DE1861589U - Halbleiterbauelement. - Google Patents

Halbleiterbauelement.

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DE1861589U
DE1861589U DET14494U DET0014494U DE1861589U DE 1861589 U DE1861589 U DE 1861589U DE T14494 U DET14494 U DE T14494U DE T0014494 U DET0014494 U DE T0014494U DE 1861589 U DE1861589 U DE 1861589U
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

RA.22U59-2A62
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m.b.H. Ulm (Donau), Elisabethenstraße 3
Ulm, den 27. März 1962 1E/Pt/La/Ne U 73/62
"Halbleiterbauelement"
Es ist bekannt, bei Transistoren zur besseren Ableitung der Verlustwärme die Kollektorelektrode mit der Grundplatte des Gehäuses zu verlöten. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Trägerplatte des Transistors mit einem Kühlzylinder zu versehen. Diese Technik findet vor allem bei Halbleiterbauelementen mit Glasgehäuse Anwendung» Bei der Verwendung von Glasgehäusen ist jedoch darauf zu achten, daß der Kühlzylinder die Glaswand nicht unmittelbar berührt, da sonst beim Einschmelzen die Gefahr besteht, daß das Glasgehäuse zerspringt, Damit bleibt aber zwangsläufig zwischen Glaswand und Kühlzylinder ein Luftspalt, der infolge seines schlechten Wärmeleitvermögens die Wärmeabfuhr erschwert. Hinzu kommt, daß GHas im Vergleich zu Metall ein ungünstiges Wärmeleitvermögen hat.
— 2 —
- 2 - U 73/62
Die Heuerung besteht demgegenüber- darin, daß zur Erzielung einer "besonders hohen Verlustleistung trotz relativ kleiner Gehäuseabmessungen der Halbleiterkörper oder mindestens eine Legierungselektrode mit einem Kühlblech verbunden ist, daß dieses Kühlblech rechtwinkelig abgewinkelt ist und daß der abgewinkelte Teil des Kühlbleches mit der G-ehäuseinnenwand verbunden ist.
Im allgemeinen ist der abgewinkelte Teil des Kühlbleches mit dem Boden der G-ehäusekappe verbunden. Die Verbindung des Kühlbleches mit der G-ehäuseinnenwand bzw. dem Gehäuseboden erfolgt vorzugsweise durch Löten. Es empfiehlt sich, zum Verlöten ein Weichlot zu verwenden, dessen Schmelztemperatur unter der Schmelztemperatur des Legierungsmaterials der jeweiligen Legierungselektrode oder bei einer Basisblechkühlung unter der Schmelztemperatur des Basislotes liegt.
Im-allgemeinen ist das Kühlblech mit der Kollektorelektrode verlötet, weil die Kollektorkühlung besonders wirksam ist. Es kann jedoch auch das Basisblech, mit dem der Halbleiterkörper verlötet ist, mit der Gehäuseinnenwand gemäß der Neuerung verlötet sein. Eine Emitterkühlung wird dagegen seltener sein. Die Gehäusekappe soll dabei aus Metall bestehen, da Metall besonders gut wärmeleitend ist.
U 73/62
Die Neuerung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden.
Wie die Figur 1 zeigt, besteht das Gehäuse des zu kühlenden Transistors aus der metallischen G-ehäusekappe 1 und dem Gehäusefuß 2. Die Kühlung des Transistors erfolgt über die KollektorpilIe 3 mit Hilfe des aufgelöteten Kühlbleches 4· Der abgewinkelte Teil 5 des Kühlbleches 4 ist zu diesen Zweck mit dem Boden der Gehäusekappe 1 verlötet, und zwar mittels des Weichlotes 6.
Die Kontaktierung der Kollektorelektrode erfolgt ebenfalls über das Kühlblech 4* welches an seinem unteren Ende mit der Sockeldurchführung 7 verlötet ist. Zur Kontaktierung des auf der Trägerplatte 8 ruhenden Halbleiterkörpers 9 sowie der Emitterpille 10 sind die gesonderten Elektrodenzuleitungen und 12 vorgesehen, die ihrerseits wieder mit den Sockeldurchführungen 13 und 14 verbunden sind.
In Figur 2 ist das abgewinkelte Kühlblech 4 noch einmal gesondert herausgestellt. Der abgewinkelte Teil 5 ist zur Anpassung an den kreisförmigen Boden der Gehäusekappe etwa halbkreisförmig ausgebildet.

Claims (7)

PA 224 259-2.4.62 - 4 - U 73/62 Schutzansprüche
1. Halbleiterbauelement, insbesondere Transistor, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper, oder eine Legierungselektrode mit einem Kühlblech verbunden ist, daß das Kühlblech rechtwinklig abgewinkelt ist und daß der abgewinkelte Teil des Kühlbleches mit der G-ehäuseinnenwand verbunden ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der abgewinkelte Teil des Kühlbleches mit dem Boden der G-ehäusekappe verbunden ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der abgewinkelte Teil des Kühlbleches mit der G-ehäuseinnenwand verlötet ist.
4. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper auf eine rechtwinklig abgewinkelte Kühlplatte aufgelötet ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorpille mit einem rechtwinklig abgewinkelten Kühlblech verlötet ist.
- 5 - U 73/62
6. Halbleiterbauelement nach einem der νorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verlöten mit Hilfe eines Weichlotes erfolgt, dessen Schmelztemperatur unter der Schmelztemperatur des Legierungsmaterials der Legierungselektroden oder des lotes zum Verlöten der Trägerplatte mit dem Halbleiterkörper liegt.
7. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Metallgehäus es.
DET14494U 1962-04-02 1962-04-02 Halbleiterbauelement. Expired DE1861589U (de)

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