DE1913565A1 - Verfahren zum Herstellen und regelmaessigen Anwachsen einer Halbleiterverbindung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen und regelmaessigen Anwachsen einer Halbleiterverbindung

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DE1913565A1
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Description

Verfahren zun Kerateilen und re-elraessi^en Am.-achsen einer Halbleiterverbindung.
Die Srfindunc bezieht sich auf ein Verfahren sur Herstellu. V lung eines Kristalle oiner halbleitend en A "B -Ver'oin'unj hirch DifTueion eine3 fluchtigen Bestandteiles* in einer, flüssigen Bestandteil, "bot dea eine gleichmässitfe Kristallisation stattfindet, indem ein Temperaturgradient versohoben wird.
Die durch L'lenente ier Gruppe III und Elemente der Gruppe V dos periodischen Systeme gebildeten Halbleiterverbinrtungen werden ale Ax J -Vercin-iungen "bezeichnet. .Oie werden in vielen Vorrichtungen an-»
vat, aber für bestimmte Anwendungen mu3s dor getrau oh te ICriatall ein sehr reiner Einkristall sein.
Dan ara meinten verwendete Verfahren zur Herstolluni; ■·■»] "eher Linl:riotalle unfarjtt irr. allgemeinem eine erute ötufe, während
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deren die Verbindung e^üdet wird, und eine sveite Stufe, während deren ein Einkristall hergestellt wird.
Der Herstellung Vorgang wird im allgemeinen in einem iuarzachiffchen oder -Tiegel tf.urchceführt. das (der) in einer gleichfalls aus v&arz bestehenden Umhüllung eingesch'ljssen ist," in der ein gasfönaiger Bestandteil, der rein iot oder die Form einer Verbindung hat, mit dem anderen flüssigen Bestandteil in Berührung ,rebracht wird.
3ei dieser. Verfahren kann die Verbin^un^;, insbesondere durch SiliaiuH, verunreinigt werden. Das durch Reduktion von v&iare g®· bildet» Silleium wird insbesondere dadurch ausgelost,. das3 die Wände der Vorrichtungen durch einen der Bestandteile, z.d. Galliumda'mpf«, angegriffen werden.
Der Sinlcriatall wird meistens ,lurch senkrechtes Auf sieben von der Oberfläche der gebildeten Verbindung im flüssigen Zustand hergestellt (Cuo^UfmXeki-Verfahren). Bei Verwendung-von A jj ron denen einer der Jestandteile flüohtij ist und bsi der peratur einen hohen iieraotsungedruoi·; hat, iat ©a orforierlioh, dass in der Aufsiöhvorriohtunc der fluchtige Bestandteil nach wi# vor oinem
hohen Druck unterworfen wird, was Schwierigkeiten bei der f; der Aufniehbev/e^ung mit sich bringt, während die (Jofahr dass L'nre^elmassiReiten auftraten. Dieses Froblem ifurde teilweis® dadurch --elöst, daea die fluesif^ Phase der Verbindung mit einer f,*en Schicht aus einem inerten ilaterial bedeckt wn-l ein© Ataosphära eines neutralen Oaaes Kit <lei;; "oonöti^ten Druck aufrechterhalten diesem Verfahren, biaweilen auch als "flüssig® HiaScapaelung" wird ala inerfcaa Mntorial 3croxyd (j3o0-J verwendet.
TII V
Pur be^tinmte A^ B -Vuroiniun^jOii kann au eh das dridgpaa«
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BAD ORIQfNAL
Verfahren Anweniun^ finden, bei dem die Verbindung, die in einer: waagerechten Schiffchen, aas in einer ,~eschlosaenen Umhüllung unter einem genügend hohen Druck de3 flüchtigen Bestandteiles angebracht ist, r?aechnolzen wird, einen Temperaturgradienten durchläuft und su einem Üinkrietall ir.it der gleichen Form wie das Schiffchen kris-tallisiert. Gleich wie wahrend der Stufe der Herstellung der Verbindung lie^t auch hier die Gefahr vor, dass ias Quarsi das Schiffchens un-I der Umhüllung durch das Silisium verunreinigt wirdj un diese Gei'ahr zu vermeiden, wurde "bei Anwendung dee Bridgman-Verfahrena vorgeschlagen, die Umhüllung sait Sauerstoff auszufüllen, der geschmolzenen Verbindung ein Oagrd eines der i*es tandteile, z.B. Oalliucioxyd (Ga2O^) bei Verwendung voa Calliua«tr»erid xueuA«tzen, oder einfach in die Umhüllung eine gering« Menge Borojyd einzuführen, wie in der gleichseitig von Anmelderin eingereichten Petentanaeldung unter dea Titeli "Verfahren zur Herstellung von Helbleiterverbindungen" beschrieben wurde.
Ill V
Die Anwendungen von A jti -Verbindungen in Hochfrequeins-
vorrichtungen, s.B. "0u4n-Sffekt"«Vorrichtungen, erfordern aber Einkristalle »it einem aehr hohen Reinheitsgrad, in denen die Beweglichkeit der Elektronen υehr gross ist, so dass eine Verbesserung der mit den bekannten obftnenrShnten Verfahren erzielten Brgebnisse angestrebt werden soll·
Zu AiMeit Cur»«*: 1st M erwünscht, dass sowohl der dura* das flussige Boroxyd «Shrend der Aufniehuearbeitung erhalten« So]MItK vrie auch der durch Sauerstoff während der Herstellung der Verbindung oder des Eonofcrietallinen *<*aa,^orechten Anwaclisens erhaltene ohetaisch« Schutz beibehalten werden) dabei ist en vcrtoilhaft, die Anzahl thermischer «ahandlungon herabzusetzen öler au verkürzen, .lamit cie n:ig-
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BAD
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lichen Yerunreinig«»gere&t:tioß beschränkt und «lie Kerstellungeunsichez— b«it«n n&d -kosten verringert verden.
Die Erfindung bezweckt, in einer einzigen Bearbeitung
IZI ¥
ein· A υ -t/er bindung mit genügend hohen rteinheitsgrad und mi-t optimalen Eigenschaften herzustellen und zu kristallisieren,-velche inabe-. sondere aur Anwendung in ncchfröCiueiizvorrichtun^n geeignet ist, wobei die Torteile einer durch eine inerte flüssige 3cliicht geschütiten Kristallisation beibehalten werden.
Nach der Erfindung werden Halbleiterkristalle durch ein Verfahren hergestellt, bei dem einer der Bestandteile in dem zweiten flüssigen Bestandteil gelöst wird und lange eines Temperntür jradienten in die erwAlmto !hase eindiffundiert, wobei die '!riatallisation durch Verschiebung des TecperaturgradiGnten bei fortschreitender Bildung der Verbindung oaer nach volletanuiger Uc»;andlun·; dos flüssigen 3entandteil#e herbeigeführt vird.
Die Erfindung nutzt &qt Sohuts unu. der hohe Reinheitsgrad aus, die durch Aiweniunj des 3oroJ^'ds erhalten werden, das dia
TTT y
k ü -Verbindungen nicht verunreinigt.
NaoÄ der Erfindung ist das Verfahren ssur Herstellung
TTT y
eine« ICriatalla einer halbleitenden A jb -Verbindun*: durch Diffusi »
flüchtigen Bestandteile« in einem flüssigen bestandteil, bei doe die Kristallisation gleiahtii&oaig stattfindet, indes eiß twgrftdleni verschoben wird* dadurch geltennceißbnet, dasa ΛIo fla'che der fl«saigen Phase mit einer Cohicht flüssij,«n Bopoayrfe· deolct wird, vo"bei dor flöohtige Beatandteil durch ein poröeee Glied in den flüssigen Bestandteil eindiffUndiert wird«
Im sei bemerkt, dass nach einer, bekann ton Verfahren
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19135SS
Gallium in ein völlig poröses Gefäas eingeführt wird, ύπ.3 sich in einen·. Raum befindet, in deir Thoophordampf entwickelt wird. Durch lie porösen 'JSnde vrird Phosphor allseitig in das Gallium einO.iffundiert. Bann ;;ird die GGlliunlÖ3unD· gekühlt, uacit üas Galliun::ho3ahid krintalliseren kann. Bei dieser. Verfahren i3t das geschmolzene Gallium nicht mit flüssigem Boroxyd bedeckt, vrodurch die Gefahr einer Verunreiniguns dea Galliuns und des Galliumphosphid grosser ist.
