DE1908101B2 - Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
- Publication number
- DE1908101B2 DE1908101B2 DE19691908101 DE1908101A DE1908101B2 DE 1908101 B2 DE1908101 B2 DE 1908101B2 DE 19691908101 DE19691908101 DE 19691908101 DE 1908101 A DE1908101 A DE 1908101A DE 1908101 B2 DE1908101 B2 DE 1908101B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- recording material
- electrophotographic recording
- arsenic
- antimony
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 50
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 21
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 21
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 7
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
50
Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Zusätze enthaltenden
photoleitfähigen Schicht und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Derartiges Material dient zur Erzeugung
eines latenten Ladungsbildes und wird bei Verfahren der Elektrophotographie benutzt, die weitgehende und
bevorzugte Anwendung, z. B. für Bürokopiergeräte, röntgenographische Abbildungsverfahren und elektrostatische
Druckverfahren, gefunden hat.
Bekanntlich wird ein elektrostatisches latentes Ladungsbild auf einer photoleitenden Schicht durch Erzeugung
einer elektrischen Aufladung und Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung hergestellt. Diese
photoleitende Schicht, die aus halbleitenden Stoffen, wie z. B. bevorzugt amorphem Selen, besteht, ist auf
einen elektrisch leitenden Träger aufgebracht, der meist in Form einer ebenen Platte oder einer zylindrischen
Trommel ausgebildet ist.
An den belichteten Stellen findet eine solche Erhöhung der Leitfähigkeit der photoleitenden Schicht statt,
daß die elektrische Ladung über den leitenden Träger abfließen kann, während an den unbelichteten Stellen
die elektrische Ladung erhalten bleibt Sie kann mit Hilfe eines sogenannten Toners sichtbar gemacht und
das entstandene Tonerbild schließlich auf Papier oder eine andere Unterlage übertragen werden.
Die Änderung der elektrischen Leitfähigkeit des amorphen Selens hängt von der Intensität und der Wellenlänge
der benutzten Strahlung ab. Im Bereich des sichtbaren Lichtes, das für die praktische Anwendung
der Elektrophotographie bevorzugt wird, zeigt das amorphe Selen auf der blauen Seite, dem kurzwelligen
Gebiet, eine hohe Empfindlichkeit, auf der roten Seite, dem langwelligen Gebiet, dagegen nur eine geringe
Empfindlichkeit
Dies hat zur Folge, daß auf einer Elektrophotographie ein rotes Zeichen genauso wie ein schwarzes Zeichen
dargestellt wird, was sich unter Umständen als nachteilig für die praktische Anwendung erweist; denn
ein schwarzes Zeichen auf einem roten Untergrund — oder umgekehrt — wird beispielsweise nicht von dem
Untergrund unterschieden und kann daher nicht kenntlich gemacht werden.
Es ist bekannt, daß man die spektrale Empfindlichkeit des amorphen Selens durch Zusätze von Dotierstoffen
beeinflussen kann. So bewirken z. B. Zusätze von Tellur oder Arsen eine Erhöhung der Empfindlichkeit
auf der roten Seite des Spektrums, wie dies etwa in der DT-AS 10 39 660 beschrieben ist.
Es ist ebenfalls bekannt, daß das kristallisierte Selen im Gegensatz zum amorphen Selen ausgesprochen rotempfindlich ist Weil es jedoch im blauen Bereich nur
eine geringe Empfindlichkeit zeigt, würde der Ersatz des amorphen Selens durch das kristallisierte zwar eine
Verschiebung, aber keine eigentliche Erweiterung des Empfindlichkeitsbereiches bringen. Gegen eine Verwendung
des kristallisierten Selens für elektrophotographische Zwecke spricht außerdem seine hohe Dunkelleiifähigkeit,
d. h. seine Eigenschaft, den elektrischen Strom bereits im unbelichteten Zustand vermehrt zu
leiten. Der Kontrast zwischen hellen und dunklen Stellen eines Bildes würde dadurch ungenügend sein. Aus
diesen beiden Gründen ist das kristallisierte Selen trotz seiner besseren spektralen Eigenschaften im roten Gebiet
für elektrophotographische Zwecke nicht geeignet.
Ein Material, das sowohl rot- als auch blauempfindlich ist und sich außerdem zugleich durch eine geringe
Dunkelleitfähigkeit auszeichnet, ist in einer Kombination von amorphem und kristallisiertem Selen zu finden.
Dabei können die beiden Selenmodifikationen entweder einen schichtweisen Aufbau zeigen, oder kleine
Selenkristalle können in eine amorphe Matrix eingebettet sein.
Trotz dieser elektrooptischen Vorteile sind solche Gemische von amorphem und kristallisiertem Selen für
den Dauergebrauch in der Praxis ebenfalls ungeeignet, weil die Selenkristalle ständig weiterwachsen und der
metastabile amorphe Zustand nach und nach in den stabilen kristallinen übergeht.
Es sind Stoffe bekanntgeworden, die die Kristallisationsneigung bzw. die Kristailisatiorisgeschwindigkeit
stark herabsetzen. So wirkt z. B. ein Zusatz etwa von Phosphor, Arsen oder Antimon zu amorphem Selen,
daß die Kristallisation nicht oder nur sehr langsam fortschreitet.
Aufgabe der Erfindung ist die Herstellung eines elek-
trophotcgraphischen Materials, das fiber einen größeren spektralen Bereich, insbesondere auch im roten
Gebiet, empfindlich ist, das sich trotzdem dabei durch
eine niedrige Dunkelleitfähigkeit auszeichnet und das auch im Dauergebrauch gleichbleibende und praktisch S
brauchbare Eigenschaften aufweist.
Diese Aufgabe wird bei einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial mit einer Zusätze enthaltenden photoleitfähigen Schicht erfindungsgemäß gelöst durch die Kombination von amorphem Selen, kri-
stallisiertem Selen und Phosphor, Arsen und/oder Antimon.
Man erreicht mit dem erfindungsgemäßen elektrophotographischen Material, daß die kristallisierten Anteile, die als feinverteilte Kristalle in dem amorphen
Selen eingelagert sind, erhalten bleiben und nicht merklich auf Kosten des amorphen Selens weiterwachsen.
So wird die Schicht aus amorphem Selen ausreichend hochohmig gehalten und geht bei Raumtemperatur
oder den niedrigen Betriebstemperaturen wegen der Dotierung mit dem die Kristallisation hemmenden
Stoff praktisch nicht in den kristallisierten Zustand über.
Die eingelagerten Kristalle bilden mit dem amorphen Selen eine auch bei bauergebrauch beständige
Schicht mit den geforderten günstigen elektrooptischen Eigenschaften. Die Schicht besitzt neben der
Empfindlichkeit im blauen Bereich auch eine gute Rotempfindlichkeit und zugleich eine genügend geringe
Dunkelleitfähigkeit
Darüber hinaus zeigen photoleitende Schichten, die sowohl aus amorphen als auch aus kristallisierten Selenbereichen bestehen, eine weitere Wirkung. Da die
elektrophotographischen Eigenschaften der Schichten in kleinen Bereichen inhomogen sind, wirken sie wie
ein Raster und geben auch größere einheitlich gefärbte Flächen als solche wieder und zeigen keinen Randeffekt. Auch die Erzeugung von Halbtonbildern ist
ebenfalls möglich.
Um die Kristallisation zu hemmen oder zu verzögern, werden zweckmäßigerweise als Dotiermaterial
Phosphor, Arsen oder Antimon oder ähnlich wirkende Stoffe oder ein Gemisch aus diesen Stoffen benutzt,
deren Anteil von der Art des Dotierstoffes abhängig ist. Beispielsweise hat sich bei Arsen ein Zusatz bis zu 50%
als vorteilhaft erwiesen. Daneben können natürlich sowohl im amorphen als auch im kristallisierten Selen
auch noch andere übliche Dotierstoffe vorhanden sein, etwa solche, die die Leitfähigkeit, die spektrale Empfindlichkeit, das Restpotential, die Ermüdung, den Ab-
rieb, die Haftfestigkeit oder andere Eigenschaften beeinflussen.
