DE1812059A1 - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer HalbleiteranordnungInfo
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Description
Tel ef unken PatentVerwertungsgesellschaft
m.b.H.
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Heilbronn, den 28. 11. I968
FE/PT-La/N - HN 62/68
"Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem Störeteilen in einen begrenz·
ten Bereich eines Halbleiterkörpers eindiflundiert werden.
Die Erfindung besteht bei einem solchen Verfahren darin, daß ein Teilbereich der einen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers
mit einer die Diffusionestörsteilen enthaltenden
Schicht bedeckt wird und daß dann die Störstellen in einer oxydierenden Atmosphäre in den Halbleiterkörper
eindiffundiert werden.
Die Erfindung hat den Vorteil, daß störende Verunreinigungen, die bei der Diffusion in die Oxydschicht eingebaut
werden, mit dem Oxyd entfernt werden und daß störende Oxydstufen vermieden werden.
Gemäß einer Weiterbx* ang der Erfindung werden die Stör-
OWGINAL INSPECTED
t09824/1979
stellen zunächst in einer in einer oxydierenden.- Atmosphäre
stattfindenden Vordiffusion nur in den Oberflächenbereich
des Halbleiterkörpers und damit noch nicht bis zu
der vorgesehenen Tiefe in. den Halbleiterkörper eindiffundiert.
Nach dieser Vordiffusion wird die die Störstellen enthaltende Schicht und die bei der Vordiffusion entstandene
Oxydschicht von der Halbleiteroberfläche entfernt und erst danach werden die in den Halbl ext erkarper eiai~
diffundierten Störstellen in eiller ebeiifalls in einer
oxydierenden Atmosphäre erfolgenden Nachdlffuslon weiter
in den Halbleiterkörper bis zu der vorgesehenem Tiefe
eindiffundiert.
Die die Diffusions störstellen enthaltende Schicht wird
beispielsweise gem/;ß einer Aus führiuags form der Erfindung
zunächst auf die gesamte eine Oberfläckeaseite des Halbleiterkörpers aufgebracht, worauf Teile dieser Schacht
derart entfernt werden, daß nur noch der fur die Diffusion erforderliche Teil der Schicht -übrigbleibt. Dies erreicht
man beispielsweise dadurch, daß nach der bekannten
Photolacktechnik auf die die DiffusionsstSr-stellen. enthaltende Schicht eine photoempfindliche Lackschicht aufgebracht
wird, die entsprechend belichtet n$n<ä daaach,
entwickelt wird.
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Um die im Halbleiterkörper erzeugte Diffusionszone kontaktieren
zu können, wird die bei der Diffusion entstehende Oxydschicht sowie die darunter befindliche Störstellenschicht
mit einer Öffnung zur Kontaktierung der Diffusionszone
versehen. In diese wird dann ein Metall, beispielsweise durch Aufdampfen oder durch Abscheiden, eingebracht.
Zur Herstellung einer Diode nach der Erfindung wird ein begrenzter Bereich der einen Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers
vom ersten Leitungstyp mit einer Schicht
bedeckt, die Diffusionsstörstellen enthält, welche im Halbleiterkörper den zweiten Leitungstyp erzeugen. Aus
dieser Schicht wird anschließend in einer oxydierenden Atmosphäre eine Zone vom zweiten Leitungstyp in den Halbleiterkörper
eindiffundiert. Zur Kontaktierung der Diffusionszone wird die bei der Diffusion entstandene Oxydschicht
sowie die darunter befindliche Störstellenschicht mit einer Öffnung zur Kontaktierung der Diffusionszone
versehen, in die dann ein Metall zur Herstellung einer Elektrode eingebracht wird. Die Kontaktierung der Halbleiterzone
vom ersten Leitungstyp erfolgt durch Anbringen einer Elektrode am Halbleiterkörper, die beispielsweise
an der der Zone vom zweiten Leitungstyp gegenüber-
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liegenden Seite angebracht wird.
Zur Herstellung mehrerer Diffusionsaonen in einem Halbleiterkörper
wird die Erfindung vorzugsweise mehrmals angewandt. So wird beispielsweise zur Herstellung eines Transistors
ein begrenzter Bereich der einen Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers vom Leitungstyp der Kollektorzone
mit einer Schicht bedeckt t die Diffusionsstörstellen enthält,
welche im Halbleiterkörper di© Basiszone erzeugen« Anschließend wird aus dieser Schicht die Basiszone in einer
oxydierenden Atmosphäre in den Halbleiterkörper eindiffundiert. Nach der Basisdiffusion .wird die bei dieser
Diffusion gebildete Oxydschicht zusammen mit der die Diffu^ionsstörstellen
enthaltenden Schicht von der Halbleiteroberfläche entfernt und danach ein begrenzter Bereich
dieser einen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer Schicht bedeckt, die Diffusionsstörsteilen enthält,
welche im HalbleiteiBSrper die Emitterzone erzeugen«. Aus
dieser Schicht wird anschließend die Emitterzone in einer oxydierenden Atmosphäre in den Halbleiterkörper ©indiffundiert»
Zur Kontaktierung der Basis= und Emitterzone werden
schließlich noch Öffnungen in der Oxydschicht bzw»
der darunter befindlichen StBrstellessscliicht hergestellt,
in die Kontaktmaterial eingebracht wird.
19?
Die Erfindung findet bei solchen Halbleitermaterialien wie z.B. Silizium Anwendung, bei denen bei der Diffusion in
oxydierender Atmosphäre durch die Oxydation eine schützende Oxydschicht auf der Halbleiteroberfläche entsteht. Die
mit den Diffusionsstörstellen versetzte Schicht besteht beispielsweise aus einer Glasverbindung wie z.B. einem
Phosphorglas oder einem Borglas.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel
näher erläutert.'
Zur Herstellung einer Diode nach der Erfindung geht man
gemäß der Figur 1 von einem Halbleiterkörper 1 aus, der beispielsweise aus Silizium besteht. Um in einem begrenzten
Bereich des Halbleiterkörpers 1 eine Zone herzustellen,
die den entgegengesetzten Leitungstyp hat wie der Halbleiterkörper,
wird auf die Halbl ext erober fläche gemäß der Figur 2 eine Schicht 2 aufgebracht, die Störstellen enthält,
welche im Halbleiterkörper den entgegengesetzten Leitungstyp erzeugen. Hat der Halbleiterkörper 1 beispielsweise
den p-Leitungstyp, so kann die Schicht 2 beispielsweise
aus einem Phosphorglas bestehen, da Phosphor im Halbleiterkörper den n-Leitungstyp erzeugt. Weist der
Halbleiterkörper umgekehrt den n-Leitungstyp auf, so
ORJQiNAL INSPECTED
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wird auf die Halbleiteroberfläche beispielsweise eine Borglasschicht
aufgebracht, da Bor im Halbleiterkörper den
p-Leitungstyp erzeugt»
Da die Störstellen zur Herstellung der Halbleiterzone vom
entgegengesetzten Leitungstyp nur in einen begrenzten Bereich des Halbleiterkörpers eindiffundieren sollen, muß
die Schicht 2 gemäß der Figur 2 auf die Oberfläche dieses Bereiches beschränkt werden. Dies erreicht man beispielsweise nach der -bekannten Photolacktechnxk, indem — was in
den Figuren jedoch nicht dargestellt ist - auf die Schien;
2 der Figur 2 eine Photolackschicht aufgebracht wird, die anschließend so belichtet und entwickelt wird, daß von der
Schicht 2 der Figur 2 nur noch der Bereich 2a gemäß der
Figur 3 verbleibt«
Nach der Herstellung des kleineren Bereiches 2a wird in
den Halbleiterkörper 1 gemäß der Figur 4 eine Halbieruerzene
3 diffundiert, welche den entgegengesetzten Leitungstyp hat wie der Halbleiterkörper 1. Dadurch entsteht der
für die Diode erforderliche pn-übergang 4 »Tischen der
Halbleiterzone 3 und dem Halbleiterkörper 1. Die Diffusion
der Halbleiterzone 3 erfolgt gemäß der Erfindung in
einer oxydierende» Atmosphäre, so daß auf dem Silizium»
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körper 1 sowie auf dem Störstellenbereich 2a gemäß der Figur
4 eine Oxydschicht 5 entsteht. Zur Kontaktierung der
Halbleiterzone 3 wird in die Oxydschicht 2 sowie in den
darunter befindlichen Bereich 2a - in der Figur k nicht dargestellt -schließlich noch eine Öffnung eingebracht,
durch die die Halbleiterzone 3 freigelegt wird. Die Kontaktierung
der Halbleiterzone 3 erfolgt dann dadurch, daß in diese Öffnung ein Kontaktmetall, beispielsweise durch
Aufdampfen, eingebracht wird. Zur Kontaktierung des Halbleiterkörpers
1 wird beispielsweise auf der der Halbleiterzone 3 gegenüberliegenden Seite eine großflächige Elektrode
am Halbleiterkörper 1 angebracht, die ebenfalls in der
Figur 4 nicht dargestellt ist.
Während ü±& bisherigen Ausführungen die Herstellung einer
Halbleiterdiode zum Gegenstand haben, wird im folgenden die Herstellung eines Transistors nach der Erfindung beschrieben.
Da die ersten Veri. uhrensschritte zur Herstellung eines
Transistors mit der Herstellung einer Diode übereinstimmen,
können auch für die Herstellung eines Transistors die Figuren 1 bis 4 der Zeichnung herangezogen werden. Zur Herstellung
des Transistors geht man gemäß der Figur 1 von einem Halbleiterkörper 1 aus, der beispielsweise aus Silizium
besteht und der denselben Leitungstyp hat wie die ,
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Kollektorzone des Transistors» Auf die eine Oberflächenseite des Halbleiterkörpers 1 wird gemäß der Figur 2 eine
Schicht 2 aufgebracht, die Störstellen enthält,welche bei
entsprechender Erhitzung in den Halbleiterkörper- 1 eindiffundieren
und dort die Basiszone erzeugen. Vor der Basisdiffusion muß jedoch noch die Störstellenschicht 2 der
Figur 2 gemäß der Figur 3 auf einen kleineren Be»a.ch 2a
reduziert werden, damit die Basiszone, wie es in der Planartechnik üblich ist, einen kleineren Querschnitt erhält
als der Halbleiterkörper. Die Reduzierung der Schicht 2 auf den kleineren Bereich 2a erfolgt beispielsweise wieder
mit Hilfe der bekannten Photolacktechnik, bei der - in der Zeichnung nicht dargestellt - auf .die Schicht 2 eine
Photolackschicht aufgebracht und diese anschließend entsprechend belichtet und entwickelt wird..
ti ,-;—- _ . ■' ?t - ■
Bei der Anordnung der Figur h ist bereits die Basiszone J
in den Kollektorkörper 1, der beispielsweise aus Silizium besteht, eindiffundiert. Da die Basisdiffusion in einer
oxydierenden Atmosphäre erfolgt, ist der Siliziumkörper 1
auf der einen Oberflächenseite mit einer Siliziumdioxydschicht 5 bedeckt, die außer der Halbleiteroberfläche auch
den Störstellenbereich 2a bedeckt.
Im Anschluß an die Basisdiffusion wird gemäß der Figur 5
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di· Oxydechicht 5 sowie der Störstellenbereich 3« von der
Halbleiteroberfläche entfernt, so daß nan einen unbedeckten Halbleiterkörper 1 mit der Basiszone 3 erhält. Zur Herstellung der Emitterzone werden nun die Verfahrenaschritte
der Figuren 1 bis 4 wiederholt, und zwar wird xunächst ge·
muß der Figur 6 auf die eine OberflKchenseite des Halbleiterkörper 1 der Figur 5 eine Störstellenschicht 6 aufgebracht, die Störstellen enthält, welche im Halbleiterkörper die Emitterzone erzeugen« Gemäß der Figur 7 wird die
Störstellenschicht 6 ao verkleinert, daß der Querschnitt des dabei entstehenden Bereiche« 6a dem Querschnitt der
herzustellenden Emitterzone entspricht. Wird nun der Halbleiterkörper erwärmt, so diffundieren aus dem Störstellenbereich 6a Störstellen in den Halbleiterkörper und erzeugen dort die Emitterzone 7. Da die Emitterdiffusion ebenso
wie die Basisdiffusion gemäß der Erfindung in einer oxydierenden Atmosphäre erfolgt, entsteht auch bei der Emitterdiffusion noch der Figur 8 eine Oxydechicht ß, die sowohl den Halbleiterkörper 1 als auch den Störstellenbereich 6a bedeckt.
Zur Kontaktierung der Basis- und der Emitterzone werden
in die Oxydechicht 8 sowie in den darunter befindlichen etöratellenbereioh 6a öffnungen eingebracht, die die
Basis- und die Emitterzone tür Kontaktierung freilegen.
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BAU ORIGINAL
-loin diese Öffnungen werden gemäß der Figur*'9 Metnilschichten
eingebracht, die die Basiselektrode 9 sowie die Emitterelektrode Io ergeben* Die Kontaktierung des Halbleiterkörpers 1 und damit der Kollektorzone erfolgt beispielsweise auf der der Emitterzone gegenüberliegenden Seite
durch Anbringen einer großflächigen Elektrode am Halbleiterkörper. Damit ist der Transistor bis auf dan Gehäuse
fertiggestellt. Die auf der Halbleiteroberfläche vorhandene Oxydschicht 8 verbleibt bei «Ilen Anordnungen nach
dr.r Erfindung ebenso wie die Isolierschicht bei den bekannten Planartransistoren bzw. Planardioden zum Schutz
der pn-Übergänge auf dem Halbleiterkörper. ".A
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BAD ORIGINAL
Claims (11)
1) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem Störstellen in einen begrenzten Bereich eines Halbleiterkörpers
eindiffundiert werden, dadurch gekennzeichnet, daß dieser Bereich auf der einen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers
mit einer die Diffusionsstörstellen enthaltenden Schicht bedeckt wird und daß dann die Störstellen
in einer oxydierenden Atmosphäre in den Halbleiterkörper eindiffundiert werden.
2). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Störstellen zunächst in einer in einer oxydierenden
Atmosphäre stattfindenden Vordiffusion nur in den Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers und damit noch nicht
bis zu der vorgesehenen Tiefe in den Halbleiterkörper eindiffundiert
werden, daß nach dieser Vordiffusion die die
Störstellen enthaltende Schicht und die bei der Vordiffusion entstandene öxydschicht von der Halbleiteroberfläche
entfernt werden und daß erst danach die in den Halbleiterkörper eindiffundierten Störstellen in einer ebenfalls in
einer oxydierenden Atmosphäre erfolgenden Nachdiffusion weiter in den Halbleiterkörper bis zu der vorgesehenen
Tiefe eindif'fundiert werden.
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3) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die die Diffusionsstörstellen enthaltende Schicht
zunächst auf die gesamte eine Oberflächenseite des Halbleiterkörpers
aufgebracht wird und daß dann Teile dieser Schicht derart entfernt werden, daß nur noch der für die
Diffusion erforderliche Teil der Schicht übrigbleibt.
^^ 4) Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß
auf die die Diffusionsstörstellen enthaltende Schicht eine photoempfindliche Lackschicht aufgebracht wird und daß
dann diese Lacksehicht derart belichtet wird, daß nach dem Entwickeln und Atzen nur noch der für die Diffusion
erforderliche Teil der Schicht übrigbleibt.
5) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis k, dadurch
gekennzeichnet, daß die bei der Diffusion entstehende Oxydschicht sowie die darunter befindliche Störstellen-
™ Schicht mit einer Öffnung zur kontaktierung der Diffusionszone
versehen wird.
6) Verfahren zum Herstellen einer Diode nach einem der An-
, sprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß ein begrenzter
Bereich der einen Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers
vom ersten Leitungstyp mit einer Schicht bedeckt wird, die
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Diffusionsstörstellen enthält, welche im Halbleiterkörper
den zweiten Leitungstyp erzeugen, daß dann aus dieser Schicht in einer oxydierenden Atmosphäre eine Zone vom
zweiten Leitungstyp in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird und daß die bei der Diffusion entstandene Oxydschicht
sowie die darunter befindliche Störstellenschicht mit
einer Öffnung zur Kontaktierung der Diffusionszone versehen
wird.
7) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5» gekennzeichnet
durch mehrmalige Anwendung zur Herstellung mehrerer Diffusionszonen.
8) Verfahren zum Herstellen eines Transistors nach Anspruch
7i dadurch gekennzeichnet, daß ein begrenzter Bereich
der einen Oberflächenseite eines Halbleiterkörpers vom Leitungstyp der Kollektorzone mit einer Schicht bedeckt
wird, die Diffusionsstörstellen enthält, welche im Halbleiterkörper die Basiszone erzeugen, daß dann die Basiszone
aus dieser Schicht in einer oxydierenden Atmosphäre in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird, daß anschliessend
die sich bei der Diffusion bildende Oxydschicht zusammen mit der die Diffusionsstörstellen enthaltende
Schicht von der Halbleiteroberfläche entfernt wird, daß
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darauf ein begrenzter Bereich dieser einen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer Schicht bedeckt
wird, die Diffusionsstörstellen enthält, welche im Halbleiterkörper die Emitterzone erzeugen, daß dann die Emitterzone
aus dieser Schicht in einer oxydierenden Atmosphäre in den Halbleiterkörper eindiffundiert wird und daß
schließlich in der Oxydschicht bzw. der darunter befindliehen
Störstellenschicht Offfnungen zur Kontaktierung der Basis- und Emitterzone hergestellt werden.
9) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterkörper aus Silizium besteht,
10) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die mit den Diffusionsstörstellen versetzte
Schicht aus einer Glasverbindung besteht.
11) Verfahren nach Anspruch Io, dadurch gekennzeichnet,
daß die mit dem Diffusionsstörstellen versetzte Schicht
aus einem Phosphorglas oder aus einem Borglas besteht.
109824/1975
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Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2804405A (en) * | 1954-12-24 | 1957-08-27 | Bell Telephone Labor Inc | Manufacture of silicon devices |
| US2974073A (en) * | 1958-12-04 | 1961-03-07 | Rca Corp | Method of making phosphorus diffused silicon semiconductor devices |
| US3001896A (en) * | 1958-12-24 | 1961-09-26 | Ibm | Diffusion control in germanium |
| US3070466A (en) * | 1959-04-30 | 1962-12-25 | Ibm | Diffusion in semiconductor material |
| DE1444521B2 (de) * | 1962-02-01 | 1971-02-25 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung |
| BE637064A (de) * | 1962-09-07 | Rca Corp | ||
| US3575742A (en) * | 1964-11-09 | 1971-04-20 | Solitron Devices | Method of making a semiconductor device |
| US3532574A (en) * | 1966-06-22 | 1970-10-06 | Compac Corp | Method for the application of friable,pressure sensitive adhesive coated laminates |
| US3404451A (en) * | 1966-06-29 | 1968-10-08 | Fairchild Camera Instr Co | Method of manufacturing semiconductor devices |
| US3437533A (en) * | 1966-12-13 | 1969-04-08 | Rca Corp | Method of fabricating semiconductor devices |
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1968
- 1968-12-02 DE DE19681812059 patent/DE1812059A1/de active Pending
-
1969
- 1969-04-15 DE DE19691919139 patent/DE1919139A1/de active Pending
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| US3891481A (en) | 1975-06-24 |
| DE1919139A1 (de) | 1970-10-22 |
| GB1275589A (en) | 1972-05-24 |
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