3ach deo. erfiniungssanäosen Verfaloren kann in einer einaigen Bearbeitung die Verbindung hergestellt werden un.l der Eicltriatall aiuiacheen. ■ ,
Bas 3oroxydt daa die flüssige Phase bedeckt, ti'ä'gt zu der Reinigung der Verbindung bei. Sa ict nämlich begannt, dass die3· Verbindung die Slgenachaft besitzt, die Oxj-dapuren und die Verunreinigungen von der Oberfläche der flüssigen Phnoe su entfornen, ohne daao die Gefahr einer Verunreinigung der letzteren besteht, wobei ea nicht erforderlich iat, das3 diese Verbindung einen hohen Heinheitagrad auf'..'eist.
Daa Borox;M hat eine zweckma'eoi.^e Wirkung infolge der groaaen Kontaktoberfläche mit der Flüssigkeit und anschiie3send nit detc ICriatall.
Au·aerden ist während der Kristallisation die Grenzfläche Feststoff-Plüioi^ceit stets gegen die Qaaphaee mit den flüchtigen Bestandteil isoliert, velohe Bedingung bekanntlich erforderlich ist, un «ine optimal· Krist»llie*tion und einen Kristall ohne Versetzungen su erzielen·
, DtI einer ersten bevorzugten Aiiaführungoforr. des Verf?.hrcno na oh der Erfindung befindet ei oh die flüosige Phase in einem
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senkrechten Tiegel, in den ;er flüchtige Bestandteil durch einen poröeen Bodenteil eindiffundiert rird, wobei das Boroxyd cie ganze Oberfläche der flüssigen Phase bedeckt und eine Heizvorrichtung einen geschlossenen Raun erhitzt, in den 3ich der Tiegel cit den flüchtigen Bestandteil befindet, derart, dao3 der flüchtige Bestandteil auf eines genügend hohen Druck gehalten wir:l, dar.it er durch den porösen Bodenteil hindurchdiffundiert, und der Inhalt des Tiegels auf einer Temperatur gehalten wird, die die üohnielztemperatur der Verbindung überschrei tet, wonach ein senkrechter Temperaturgradient in bestij auf den Tiegel in .senkrechter Richtun.; verschoben wird, damit eine jleichsd'seige ICristallisation der gebildeten Verbiniimg erzielt wird,
Bei einer zv.-eiten bevorzugter. Aucführun-;sforni dec Verfahrens rr.ch der iJrfim'unj befindet sich 'lie flüssige Phase i.t eiuer, viaa^ercchten Schiffchen und bedeckt laa Bo ro;.-yd die jar.se sXoe-r fläche der flüssigen Phase, ausjenonr.en einen Teil dieser berflache, eier ir.it einer porösen Platte bedeckt ist, durch .lie der flüchti-je Bestandteil in die flüssige Phase eir.diffundiert5 vobei «ine Heisvorrichtuno eine ijeeohlossene Uahüllunj erhitat, in der sich das 3chiffchen und ein© Menge des flüchtigen Bestandteiles befinden, damit dieser flüchtig© Bestandteil auf eineis ^enüc^nd hohen JrucU für Dif.?uoion durch die blatte und dae Schiffchen auf einer Temperatur sehalten wird, die höher als die Schmelztemperatur der ?erbin'umj iat, ν; ο na Gh ein'war. go«= rechter Temperaturgradient in dor Län^srichtung dos ichiffahene schoben iatj, um eine (-.,iaichtaäsEiä'c öistallisatirn der zu eridelen«
Bei einer Abart dea Verfahrene nach der ein Temperatur.jra-lient uahrend der Hers teilung d#r Verbin-.lwn,j
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wobei der flüchtige Bestandteil in dor flüscigen Phase gelöst wird, die Verbindung in der flussigen Phaee längs des erwähnten Gradienten wandert.und die Kristallisation bei fortschreitender Bildung der Verbindung stattfindet,
Bei der letzteren Abart, bei der v.aa als "'AnKachsen im Sehmelszustand" beseiebnete Verfahren angewandt wir!, kann es manchmal vorteilhaft sein, die Bildung eines Einkristalls zu fordern, ein Kristalliaationskeiß ansubringen oder das Ende des Schiffchens, wo die Ifristailisation anfangen sruss, kegelig zu ges+alten.
Die Erfindung wird nachstehend an Eand der beiliegenden Zeichnung nSher erläutert. Es zeiger.«
Si*;, 1 einen schema tischen Schnitt durch Jie bei der erste» bevorzugten Au3führungaforra des Verfahrens nach der Erfindung angewandte Vorrichtung,
Pig«. 2 einen schec.atischen Schnitt durch die bei der zweiten berorzugten AusfShrungeform des Verfahrens nach der Erfindung angewandte Vorrichtung. .
