DE1904505A1 - Integrierte Halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung

Info

Publication number
DE1904505A1
DE1904505A1 DE19691904505 DE1904505A DE1904505A1 DE 1904505 A1 DE1904505 A1 DE 1904505A1 DE 19691904505 DE19691904505 DE 19691904505 DE 1904505 A DE1904505 A DE 1904505A DE 1904505 A1 DE1904505 A1 DE 1904505A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
zone
base
junction
circuit according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691904505
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Murphy Bernard Thomas
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1904505A1 publication Critical patent/DE1904505A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/40—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
    • H10D84/401—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
    • H10D84/403—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/406—Combinations of FETs or IGBTs with vertical BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10W10/031—
    • H10W10/051—
    • H10W10/30—
    • H10W10/50—
    • H10W15/00—
    • H10W15/01—

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
DE19691904505 1968-02-05 1969-01-30 Integrierte Halbleiterschaltung Pending DE1904505A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US70316568A 1968-02-05 1968-02-05
US78634568A 1968-12-23 1968-12-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1904505A1 true DE1904505A1 (de) 1969-11-06

Family

ID=27107087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691904505 Pending DE1904505A1 (de) 1968-02-05 1969-01-30 Integrierte Halbleiterschaltung

Country Status (7)

Country Link
BE (1) BE727540A (cg-RX-API-DMAC10.html)
CH (1) CH502698A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE1904505A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR2001361A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1262501A (cg-RX-API-DMAC10.html)
IL (1) IL31526A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (1) NL6901820A (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3125732B1 (fr) 2021-07-28 2023-06-30 Matair Dispositif de transfert de flux de soudure d’un module d’étuvage accéléré vers un module d’étuvage et de conservation

Also Published As

Publication number Publication date
BE727540A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1969-07-01
IL31526A (en) 1971-11-29
CH502698A (de) 1971-01-31
GB1262501A (en) 1972-02-02
NL6901820A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1969-08-07
FR2001361A1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1969-09-26
IL31526A0 (en) 1969-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3853778T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements.
DE3105118C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit komplementären bipolaren Transistoren und komplementären Isolierschicht-Gate-Feldeffekttransistoren auf einem gemeinsamen Substrat
DE102010016455B4 (de) Halbleiterbauelement, Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement, sowie integrierte Leistungsschaltung
DE4223272C2 (de) Halbleitervorrichtung mit einer Wannenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE2612667A1 (de) Verfahren zur herstellung dielektrisch isolierter halbleiterbereiche
DE2655400A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE102018216855A1 (de) Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
DE2441432B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines VMOS-Transistors
DE102015120417B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer vertikal integrierten Halbleitervorrichtung
DE2542153A1 (de) Halbleiterbaustein und verfahren zur herstellung desselben
DE3806164C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE2328090A1 (de) Halbleiterkondensator mit grosser kapazitaet und verfahren zu seiner herstellung
DE19654280A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102014109643B4 (de) Bipolartransistor und verfahren zum herstellen eines bipolartransistors
DE3235641C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE1903870A1 (de) Verfahren zum Herstellen monolithischer Halbleiteranordnungen
DE3109074A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1514855B2 (de) Halbleitervorrichtung
DE1539090B1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1764570B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit zueinander komplementären NPN- und PNP-Transistoren
DE60133707T2 (de) Durchbruchsdiode und verfahren zur herstellung
DE2141695B2 (de) Verfahren zum herstellen eines monolithischen halbleiterbauelementes
EP0704894A2 (de) Verfahren zur Erzeugung eines niederohmigen Kontaktes zwischen einer Metallisierungsschicht und einem Halbleitermaterial
DE2507038C3 (de) Inverser Planartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung