DE1903252A1 - Halbleiteranordnung fuer ein auf Daten ansprechendes System - Google Patents
Halbleiteranordnung fuer ein auf Daten ansprechendes SystemInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 239000010979 ruby Substances 0.000 claims description 2
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
56 Vicarage Lane, Ilford, Essex, England
Halbleiteranordnung für ein auf Daten ansprechendes
System
Die Erfindung betrifft ein auf Daten ansprechendes System,
z.B. ein Datendarstellungssystem, bei dem Elektrozaun m..rentvorrichtungen
verwendet werden, sowie Halbleiteranordnt'ngon
für die Verwendung in auf Daten ansprechenden Systemen.
Ganz allgemein wird nach der Erfindung ein auf Daten ansprechendes
System geschaffen, das wenigstens eint? ebene
Halbleiteranordnung enthält, die eine kurze, sich senkrecht
zur Ebene eines Substrats der Halbleiteranordnung erstreckende Übergangszone besitzt, wobei an die Anordnung
über Einrichtungen elektrische Signale gecaäss den .Daten
angelegt werden können, damit das ElektroluminesziSrer?
der Übergangszone bewirkt wird. Es können lichtempfindliche Einrichtungen angebracht sein, die auf dieses Elekirolumineszieren
ansprechen. Unter Elektrolumineszenz sei die Aussendung einer Strahlung im sichtbaren oder nicht
sichtbaren Wellenlängenbereich verstanden.
Die Verwendung von vorzugsweise als Dioden ausgeführten
Halbleiteranordnungen mit Übergangszonen der oben beschriebenen Form auf die später einfach als verrik-ale Oöergangszonen
Bezug genommen wird, ergibt eine im Verbleiet, zu
Halbleiteranordnungen in Planartechnik mit Überga,*g..-,<r~'ii-in,
deren Hauptbereiche sich parallel zum Substrat der Anordnung erstreckt, bedeutend erhöhte Wirksamkeit de.
Lichtabgabe bei einer vernachlässigbaren Abdeckung aas
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BAD ORIGINAL
an der Übergangsζone abgegebenen Lichts.Larüberhinaas
lässt sich bei den Anordnungen mit vertikaler Übergangszone eine gute Auflösung des abgegebenen Lichts
erzielen, und wegen der verhältnismässig kleinen Fläche der Übergangszone und ihrer im Vergleich zu 4en
Anordnungen mit paralleler Übergangszone niedrigen Kapazität ist die Schaltgeschwindigkeit der Anordnung mit vertik*Ler
Übergangszone hoch. Da das von der vertikalen Übergangszone abgegebene Licht gemässjder Erfindung nicht die Mit
Freradatomen dotierte Schicht durchläuft, wie es bei der sru
einer relativ geringen Wirksamkeit führenden parallelen Übergang3zone der Fall ist, können die elektrischen
Anschlüsse der Anordnung oder einer Vielzahl solchem Anordnungen im Falle eines Aufbaus als integrierte Schaltung
auf demselben Kristallplättchen ohne eine ungünstige £ietvtabdeckung
hergestellt werden. Das Kristallplättchen iev integrierten Schaltung kann auch Einrichtungen zum Speichern,
Verknüpfen und Decodieren von Daten besitzen, die einem Lichtmuster entsprechen, das durch Ansprechen bestimmter,
aus einer grossen Anzahl von Übergangszonen auf dem iCristallplättchen
ausgewählter Übergangszonen herstellbar ist.
Bei der Ausführung der Erfindung ist insbesondere beabsichtigt, die Anordnung mit der vertikalen Übergangszone
aus einem auf irgendeinem Einkristall-Isoliermaterial (beispielsweise Quarz oder Rubin) epitaktisch (eventuell
durch Aufdampfen) aufgebrachten Silizium herzustellen; es ist aber zu bemerken, dass die Erfindung in dieser
Hinsicht nicht eingeschränkt ist, da auch in Betracht gezogen wird, die Schicht mit der vertikalen Übergangszone aus Gallium-Areenid-Phosphid herzustellen, das
auf einem Substrat aus Galiiura-Arsenid aufgebracht wird.
Natürlich ist die Verwendung eines Materials vorteilhaft, das es ermöglicht, andere Komponenten des Systems (wie
etwa Speicher- und Decpdiereleraente) zusammen mit den
Übergangszonenanordnungen auf demselben Kristallplättcher.
in integrierter Technik herzustellen
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Ein weiteres Merkmal der Erfindung ist es, dass eine
besonders für ein auf Daten ansprechendes System der oben beschriebenen Art gut geeignete Anordnung mit
einer vertikalen Übergangszone aus einem mittels Epitaxialtechnik auf einem Substrat aus Saphir oder
Tonerde aufgebrachten Silizium besteht, in dem aneinander angrenzende Bereiche mit entgegengesetztem Leitungstyp angebracht sind, so dass eine vertikale Übergangszone entsteht, die bei elektrischer Anregung Licht aussendet.
Es hat sich herausgestellt, dass bei einer Siliziumschichtdicke in der Grossenordnung von 0,5 ία.
gute Ergebnisse erzielt werden.Es sei hier erwähnt, dass die Erzeugung von Licht bei !einer solchen vertikalen
Übergangszone normalerweise stattfindet, wenn die angelegten Spannungen die Übergangszone in Sperrichtung in den Lawinendurchbruchsbereich
vorspannen, wobei der spezifische 'widerstand des Übergangszonenmaterials hoch genug sein sollte,
damit die Aussendung von Licht unter diesen Umständen erfolgt.
Man erkennt, dass das auf Daten ansprechende System nach der Erfindung im Hinblick auf besondere Erfordernisse
spezieller Anwendungsfälle angeordnet ist. So können z.B. lichtempfindliche Einrichtungen des Systems mit einec
nichtbelichteten photographischen Filmmaterial· versehen sein, das an einem Feld aus Anordnungen mit vertikalen
Übergangszonen vorbeigeführt wird, so dass auf dem Film ein Muster von lichtaussendenden Übergangsζonen aufgezeichnet
wird. Im Anschluss daran kann der Film zusammen mit einer Lichtquelle und einem Feld aus lichtempfindlichen
Detektoren verwendet werden, so dass ein elektrisches Ausgangssignal· entsteht, das dem Lichtemissionsmuster
entspricht, das von der wat^weisen Anregung der Dioden
mit vertikal· angeordnetem Übergang erzeugt worden ist. Natü^ich benötigt man für die wahlweise Anregung der
Fl·ächendioden und für die ^chtempfind^chen Detektoren
BAD ORIGINAL 909836/0997
eine Abtasteinrichtung, damit ein zusammengesetztes Muster aus den darzustellenden oder aufzuzeichnenden
Daten gebildet wird. Die Abtasteinrichtung kann einfacti
aus einer logischen Schaltung wie etwa einem Ringzähler bestehen, während die Speicher-, Verknüpfungs- und
Deeodiervorrichtungen für die den Übergangszonenanordnungen zugeführte digitale Information mit Metall-Oxyd-Halbleita^-Transistoren
(MOSE) oder mit Metall-Isolator-Halbleiter-Transistoren
(MIST) versehen sein können.
Das System eignet sich besonders für die Kartographie, wo die sichtbare Darstellung einer Landkarte in ge~
eigneter Weise in eine digitale Form umgesetzt wird,
w wobei diese digitalen Daten nach einer geeigneten Abänderung
den in einem Feld enthaltenen Anordnungen mit vertikalen Übergangsζoneη in Form von wahlweise anregenden Signalen
zugeführt werden, damit ein zum Aufbau einer abgeänderten Landkarte verwendetes Lichtemissionsmuster erzeugt wird.
■ Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt.Darin zeigen:
Fig.1 eine Schnittansicht einer vertikalen Halbleiterübergangszone,
Fig.2 eine Draufsicht auf die Übergangszone von Fig.1,
Fig.3 eine Schnittansicht einer von einem lichtdurchlässigen
Substrat getragenen Übergangszone,
Fig.4 eine Anzahl von lichtaussendenden Übergangszonen auf
einem Substrat mit einer dazugehörigen logischen Schaltung,
Fig.5 eine Reihe von lichtaussendenden Übergangszonen,
die über einem Photopapierbogen gehalten werden,
Fig.6 ein Gerät für einen Faksimiledruckvorgang und
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Pig.7 ein Blockschaltbild, in dem die Verwendung der Halbleiterübergangszone
nach der Erfindung beim Her- , stellen einer Landkarte dargestellt ist.