Die nachstehende Beschreibung bezieht aich auf die Herstellung und die Kristallisation eines- Galliumarsenidkriotalls, aber die Erfindung beschränkt sich keineswegs auf diese Halbleiterverbinclung«
Bei Anwendung einer senkrechten Vorrichtung nach Fig. 1 wird eine Menge Gallium 1 in einen Tiegel 2 mit porösem Boden eingeführt. tTber dem Gallium wird eine genügend© Lenge Boroxyd angebracht, damit in flüsaijjeci Zustand eine dicke Schicht 4 gebildet warden kann·
Der Tiegel wird in einer luftdichten senkrechten Unfau'llung 5 angeordnet, in der er durch Kocken G gehaltert wird. Im unteren Teil der Umhüllung 5 befindet sieh eine !!enge Arsen 7» die grosser «la
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die Qalliummenge 1 ist. Die Uiriiüllunj und der Tief el bestehen aus reinem «iuaxz.
iiach !«tgasuris und Entlüftung wird Ίΐβ Unhüllunj 5 3U~ jjeschmolsen und in einer Heizvorrichtung angeordnet, die die iione 9 der Umhüllung ur.d die Arsenraen^e 7 auf eine Temperatur von 61G0 C und die Zone 10 der Umhüllung v.Kcl tier Tiegel 2 irit der Oalliunr enje und dem Borcxyd, (las eine ^erin^ere Dichte als das Gallium oder las jrliiuis arsenid hat, auf eine Ter;:reratur von cinlestens 12.50 C über der Schmelztemperatur des jalliuciarsenida erhitzt.
Jie Dampfspannung dea Arsens ist gesättigt ur;d steigt auf etwa 1 atm. an, das Arsen dringt durch die poröse Wand 3 in den Tiegel 2 ein und diffundiert durch die Dinuirkunj eines kleinen senkrechten Kxmzentrations^radienten in der flüssigen !'hase in das Gallium ein.
Das System wir:' iir obenerwähnter. Zustand gehalten, bis die flÜ33ije Fhaae durch das Arsen gesättigt ist, das in einer genügend ^rossen r^engft verbanden i3t, um einen Druck von 1 atr.. aufrechtzuerhalten· Viährenc3 dieses Herst el lun^ovor^anjs ist die (berf lache d«r flüssigen vhase ge/;en die Gasphase isoliert und das Boroxyd wirkt zu gleicher Seit als ein schützendes uml ai3 ein reinigen ios J'ediun:.
üio flÜ8Gi„e Μαβ3β wird dam. dadurch jelcühlt, dans in der Zone 10 ein senkrechter Temperatür gradient herbeigeführt wird, der dann langsam verschoben wird und die Galliumarsenidmasse ir. Tei^el 2 völlig durchläuft.
Der senkreoate Temreraturcradient iat z.B. in der Cr"s-
ο /
senordnunc; von 20 /co und J.'ird n;it einer Geschwindigkeit von 1 otn pro Stunde in senkrechter Rijlitunc nach unten verschoben.
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Während der Kristallisation sind die flüssigen uni festen Phasen und auch die Grenzfläche Feststoff-B'lüsai^oit des Galliumareenids gegen den Arsendampf isaliert und die gegebenenfalls durch die poröse '»and 3 herbei ^führte Störung kann nur die .!ort befindliche Schicht des Kristalls beeinflussen.
Bei Anwenduni; einer waagerechten Vorrichtung nach 7i£. 2 wird eine Galliummenge 11 in ein langes Schiffchen 12 eingeführt. Auf den Gallium wird Bqroxyd in einer kenge angebracht, die genügt, um im flüssigen Zustand eine dicke Schicht 13 »u bilden. An einoc; Bind« des Schiffchens 12 wird ein poröses Glied 14 derart angeordnet, dass ea ein kleiner Teil der Oberfläch· der -flüssigen Galliusaasse bedeckt, wob·! der tfbrlge Teil der Oberfläche dieser flüssigen Kasse mit des Boroxyd 13, bedeckt ist«
.Das Schiffchen wird In einer ersten Zone 1£ einer waage rechten luftdichten Umhüllung 15 angeordnet. In einer zweiten Zone 17 an anderen Ebde dieser Umhüllung 15 wird eine Areenment;e 1G angebracht, die grö*saer al· die Qelliuramenge i3t. Vorzugsweise sind die Umhüllung
15 und da« Schiffchen 12 aus reinem Quara hergestellt.
Haoh Entßasung und £htlüftung wird die Umhüllung 15 augeschBJoltee und la einer Hei «vorrichtung 19 angeordnet, die die Zone 17 uad die Areenseng· 18 auf eine Temperatur von 610° Q und die Zone
16 UAd dM Schiffchen 17 alt der Gttlliuamenge 11 und de« Boroatyi 1) auf eint fceapecwtu* von «indesten· 1250° 0 erhit»-!, voV«l ein kleine»
Teeperaturgradieiit ift Bioktunc auf das poröse Glied 14 luft** dee Sohiffehen* angewandt wird, . ' .
Oar Dampfdruck de· Arsen· ist geeÄtticrt und ist nahesu fleich 1 atm. Das Arsen dringt über das poröse ailed \4 in das Gallium
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Vf 0 ·
ein und der übri»-^ Teil der Galliur..oberi'l3ciie wird durch das Seroxyd 13 C° 3ChUtst und gereinigt, ßas kreen cliffundisrt iar.gneir. in das Gallium ein.
Lac .j;"?tem vir<l im obenerwähnten Zustand gehalten, bis Sättigung der flüs^i^en ?ha-je durch das Arnen auftritt, das in einer genügenden Ilen^e vorhanden ist, un: bia sur oättigung einen Druck von 1 atm. aufrech.tzuerhc.lten. Während des ganzea Vorgan^eo sur Herstellung dee Oftlliumaraenida iat die "berflache dor flüesi^-en Phase :,c^,eri :lia Oatphaee isoliert, während das '2orozyd die ctuai^en Verunreinigungen zurückhält.
Die flüssige I.as:se v,-irl öann .Irnlurch rehühit, ir.sr. ein waagerechter Temperaturgradient über die jan/,ο r."n ;e des .Jchiffchena an^enandt wird. Der Gradient ist n.J. 15 /cn. anl ;-;irJ. in liichtunj ie3 Pfeile3 2Or.it öinor 3e«ch'.;indi^:eit v.u 1 cn: -r.; .3turv'c versahben.
Wilarend 4ies<'-r Kri.^tall 10ati.7η nin.i :lie flüs ijen und festen Phasen und die Grenzfläche Peatatoff-I^lüssi^oit, die nich nit doej erwähnten Gradienten verschiebt, atet3 ^.^en den Arsendanpf iao-4iert« Die Kristallisation erfolgt auf Ähnliche Weise wie beim Sridg-TerfAhj··«, a»er das Vorfahren naoli der iir^indun^ hat den Vorteil, der Kristall vor der Dampfphaae .^oschiitst wird, v&n bisher nur l»ei dtan Csoohralaki-Verfahren unter Verwendung von flüssiger EiaJcapselunß cs5glich v«r.
Di« etwa duroh das poröse Glied 14 herbei^s führ te 3t$» runj kann nur den eich dort "befindenden Teil des irriatalls beeinflussen·
Ea aei benerkt, daafs der flüchtige Bestandteil, wie A.raen, im bonchriebenen Beispiel statt in einer I.er..;e eines ftllaßilich
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in einer geschlossenen Umhüllung verdampfenden reinen Frudukta auch in einer anderen Pora angewandt werden kann. "Der Jestandteil kann in Form einen Oasstroiaes zugeführt werdenf er. wird dann z.B. von einem neutralen Oae transportiert oder in Form einer Gas verbindung angewandt.
Bei einer weiteren Auofuhrungsiorm ties erfindungegeefia- »en Verfahrens, bei der a.B. eine v.raa gerech te Vorrichtung angewandt wird, wird die I-Cri stall isation durch gleichmässie« Iiuhlung von einem iäide zum anderen &ide des Schiffchens unmittelbar nach der BiIiuns einer ersten Schicht einer atöchiorattriachen Verbindung eingeleitet, während der Temperaturgradient längs de3 Schiffchens reit der gleichen Geschwindigkeit verschoben wird mit· der die Verbindung gebildet wird. So ist es möglich, in Vereinigung mit dem Verfahren nach der Erfindung äa· in dar von Annelderin am 6.JuIi 1967 eingereichten Patentanmeldung PV, 113373 beschriebene Verfahren unter den Titel "Verfahren zur Herstellung binärer Verbindungen" und auch das in der von Annelderin an 29. Dezember 1$»'.7 eingereichten Zusatspatentanceldung PV. 134412 beschriebene Verfahren unter dem Titel "Verfahren zur epitaktischen Ablagerung in flüssiger Phase" anzuwenden.
Diese Ausführungforn hat den au3atsliohen Vorteil, dass keine Teaperatüren erforderlich sind, die viel niedriger als die Schmelztemperaturen der Verbindungen sind.
.Änderungen des obenbeachriebenen Verfahrens sind selbstveretlndlioh möglich, u.a. durch Substitution gleichwertiger technischer Mittel, ohne den Rahaen der Erfindung au verlassen«
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Claims (3)

P A TE L* Γ' A "31 I^ Γ* C .1 ,J ,
1. Verfahren zur Herstellung eines Kristallea einer halb-
III V
leitenden A α »Verbinvluns durch Diffusion eines flüchtigen Bestandteiles in einem flüssigen Bestandteil, bei den eine sleichjnäesige Kristallisation stattfindet, indetr. ein Tempere tür :,-raui ent vcrcchoben wird, dadurob. gekennzeichnet, d&3s die ί.-berfläche der flüssigen Phase nit einer Sohioht flüssigen Boro^.-des be-lecVct vrird, wobei der flüchtige Bestandteil durch ein poröses Glied in den flüssigen Bestandteil eindiffundiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ^kennzeichnet, daaa die flü'saige Phaee aioh in ej.neci senkrechten Tie.;el befin.Iot, in den eier flüchtige Bestandteil durch einen poroaen Jodenteil einiiffundiert wird, wobei das Boroxid uie genae Oberfläche der fiüaüi^en TTiase bedeckt und eine Heizvorrichtung eine ireachlossene Raun: erhitzt, in der •ich der Tiegel mit dem flüchtigen De3tanateil befindet, derart, dass der flüchtige Jeetandteil auf einem fenu'senf1 hohen jruok gehalten wird, damit er durch den porösen Bedenteil hindurchtliffundiert, und der Inhalt de· riegele auf einer Temperatur gehalten wird, die '3ie iSchnielB-temperatur der Veraindun^ ülsör3Chreitet, wonach ein senkrechter reroperatur-raiient in be^ug auf den Tiegel in senkrechter Sichtung verschoben wird, .iaiait eine glcichmäasige ::rictalli3ation ler b*ebildeten Verbindung erzielt wird.
3. · Verfahren naoh Anapruoh 1, ;'.adurch gekennzeichnet, da«· di· flüssige Phae· sich in einem waagerechten 3ohif.i"chen befindet und das üorozyd die ganze Cberfläoh« dor flüssigen Hiaae bedtokt, aus^·« nooiaen einen Teil di«eer Oberflach.e, der rait einer porösen "latt· bedeckt iat, durch dia der .fluchti£e Bestandteil in die flüeaig· Pha··
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oindif fundiert, wobei eine Hei»vorrichtung eine geschlossene Umhüllung erhitzt, in der sieb das Schiffchen und eine !'enge des flüchtigen Bestandteile· befinden) damit dieser flüohtige Bestandteil auf einen genügend hohen Druck für Diffusion durch die Platte und das Schiffchen auf einer'Temperatur gehalten vrird, die höher als die 3chin«Iztemperatur der Verbindung i3t, vronach ein waagerechter Temperaturgradient in der Längsrichtung des Schiffchens verschoben ν,-ird, um eine gleichmfissige Kristallisation der Verbindung zu erzielen.
4· Verfahren nach einem oder mehreren der vorangehenden An^ Spruche, dadurch gekennseiohnet, dass die flüssige Phase auf einer die 3cbjnel8t*iaperatur der Verbindung unterschreitenden '^temperatur gehalten wird, wobei der Kühlgradient während der Herstellung der Verbindung mit einer Geschwindigkeit verschoben wird, die der Wanderung des flüchtigen Bestandteiles in die flüssige Phase entspricht· 5# Durch das Verfahren nach einen der vorangehenden Ansprüohe hergestellter irriatall.
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Leerseite
DE1913565A 1968-03-22 1969-03-18 Verfahren zur Herstellung eines Kristalls einer halbleitenden Am Bv -Verbindung Expired DE1913565C3 (de)

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