DE3132999A1 - Lichtempfindliche elektrophotographisches element - Google Patents

Lichtempfindliche elektrophotographisches element

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Satoshi Haneda
Hiroyuki Moriguchi
Hiroyuki Hachioji Tokyo Nomori
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
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Description

  • Lichtempfindliches elektrophotographisches Element
  • Die Erfindung betrifft ein neues lichtempfindliches elektrophotographisches Element.
  • Ein lichtempfindliches elektrophotographisches Element hat im allgemeinen einen Aufbau, bei dem eine lichtempfindliche photoleitfahige Schicht auf einem elektrisch leitenden Träger angeordnet ist, und diese photoleitfähige Schicht muß aufweisen (1) ein ausgezeichnetes elektrisches Ladungsrückhaltevermögen, -(2) ein ausgezeichnetes Bilderzeugungsvermögen und (3) eine ausgezeichnete funktionelle Stabilität.
  • Konkret ist unter dem elektrischen Ladungsrückhaltevermögen die Fähigkeit zu verstehen, die durch Coronaentladung auf der photoleitfähigen Schicht in der Aufladungsstufe des elektrophotographischen Verfahrens erzeugten positiven oder negativen Ionen in stabiler Weise festzuhalten (zurückzuhalten)'und es ist daher zur Erzielung eines ausgezeichneten elektrischen Ladungsrückhaltevermögens erforderlich, daß die photoleitfähige Schicht einen hohen elektrischen Widerstand aufweist.
  • Unter dem Bilderzeugungsvermögen ist die Fähigkeit zu verstehen, ein elektrostatisches Ladungsbild zu erzeugen, das der mit Licht bestrahlten Vorlage entspricht, durch Entfernen der in der Aufladungsstufe durch die Bestrahlung mit Licht erzeugten elektrischen Ladung unter Ausnutzung der Eigenschaften der photoleitfähigen Substanz, welche die photoleitfähige Schicht aufbaut, und zur Erzielung eines ausgezeichneten Bilderzeugungsvermögens ist es daher erforderlich, daß die lichtempfindliche Schicht eine ausgezeichnete spektrale Empfindlichkeit aufweist.
  • Unter der Stabilität ist hier in erster Linie die elektrische Stabilität bei wiederholter Verwendung des lichtempfindlichen elektrophotographischen Elements und die Stabilität gegenüber Wärme und Licht, nämlich die Umweltstabilität, zu verstehen.
  • Bisher wurde als photoleitfähige Substanz, die eine lichtempfindliche photoleitfähige Schicht des lichtempfindlichen elektrophotographischen Elements aufbaut, in großem Umfange amorphes Selen verwendet. Der Grund dafür ist der, daß Selen einen hohen elektrischen Widerstand und eine hohe elektrische Stabilität aufweist und daß die spektrale Empfindlichkeit und die Umweltstabilität desselben bis zu einem gewissen Grade noch verbessert werden können durch Zugabe geeigneter Zusätze, obgleich es unmöglich ist, mit einer einfachen Substanz wie Selen eine ausgezeichnete spektrale Empfindlichkeit und eine ausgezeichnete Umweltstabilität zu erzielen, insbesondere wegen seiner Eigenschaft, unter der Einwirkung von Wärme leicht zu kristallisieren, da es amorph ist.
  • Es ist beispielsweise bekannt, daß eine ausgezeichnete spektrale Empfindlichkeit erzielt erden kann durch Zugabe von Tellur, Arsen, Antimon und Wismut und dgl zu Selen. Die Zugabe einer großen Volumenmenge dieser Zusätze führt Jedoch häufig zu einer Beeinträchtigung des guten elektrischen Ladungsrückhaltevermögens, das Selen hat, und wenn sie in einer Menge zugegeben werden, die ausreicht, um eine ausgezeichnete spektrale Empfindlichkeit zu erzielen, ist es unmöglich, ein für die Praxis ausreichendes elektrisches Ladungsrückhaltevermögen zu erzielen. Bei Zugabe von Zusätzen entsteht im allgemeinen zusätzlich zu dem instabilen Zustand, daß Selen amorph ist und dadurch die elektrische Stabilität beeinträchtigt wird, eine elektrische Falle (ein elektrisches Einfangen), hervorgerufen durch die Einführung eines Fremdatoms. Infolgedessen werden die Zusätze auf einen solchen beschränkt, der Selen ähnelt und im gleichen Elektronen zustand vorliegen kann, und aus diesem Grunde werden in der Praxis Tellur, Arsen und Antimon und dgl. verwendet.