In Fig.1 ist ein Substrat 1 aus Einkristallisoliermaterial·
dargestellt, auf dem in herkömmlicher Technik zwei Halbleiterbereiche
2 aufgebracht worden sind. Die zwei Halbleiterbereiche 2, die aus Halbleitermaterialien von entgegengesetztem
Leitungstyp bestehen, treffen so aufeinander, dass sie eine Übergangszone 3 bilden. Diese
Übergangszone 3 entsteht dort, wo die zwei Halbleiterbereiche aneinanderstpssen, so dass die Übergangszone
auf diese Weise im wesentlichen senkrecht zur Ebene des Substrats 1 verläuft.Da die Dicke der Halbleiterbereiche
2 in der Grössenorünung von 0,5 A liegt, ist die Übergangszone verhältnismässig kurz. Auf der
Oberseite der Halbleiterbereiche sind elektrische Xontaktflächen 4 angebracht, die sich über einen Teil der Fläche
jedes Halbleiterbereichs und längs des Substrats 1 erstrecken, so dass eine feste Auflage zum Anschluss
elektrischer Leiter an die Halbleiterbereiche zur Verfügung steht. In Fig.2 ist eine Draufsicht auf
diesen Aufbau dargestellt, aus dem hervorgeht, dass die Breite der Halbleiterbereiche 2 zur Übergangszone
hin abnimmt, so dass die Übergangszone 3 auch von oben gesehen vergleichsweise kurz ist. Die elektrischen
Kontaktflächen erstrecken sich über einen Teil der Fläche der Halbleiterbereiche zur Übergangszone hin,
so dass die Anordnung einen minimalen elektrischen Gesamtübergangswiderstand besitzt.
Im.Betriebszustand, d.h. beim Anlegen geeigneter elektrischer
Potentiale an die Kontaktflächen 4, kann die Übergangszone in Sperrichtung in den Lawinendurchbruchsbereich
vorgespannt sein, so dass sie dann Licht aussendet. In der in Fig.1 dargestellten Konstruktion ist das Licht
von der Übergangszone 3 aus im wesentlichen vertikal nach
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oben gerichtet, und das Lichtaus-gangssignal kann durch
das Anlegen geeigneter elektrischer Signale an die Kontaktflächen 4 mit hoher Geschwindigkeit geschaltet
werden.
Ein anderer Aufbau der Übergangszone ist in Fig.3 dargestellt,
wo ein Substrat 1 aus einem Einkristallisolier- ^ material besteht, das lichtdurchlässig ist. Ein .solches
Material ist beispielsweise eine .!Donerde in der Form von
Rubin oder Saphir. Dieses Substrat ermöglicht die Aussendung von Licht in eine Richtung unterhalb der Übergangszone
3. Dieses Licht dringt dabei durch das Substrat und tritt aus der Unterseite der Übergangsζone aus. Wenn
die Unterseite des Substrats 1 mit Ausnahme eines unmittelbar unter der Übergangszene 3, liegenden, alslenster 6
wirkenden kleinen Bereichs mit einer Schicht 5 aus lichtundurchläasigem Material bestrichen ist, dann
erhält man eine Lichtquelle mit sehr kleinen Abmessungen. Diese Lichtquelle besitzt einen besonders robusten Aufbau,
da ihre elektrischen Anschlüsse auf der anderen Seite des Substrats liegen. Das Fenster 6 und die lichtundurchlässige
Schicht 5 können auf diese Weise nahe bei oder in unmittelbarer Berührung mit einem Aufzeichnungsmedium angebracht
werden, das unter dem Substrat hindurchgeführt wird. Diese
Teile der Lichtquelle können dabei so robust gemacht werden, dass sie den Kontakt mit einem, beispielsweise aus lichtempfindlichem
Papier bestehenden bewegten Streifen widerstehen können.
Die lichtaussendende Halbleiterübergangszone kann so angeordnet sein, dass .sie auf einem gemeinsamen Substrat
in vielfacher Ausführung vorhanden ist, so dass eine Anordnung entsprechend der Abbildung von- Pig.4 entsteht.
In dieser Fig. ist ein gemeinsames Substrat 7 dargestellt, das eine grosse Zahl von lichtaussendesäen Übergangssonen 8
trägt, die an eine Logik- und Treiberschaltung 9 angeschlossen sind, die in Abhängigkeit von an einer Klemme 10 angelegten
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elektrischen Signalen gesteuert werden kann. Durch die Anlegung geeigneter Signale an die Eingangsklemme 10
können längs der Reihe von Übergangszonen 8 Lichtmuster erzeugt werden, die ein über dieses PeId aus Übergangszonen hinweggeführtes lichtempfindliches Medium in
geeigneter Weise markieren können. Pig.5 zeigt ein solches Feld 11 aus Übergangszonen, das über einem beweglichen
Stück Photopapier 12 angebracht ist. Das Photopa^pier 12
kann in der vom Pfeil angezeigten Richtung bewegt werden, so dass es bei seiner Bewegung über das lichtaussendende
PeId 11 (dessen lichtaussendende Seite zu einer lichtempfindlichen
Seite des Papiers hin gerichtet ist) entsprechend den an das PeId angelegten elektrischen Eingangssignalen markiert wird. Auf diese Weise können durch
Anlegen geeigneter Signale an die Eingangsklemme des Peldes beispielsweise alphanumerische Zeichen oder
geometrische Pormen auf dem Photopapier aufgezeichnet werden.
In Pig.6 ist ein Faksimiledruckgerät dargestellt, bei dem
von einem PeId aus lichtaussendenden Übergangszonen nach
der Erfindung Gebrauch gemacht wird. Das Paksimiledruckgerät besitzt einen Lesekopf 13, der über eine Verbindungsleitung
an einem Schreibkopf 14 angeschlossen ist. Der Losekopf 13 enthält einen optischen Abtaster. Der optische
Lesekopf wirkt mit einer Transportrolle 15 zusammen, die bei Bedarf ein Dokument 16 mit einer vorbestimmten Geschwin
digkeit am lesekopf vorbeitransportiert, so dass beispielsweise der auf dem Dokument angebrachte Aufdruck in
elektrische Signale umgesetzt werden muss, die dem Schreibkopf 14 zugeführt werden können. Der Schreibkopf H besitzt
ein Feld aus Halbleiterübergangszonen nach der Erfindung, die bei elektrischer Anregung Licht aussenden könen, von
dem ein Photopapierbogen 17 belichtet wird, der von einer mit der Transportrolle, des Lesekopfs synchronisierten
Transportrolle am Schreibkopf vorbeibewegt wird. Der Photopapierbogen 17 wird auf diese Weise mit einem Lichtmuster
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markiert, das van den Übergangszonen des Schreibkopfs auf ihn gelenkt worden ist.Nach dem Entwickeln und Fixieren
wird auf dem Photopapierbogen 17 im wesentlichen das gleiche
Muster aufgedruckt sein wie auf dem ursprünglichen Dokument 16. Auf diese Weise kann das auf dem Dokument 16 vorhandene
Material leicht elektrisch zu einem entfernten Ort übertragen werden, und es kann natürlich eine beliebige
Anzahl von Schreibköpfen bei Bedarf von einem einzigen Lesekopf betätigt werden.Der Photopapierbogen 17 könnte
bei Bedarf auch durch ein anderes strahlungsempfindliches Medium wie etwa einen für einenxerographischen Druckvorgang
geeigneten Bogen ersetzt werden.
Eine Möglichkeit der Informationsverarbeitung zwischen dem
Lesekopf und dem Schreibkopf ist in Pig.7 dargestellt, die einen Anwendungsfall in der Kartographie zeigt, wo das
Zeichnen einer Landkarte mechanisiert werden kann. In dieser Pigur wird eine Skizze einer Landkarte 18 oder ein anderes
Ausgangsmaterial an einem Lesekopf 13 vorbeibewegt, und ein Ausgangssignal des Lesekopfs wird einem elektronischen
Rechner 20 zugeführt. Ein Ausgangssignal des Rechners wird an eine Wiedergabevorrichtung 21 gelegt, so dass die
einem Schreibkopf 22 zugeführte Information geprüft und bei Bedarf in'geeigneter Weise abgeändert wird, damit
die gewünschte kartographische Landkarte erzeugt wird. Infolge des bereits beschriebenen Vorgangs bewirkt der
Schreibkopf 22 das Zeichnen einer Landkarte auf einem Stück lichtempfindlichem Papier 23» das in derjdargestellten
Richtung am Schreibkopf vorbeibewegt wird. So kann also eine Landkarte mechanisch in einer Art und Weise hergestellt
werden, die die notwendigen Änderungen bezüglich des Massstabs und der hervorzuhebenden Merkmale einschliesst, so
dass die Herstellung einer Landkarte im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren beträchtlich erleichtert wird.
Eine Landkarte könnte aucth automatisch auf den neuesten
Stand gebracht werden. ■
BAD ORfOiNAL 909836/0997
Anwendungsmöglichkeiten der Halbleiterübergangszone nach
der Erfindung gibt es auch bei Zeilendruckern für elektronische Rechner, lichtempfindlichen Relaissystemen,
optisch-elektronischen Vorrichtungen, Schreibern, photographischen Speichervorrichtungen für elektronische
Rechner, Codierscheiben und sogar bei alphanumerischen Druckern, um nur einige Möglichkeiten zu nennen.
BAD ORIGINAL 9 0 9 8 3 6/0997
Claims (9)
- P a t e ü t a η a τ>" r ü c h e* Ebene Halbleiteranordnung mit einem epitaktisch auf einem Einkristallisolatorsubstrat aufgebrachten Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial in zwei benachbarten Bereichen mit entgegengesetztem Leitungstyp aufgebracht ist, ao dass eine vertikale Übergangszone zur Aus3endung von Licht in Abhängigkeit einer elektrischen Anregung gebildet wird.
- 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial aus Silizium besteht.
- 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Isolatorsubstrat aus Quarz oder aus einer Tonerde wie Rubin· oder Saphir besteht.
- 4· Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial aus Gallium-Arsenid-Phosphid besteht.
- 5· Halbleiteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Isolatorsubstrat aus Galliumarsenid besteht.
- 6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine zugehörige logische Schaltung auf einen} gemeinsamen Substrat angebracht ist.
- 7. Auf Daten ansprechendes System mit einer Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Einrichtung, welche der Halbleiteranordnung Signale in Abhängigkeit von Daten zuführt, so dass die Übergangszonen elektrolumineszieren.BAD ORiGi1NAL 90983670997»λ
- 8. System nach Anspruch 7f dadurch gekennzeichnet, dass lichtempfindliche Vorrichtungen auf dieses Elektrolumineszieren ansprechen.
- 9. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die auf Licht ansprechenden Einrichtungen aus einem lichtempfindlichem Medium wie etwa einem Film, einem Papier, einer Platte oder einer Xerographiechen Druckfläche bestehen.-ft). Kartographie-oder Faksimiledrucksystem, gekennzeichnet durch dieVerwendung einer Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1-6.BAD ORIGINAL 909836/09974i,.Leerseite G G
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB405568A GB1253654A (en) | 1968-01-25 | 1968-01-25 | Improvements in or relating to data responsive systems |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1903252A1 true DE1903252A1 (de) | 1969-09-04 |
Family
ID=9769871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691903252 Pending DE1903252A1 (de) | 1968-01-25 | 1969-01-23 | Halbleiteranordnung fuer ein auf Daten ansprechendes System |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE727403A (de) |
CH (1) | CH502746A (de) |
DE (1) | DE1903252A1 (de) |
FR (1) | FR2000727A1 (de) |
GB (1) | GB1253654A (de) |
NL (1) | NL6901088A (de) |
SE (1) | SE357650B (de) |
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---|---|---|---|---|
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-
1968
- 1968-01-25 GB GB405568A patent/GB1253654A/en not_active Expired
-
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- 1969-01-22 NL NL6901088A patent/NL6901088A/xx unknown
- 1969-01-23 DE DE19691903252 patent/DE1903252A1/de active Pending
- 1969-01-24 SE SE98069A patent/SE357650B/xx unknown
- 1969-01-24 BE BE727403D patent/BE727403A/xx unknown
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---|---|
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FR2000727A1 (de) | 1969-09-12 |
CH502746A (de) | 1971-01-31 |
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