DE1912456C3 - Rückgekoppelte Stromverstärkerschaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine rückgekoppelte, dreipolige StrnmverstärkersrJialtuni?. deren RückkoDpluns' bei Änderung des in einen der drei Anschlüsse fließenden Stromes wirksam wird, unter Verwendung einer Schaltung, bei der die Basen zweier Flächentransistoren entgegengesetzten Leitungstyps jeweils mit dem Kollektor des anderen Transistors verbunden sind und bei der im Kollektorzweig jedes Transistors eine in Durchlaßrichtung gepolte normale Flächendiode angeordnet ist

Es ist bekannt, für verschiedenste Aufgaben jeweils spezielle Verstärkerschaltungen zu verwenden. Demzufolge ist auch eine große Anzahl derartiger Verstärkerschaltungen entwickelt und bekanntgeworden. Unter ^ft5 anderem ist bereits ein Konstantstrom-Zweipol bekannt, bei dem die Basen zweier Transistoren entgegengesetzten Leitungstyps mit dem Kollektor des jeweils anderen Transistors verbunden sind. Im Kollektorzweig jedes Transistors ist eine zur Basis-Kollektor-Strecke gleichsinnig gepolte Zener-Diode als Referenzdiode eingeschaltet Diese Referenzdioden halten die Spannung am jeweils parallelliegenden Basis-Emitter-Übergang konstant. Im Emitterzweig jedes Transistors liegt ein Widerstand, an dem annähernd die Zener-Spannung abfällt Jeweils der Kollektcrzweig des einen und der Emitterzweig des anderen Transistors sind zusammengeführ*. so daß ein Zweipol entsteht, der es ermöglicht, weitgehend anabhängig von der Versorgungsspannung und dem Spannungsabfall an einem angeschlossenen Verbrauchereinen konstanten Strom einzustellen.

Nachteilig bei dieser Schaltung ist, daß die durch die verwendeten Transistoren und Dioden festgelegten Halbleiterzonen aufgrund ihrer Polung nicht zu einer einfachen Halbleiterstruklur vereinigt werden können. Die Schaltung ist also hinsichtlich ihrer Integrierbarkeh nicht optimal. Die Stabilität der Schaltung ist insbesondere infolge der vorhandenen Temperaturempfindlichkeit relativ gering. Die Ursache dafür ist unter anderem darin zu suchen, daß die jeweils die Basis-Emitterspannung bestimmende, parallel zur Basis-Emitter-Strecke angeordnete Zener-Diode entgegengesetzt dazu gepolt ist, so daß ein optimaler Gleichlauf der Parameter nicht erzielt wird. Schließlich ist festzustellen, daß die Schaltung Widerstände benötigt, an denen die Zündspannung der Zener-Dioden abfällt und die im Hinblick auf die Integrierbarkeit weitere Nachteile mit sich bringen.

Aus der NL-OS 65 16 401 ist eine Konstantspannungsquelle bekannt, bei der eine über die zu stabilisierende Spannung betriebene Stromquelle den Zener-Strom für eine die konstante Spannung erzeugende Zener-Diode liefert. Auch die hier verwendete Stromquelle besteht aus einer zweipoligen Schaltung, bei der die Basen zweier Transistoren entgegengesetzten Leitungstyps mit dem Kollektor des jeweils anderen Transistors verbunden sind. In den Kollektorzweigen der Transistoren ist jeweils die Reihenschaltung eines Widerstandes und einer in Durchlaßrichtung gepolten, üormaien Flächendiode angeordnet.

'ichteilig bei dieser Schaltung ist unter anderem, daß als strombestimmende Elemente Widerstände erforderlich sind. Die zur Temperaturstabilisation zusätzlich eingesetzten Dioden sind dadurch nicht optimal wirksam. Dies zeigt sich auch darin, daß die Verwendung von Drahtwiderständen vorgeschlagen wird, urn zu besseren Ergebnissen zu kommen. Die erforderlichen Widerstände sind im Hinblick auf die Integrierbarkeit in jedem Fall ungünstig.

Unter Verwendung einer Schaltung, bei der ebenfalls die Basen zweier Transistoren entgegengesetzten Leitungstyps jeweils mit dem Kollektor des anderen Transistors verbunden sind, ist es das Ziel der Erfindung, eine als Grundbaustein für verschiedenste Anwendungsfälle brauchbare, dreipolige Stromverstärkerschaltung anzugeben, die bei Änderung des in einen ihrer Anschlüsse fließenden Stromes eine definierte Änderung des Stromes in den beiden anderen Anschlüssen bewirkt und die dabei außerordentlich stabil ist und insbesondere hinsichtlich ihrer Eigenschaften eine optimale Temperaturunabhängigkeit gewährleistet Schließlich soll es sich um eine in integrierter Halbleitertechnik leicht zu verwirklichende Schaltung handeln.

Gemäß der Erfindung wird dieses Ziel dadurch

erreicht, daß die im Kollektorzweig eines ersten Transistors liegende Diode und der Emitter des zweiten fransisiors direkt zu einem ersten Anschluß geführt sind, während die andere Diode direkt zu einem zweiten und der Emitter des ersten Transistors direkt zum dritten Anschluß geführt sine, so daß das Verhältnis der in den zum zweiten und zum dritten Anschluß führenden Strompfaden fließenden Ströme durch Wahl des Verhältnisses der Ausdehnungen des effektiven Basis-Emitter-Obergangs des ersten Transistors und des effektiven Übergangs der im Kollektorkreis des zweiten Transistors liegenden Diode und der sich dadurch ergebenden Spannungsabfälle festgelegt ist

Ein wesentlicher Vorteil dieser Vers.arkerschaltung besteht darin, daß nur Halbleiterbauelement- nd keine Widerstände, Kondensatoren oder induktiviWci. innerhalb des Dreipols verwendet werde¹-- jnn <j_aß _ej_n optimaler Gleichlauf der Parameter >ir._; damit eine opdmale Temperaturunabhängig' ■: der Schaltung erreicht wird. Durch die verw- "dcie nrt der Rückkopplung ist die Schaltung bi* ? ■■ hohen Frequenzen einsetzbar.

Vorteilhafte Weiterbildungen sind in Unteransprüchen niedergelegt.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt

F i g. 1 die der Erfindung zugrunde liegende Grundschaltung,

Fig. la, Ib, Ic Abwandlungen in der Verwirklichung dei verwendeten Transistoren und Dioden gemäß Fig-1,

Fig.2 und 3 erfindungsgemäße AusführungsbeispL-Ie, bestehend aus der Grundschaltung nach F i g. 1,

Fig.4 die Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltung als Impedanzwandler,

Fig.5 die Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltung als Spannungsregler,

Fig.6 die Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltung f's Stromgenerator,

Fig.7 die Verwendung der erfindungsgemäßen Schaltung als Differentialverstärke/ und

Fig.8 einen Aufbau der erfindungsgemäßen Schaltung in Kaskade und deren Verwendung als Spannungsregler.

In der Zeichnung sind für entsprechende Schaltelemente siets gleiche Bezugszeichen verwendet

Wie sich aus F i g. 1 ergibt, setzt sich die erfindungsgemäße Schaltung grundsätzlich aus zwei Transistoren 10 und 12 entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und zwei Dioden 15 und Yl zusammen. Die Basis jedes Transistor«· 10 und 12 ist mit dem Kollektor des jeweils anderen Transistors verbunden. Die Emitter der beiden Transistoren liegen jeweils an einem der Anschlüsse 21 und 22. Die Sas-E iO« Hes Transistors 10 liegt also am Kollektor 12C des Transistors 12. Die Basis 12F des Transistors 12 liegt am Kollektor IOC des Transistors 10. Der Emitter 10£ des Transistors 10 liegt am Anschluß 21, während der Emitter 12E des Transistors 12 mit dem Anschluß 22 verbunden ist Die Anode 15P der Diode 15 ist mit dem Kollektor IOC des Transistors 10 und der Basis t2B des Transistors 12 verbunden. Die Kathode 15C dieser Diode liegt am Anschluß 23. Die Kathode 17Cdcr Diode 17 liegt am Kollektor 12Cdes Transistors 12 und an der Oasis 10ß des Transistors 10. Die Anode 17Pdieser Diode liegt am Anschluß 24.

Bei den verwendeten Halbleiterbauelementen handelt es sich beispie' -veise um PNP- und NPN-Siliziumtransistoren und -Siliziumdioden. Zum Aufbau der

erfindungsgemäßen Schaltung können diskrete Komponenten verwendet werden, bevorzugterweise wird die erfindungsgemäße Schaltung jedoch in integrierter Schaltungstechnik hergestellt Selbstverständlich kann auch jede· einzelne Transistor oder Diode als diskretes Schaltelement oder durch geeignete Kombination mehrerer Halbleiterelemente in integrierter Bauweise eingesetzt werden. Beispielsweise zeigt die F i g. la eine Verwirklichung des Transistors 10 dadurch, daß ein N PN-Transistor 10' und ein PNP-Transistor 10" kombiniert werden. Dabei wird der Kollektor des Transistors 10' mit dem Emitter und die Basis des Transistors 10' mit dem Kollektor des Transistors 10" verbunden. F i g. Ib zeigt den Aufbau einer Diode 15 aus einem NPN-Transistor 15', dessen Kollektor i?nd Basis kurzgeschlossen sind. Eine weitere Möglichkeit zur Bildung einer Diode 17 ist in Fig. Ic dargestellt, wobei Kollektor und Basis eines Transistors 17' kurzgeschlossen sind.

Die Schaltung gemäß F i g. 1 kann, wie in den F i g. 2 und 3 dargestellt, auf verschiedene Arten an eine äußere Schaltung angeschlossen werden. Die Art des Anschlusses ergibt sich aus der gewünschte Stromrichtung der Ströme Ib. Ir und Io in den Anschlüssen 21 bis 25. Im Beispiel der F i g. 2 sind die Anschlüsse ?1 und 24 zusammengelegt und mit Anschluß 25 verbunden, so daß der Strom Ib in die Schaltung hinein, und die Ströme Io und Ir aus der Schaltung herausfließen. Im Beispie¹ der F i g. 3 sind die Anschlüsse 22 und 23 zusammengelegt und mit Anschluß 25 verbunden, so daß der Sirom Ib aus der Schaltung heraus- und die Ströme Io und /r in die Schaltung hineinfließen. Bevor die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Schaltung anhand einiger Ausführungsbeispiele beschrieben wird, wird zunächst ein Faktor K definiert, der für die Ermittlung der Betriebskenngrößen wesentlich ist. Für die Schaltung gemäß F i g. 2 ergibt sich dieser Faktor K aus der Beziehung:

K =

ATl 4Dl

ala2

1	ul	al
4Tl	hi	hl
4Dl

Hierbei stellen die Größen A T i und AD ! jeweils die effektive Ausdehnung des Emitter-Basis-Übergangs des Transistors 10 und des PN-Übergangs der Diode 17 dar. Die Größen a 1 und a 2 stellen die jeweiligen Kollektor-Emitter-Stromverstärkungsfaktoren dar; die Größen b 1 und b 2 sind die jeweiligen Kollektor-Basis-Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren 10 und 12 Für die Schaltung gemäß F i g. 3 ergibt sich Faktor K aus der Beziehung:

λ = —.r· til al

1 +

ATZal ADl hl

hi

Hierbei geben die Größen AT2 und AD2 die jeweilige effektive Ausdehnung des Emitter-Basi^c Übergangs des Transistors 12 und des rNÜbergai der Diode 15 wieder.

Werden für die Schaltung gemäß F ι g 2 Transistoren 10 und 12 gewählt, bei denen die Werte von a 1 und a 2 nahe bei 1 (beispielsweise größer als 0.98) liegen und bei denen die Wert~ b 1 und b 2 verhältnismäßig groß ■ (beispielsweise größer als 50), so vereinfacht sich die

entsprechende Beziehung für den Faktor K näherungsweise zu:

K =

ATt ADi '

Daraus ist zu ersehen, daß der Faktor K in erster Näherung lediglich vom Verhältnis ATt/ADl der Ausdehnung der Übergänge des Transistors 10 und der Diode 17 abhängt Der Faktor K ist somit über einen weiten Frequenzbereich außerordentlich konstant und temperaturunabhängig, insbesondere wenn die Schaltung in integrierter Technik verwirklicht wird. Entsprechende Überlegungen lassen sich bezüglich der für die Schaltung gemäß Fig.3 geltenden Beziehung für den Faktor K anstellen. Durch entsprechende Wahl der Werte von ai,a2,bl und b 2 erhält man näherungsweise die Beziehung:

K =

ATl ADl

Die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Schaltung sei im folgenden anhand des in F i g. 2 dargestellten Ausführungsbeispiels beschrieben. Das Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 3 arbeitet in entsprechender Weise. Es sei angenommen, der Strom Io beginne auf einen neuen höheren Wert anzusteigen, was beispielsweise bei einer Änderung in der mit Anschluß 22 verbundenen äußeren Schaltung geschehen kann. Sobald der Strom Io ansteigt, vergrößert sich der Spannungsabfall an der Diode 17. Die Erhöhung dieses Spannungsabfalls bewirkt eine Erhöhung der Durchlaßspannung an der Basis lOß des Transistors 10, so daß auch der Strom Ir zunimmt Mit zunehmendem Strom Ir erhöht sich die der Basis 12ß des Transistors 12 zugeführte Durchlaßspannung, so daß das Ansteigen des Stromes Io unterstützt wird. Diese Rückkopplung hält an, bis ein Ruhezustand eingetreten ist, bei dem beide Ströme Io und Ir ihre neuen Endwerte erreicht haben. Der Zusammenhang zwischen den Strömen Io und Ir ergibt sich aus der Beziehung:

Io = Ir/K,

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wobei K in der bereits angegebenen Weise definiert ist

Eine Anwendung der erfindungsgemäßen Schaltung als Impedanzwandler ergibt sich aus dem Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 4. Dabei ist an den Anschluß 25 eine Gleichspannungsquelle Vb angeschlossen, deren Spannung genügend hoch ist, so daß die Transistoren ίΟ und 12 in ihrem aktiven Gebiet betrieben werden, deren Spannung aber nicht so hoch ist, daß die Basisdurchbruchspannung erreicht werden könnte. Aus der Beziehung Io = Ir/K ergibt sich bei einer Impedanz Zr zwischen den Anschlüssen 23 und 26 zwischen den Anschlüssen 22 und 26 eine Impedanz von

Zo^-K Zr;

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wird beispielsweise Faktor K zu 0,1 gewählt, so wandelt die Schaltung gemäß Fig.4 die Impedanz Zr in eine Impedanz Zo um, die ein Zehntel von Zr beträgt Da in der Beziehung zwischen Zo und Zr ein Minuszeichen auftritt, wird die Impedanz Zr in einen negativen Gegenwert umgewandelt Somit erscheinen Widerstände, Induktivitäten und Kapazitäten R, L und Q die an einen Anschluß 23 angeschlossen werden, am Anschluß 22 als entsprechende Werte -KR, —KL und -KJC. Selbstverständlich kann der im Ausführungsbeispiel gemäß Fig.4 mit der erfindungsgep-^;.ßen Schaltung von Fig.2 ausgeführte Impedanzwandler auch mit einer erfindungsgemäßen Schaltung gemäß Fig.3 verwirklicht werden.

In Fig.5 bildet die erfindungsgemäße Schaltung einen Serien-Spannungsregler, auch in diesem Anwendungsfall ist an Anschluß 25 eine Gleichspannungsquelle Vb angeschlossen. Außerdem liegt am Anschluß 23 eine Bezugsspannungsquelle 30, die eine Bezugsspannung Vr liefert

Die Spannung Vo an einem an Anschluß 22 angeschlossenen Lastwiderstand R1 soll geregelt werden. Die Schaltung weist zusätzlich eine Startdiode 33 und eine Überspannungsdiode 37 auf, die als Starthilfe beim Einschalten der Schaltung und als Überspannungsschutz dienen. Offensichtlich kann bei negativer Spannung Vo am Lastwiderstand durch Verwendung der Schaltung gemäß F i g. 3 ein entsprechender Serien-Spannungsregler aufgebaut werden. Außerdem kann die erfindungsgemäße Schaltung auch als Parallel-Spannungsregler verwendet werden.

Die Wirkungsweise des Spannungsreglers gemäß Fig.5 besteht darin, daß sich der Strom Io in Abhängigkeit von einer Änderung des Lastwiderstandes R1 verändert und zwar nach der bereits definierten Beziehung Io — Ir/K. wobei die Spannung Vo am Lastwiderstand konstant bleibt Beginnt sich beispielsweise der LastwiJerstand R1 zu verringern, so beginnt der Strom Io zu steigen. Dadurch wird die bereits beschriebene Rückkopplung eingeleitet und die daraus resultierende Erhöhung des Stromes Io wird die Spannung Vo trotz der Lastwiderstandsänderung konstant halten. Die Spannung Vo am Lastwiderstand und die Bezugsspannung Vr werden offensichtlich von Spannungsschwankungen der Spannungsquelle Vb nicht beeinflußt da die Spannungsquelle Vb in Reihe zu den verhältnismäßig hohen Kollekiorwiderständen der Transistoren 10 und 12 liegt Da die Schwankungen der Spannungen Vb und Vr sicherlich verhältnismäßig gering sind, kann die Schaltung bei höchsten, lediglich durch die Grenzfrequenz der verwendeten Halbleiterelemente bestimmten Frequenzen betrieben werden. Infolge der Beziehung io = Ir/K, wobei K beispielsweise den typischen Wert 0,1 hat, kann mit einer nur einen relativ geringen BezugsstroTi Ir liefernden Bezugssnannungsquelle 30 ein relativ hoher Ausgangsstrom Io geregelt werden. Werden Transistor 10 mit Diode 17, deren Übergänge den Faktor K bestimmen, in integrierter Schaltungstechnik auf demselben HaIbleiterplättchen und in unmittelbarer Nähe zueinander hergestellt, so weisen sie über einen weiten Betriobsbereich entsprechende Eigenschaften auf und bewirken eine hohe Stabilität und Temperaturunabhängigkeit insbesondere dann, wenn die Diode 17, wie in Fig. Ic dargestellt, aus einem Transistor gebildet ist

Bei Spannungsreglern ist es oft von Vorteil, wenn die Spannung Vo an der Last gleich der Bezugsspannung Vr ist Die Differenz zwischen diesen beiden Spannungen ergibt sich in F i g. 5 aus der zwischen den Anschlüssen 22 und 23 liegenden Spannungsdifferenz, die ihrerseits wiederum vom Spannungsabfall am PN-Übergang der Diode 15 und am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 12 bestimmt wird. Diese Spannungsdifferenz ist in einer erfindungsgemäßen Schaltung normalerweise klein; sie kann auch auf den Wert 0 gebracht werden, wenn die Ausdehnung des Basis-Emitter-Übergangs des

Transistors 12 und die Ausdehnung des PN-Übergangs der Diode 15 so gewählt werden, daß die Stromdichte in beiden Übergängen gleich groß ist. In diesem Fall sind die Spannungsabfälle an beiden Übergängen gleich groß, so daß die Spannungen Vo und Vr gleich groß sind. Bekanntlich sind die Stromdichten in beiden Übergängen gleich, wenn folgende Beziehung erfüllt ist:

Ir ADl Io ATl

Dabei stellen die Größen A72 und AD2 die jeweiligen Ausdehnungen der Übergänge des Transistors 12 und der Diode 15 dar.

Neben der Anwendung der erfindungsgemäßen Schaltung als Impedanzwandler und als Spannungsregler empfiehlt sich eine Anwendung als Stromgenerator, was in F i g. 6 dargestellt ist Dabei ist an die Anschlüsse 22 und 23 eine Spannungsquelle 35 mit einem Innenwiderstand Rs angeschlossen. Der Ausgangsstrom Ib des Stromgenerators e -gibt sich aus der Beziehung:

In Abhängigkeit vom Faktor K kann der Strom Ib größer oder kleiner als der Strom Ir sein. Außerdem ergibt sich ein hoher Ausgangswiderstand, der mit dem gewöhnlich mit I/hoe bezeichneten Kollektorwiderstand vergleichbar ist Wie es sich aus der angegebenen Beziehung ergibt, kann der Ausgangsstrom Ib des Stromgenerators durch die geeignete Wahl des Innenwiderstandes ßsder Spannungsquelle 35 auf einen zweckdienlichen Wert eingestellt werden. Wird die Spannung Vo auf den Wert O gesetzt, so wird auch die Spannung VrO. Wird schließlich der Stromgenerator in integrierter Schaltungstechnik hergestellt, so ist über einen weiten Strom- und Temperaturbereich ein außerordentlich stabiler und temperaturunabhängiger Betrieb gewährleistet

Die erfindungsgemäße Schaltung kann auch vorteilhaft als Verstärker eingesetzt werden, was beispielsweise in Fig.7 anhand eines Differsntialverstärkers gezeigt ist Dabei werden die Spannungen Vo und Vs, deren Differenz verstärkt werden soll, an die Anschlüsse 22 und 23' angelegt Anschluß 23' ist über einen Widerstand Zr mit Anschluß 23 verbunden. Eine Spannungsquells 38 ist über einen geeignet gewählten Widerstand Rb an Anschluß 25 angeschlossen. Eine verstärkte Ausgangsspannung Vb erscheint am Anschluß 25. Die Verstärkung der Schaltung ergibt sich aas der Beziehung:

G =

Rb{i + K) Zo

Hierbei stellt Rb den bereits angegebenen Widerstand dar, während Zo den aus der bereits angegebenen Beziehung Zo gleich -KZr erhaltenen Widerstand kennzeichnet Ebenso wie in den bereits beschriebenen Schaltungen kann auch hier von den Vorteilen der integrierten Schaltungstechnik Gebrauch gemacht werden, so daß sich über einen weiten Betriebsbereich hohe Stabilität und Temperaturunempfindlichkeit ergibt Mit der Schaltung gemäß Fig.7 lassen sich relativ hohe

Verstärkungen bei niedrigen Quellspannungen erzielen. Eine weitere Abwandlung der erfindungsgemäßen Schaltung ergibt sich aus F i g. 8, wo zwei in Kaskade

geschaltete Stufen einen Spannungsregler bilden. Die mit Bezugszexhen ohne Striche versehenen Elemente bilden eine erste, einen Faktor K 1 aufweisende Stufe, und die mit Bezugszeichen mit Strichen versehenen Elemente bilden eine zweite, einen Faktor Kl aufweisende Stufe. Eine vorteilhafte Ausführungsform besteht darin, daß die Elemente 17, 10, 17' und 10' in einer integrierten Schaltung und p-bei»? die Elemente 12, 15, 12' und 15' in einer weiteren integrierten Schaltung verwirklicht sind. Auf diese Weise erreicht man Anpassung und Gleichverhalten der Eigenschaften beider Stufen, so daß die Faktoren Ki und K 2 in Übereinstimmung sind und bleiben. Die Wirkungsweise der Schaltung gemäß Fig.8 besteht darin, daß bei geringer werdendem Lastwiderstand R i der Strom Io zunimmt und dadurch die Spannung Vo am Lastwiderstand konstant hält Die Spannung Vr dient als Spannung Vo' an der Last der zweiten Stufe und wird durch die zweite Stufe und die Bezugsspannungsquelle 30 auch konstant gehalten. Mit zunehmendem Strom Io nimmt auch Strom Ir entsprechend der Beziehung Ir gleich K1 Io zu. Da Vr gleich Vo' konstant gehalten wird, nimmt Strom lo' ab und kompensiert dam:· die Zunahme des Stromes Ir. Außerdem bewirkt die Abnahme des Stromes /o'eine entsprechende Abnahme des Stromes Ir¹ entsprechend der Beziehung If gleich Kilo'.

Die Wirkungsweise der Schaltung gemäß F i g. 8 kann mit einem Faktor K beschrieben werden, der durch die Beziehung K gleich Ir¹ZIo den Zusammenhang zwischen dem Laststrom Io und dem Bezugsstrom //-'angibt Die in Kaskade geschaltete Anordnung der Fig.8 besitzt einen Faktor K, der weit weniger von Temperatur, Fertigungsabweichungen und anderen Größen abhängig ist als die Faktoren KX und K2 der einzelnen Stufen.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

709641/121

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Rückgekoppelte, dreipolige Stromverstärkerschaltung, deren Rückkopplung bei Änderung des in s einen der drei Anschlüsse Fließenden Stromes wirksam wird, unter Verwendung einer Schaltung, bei der die Basen zweier Flächentransistoren entgegengesetzten Leitungstyps jeweils mit dem Kollektor des anderen Transistors verbunden sind ι ο und bei der im Kollektorzweig jedes Transistors eine in Durchlaßrichtung gepolte normale Flächendiode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die im Kollektorzweig eines ersten Transistor.·: liegende Diode und der Emitter des zweiten <5 Transistors direkt zu einem ersten Anschluß geführt sind, während die andere Diode direkt zu einem zweiten und der Emitter des ersten Transistors direkt zum dritten Anschluß geführt sind, so daß das Verhältnis d**^r in den zum zweiten und zum dritten Anschluß fühlenden Strompfaden fließenden Ströme durch Wahl des Verhältnisses der Ausdehnungen des effektiven Basis-Emitter-Übergangs des ersten Transistors und des effektiven Übergangs der im Kollektorkreis des zweiten Transistors liegenden Diode und der sich dadurch erpebenden Spannungsabfälle festgelegt ist

2. Stromverstän. _rschaitung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromverstärkungsfakto ·;η der Transistoren in Basisschaltung nahe 1 und in Emitterschaltung relativ groß gewählt sind.

3. Stromverstärkerschaltur g nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie in integrierter Schaltungstechnik verwirklicht ist.

4. Stromverstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der Ausdehnungen des effektiven Basis-Emitter-Übergangs des zweiten Transistors und des effektiven Übergangs der im Kollektorkreis des ersten Transistors liegenden Diode gleich dem entsprechenden für den ersten Transistor und die im KüuckiOrkrciä des Zweiten Transistor» hegende Diode festgelegten Verhältnis gewählt ist

5. Stromveistärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwei der Schaltungen in Kaskade geschaltet sind.