  • Amorphes Selen liegt in einem amorphen Zustand vor, dessenHauptstruktur eine Kettenstruktur ist und man nimmt an, daß es bei einer vergleichsweise tiefen Temperatur (etwa 50°C) kristallisiert, was ein Grund dafür ist, warum keine thermische Stabilität erzielt werden kann.
  • Wenn jedoch Phosphor, Arsen, Antimon und Wismut, die eine dreifach koordinierte Struktur haben können, oder Germanium und Silicium und dgl., die eine vierfach koordinierte Struktur haben können, zugesetzt werden, wird die Kettenstruktur des Selens vernetzt unter Bildung einer dreidimensionalen Struktur, wodurch es möglich ist, eine thermische Stabilität zu erzielen. Aber selbst wenn die thermische Stabilität durch Zugabe der obengenannten Substanzen verbessert werden kann, befriedigen die übrigen Eigenschaften, die ein lichtempfindliches elektrophotographisches Element aufweisen muß, wie z.B. die spektrale Empfindlichkeit und die elektrische Stabilität, kaum, selbst wenn andere Substanzen als Arsen zugegeben werden.
  • Wie oben für die Zugabe von Zusätzen zu Selen in der lichtempfindlichen Schicht angegeben, kann durch Zugabe dieser Zusätze im allgemeinen zwar eine Verbesserung einer bestimmten Eigenschaft erzielt werden, es ist jedoch schwierig, andere bevorzugte Eigenschaften zu erzielen und eine lichtempfindliche Schicht, in der Arsen dem Selen zugesetzt wird, hat für die praktische Verwendung die besten Eigenschaften. Eine lichtempfindliche Schicht, die jedoch aus einer Arsen-Selen-Legierung besteht, ist bei ihrer Herstellung und der anschließenden Handhabung sehr gefährlich und es bestehen noch- Probleme bezüglich ihrer praktischen Verwendung.
  • Als Element, das Arsen ähnelt, kann Phosphor oder Antimon zugegeben werden, aus der vorstehenden Beschreibung geht jedoch hervor, daß die aus einer Phosphor-Selen-Legierung bestehende lichtempfindliche Schicht keine ausgezeichnete spektrale Empfindlichkeit in dem geforderten Wellenlängenbereich aufweist und daß außerdem bei einer aus einer Antimon-Selen-Legierung bestehenden lict'tempfindlichen Schicht eine Beschränkung in Bezug auf die Menge des Zusatzes besteht wegen des elektrischen Widerstandes, so daß es unmöglich ist, eine ausreichende thermische Stabilität zu erzielen.
  • Angesichts der vorstehend geschilderten Situation bestand das Ziel der in der vorliegenden Anmeldung beschriebenen Erfindung darin, ein lichtempfindliches elektrophotographisches Element mit einer lichtempfindlic'ien Schicht zu entwickeln, die ein ausgezeichnetes elektrisches Ladungsrückhaltevermögen, ein ausgezeichnetes Bilderzeugungsvermögen und eine ausgezeichnete Stabilität aufweist und in Bezug auf die Sicherheit keine Unklarheiten mit sich bringt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 der beiliegenden Zeichnung näher erläutert, die in Form einer Querschnittsansicht den beispielhaften Aufbau des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen elektrophotographischen Elements zeigen, in denen die einzelnen Ziffern die folgenden Bedeutungen haben: Ziffer 1: elektrisch leitender Träger, Ziffer 1A: isolierendes Substrat, Ziffer 1B: elektrisch leitende Schicht, Ziffer 2: photoleitfähige Schicht und Ziffer 3: Zwischenschicht Bei der Fig. 1 der beiliegenden Zeichnung besteht die lichtempfindliche Schicht 2, die auf dem elektrisch leitenden Träger 1 angeordnet ist und zusammen mit diesem das erfindungsgemäße lichtempfindliche elektrophotographische Element aufbaut, aus einer Legierung, die hergestellt wurde durch Zugabe von Phosphor (p) und Antimon (Sb) zu Selen.
  • Die Zusammensetzung der die lichtempfindliche Schicht 2 aufbauenden Legierung ist, ausgedrückt durch die allgemeine Formel (Px Sb1~x)4ySeó(1y) (i) vorteilhaft, wenn der Wert für x innerhalb des Bereiches 0,1#x<1 und der Wert für y innerhalb des Bereiches 0,1#y#0,6 liegt.
  • Besonders bevorzugt ist eine solche, .bei der die Zusammensetzung der obengenannten Legierung der allgemeinen Formel entspricht (Px Sb1-x)2Se3 (11) worin der Wert für x innerhalb des Bereiches 0,4 'xi 0,9 liegt.
  • Als Material für den obengenannten elektrisch leitenden Träger 1 kann beispielsweise ein Metall, wie Aluminium, Nickel, Kupfer, Zink, Palladium, Silber, Indium, Zinn, Gold, rostfreier Stahl und Messing und dgl.,verwendet werden. Es besteht jedoch keine Beschränkung auf diese Materialien und es ist, wie beispielsweise in der Fig. 2 dargestellt, auch möglich, daß der elektrisch leitende Träger 1 hergestellt wird durch Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht<1B auf das isolierende Substrat 1A,und in diesem Falle sind Papier oder eine Kunststoffolie und andere mit einer Flexibilität und einer ausreichenden Festigkeit für die Zugbeanspruchungen und dgl. als Substrat 1A geeignet. Die elektrisch leitende Schicht IB kann aufgebracht werden durch Auflaminieren des Metalls oder durch Vakuumaufdampfen des Metalls oder auf andere Weise.
  • Wie in der Fig. 3 dargestellt, kann bei Bedarf zwischen dem elektrisch leitenden Träger 1 und der lichtempfindlichen Schicht 2 eine Zwischenschicht 3 angeordnet sein.
  • Als Zwischenschicht 3 können verwendet werden (a) eine solche, die durch chemische Behandlung der Oberfläche des elektrisch leitenden Trägers 1 erzeugt worden ist, (b) eine solche, die aus anorganischen Substanzen besteht, und (c) eine solcher die aus organischen Substanzen besteht, und typische Beispiele für dafür geeignete Materialien sind Aluminiumoxid, Zinnoxid Germanium, Silicium, Bleisulfid, ein Polycarbonatharz, ein Phenolharz, ein Acrylatharz, Polyvinylcarbazol und dgl. Diese Zwischenschicht 3 kann die Funktion einer Verbindungsschicht zwischen dem elektrisch leitenden Träger 1 und der lichtempfindlichen Schicht haben und als Sperrschicht fungieren.
  • In dem erfindungsgemäßen l lichtempfindlichen elektrophotographischen Element mit dem obengenannten Aufbau hat die die lichtempfindliche Schicht aufbauende Legierung einen ausreichend hohen elektrischen Widerstand trotz des zugegebenen Antimons, weil zusammen mit dem Antimon Phosphor dem Selen zugesetzt worden ist, und sie weist auch eine ausgezeichnete spektrale Empfindlichkeit auf, weil Antimon zugegeben worden ist, und sie besitzt daher ein ausgezeichnetes elektrisches Ladungsrückhaltevermögen und ein ausgezeichnetes Bilderzeugungsvermögen. Phosphor und Antimon sind ferner Elemente, die beide zu der fünften Gruppe des Periodischen Systems der Elemente gehören und eine dreifach koordinierte Bindungsstruktur haben können, so daß die Kettenstruktur von amorphem Selen an einer geeigneten Position durch den Phosphor oder das Antimon vernetzt wird, wodurch der amorphe Zustand des Selens stabilisiert wird, so daß eine Umweltstabilität, insbesondere eine große Stabilität gegenüber Wärme9 erzielt werden kann.
  • Wenn nun ein anderes Element dem Selen zugesetzt wird9 unterscheiden sich die Größe oder Größenordnung des Atomradlus und die Elektronenaffinität dieses anderen Elements im allgemeinen von denjenigen des Selenatoms und deshalb weist die erhaltene Selenlegierung eine räumliche und elektrische Verzerrung auf und die Folge davon ist, daß die lichtempfindliche Schicht, die aus dieser Selenlegierung besteht, normalerweise eine schlechtere elektrische Stabilität besitzt. Arsen ähnelt jedoch Selen sehr in Bezug auf die Größe oder Größenordnung des Atomradius und die Elektronenaffinität und daher weist die lichtempfindliche Schicht, die aus einer Arsen-Selen-Legierung besteht, eine ausgezeichnete elektrische Stabilität auf. Erfindungsgemäß handelt es sich bei dem Element, das Selen zugesetzt wird, das die lichtempfindliche Schicht aufbaut, um Phosphor und Antimon und jedes dieser Elemente ähnelt Selen in Bezug auf den Atomradius und die Elektronenaffinität, wenn auch nicht so sehr wie die Ähnlichkeit zwischen Selen und Arsen, und deshalb kann eine lichtempfindliche Schicht mit einer ausreichenden elektrischen Stabilität erzielt werden. Wenn jedoch in den Positionen, wo jeweils ein Phosphor- und Antimonatom eingeführt werden, eine räumliche und elektrische Verzerrung auftritt, werden diese dem Selen gemeinsam zugeführt in Form von Atomen der beiden Elemente, die im gemischten Zustand vorliegen, und als Folge davon werden die räumliche und die elektrische Verzerrung gegeneinander kompensiert und der Zustand ist genau der gleiche wie derjenige, der bei Zugabe von Arsen zu Selen erhalten wird, und dies erklärt sich aus dem Periodischen System der Elemente, in dem Phosphor und Antimon jeweils über und neben Arsen angeordnet sind.
  • Erfindungsgemäß ist es möglich, daß der Antimongehalt 20 Atom-% oder mehr beträgt, weil, wie oben angegeben, auch Phosphor darin enthalten ist, und es ist möglich, die Gehalte an Phosphor und Antimon bis zu einem Wert von 40 Atom-%, der chemisch stabil ist, oder nahe bei 40 Atom-% zu erhöhen und dadurch ist es mögliche eine lichtempfindliche Schicht zu erhalten die extrem stabil ist.
  • Die Zusammensetzung einer die lichtempfindliche Schicht des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen elektrophotographischen Elements aufbauenden, aus drei Elementen bestehenden Legierung kann durch die oben angegebene allgemeine Formel (I) ausgedruckt werden und wenn in dieser Formel der Wert für x x weniger als 0b1 beträgt ist der elektrische Widerstand der lichtempfindlichen Schicht zu gering und wenn der Wert für y weniger als 0,1 beträgt, ist es unmöglich, die Nachteile zu beseitigen, die auftreten, wenn die lichtempfindliche Schicht nur Selen enthält, und wenn der Wert für y O,g übersteigt, , können dadurch unzureichende elektrische Potentialeigenschaften hervorgerufen werden. Der Grund dafür, warum für den Wert von x keine Beschränkung besteht, obgleich er nahe bei 1 liegt, ist der, daß Antimon seine Wirkung als spektraler Sensibilisator entfaltet und sein Effekt groß ist, selbst wenn sein Gehalt sehr klein ist. Vom Standpunkt derpraktischen Verwendung aus betrachtet ist es jedoch bevorzugt, daß der Wert flir x innerhalb des Bereiches v»n 0,1#x#0,9 liegt und daß der Wert für y innerhalb des Bereiches 0,1#y#0,6 liegt.
  • Das erfindungsgemäße lichtempfindliche elektrophotographische Element kann nach einem Verfahren hergestellt werden, bei dem der elektrisch leitende Träger 1 oder ein solcher mit einer darauf aufgebrachten Zwischenschicht 3 als Substrat verwendet wird und die lichtempfindliche Schicht 2, die aus der obengenannten, aus drei Elementen bestehenden Legierung besteht, unter Anwendung eines Aufdampfverfahrens oder eines Spritzverfahrens auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht wird. Wenn dieses Verfahren mit einer einzigen Verdampfungsquelle durchgeführt wird, die eine Mischung aus Phosphor, Antimon und Selen umfaßt, entsteht wegen der unterschiedlichen Verdampfungsgeschwindigkeit bei der gleichen Temperatur ein aufgedampfter Film, in dem die Konzentration an Phosphor und Selen in der Anfangsstufe der Verdampfung hoch ist und die Konzentration an Antimon in der späteren Stufe der Verdampfung hoch ist,und dadurch ist der Schwankungsbereich für die Zusammensetzung des aufgedampften Films breit und die Kontrollierbarkeit der Bildung der lichtempfindlichen Schicht mit vorgeschriebenen Eigenschaften ist geringer. Deshalb wird eine Methode angewendet, bei der die lichtempfindliche Schicht 2 in der Weise erzeugt wird, daß ein aufgedampfter Film mit einer vorgeschriebenen Zusammensetzung hergestellt wird durch Verwendung mehrerer Verdampfungsquellen mit verschiedener Zusammensetzung und durch Kontrollieren der Verdampfungstemperatur jeder Verdampfungsquelle und anderer Faktoren, so daß während des gesamten Verlaufs der Aufdampfung jede Komponente in der vorgeschriebenen Menge darin enthalten ist. Als Verdampfungsquellensubstanz kann in jeder der mehreren Verdampfungsquellen eine solche verwendet werden, die ausgewählt wird aus Phosphor, Antimon, Selen und einer Legierung oder einer Mischung von zwei oder drei Substanzen davon mit einer geeigneten Kombination davon, so daß die obengenannte Drei-Element-Phosphor-Antimon-Selen-Legierung erzielt werden kann.
  • Wenn die Zusammensetzung der obengenannten Drei-Element-Legierung durch die obengenannte allgemeine Formel (II) ausgedrückt wird, so ist es höchstwahrscheinlich, daß der eingeführte Phosphor und das eingeführte Antimon alle an das Selen chemisch gebunden sind, so daß eine große elektrische und thermische Stabilität erzielt werden kann. Für die lichtempfindliche Schicht aus einer Legierung mit einer solchen Zusammensetzung wird zweckmäßig ein Verdampfungsverfahren angewendet, bei dem eine Verbindung (mischung) von Selen Phosphor und/oder Antimon als Verdampfungsquellensubstanz verwendet wird. Die obengenannte allgemeine Formel (II) entspricht offensichtlich dem Fall, bei dem der Wert für den Parameter y in der allgemeinen Formel (1) 0,5 beträgt.
  • Wenn die obengenannte lichtempfindliche Schicht 2 unter Anwendung eines Verdampfungsverfahrens wie vorstehend beschieben erzeugt wurde kann bei 3edarf eine ergänzende Technologie angewendet werden. So besteht beispielsweise in der Verdampfungsfilmsubstanz die Neigung zur Bildung eines Einfangbereiches bzw. -niveaus in Abhängigkeit von dem angewendeten Verdampfungsverfahren und der zugegebenen Substanz und dieses bewirkt, daß das Restpotential der lichtempfindlichen Schicht hoch wird, weil der Einfangbereich erzeugt wird9 der eine durch die Bestrahlung mit Licht erzeugte elektrische Ladung einfängt und die Bewegung derselben stört. Dies kann jedoch durch eine Technologie verbessert werden, bei der ein Helogenatom, wie Chlor, Brom und Jod, und ein Metallatom, wie Lithium, Natrium, Kalium, Rubidium, Indium und Thallium, in den aufgedampften Film eingeführt und dadurch der Einfangbereich beseitigt werden. Außerdem kann die Technik der Kontrolle der Temperatur an der Oberfläche, die entsprechend der Zusammensetzung der Verdampfungsquellensubstanz bedampft werden soll, und die Wärmebehandlungstechnik für den aufgedampften Film zur Erzielung einer physikalischen und chemischen Stabilität auf die lichtempfindliche Schicht angewendet werden.
  • Außerdem ist in der lichtempfindlichen Schicht 2 eine Änderung der Schichtstruktur, beispielsweise die Erhöhung der Antimonkonzentration an der äußersten Schicht zur Verbesserung der Lichtempfindlichkeit;sowie ferner die Vorsehung einer weiteren oberen Schicht mit Selen als Hauptkomponente zur weiteren Verbesserung des elektrischen Widerstandes der Schicht und die Vorsehung einer weiteren darunterliegenden Schicht mit Selen als eine Hauptkomponente zur Verhinderung der Injektion von elektrischen Ladungen aus dem elektrisch leitenden Träger 1 oder aus der Zwischenschicht 3 möglich.
  • Die Dicke der auf diese Weise erhaltenen lichtempfindlichen Schicht 2 beträgt in der Regel 10 bis 200 yun und der Bereich von 50 bis 100 zur ist besonders bevorzugt, obgleich die Dicke von den Bedingungen ihrer Verwendung abhängt.
  • Wie oben angegeben, ergibt die vorliegende Erfindung ein lichtempfindliches elektrophotographisches Element mit einem ausreichend hohen elektrischen Widerstand und einem ausgezeichneten elektrischen Ladungsrückhaltevermögen sowie einer zufriedenstellenden spektralen Empfindlichkeit und einem vlusgezeichneten Bilderzeugungsvermögen sowie einer elektrischen Stabilität und einer hohen Stabilität gegen die Umwelt, insbesondere gegenüber Wärme, und damit ist es möglich, konstant eine ausgezeichnete Elektrophotographie für die wiederholte Verwendung herzustellen.
  • Die Erfindung wird in den nachfolgenden Beispielen näher erläutert, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Die darin angegebenen Prozentangaben bezüglich der Zusammensetzung geben den Prozentsatz der Anzahl der Atome an.
  • Beispiele 1 - 7 Als Substrat wurde ein Träger aus Aluminium verwendet, dessen Oberfläche durch Oxidation behandelt worden war, und drei Verdampfungsquellen, eine Phosphorverdampfungsquelle, eine Antimonverdmpfungsquelle und eine Selen verdampfungsquelle, wurden auf 350°C, 600°C bzw. 250°C erhitzt und gleichzeitig wurde die Temperatur des obengenannten Trägers bei 80°C gehalten und unter diesen Bedingungen wurde die Verdampfung bzw. Aufdampfung für einen Zeitraum von 50 Minuten durchgeführt und dabei wurde eine lichtempfindliche Schicht mit einer Dicke von 60 ym erhalten, die zu 40 % aus Phosphor, zu 15 % aus Antimon und zu 45 % aus Selen bestand, und auf diese Weise wurde das erfindungsgemäße lichtempfindliche elektrophotographische Element hergestellt, das nachstehend als "Probe 1 " bezeichnet wird.
  • Die Zusammensetzung der lichtempfindlichen Schicht in dieser Probe 1 war diejenige der allgemeinen Formel (1), worin x = 0,73 und y - 0,65.
  • Durch Kontrollieren der Temperatur jeder Verdampfungsquelle wurden ferner sechs lichtempfindliche elektrophotographische Elemente mit einer aus Phosphor, Antimon und Selen bestehenden lichtempfindlichen Schicht mit der in der folgenden Tabelle angegebenen Zusammensetzung hergestellt. Diese Proben werden nachfolgend als "Probe 2 bis Probe 7" bezeichnet.
  • Beispiel 8 Als Substrat wurde ein Träger aus Aluminium verwendet, dessen Oberfläche durch Oxidation behandelt worden war, und drei Verdampfungsquellen, eine Phosphorselenidverdampfungsquelle, eine Antimonselenidverdampfungsquelle und eine Selenverdampfungsquelle, wurden auf 3100C, 5800C bzw. 2800C erhitzt und gleichzeitig wurde die Temperatur des obengenannten Trägers bei 800C gehalten und unter diesen Bedingungen wurde eine Verdampfung bzw.
  • Aufdampfung für einen Zeitraum von 50 Minuten durchgeführt und dabei erhielt man eine lichtempfindliche Schicht einer Dicke von 60 Mm, die bestand aus 10 % Phosphor, 10 % Antimon und 80 % Selen'und auf diese Weise wurde das erfindungsgemäße lichtempfindliche elektrophotographische Element hergestellt, das nachstehend als 'Probe 8" bezeichnet wird.
  • Die Zusammensetzung der lichtempfindlichen Schicht dieser Probe 8 war diejenige der allgemeinen Formel I, worin x = 0,5 und y = 0,27.
  • Beispiel 9 Als Substrat wurde ein Träger aus Aluminium verwendet-, dessen Oberfläche durch Oxidation behandelt worden war, und zwei Verdampfungsquellen, eine Phosphorselenidverdampfungsquelle und eine Antimonselenidverdampfungsquelle, wurden auf 3300C bzw. 6000C erhitzt und gleichzpitig wurde die Temperatur des obengenannten Trägers bei 900C gehalten und unter diesen Bedingungen wurde eine Verdampfung bzw. Aufdampfung für einen Zeitraum von 70 Minuten durchgeführt und dabei wurde eine lichtempfindliche Schicht einer Dicke von 65 µm erhaltene die aus 28 % Phosphor, 12 % Antimon und 60 % Selen bestand und auf diese Weise wurde ein erfindungsgemäßes lichtempfindliches elektrophotographisches Element erhalten, das nacnstehend als "Probe 9" bezeichnet wird.
  • sie zusammensetzung der lichtempfindlichen Schicht dieser Probe 9 ist eine solche der allgemeinen Formel (@@), worin x = 0,7.
  • Beispiel 10 Als Substrat wurde ein Träger aus Aluminium verwendet, dessen Oberfläche durch Oxidation behandelt worden war, und eine Verdampfungsquelle aus einem Gemisch aus Antimonselenid und Phosphorselenid wurde auf 500°C erhitzt und gleichzeitig wurde die Temperatur des obengenannten Trägers bei 1000C gehalten und unter diesen Bedingungen wurde die Verdampfung (Aufdampfung) tür einen Zeitraum von 70 Minuten durchgeführt, wobei man eine lichtemplindliche Schicht einer Dicke von 60 pin erhielt, die aus 32 % Phosphor, d s Antimon und 60 26 Selen bestand'und auf diese Weise erhielt man ein erfindungsgemäßes lichtempfindliches elektrophotographisches Element9 das nacnstehend als Probe @0" bezeichnet wird, Die Lusammensetzung der lichtemprindlichen Schicht dieser Probe 10 war diejenige der allgemeinen Formel (@@). worin x = 0,8.
  • Beispiel 11 Als Substrat wurde ein Träger aus Aluminium verwendet, dessen Oberfläche durch Oxidation behandelt worden war, und drei Verdampfungsquellen, eine Phosphorselenidverdampfungsquelle, eine Antimonselenidverdampfungsquelle und eine Verdampfungsquelle aus Selen mit 100 ppm Chlor, wurden auf 31O0C, 5800C bzw. 2600C erhitzt und gleichzeitig wurde die Temperatur des obengenannten Trägers bei 800C gehalten und unter diesen Bedingungen wurde die Verdampfung bzw. Aufdampfung für einen Zeitraum von 50 Minuten durchgeführt, wobei man eine lichtempfindliche Schicht einer Dicke von 60 pm erhielt, die aus 10 % Phosphor, 10 ffi Antimon und 80 % Selen bestand, und auf diese Weise wurde ein erfindungsgemäßes lichtempfindliches elektrophotographisches Element hergestellt, das nachstehend als "Probe 11" bezeichnet wird.
  • Die Zusammensetzung der lichtempfindlichen Schicht dieser Probe 11 war diejenige der allgemeinen formel (I), worin x = 0,5 und y = 0,27.
  • Vergleichsbeispiel 1 Als Substrat wurde ein Träger aus Aluminium verwendet, dessen Oberfläche durch Oxidation behandelt worden war, und zwei Verdampfungsquellen, eine Antimonverdampfungsquelle und eine Selenverdampfungsquelle, wurden auf 6500C bzw. 2600C erhitzt und gleichzeitig wurde die temperatur des obengenannten Trägers bei 800 C gehalten, und unter diesen Bedingungen wurde eine Verdampfung bzw. Aufdampfung für einen Zeitraum von 70 Minuten durchgeführt, wobei man eine.lichtempfindliche Schicht einer Dicke von 60 pin erhielt, die aus 30 % Antimon und 70 % Selen bestand, und auf diese Weise erhielt man ein lichtempfindliches elektrophotographisches Element, das nachstehend als "Vergleichsprobe 1" bezeichnet wird.
  • Die lichtempfindliche Schicht dieser Vergleichsprobe 1 enthielt keinen Phosphor und ihre Zusammensetzung war diejenige der allgemeinen Formel (1), worin x = O und y = 0,18.
  • Vergleichsbeispiel 2 Als Substrat wurde ein träger aus Aluminium verwendet, dessen Oberfläche durch Oxidation behandelt worden war, und zwei Verdampfungsquellen, eine Phosphorverdampfungsquelle und eine Selenverdampfungsquelle, wurden auf 3500C bzw 260QC erhitzt und gleichzeitig wurde die Temperatur des obngenannten Trägers bei 800C gehalten, und unter diesen Bedingungen wurde die Verdampfung bzw.
  • Aufdampfung für einen Zeitraum von 70 Minuten durchgeführt, wobei man eine lichtempfindliche Schicht einer Dicke von 60 ym erhielt, die aus 30 % Phosphor und 70 % Selen bestand, und auf diese Weise wurde ein lichtempfindliches elektrophotographisches Element hergestellt, das nachstehend als "Vergleichsprobe 2" bezeichnet wird.
  • Die lichtempfindliche Schicht dieser Vergleichsprobe 2 enthielt kein Antimon und ihre Zusammensetzung war diejenige der allgemeinen Formel (1>, worin x = 1 und y = 0,18.
  • Mit den obengenannten Proben 1 bis 11 und den Vergleichsproben 1 und 2 wurden Tests zur bestimmung ihrer Eigenschaften durchgefuhrt, nämlich zur Bestimmung der Aufnahmespannung(V0) auf der lichtempfindlichen Schicht, der Spannung (V1) nach einem Dunkelzerfall von 5 Sekunden und der Halbzerfall-Belichtungsmenge (E 1/2), die erforderlich war zur Abnahme der Spannung (V1) auf die Hälfte, die bei jeder der Proben und der Vergleichsproben unter Verwendung eines elektrostatischen Kopierpapier-Testinstruments, Modell SP-428 (hergestellt von der Firma KAWAGOCHl DENKI SEISAK@SHO),gemessen wurden bei einer an die Coronaentladungseinrichtung angelegten Spannung von 5,5 V zum Aufladen derselben. Die erzielten Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle angegeben. Tabelle Zusammensetzung der Werte für Oberflächenpotenlichtempfindlichen Empfindlichkeit x und y in tial lichtempfind- Schicht der Formel liches Ele- (@) P Sb Se V0 V1 E1/2 ment Probe Nr.
  • (%) (%) (%) (Volt) (Volt) (lux.sec) Aussehen x y 1 40 15 45 850 700 2.5 # ca 0.72 ca 0.65 2 3 2 95 1300 1150 5.0 # 0.60 ca 0.07 3 10 20 70 780 600 1.5 # ca 0.33 ca 0.18 4 35 10 55 980 850 2.0 # ca 0.77 ca 0.55 5 16 24 60 800 650 0.5 # 0.40 0.50 6 28 12 60 950 830 0.8 # 0.70 0.50 7 36 4 60 1100 950 1.5 # 0.90 0.50 8 10 10 80 1000 880 2.0 # 0.50 ca 0.27 9 28 12 60 1000 880 0.8 # 0.70 0.50 10 32 8 60 920 780 0.6 # 0.80 0.50 11 10 10 80 1000 880 1.8 # 0.50 ca 0.27 Ver-1 0 30 70 250 150 1.0 # 0.00 ca 0.18 gleich " 2 30 0 70 1400 1200 2.5 # 1.00 ca 0.18 Die in der Spalte "Aussehen" angegebenen Symbole haben die folgenden Bedeutungen: "X" = die Probe oder Vergleichsprobe konnte in der Praxis nicht verwendet werden, a = die Probe oder Vergleichsprobe konnte in der Praxis nicht verwendet werden, "#" = = die Probe oder Vergleichsprobe konnte bevorzugt in der Praxis verwendet werden und II die "# " = die Probe oder Vergleichsprobe konnte besonders bevorzugt in der Praxis verwendet werden.
  • Die Proben 1 bis 11 wurden auf eine elektronische Kopiervorrichtung IITJ-biX V" (hergestellt von der Firma Konishiroku Photo Ind. Co., Ltd.) aufgebracht und es wurden kontinuierliche Kopiertests durchgeführt, wobei die Proben 1 und 2 zeigten, daß sie kopierte Bilder lieferten, die für die praktische Verwendung akzeptabel waren, und es war möglich, mit den Proben 3 bis 11 ausgezeichnete Kopierbilder zu erhalten, wobei es insbesondere mit den Proben 5 bis 7, 9 und 10 möglich war, eine lange Kopierdauer (Haltbarkeit) zu erzielen.
  • Aus den Ergebnissen des vorstehenden Tests geht hervor, dali das erfindungsgemäße lichtempfindliche elektrophotographische Element ein ausgezeichnetes elektrisches Ladungsrückhaltevermögen, eine ausgezeichnete Bilderzeugungsfähigkeit und Stabilität insbesondere dann aufweist, wenn die Zusammensetzung aus Phosphor, Antimon und Selen eine solche ist, in der die Werte für x und y in der Formel (I) innerhalb eines bestimmten Bereiches liegen, wobei die obengenannten Eigenschaften in der Praxis in ausreichendem MaBe erzielt werden konnten und außerdem mit der lichtempfindlichen Schicht, deren Zu-. sammensetzung der Formel (II) entsprach, wobei der Wert für x darin innerhalb eines bestimmten Bereiches lag, eine besonders gute Haltbarkeit erzielt werden konnte L e e r s e i t e

Claims (1)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e 1 Lichtempfindliches elektrophotographisches Element, g e k e n n z e 1 c h n e t durch eine lichtempfindliche photoleitfähige Schicht aus einer Legierung von Phosphor, Antimon und Seien 2. Lichtempfindliches elektrophotographisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung der Legierung aus Phosphor (P), Antimon (Sb) und Seien (Se), welche die lichtempfindliche Schicht aufbaut, der folgenden allgemeinen Formel entspricht: (Px Sb1-x)4ySe6(1-y) (I) worin die Werte ftir x und y jeweils innerhalb des Bereiches 0,1#x<1 bzw. 0,1#y#0,6 liegen.
    3. Lichtempfindliches elektrophotographisches Element nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung einer Legierung aus Phosphor (P), Antimon (Sb) und Selen (Se), welche die lichtempfindliche Schicht aufbaut, der folgenden allgemeinen Formel entspricht: (PxSb1-x)2Se3 (II) worin der Wert für x innerhalb des Bereiches 0,4#x#0,9 liegt.
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