An einigen Ausführungsbeispielen sollen das erfindungsgemäße Material sowie Verfahren zu seiner Herstellung näher beschrieben werden.
Pulverisiertes Selen ohne Kristallisationshemmer und pulverisiertes, mit Kristallisationshemmern dotiertes Selen werden im gewünschten Verhältnis, z. B. im
Verhältnis 1 :3, gemischt Dieses Pulver wird in der notwendligen Schichtdicke auf das Trägermaterial aufgebracht und gegebenenfalls in einer geheizten Vorrichtung gepreßt. Es hat danach eine in der Elektrophotographie übliche Schichtdicke von etwa 10 bis 300 μηι.
Der Temperatur-Zeit-Verlauf kann so gesteuert werden, daß das Material eine solche Viskosität erreicht, 6s
daß es gut zusammenfließt, aber sich nicht vollständig
mischt Hierfür ist ein Temperaturintervall etwa von
500C bis in die Nähe des Schmelzpunktes geeignet Die
Zeitdauer wird der gewählten Temperatur angepaßt Das lästige Ankleben des Selens am Preßstempel wird
dabei durch eine Zwischenlage vermieden, für die sich beispielsweise Glimmer bewährt hat
Nach der Pressung unter höherer Temperatur befinden sich die Anteile des nicht mit Kristallisationshemmern dotierten Selens in der Mischung im allgemeinen
bereits im kristallisierten Zustand. Andernfalls wird die Schicht noch einer Wärmebehandlung unterzogen, um
die Kristallisation zu erreichen.
Nach einer anderen Ausgestaltung des Verfahrens nach der Erfindung werden das Selen ohne Kristallisationshemmer und das mit Kristallisationshemmern dotierte Selen nicht als Pulver, sondern im flüssigen Zustand aus getrennten Düsen und im gewünschten Mengenverhältnis gleichzeitig oder abwechselnd nacheinander auf die entsprechend erwärmte Unterlage aufgesprüht. Gegebenenfalls muß sich auch bei diesem Verfahren noch eine thermische Nachbehandlung anschließen, um die Anteile aus dem Selen ohne Kristallisationshemmer in den kristallisierten Zustand zu überführen. Auch kann es sich als notwendig erweisen, die
Oberfläche der Schicht zur Einebnung zu polieren.
Nach einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens werden das Selen ohne Kristallisationshemmer und das
mit den Kristallisationshemmern dotierte Selen aus getrennten Verdampfern abwechselnd verdampft und auf
dem Trägermaterial niedergeschlagen. Dabei wird das Selen ohne Kristallisationshemmer z. B. durch eine Gittermaske gedampft so daß es nur in kleinen isolierten
Bereichen kondensiert. Die Gittermasken werden gegebenenfalls erwärmt, damit sie sich nicht zu schnell
zusetzen und den Durchlaß verstopfen. Das mit den Kristallisationshemmern dotierte Selen kann dagegen
auch als gleichmäßige Schicht aufgedampft werden. Sofern das Selen ohne Kristallisationshemmer noch nicht
im kristallisierten Zustand vorliegt schließt sich auch bei dieser Ausgestaltung des Verfahrens noch eine
thermische Nachbehandlung an.
Schließlich wird noch als weitere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens die photoleitfähige
Schicht durch Aufdampfen im Vakuum aus amorphem Selen mit einem Zusatz, der die Kristallisationsgeschwindigkeit herabsetzt, hergestellt. Danach wird die
Schicht einer Wärmebehandlung unterzogen, bei der die Temperatur so gewählt wird, daß das Selen zu kristallisieren beginnt. Dieser Vorgang wird zum gewünschten Zeitpunkt unterbrochen, beispielsweise
wenn etwa 20% des Selens kristallisiert sind. Um dieses mit Kristallisationshemmern dotierte Selen zum Kristallisieren zu bringen, wird eine Temperatur benötigt,
die wesentlich über der Zimmertemperatur oder wesentlich über der verhältnismäßig niedrigen Betriebstemperatur liegt.
Dadurch ist die Schicht nach ihrer Herstellung bei Lagerung und im Betrieb in einem photographischen
Gerät oder Kopiergerät nicht durch eine an und für sich mögliche Weiterkristallisation gefährdet. Im übrigen kann bei der teilweisen Kristallisation des dotierten Materials eine Reinigung des kristallisierten Selens
durch unterschiedliche Löslichkeit der Dotierungssubstanz im amorphen und im kristallisierten Selen eintreten.
Claims (6)
1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
mit einer Zusätze enthaltenden photoleitfähigen Schicht, gekennzeichnet durch die Kombination
von amorphem Seien, kristallisiertem Selen und Phosphor, Arsen und/oder Antimon.
2. Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen
Aufzeichnungsmaterials, bei dem auf einen erwärmten Schichtträger flüssiges Selen mit
Hilfe einer Düse aufgesprüht wird, dadurch gekennzeichnet, daß aus einer zweiten Düse eine Legierung
aus Selen und Phosphor, Arsen oder Antimon gleichzeitig aufgesprüht und die erhaltene photoleitfähige
Schicht gegebenenfalls erwärmt und/oder gegebenenfalls poliert wird.
3. Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, bei dem Selen
aus einem Verdampfer, gegebenenfalls durch eine gegebenenfalls erwärmte Gittermaske, auf einen
Schichtträger aufgedampft wird, dadurch gekennzeichnet, daß aus einem zweiten Verdampfer eine
Legierung aus Selen und Phosphor, Arsen oder Antimon abwechselnd mit dem reinen Selen auf den
Schichtträger aufgedampft und die erhaltene photoleitfähige Schicht gegebenenfalls erwärmt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Erwärmung bei einer Temperatur
durchgeführt wird, bei der das Selen zu kristallisieren beginnt, und daß der Kristallisationsvorgang
durch Abkühlen unterbrochen wird.
5. Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial, bei dem pulverförmiges
Selen mit Hilfe eines gegebenenfalls geheizten Preßstempels und gegebenenfalls einer
Zwischenschicht auf einen Schichtträger aufgepreßt wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein pulverförmiges
Gemisch aus reinem Selen und einer Legierung aus Selen und Phosphor, Arsen und Antimon auf
den Schichtträger aufgepreßt wird und die erhaltene photoleitfähige Schicht gegebenenfalls erwärmt
wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zwischenschicht aus Glimmer
verwendet wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691908101 DE1908101C3 (de) | 1969-02-19 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19691908101 DE1908101C3 (de) | 1969-02-19 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1908101A1 DE1908101A1 (de) | 1970-09-10 |
| DE1908101B2 true DE1908101B2 (de) | 1975-07-31 |
| DE1908101C3 DE1908101C3 (de) | 1976-03-18 |
Family
ID=
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3132999A1 (de) * | 1980-08-23 | 1982-06-09 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokyo | Lichtempfindliche elektrophotographisches element |
| DE3210292A1 (de) * | 1982-03-20 | 1983-09-29 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3132999A1 (de) * | 1980-08-23 | 1982-06-09 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokyo | Lichtempfindliche elektrophotographisches element |
| DE3210292A1 (de) * | 1982-03-20 | 1983-09-29 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1908101A1 (de) | 1970-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3212184C2 (de) | ||
| DE2328492B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE1908101C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1908101B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2808757B1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
| DE2248054A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
| DE2064247C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE2028641C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Ladungsbildes und Aufzeichnungsmaterial zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE2352793A1 (de) | Photoleitende schicht | |
| DE1522598B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE3000305C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
| DE1522728A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrophotographischen Platte | |
| DE2850001C2 (de) | ||
| DE2002624C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE1497065C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| CH500571A (de) | Halbleiterelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2061655B2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE1522712C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
| DE2523193C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1764864C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines lichtempfindlichen Pulvers aus CdS-Kristallen | |
| DE2042592C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE1597840C (de) | Verfahren zur Verbesserung der Photo leitfähigkeit im Vakuum auf einem Schicht trager abgelagerter Cadmiumsulfid Schichten | |
| DE2305342C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
| DE2158333A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
| DE1522728C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrophotographischen Platte |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| EF | Willingness to grant licences | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |