitz des Blockes 11 erstreckte Darüberhinaus braucht die Basis 6 nicht an den Flansch 2 angelötet
zu werden, sondern kann auch an eine Stütze angelötet werden oder lediglich als "Pillen"-Baueinheit verwendet werden.
209840/0984
Claims (9)
- C17 P1 DPatentansprüche(1 .I Transistor-Baueinheit mit einer elektrisch leitenden Basis zur Befestigung an einer Wärmeableitung, dadurch gekennzeichnet, daß ein hohlkeramischer Zylinder mit einem Ende an die leitende Basis gebunden ist und von dieser hervorsteht, der Keramikzylinder an in Timfangsrichtung voneinander entfernten Punkten mit Schlitzen versehen ist, leitende Eingangs-» und Ausgangs-Bandzuleitungen durch den jeweiligen Schlitze im Keramikzylinder hindurchführen und die Band-Zuleitungen hermetisch dicht mit dem Keramikzylinder verbunden sind.
- 2. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch, gekennzeichnet« daß ein metallisierter keramischer Hontageblock an die elektrisch leitende Basis gebunden ist» eine mit festem Dielektrikum gefüllte Bandleitungskonstruktion an eine Hauptfläche des Montageblockes angebunden ist, die einen Eingangsleiter und einen Ausgangsleiter sowie einen gemeinsamen Leiter aufweist, der sowohl unter dem Eingangs- als auch dem Ausgangs-Leiter liegt, die Inneren Enden der Eingangs- und Ausgangs-Leiter einen Abstand voneinander haben, so daß ein länglicher Spalt zwischen diesen beiden gebildet wird, ein elektrisch leitendes, gemeinsames Anschlußband in dem Spalt angeordnet ist und von dem gemeinsamen Leiter durch eine öffnung in der festen dielektrischen Füllung der Bandleiterkonstruktion angeordnet ist, und die leitenden Eingangs- und Ausgangs-Zuleitungen an ihren inneren Enden mit den Eingangs- bzw. Ausgangsleitern der Bandleiterkonstruktion verbunden sind.
- 3. Baueinheit nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mit festem Dielektrikum gefüllte Bandleitung einen Keramikblock aufweist, auf dessen eine Seite die Eingangs-..o/A2209840/0984und Ausgangs-Leiter metallisiert sind und der im Spalt zwischen dem Eingangs- und Ausgangsleiter ein«n länglichen Schlitz aufweist, daß der gemeinsame Leiter der Bandleitungskonstruktion aus einer metallisierten Schicht auf der zweiten Hauptfläche des Blockes besteht» die der erstgenannten Hauptfläche gegenüberliegt und unter dieser angeordnet ist, und daß der Bandanschluß für den gemeinsamen Leiter in dem länglichen Schlitz in dem Block angeordnet ist.
- 4. Baueinheit nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, daß ein Transistorwürfel über die Bandleitungskonstruktion montiert ist, dessen Kollektor mit dem Ausgangs-Bandleiter verbunden ist.
- 5. Baueinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet» daß eine elektrisch leitende Abdeckung hermetisch dicht über das zweite Ende des Keramikzylinders gesetzt ist und diesen abschließt.
- 6. Baueinheit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet« daß die Abdeckung eine Metallkappe aufweist, die mit einer Metallschicht am Keramikzylinder verbunden ist.
- 7. Baueinheit nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein metallisierter Streifen am Keramikzylinder angeordnet ist, der sich in axialer Richtung desselben erstreckt und die metallische Abdeckung mit der elektrisch leitenden Basis verbindet.
- 8. Baueinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Bandzuleitungen mit metallisierten Oberflächenbereichen des Zylinders verbunden sind, die um die Ränder der Schlitze im Zylinder herumreichen.
- 9. Baueinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch209840/0984.../A3BAO ORIQfNALgekennzeichnet, daß die Basis eine um den Umfang der Basis herumreichende Schulter aufweist, und daß das eine Ende des Keramikzylinders metallisiert und an diesen Schulterteil der Basis gebunden ist.209840/0984Leer s eite
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NL (1) | NL7202895A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1984002612A1 (en) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Plessey Overseas | Microwave packages |
FR2620275A1 (fr) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Thomson Hybrides Microondes | Boitier pour le montage en surface d'un composant fonctionnant en hyperfrequences |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4259684A (en) * | 1978-10-13 | 1981-03-31 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Packages for microwave integrated circuits |
US4953001A (en) * | 1985-09-27 | 1990-08-28 | Raytheon Company | Semiconductor device package and packaging method |
US5428188A (en) * | 1992-10-09 | 1995-06-27 | U.S. Terminals, Inc. | Low-cost package for electronic components |
US6172412B1 (en) | 1993-10-08 | 2001-01-09 | Stratedge Corporation | High frequency microelectronics package |
US6441697B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-08-27 | Kyocera America, Inc. | Ultra-low-loss feedthrough for microwave circuit package |
WO2006033772A2 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-30 | Electro Ceramic Industries | Housing for accommodating microwave devices |
US8358003B2 (en) * | 2009-06-01 | 2013-01-22 | Electro Ceramic Industries | Surface mount electronic device packaging assembly |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202925C (de) * | 1969-04-30 | 1900-01-01 | ||
US3271634A (en) * | 1961-10-20 | 1966-09-06 | Texas Instruments Inc | Glass-encased semiconductor |
US3515952A (en) * | 1965-02-17 | 1970-06-02 | Motorola Inc | Mounting structure for high power transistors |
US3404215A (en) * | 1966-04-14 | 1968-10-01 | Sprague Electric Co | Hermetically sealed electronic module |
US3479570A (en) * | 1966-06-14 | 1969-11-18 | Rca Corp | Encapsulation and connection structure for high power and high frequency semiconductor devices |
US3404214A (en) * | 1967-07-17 | 1968-10-01 | Alloys Unltd Inc | Flat package for semiconductors |
NL6710184A (de) * | 1967-07-22 | 1969-01-24 | ||
US3478161A (en) * | 1968-03-13 | 1969-11-11 | Rca Corp | Strip-line power transistor package |
US3577181A (en) * | 1969-02-13 | 1971-05-04 | Rca Corp | Transistor package for microwave stripline circuits |
US3611059A (en) * | 1970-06-11 | 1971-10-05 | Rca Corp | Transistor assembly |
-
1971
- 1971-03-05 US US00121511A patent/US3767979A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-03-01 DE DE19722209852 patent/DE2209852A1/de active Pending
- 1972-03-03 IT IT21366/72A patent/IT959553B/it active
- 1972-03-03 GB GB1003472A patent/GB1362730A/en not_active Expired
- 1972-03-03 NL NL7202895A patent/NL7202895A/xx unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1984002612A1 (en) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Plessey Overseas | Microwave packages |
FR2620275A1 (fr) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Thomson Hybrides Microondes | Boitier pour le montage en surface d'un composant fonctionnant en hyperfrequences |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3767979A (en) | 1973-10-23 |
IT959553B (it) | 1973-11-10 |
GB1362730A (en) | 1974-08-07 |
NL7202895A (de) | 1972-09-07 |
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