DE1908277A1 - Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen,hergestellt nach einem Verfahren der Schmelzepitaxie - Google Patents

Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen,hergestellt nach einem Verfahren der Schmelzepitaxie

Info

Publication number
DE1908277A1
DE1908277A1 DE19691908277 DE1908277A DE1908277A1 DE 1908277 A1 DE1908277 A1 DE 1908277A1 DE 19691908277 DE19691908277 DE 19691908277 DE 1908277 A DE1908277 A DE 1908277A DE 1908277 A1 DE1908277 A1 DE 1908277A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
melt
gallium arsenide
production
capsule
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691908277
Other languages
English (en)
Other versions
DE1908277B2 (de
DE1908277C3 (de
Inventor
Dipl-Phys Eckart Bungenstab
Dr-Ing Wolfgang Touchy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority claimed from DE19691908277 external-priority patent/DE1908277C3/de
Priority to DE19691908277 priority Critical patent/DE1908277C3/de
Priority to NL6916855A priority patent/NL6916855A/xx
Priority to US10234A priority patent/US3705825A/en
Priority to CH201170A priority patent/CH521025A/de
Priority to JP45012681A priority patent/JPS5110472B1/ja
Priority to FR7005393A priority patent/FR2031521B1/fr
Priority to AT142870A priority patent/AT324422B/de
Priority to GB7704/70A priority patent/GB1255576A/en
Priority to SE02146/70A priority patent/SE348649B/xx
Publication of DE1908277A1 publication Critical patent/DE1908277A1/de
Publication of DE1908277B2 publication Critical patent/DE1908277B2/de
Publication of DE1908277C3 publication Critical patent/DE1908277C3/de
Application granted granted Critical
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/08—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02395—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/107—Melt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

19. FFB.
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Münchens,
Berlin und München . üittolsbacherplatz
1908277 PA 69/2117
Aufwachsschichtcn aus halbleitenden Verbindungen, horge-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten von unterschiedlichem Leitungstyp unter Verwendung von Silicium alo Dotierungsstoff aus am Schmelzpunkt leicht zersctzlicheiT halbleitcnden Verbindungen, vorzugsweise aus Galliumarsenid, durch das Schmclzpitaxievcrfahren. -
Pur spezielle Halbleiteranordnungon aus halblcitenden Verbindungen vorzugsweise für die aus Galliumarsenid bestehenden Lumineszenzdioden, Koppclclemcntc, Laserdioden und Galliumcrsenidtransistorcn, ist es erforderlich, daß vüllig reines, vor allen Dingen sauerstoff- und schwcrraetallfreies, Gallium-r arsenid-Kjfetallmaterial verwendetwird.
Aus der Zeitschrift "R.CA. Review" Vol. XXIV, Dez. 1963, Seiten 603 - 606, ist von Nelson ein Schmelzepitaxicvcrfahren von Galliumarsenid bekannt, bei dem ein in einem schräggesteilten Quarzrohr befindliches Substrat aus Galliumarsenid mit einer aus Galliumarsenid mit Zinnzusatz als Dotierung teatchenden.Schmelze in Kontakt gebracht wird. Das Aufwachsen der mit der Zinndotierung versehenen Galliumarsenidschicht geschieht dabei in strömender Wasserstoffatmosphäre.
Für spezielle Anwendungszwecke ist es notwendig, anstelle des Zinns Silicium als Doticrungsstoff zu verwenden, Dabei ist es besonders wichtig, daß der Einfluß der umgebenden Atnospllhrc während des epitaktischen Aufwachsprozesses v/eit-
-PA 9/493/965 Edt/Hob ' ■■ " - 2 -
13.2.1969 '
gehend ausgeschaltet wird, da die umgebende Atmosphäre, die ': \ Siliciumdotiorung in unkotrolliorbarer Vteiso bcieinfluBt. " \
Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegt r besteht ■" :
a) in der Herstellung reproduzierbar dotierter Aufwaehsschichten aus Galliumarsenid und . '"/:■- :
b) in der Verwendung von Silicium als Dotierimgsstoff, wobei der Effekt des amphotoren Verhaltens von Silicium als Dotierungsotoff in Galliumarscnidkriotallen/(Umsehlagpunkt , von n- in p-Leitfähigkeit bei 920° C) ausgenutzt v/erden soll.
Zur lösung dieser Aufgabe v/ird crfiridungsgeraüi3 vorgosch.lagens daß die Herstellung der für den Aufvmchsprozeß vorgesehehen: Schmelze sov/io der Aufv/achsprozoß selbst unter dem Dampfdruck der beteiligten Stoffe in einem evakuierten Reaktion3gefäß vor- -. genonmen wird. · ;:
In einer \7eiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, ' eine evakuierte Quarzampullc zu verwenden, in welche eine die 3chr.elze und' das für die epitaktischo Abscheidung vorgesehene Substrat enthaltende, mit einem Schraubverschluß versehene Kohle- oder Quarzkapsel eingebracht ist= Zweckmäßigerweise wird dabei bei einen Druck von 1 bis 5« 10 Torr gearbeitet..
Gemäß einen besonders günstigen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung wird zur Herstellung von aus Galliumarsenid " bestehenden epitaktischen Aufwachsschichten von unterschied-1 liehen Leitungstyp unter Verwendung von Silicium ala ~Ilotierurigsstoff eine auf« 970° C erhitzte, mit Galliumarsenid gesättigte , Λ Gcllium-Galliunarsendidschmclzo mit einem Gehalt anSilicium von 1 - 2 c/o hergestellt, ein in den Deckel der Kohle- oder Quarzkapsel eingelagertes Galliumarsenidsubstrat von n-Leitungs-
PA 9/493/963. \ - 3 -
009837/2034
typ verwendet und durch.Drehen der Kapsel um 180° die Schmelze auf das Substrat aufgekippt. Durch Abkühlen des- mit , der Schmelze versehenen Substrats wird dann ein-/ Umschlag auf den p-Lcitungstyp in der aufgewachsenen Schicht herbeigeführt und schließlich bei einer Temperatur von etwa 500° G die Kapsel wieder in ihre Ausgangslago zurückgebracht.
Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung l3t die Möglichkeit gegeben, den Kippvorgang aur Herstellung einer Schichtcnfolgc von Aufwachsschichten mit abwechselnd unterschiedlichem Leitimgstyp beliebig oft zu wiederholen.
Die durch das erfindungsgemäßc Verfahren hergestellton epitakticchcn Aufwachsschichtcn zeichnen-sich durch eine besonders hohe. Reprodunierbarkeit aus und sind bestens geeignet zur. Herstellung von Halbleiterkörpern, welche zur Halbleiterbauelementen,- insbesondere aus Galliumarsenidkristallcn wie Galliunarsenid-Lumincszcnzdiodcn, weiterverarbeitet werden.
An Hand der Figuren 1 und 2 und eines Ausfiihrungsbeispicls coil das Verfahren nach der lehre der Erfindung nqch naher erläutert.werden.
Fig« ^ zeigt eine bis auf einen Druck von .1 bis 5.10" Torr evakuierte Quareanpullc -1 , in welcher sich eine-mit einem vcrschraubbnren Deckel 2 versehene Kohlekapsel 3 befindet. In Deckel 2 wi-rd .die aus n-doticrtem Galliumarsenid bestehende, für die cpitaktinche /-boche-idung vorgesehene Substratscheibc 4 (Auogangsstärke ca. 200 /u) eingelagert und gegenüber der School Ee 5, welche sich an Boden der Kapsel 3 befindet, angeordnet. Die Schrnelco 5 besteht aus einer, mit Galliumarsenid, gesättigten Galliumsehmclzc, welche als DoticrungGQtoff einen Zusatz von 1 — 2 f5 Silicium enthält. Diese Schneise- wird auf 970° C erhitzt und dann durch Drohen der
PA 9A93/965 - 4- -
009837/20 34
BAD ORiGlNAL
- 4 - . ..■■■■■■■'
go'san-ton Anordnung (T, 3) um 180° in Pfeilrichtung 6 auf die Substratscheite 4 aufgekippt. Während der Abhkühlung des mit der Schmelze in Berührung gebrachten Substrats erfolgt bei 920 G in der epitaktisch aufgeachsenen Schicht auf Grund des amphotercn Verhaltens von Silicium ein Umschlag im Leitungßtyps von η nuch p, so daß sich, nachdem die Anordnung (1, 3) bei Ca0 500 G wieder in ihre Ausgangslagc zurückgebracht ist, auf den Ausgangsnubstrat 4 eine n-dotiorte epitaktische Schicht von 3)0 /U Schichtdicke sowie eine p-dotiertc Schicht von ebenfalls 30 /ti Schichtdicke gebildet hat. ""..'"·■"
Die Schiehtcnfolge ist aus der Pigur 2 zu ersehen. Das Substrat int mit den Besugszcichen 4, die aufgev/achsene n-dotierte Schicht mit 7 und die p-doticrtc Schicht mit 8 bezeichnet. Durch nochmaliges Erhitzen der Schmelze auf eine Temperatur von grüßer 920 C läßt sieh durch weiters Aufschmelzen von Material eine v/eitere-_n-dotierte Schicht abscheiden, welche gegabenen-■ falls nach den Abkühlen in eine p-dotierte Zone übergeführt \?v werden kann.
6 Patentansprüche
2 Figuren
PA 9/493/963, . - 5 -
009 8 37/2

Claims (4)

1. Verfahren zum Horstellen epitaktischer Aufwachsschichten von.unterschiedlichem leitungstyp unter Verwendung von Silicium als Dotierungsstoff" aus am Schmolzpunkt leicht zorsotzlichcn halbleitenden Verbindungen, vorzugsweise aus Galliumarsenid, durch das Schmelzepitaxicverfahren, d a~ durchgoken η zeichne t,.daß die Herstellung der für den Aufwachsprozeß \orgesehenen Schmelze, sowie der Aufwachsprozeß selbst unter dem Dampfdruck der beteiligten Stoffe in einem evakuierten Reaktionsgefäß vorgenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekenn-=
z. e i c h η e t, daß eine evakuierte Quarzampulle verwendet w wird, in welche eine, die Schmelze und das für die epitaktii? :.' sehe Abscheidung vorgesehene Substrat enthaltende, mit einem Schraubverschluß versehene Kohle-.oder Quarzkapsel gelegt ist»
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Druck von 1 bis 5.10~ Torr gearbeitet wird-
4. Vorfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch g e-k e η nzeichnet, daß zur Herstellung von aus G-alliumarsenid bestehenden opitaktiachen Aufwachsschichten von unterschiedlichen leitungstyp unter Vorwendung von Silicium als Dotierungsstoff eine auf 970° G erhitzte, mit Galliumarsenid gesättigte Gallium-Galliumarsenid-Sehmelze mit einem Gehalt an Silicium von 1 - 2 c/o hergestellt wird,, daß ein in den Deckel der Kohle- oder Quarzkapsel eingelagertes Galliumarsenidsubstrat von n-Leitungatyp verwendet wird, daß durch Drehen der Kapsel um 180° die Schmelze auf das Substrat aufgekippt und durch Abkühlen des mit der Schmelze versehenen
PA 9/493/963 . - 6 -
009837/2034
08277
Subtrates ein Umschlagen auf den p-Iieitungstyp in der aufgewachsenen Schicht herbeigeführt τ/ird und daß schließlich bei einer Tenperatur von etwa 500° C d ihre Ausgangslage zurückgebracht wird*
bei einer Tenperatur von etwa 500° C die Kapsel wieder in
c Verfahren nach Anspruch 4* da.durch g e Ic e η η -> ζ c i "c.h η e t, daß der. Kippvorgang zur Herstellung einer Schichtenfolgo von Aufwaehsschichten mit abv/echselnd unterschiedlichen Leitungstyp mindestens einmal wiederholt wird*
6« Vcrv/endtmg des nach v/enigsteno eineia der Ansprüche 1 bis 5 ': hergestellten Halbleiterkörpers zur Fertigung von Halbloiterbauclcnentcn,, insbesondere von aus Salliumarsonidlcriotallen bestehenden Ilalbleiterbauolenientcnj. wie neszensdiodenc■
PA 9/493/963
DE19691908277 1969-02-19 1969-02-19 Verfahren zum Herstellen von aus Galliumarsenid bestehenden epitak tischen Aufwachsschichten nach dem Schmelzepitaxieverfahren Expired DE1908277C3 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691908277 DE1908277C3 (de) 1969-02-19 Verfahren zum Herstellen von aus Galliumarsenid bestehenden epitak tischen Aufwachsschichten nach dem Schmelzepitaxieverfahren
NL6916855A NL6916855A (de) 1969-02-19 1969-11-07
US10234A US3705825A (en) 1969-02-19 1970-02-10 Growth layer of semiconductor compounds produced by melt epitaxy
CH201170A CH521025A (de) 1969-02-19 1970-02-12 Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus am Schmelzpunkt leicht zersetzlichen halbleitenden Verbindungen durch Schmelzepitaxie
JP45012681A JPS5110472B1 (de) 1969-02-19 1970-02-16
FR7005393A FR2031521B1 (de) 1969-02-19 1970-02-16
AT142870A AT324422B (de) 1969-02-19 1970-02-17 Aufwachsschichten aus galliumarsenid unter verwendung von silizium als dotierungsstoff, hergestellt nach einem verfahren der schmelzepitaxie
GB7704/70A GB1255576A (en) 1969-02-19 1970-02-18 Improvements in or relating to the production of epitaxially grown layers of semiconductor material
SE02146/70A SE348649B (de) 1969-02-19 1970-02-19

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691908277 DE1908277C3 (de) 1969-02-19 Verfahren zum Herstellen von aus Galliumarsenid bestehenden epitak tischen Aufwachsschichten nach dem Schmelzepitaxieverfahren

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1908277A1 true DE1908277A1 (de) 1970-09-10
DE1908277B2 DE1908277B2 (de) 1976-12-23
DE1908277C3 DE1908277C3 (de) 1977-08-11

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
CH521025A (de) 1972-03-31
JPS5110472B1 (de) 1976-04-03
FR2031521B1 (de) 1974-10-31
GB1255576A (en) 1971-12-01
DE1908277B2 (de) 1976-12-23
NL6916855A (de) 1970-08-21
FR2031521A1 (de) 1970-11-20
SE348649B (de) 1972-09-11
AT324422B (de) 1975-08-25
US3705825A (en) 1972-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2416550A1 (de) Verfahren zum aufwachsen von uebergitterstrukturkristallen
DE2738329A1 (de) Elektrolumineszierende galliumnitridhalbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE3249344T1 (de) Halbleiterlichtemissionsgeraet auf galliumnitridbasis und verfahren zur herstellung desselben
DE2231926A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitermaterial und zur herstellung von halbleitereinrichtungen
DE1274347B (de) Einkristall aus GaAs hohen spezifischen Widerstands und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1166938B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE2253109A1 (de) Hetero-epitaxiales herstellungsverfahren fuer halbleiteranordnungen
DE1444521A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1908277A1 (de) Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen,hergestellt nach einem Verfahren der Schmelzepitaxie
DE1271841B (de) Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenid-Transistors
DE2544286C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer III-V-Halbleiterkristallschicht auf einem Substrat
DE1589196A1 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrolumineszenten Gallium-Phosphid-Dioden
DE1813130A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
DE3021021A1 (de) Verfahren zum selektiven zuechten einer fluessigphasen-epitaxieschicht auf einem halbleitersubstrat
DE1908277C3 (de) Verfahren zum Herstellen von aus Galliumarsenid bestehenden epitak tischen Aufwachsschichten nach dem Schmelzepitaxieverfahren
DE2624958B2 (de) Verfahren zum Züchten von einkristallinem Galliumnitrid
DE1911335A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE2166427C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen einer dotierten GaAs-Dünnschicht
DE2420741C2 (de) Herstellungsverfahren für eine Leuchtdiode
DE1060056B (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkoerpern, vorzugsweise aus Silizium, mit Bor
DE3128395A1 (de) Lumineszenzdiode
DD281486A5 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterkapazitaetsdioden
DE1539606C (de) Elektrolumineszenter Galliumphosphidkristall und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1446197A1 (de) Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen
AT240416B (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee