DE1803035A1 - Feldeffekt-Halbleiterbauelement - Google Patents

Feldeffekt-Halbleiterbauelement

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DE1803035A1 DE19681803035 DE1803035A DE1803035A1 DE 1803035 A1 DE1803035 A1 DE 1803035A1 DE 19681803035 DE19681803035 DE 19681803035 DE 1803035 A DE1803035 A DE 1803035A DE 1803035 A1 DE1803035 A1 DE 1803035A1
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Description

6657-68/Dr.ν.Β/Ε 1503035
RCA 59,805
U.S.Ser.No. 675,819
Filed: October 17, 1967
Radio Corporation of America New York, N.Y. (V.St.A.)
Feldeffekt -.Kalb le.it erbaue loment
Die vorliegende Irrindunt betrifft.ein Feldeffekt-Halb le it er bauelement mit einem Halbleiterkörper gegebenen Leitungstyps j der eine Anordnung enthält, deren elektrische Eigenschaften durch elektrische Ladungen steuerbar ist, die sich in der Nähe der Oberfläche des Körpers und außerhalb von diesem befinden, ferner mit einem auf der Oberfläche angeordneten Isolierkörper und einer Anordnung zum Erzeugen eines elektrischen Feldes im Isolierkörper.
Es sind Feldeffekttransistoren bekannt, die eine Steuerelektrode und einen Stromweg steuerbarer Leitfähigkeit enthalten, welche voneinander durch eine aus einem Elektreten bestehende Isolierschicht getrennt sind (USA-Patentschriften 2 791 758 und 2 791 760). Bei einem solchen Feldeffekttransistor läßt sich die Leitfähigkeit des Kanals durch Polarisation des Elektreten einstellen.
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— Ο —
Nachteilig an diesen .bekannten Feldeffekttransistoren ist » daß Elektreten verhältnismäßig instabil und schwer herzustellen sind.
Der vorliegenden Erfindung liegt dementsprechend die Aufgabe zugrunde, ein Feldeffekt-Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem diese Nachteile vermieden werden.
Diese Aufgabe wird,gemäß der Erfindung bei einem Feüeffekt-Halbleiterbauelement der eingangs angegebenen Art dadurch gelöst, daß der Isolierkörper zwei Schichten aufweist, von denen die erste eine Dicke hat, die kleiner -i-e-fc als die für Ladungsträger aus dem Körper unter dem
Einfluß einer vorgegebenen Feldstärke in der ersten Schicht durchtunnelbare Strecke ist, und die zweite Schicht Mittel zum Einschließen von Ladungsträgern in dieser Schicht aufweist.
Bei dem vorliegenden Halbleiterbauelement können also die elektrischen Eigenschaften durch Ladungsspeicherung verändert werden. Das Halbleiterbauelement enthält einen Halbleiterkörper, der auf einer seiner Oberflächen mit einer Isolierschicht versehen ist, deren Dicke kleiner als der Tunnelabstand für Ladungsträger aus dem Körper unter dem Einfluß eines vorgegebenen elektrischen Feldes ist. Eine zweite Schicht, die sich auf der erstgenannten Isolierschicht befindet, enthält Mittel, z.B. Haftstellen, die in der Lage sind, Ladungsträger aufzunehmen und an Stellen innerhalb der Schicht einzuschließen.
Das Bauelement kann in zwei Betriebszustände gebracht werden, die dem Vorhandensein bzw. Fehlen von Ladungen in der zweiten Schicht entsprechen und durch Messung einer elektrischen Eigenschaft des Halbleiterbauelementes wahrgenommen werden können. Für die Speicherung
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eines Informationsbits wird nur ein einziges Halbleiterbauelement benötigt. Die gespeicherte Information bleibt solange erhalten, daß das Bauelement für die meisten in der Praxis vorkommenden Speicherzwecke verwendet werden kann. Die Schaltgeschwindigkeit ist hoch.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert, es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung ;
Fig. 4 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit der Kapazität von der angelegten Spannung, aus der ersichtlich ist, daß die beschriebenen Halbleiterbauelemente ein bistabiles Verhalten zeigen;
Fig. 5 bis 9 Energiediagramme zur Erläuterung der Arbeitsweise der vorliegenden Halbleiterbauelemente, und
Fig. 10 ein Schaltbild einer Speichervorrichtung, in der Halbleiterbauelemente gemäß Fig. 1 und 2 verwendet werden können.
Fig. 1 zeigt als Ausführungsbeispiel der Erfindung einen eine isolierte Steuerelektrode aufweisenden Feldeffekttransistor vom Stromerhöhungstyp. Der Transistor 10 hat einen Körper 12 aus Halbleitermaterial eines gegebenen Leitungstyps, z.B. aus p-leitendem Silicium. Angrenzend
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an eine die Oberseite des Halbleiterkörpers bildende Oberfläche 14 sind beabstandete Zonen 15 und 16 vorgesehen, die den entgegengesetzten Leitungstyp aufweisen wie der Körper 12 und im Betrieb die Quellen- und Abflußzone des Transistors 10 bilden. Auf der Oberfläche 14 befinden sich Metallkontakte 18, 20, welche einen Ohmschen Kontakt mit der Zone 15 bzw. 16 bilden.
Oberhalb des den sogenannten "Kanal" bildenden Bereiches zwischen den Zonen 15 und 16 befindet sich eine Anordnung, die zur Steuerung und Ladungsspeicherung dient. Diese Anordnung enthält eine im Bereich zwischen den Zonen 15 und 16 an die Oberfläche 14 angrenzende erste fc dünne Schicht 22 aus Isoliermaterial, und z.B. Siliciumdioxyd, deren Dicke kleiner ist als der Tunhelabstand für Ladungsträger aus dem Körper 12 unter dem Einfluß eines senkrecht zur Oberfläche 14 gerichteten elektrischen Feldes vorgegebener Stärke an der Schicht 22. Für Feldstärken, die mit vernünftigen und einen guten Wirkungsgrad ergebenden Spannungspegeln erreicht werden können, ist die Schicht 22 z.B. etwa 25 S dick.
Auf der Schicht 22 befindet sich eine zweite Schicht 24 aus einem Material, das Ladungsträger, welche die Schicht 22 durchtunnelt haben, aufnehmen und an diskreten Plätzen bei der Grenzfläche zwischen den Schichten 22 und 24 . festhalten kann. Bei dem vorliegenden'Ausführungsbeispiel besteht die Schicht 24 aus Siliciumnitrid, das selbst ein Isoliermaterial ist. Auf der Siliciumnitrid schicht 24 ist eine Metallelektrode 26 angeordnet, mittels derer ein elektrisches Feld in den Schichten 22 und.24 erzeugt werden kann. Die Kontakte und Elektroden 18, 20 und 26 sind mit Anschlußdrähten 28, 32 bzw. 30 zum Anschluß an eine äußere Schaltungsanordnung versehen.
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Der Transistor 10 kann in bekannter Weise hergestellt werden. Die Zonen 15 und 16 können beispielsweise durch selektives Abdecken der Oberfläche 14 und durch Eindiffundieren von Dotierungsstoffen in den Körper 12 gebildet werden. Die Siliciumdioxidschicht kann durch thermisches Oxidieren der Oberfläche des Körpers 12 oder durch pyrolytisehe Zersetzung einer organischen Siloxanverbindung, wie Tetraäthoxisilan auf der Oberfläche 14 hergestellt werden. Die Siliciumnitrid schicht kann durch Erhitzen des Körpers 12 in einer Atmosphäre aus Silan (SiH^) und Ammoniak niedergeschlagen werden.
Wenn der Steuerelektrode 26 ein bezüglich der Quel-'. lenzone 15 negativer Impuls von 1 ms Dauer zugeführt wird> schaltet das Bauelement in den einen von zwei Betriebszuständen, in dem eine positive Ladung in der Schicht 24 gespeichert wird. Diese Ladung bleibt auch nach der Beendigung des Impulses in der Schicht gespeichert und setzt die Schwellwertspannung des Transistors 10 herab. Ein der Steuerelektrode 26 zugeführter positiver Impuls von etwa 1 \is Dauer setzt das Bauelement in den anderen Betriebszustand, in dem die gespeicherte positive Ladung wieder entfernt und die Schwellwertspannung des Transistors dadurch erhöht wird. Auf den Mechanismus des Ladungstransportes wird weiter unten noch kurz eingegangen werden.
Fig. 2 zeigt als zweites Ausführujßgsbeispiel der Erfindung einen Transistor 405 der wie der Transistor 10 gemäß Fig. 1 ein Feldeffekttransistor vom Stromerhöhungstyp ist. Der Transistor 40 enthält einen p-leitenden Halbleiterkörper 42j bei dessen Oberfläche 44 zwei Zonen 45 3 46 entgegengesetzten Leitungstyps vorgesehen sind, die als Quellen- und Abflußzone arbeiten und mit Elektroden 48 bzw. 50 versehen sind.
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Der Transistor 40 unterscheidet sich vom Transistor 10 im Aufbau der Steueranordnung. Die Steueranordnung enthält eine dünne Schicht 52 aus Isoliermaterial, wie Siliciumdioxid, die der Schicht 22 des Transistors 10 nach Fig. 1 entspricht. Auf der Isolierschicht 52 ist eine metallische Schicht 54 angeordnet, die Ladungsträger vom Körper 12, welche die Schicht 52 durchtunnelt haben, aufnehmen und festhalten kann. Die metallische Schicht 54 kann leitend oder halbleitend sein und z.B. aus niedergeschlagenem polykristallinen Silicium bestehen. Auf der Schicht 54 befindet sich eine dünne Isolierschicht 56 aus Siliciumdioxid, auf der wiederum eine Metallelektrode 57 angeordnet ist.
Der Transistor 40 arbeitet im wesentlichen wie der Trans ddt or 10.
Fig. 3 zeigt als drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Diode 60, deren elektrische Eigenschaften ähnlich wie bei den oben beschriebenen Transistoren durch Ladungsspeicherung geändert werden können. Die Diode 60 enthält einen Halbleiterkörper 62 eines gegebenen Leitungstyps, der eine Zone 65 entgegenggesetzten Leitungstyps enthält. Zwischen der Masse des Halbleiterkörpers und der Zone 65 ist ein pn-übergang 66 vorhanden, dessen Rand in einer Oberfläche 64 des Halbleiterkörpers 62 liegt. Am Körper 62 und der Zone 65 sind Kontakte 68 bzw. 70 angebracht .
Auf dem in der Oberfläche 64 liegenden Rand des pn-überganges 66 befindet sich eine ringförmige Steueranordnung, die im Querschnitt ähnlich aufgebaut ist wie die Steueranordnung des Transistors 10. Sie enthält ins-
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besondere eine dünne Isolierschicht 72, z.B. aus Siliciumdioxid, eine Schicht 7*1 aus einem Material, wie Siliciumnitrid, das Ladungen zu speichern vermag, und eine Steuerelektrode 76. Die Steueranordnung der Diode 60 könnte jedoch auch wie die Steueranordnung des Transistors 40 aufgebaut sein.
Die elektrischen Eigenschaften der Diode 60 können durch Speichern von Ladungen in der Schicht 74 bzw. Entfernen von Ladungen aus dieser Schicht gesteuert geändert werden. So läßt sich z.B. die Sperr-Durchbruchsspannung oder die Kapazität der Diode zwischen zwei Werten verschieben.
Im allgemeinen kann man die Speicherfunktion der Halbleiterbauelemente gemäß der Erfindung zeigen, indem man die Kapazität des Parallelplattensystems mißt, das als Platten die Steuerelektrode sowie den Halbleiterkörper und als Dielektrikum die Isolier- und Ladungsspeicherschichten enthält. Wenn das Steuerelektrodenpotential geändert wird, ändert sich die Kapazität entsprechend der in Pig. 4 dargestellten ausgeprägten Hysteresisschleife. Wenn die angelegte Spannung genügend negativ ist, schaltet die Kapazität auf einen relativ hohen Wert, indem sie auch nach dem Abklingen des negativen Spannungsimpulses verbleibt. Wenn man die Steuerelektrode genügend positiv macht, schaltet die Kapazität auf den niedrigeren Wert.
Vermutlich erfolgt das Ein- und Austreten der Ladungen in die bzw. aus den ladungsspeichernden Schichten 24, 54 und 74 der beschriebenen Halbleiterbauelemente, indem die Träger die an den Halbleiterkörper angrenzende Isolierschicht durchtunneln. Die Ladung kann innerhalb der
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Steueranordnung durch Haftstellen (niedrige Oberflächenzustände) festgehalten werden, die sich in dem Material der ladungsspeichernden Schichten angrenzend an die SiIiciumdioxid-Grenzflache befinden.
Die Arbeitsweise des Transistors 10 soll nun anhand der Figuren 5 bis 9 erläutert werden.Fig. 5 zeigt die Lage der Energiebänder, wenn an der Steuerelektrode 26 keine Spannung liegt. Die Haftstellen, die durch kleine Quadrate angedeutet sind, liegen in der Siliciumnitrid schicht in der Nähe der an die Siliciumdioxidschicht angrenzenden Fläche und knapp unterhalb des Ferminiveaus, das durch die gestrichelte Linie Ep angedeutet ist.
Fig. 6 zeigt die Wirkung einer an die Steuerelektrode angelegten negativen Spannung, die so groß ist, daß die betrachteten Haftstellen auf ein Niveau bei oder in der Nähe der Leitungsbandgrenze im Silicium gebracht werden. Unter diesen Umständen können Elektronen, die Haftsteilen verlassen, indem sie zum Leitungsband im Silicium durchtunneln, vorausgesetzt, daß die Siliciumdioxidschicht so dünn ist, daß eine ausreichende Tunnelwahrscheinlichkeit besteht. Nachdem die Elektronen die Haftstellen verlassen haben, bleiben die Haftstellen positiv geladen zurück. Haftstellen, die sich weiter innerhalb der Siliciumnitriäschicht befinden, tragen zu diesem Ladungstransport nicht bei, auch wenn sie auf Energieniveaus gehoben werden, die wesentlich höher liegen als die Leitungsbandgrenze im Silicium, da die' Tunnelwahrscheinlichkeit mit zunehmendem Abstand sehr rasch abnimmt. Haftstellen innerhalb der Oxidschicht brauchen nicht betrachtet zu werden, da sie durch die angelegte
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Spannung nicht weit genug angehoben werden. Aus denselben Gründen brauchen auch Haftstellen, die sich weit unterhalb des Ferrainiveaus befinden, nicht in Betracht gezogen werden. Haftstellen oberhalb des Ferminiveaus sind dauernd geladen und können daher keine Elektronen an das Silicium abgeben.
Fig. 7 zeigt die Verhältnisse nach Beendigung des während des in Fig. 6 dargestellten Zustandes anliegenden Spannungsimpulses. Die Haftstellen in der Siliciumnitridschicht verbleiben im positiv geladenen Zustand und ziehen durch die Wirkung ihres Feldes Elektronen zur Oberfläche des Siliciumkörpers. Die Schwellwertspannung des Bauelements wird dadurch herabgesetzt, da nun schon eine niedrigere positive Spannung zum Einschalten des Bauelements ausreicht.
Die Fig. 8 und 9 zeigen die Wirkungen eines positiven Impulses. Solange der positive Impuls anliegt, können Elektronen vom Leitungsband des Siliciums in das Leitungsband des Nitrids durchtunneln und mit den Haftstellen rekombinieren, wodurch diese neutralisiert werden. Nach dem Entfernen der positiven Spannung von der Steuerelektrode hat der Transistor wieder seine höhere Schwellwertspannung, wie Fig. 9 zeigt.
Fig. 10 zeigt einen Koinzidenzstromspeicher 8O5 der Feldeffekttransistoren vom Stromerhöhungstyp gemäß Fig. 1 oder 2 als "Speicherelemente enthalten kann. In der Praxis kann ein solcher Speicher eine Matrix von 64 χ 6k Speicherelementen enthalten, zur Vereinfachung sind jedoch nur vier Speicherelemente dargestellt.
Der Speicher 80 enthält eine Anzahl von Zeilenleitern 8l und eine Anzahl von Spaltenleitern 82, die zur Adressierung eines speziellen Speicherelementes und
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zum Einspeichern der gewünschten Information in dieses dienen. Die Zeilenleiter 84 liefern die Steuerelektrodenspannungen für die Speicherelement-Transistoren, während Leseleiter 85 und 86 zum Herauslesen der gespeicherten Information dienen.
Ein Speicherelement 88 soll nun näher erläutert werden. Das Speicherelement 88 enthält einen bekannten η-Kanal-Feldeffekttransistor vom Stromerhöhungstyp mit isolierter Steuerelektrode, der als Wahlschalter dient, und einen n-Kanal-Speichertransistor 92 vom Stromerhöhungstyp, der gemäß Fig. 1 oder 2 ausgebildet sein kann. Die Transistoren 90 und 92 sind, wie dargestellt, in Reihe zwischen einen Zeilenleiter 8l und einen Ausgangszeilenleiter 85 geschaltet. Die Steuerelektrode des Transistors 90 ist mit einem Spaltenleiter 82 verbunden. Zwischen die Leiter 85 und 86 ist ein Widerstand 94 geschaltet und die Ausgangsspannung des Speicherelements 88 wird an Klemmen 96 und 98 gemessen,.die mit den Leitern 85 und 86 verbunden sind.
Im Betrieb des Speichers ist im Transistor 92 eine 1 gespeichert __ wenn die Steueranordnung des Transistors eine Ladung enthält. Eine 0 ist gespeichert , wenn keine Ladung vorhanden ist. Im Ruhezustand des Speichers liegen an den verschiedenen Leitern folgende Vorspannungen: Am Spaltenleiter 82 liegen -2 VcLt, am Zeilenleiter 81 +10 Volt, am Leiter 84 +8 Volt und am Leiter 86 +10 Volt. Der Zeilenleiter 85 ist nicht angeschlossen. Unter diesen Umständen sind die beiden Transistoren 90 und 92 gesperrt, da die Spannungen an ihren Steuerelektroden niedrig bezüglich der Spannungen an ihren Quellenelektroden sind.
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Die Steueranordnung des Speichertransistors 92 kann je nach der Vorgeschichte des Transistors eine Ladung enthalten oder nicht.
Zum Speichern einer O im Speicherelement 88 werden die folgenden Spannungen angelegt: Der Spaltenleiter 82 wird auf -7 Volt gebracht und die Spannung am Zeilenleiter 81 wird auf -12 Volt eingestellt. Die Spannung am Zeilenleiter 84 bleibt +8 Volt und die Spannung am Leiter 86 bleibt +10 Volt; der Leiter 85 bleibt unbeschaltet. Unter diesen Bedingungen ist die Spannung an der Steuerelektrode des Transistors 90 um 5 Volt höher als die Spannung an der Quellenelektrode dieses Transistors. Der Transistor 90 wird dadurch über seinen Schwellwert ausgesteuert und in seinen leitenden, eingeschalteten Zustand gebracht. Als Folge davon wird die Quellenelektrode des Transistors 92 praktisch an den Zeilenleiter 81 angeschlossen und nimmt eine Spannung an 5 die ungefähr gleich der Spannung von -12 Volt am Leiter 81 ist. Da sich die Steuerelektrode des Transistors 92 immer noch auf +8 Volt befindet, was wesentlich höher ist als die Spannung an der Quellenelektrode dieses Transistors, liegen die in Fig. 8 gezeigten Verhältnisse vor und eine etwa in der Steueranordnung des Transistors 92 vorhandene Ladung wird neutralisiert. Wenn keine Ladung vorhanden war, wird auch keine erzeugt. Wenn die Spannungen wieder auf ihre Ruhewerte übergehen, ist in der Steueranordnung des Transistors 92 keine Ladung gespeichert und das Speicherelement 88 speichert daher den Binärwert 0.
Zum Einspeichern einer 1 in das Element 88 wird dem Spaltenleiter 82 eine Spannung von +33 Volt zugeführt. An den Zeilenleiter 8l wird eine Spannung von
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+28 Volt angelegt, während die anderen Zeilenleiter 84, 86 auf den bisherigen Spannungen verbleiben. Unter diesen Umständen leitet der Transistor 90 wieder, da die Spannung an seiner Steuerelektrode um 5 Volt höher ist als die Spannung an seiner Quellenelektrode, und die Spannung an der Quellenelektrode des Transistors 92 beträgt dann etwa +28 Volt. Da die Steuerelektrode des Transistors 92 immer noch auf +8 Volt liegt, ist sie nun um 20 Volt negativer als die Quellenelektrode und es herrscht der in Fig. 6 dargestellte Energiezustand. In der Steueranordnung des Transistors 92 wird daher eine positive Ladung gespeichert, was der Speicherung der Ziffer 1 im Element 88 entspricht.
Zum Lesen der Information werden folgende Spannungen angelegt: Der Spaltenleiter 82 wird auf +7 Volt gebracht. Der Zeilenleiter 81 wird auf +5 Volt eingestellt und der Zeilenleiter 84 wird auf +12 Volt gebracht. Der Zeilenleiter 86 verbleibt auf +10 Volt. Unter diesen Umständen ist der Transistor 90 wieder eingeschaltet, da seine Steuerelektrodenspannung höher als aeine Quellenspannung ist. An der Quellenelektrode des Transistors liegt je nach der Kanalleitfähigkeit des Transistors 90 eine Spannung zwischen etwa 5 und 10 Volt, so daß der Transistor 92 wegen der verhältnismäßig hohen Spannung (+12 Volt) an der Steuerelektrode leitet. Durch den Widerstand 94 fließt dementsprechend ein Strom, dessen Betrag von den Kanalleitfähigkeiten der Transistoren 90 und 92 abhängt, wobei die Kanalleitfähigkeit dös letzteren Transistors wiederum davon bestimmt wird, ob in seiner Steueranordnung eine Ladung gespeichert ist oder nicht.. Wenn in der Steueran-
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Ordnung eine Ladung gespeichert ist , hat die Kanalleitfähigkeit einen höheren Wert , es fließt ein stärkerer Strom und die am Widerstand 94 abfallende Spannung ist dann verhältnismäßig groß, was anzeigt, daß eine 1 gespeichert ist. Wenn jedoch keine Ladung vorhanden ist 5 hat der Transistor 92 eine verhältnismäßig geringe Kanalleitfähigkeit , so daß durch den Widerstand 94 nun weniger Strom fließt und die an diesem Widerstand abfallende Spannung einen kleineren Wert hat, was die Speicherung einer O anzeigt.
Das Speicherelement 88 kann zerstörungsfrei abgefragt werden, da die beim Lesen angelegten Spannungen nicht zur Änderung der gespeicherten Ladung ausreichen. Der Speicher kann also wiederholt abgefragt werden, ohne daß die gespeicherte Information verlorengeht. Die gespeicherte Ladung bleibt selbst dann erhalten, wenn die Ruhevorspannungen abgeschaltet werden, z.B. bei Stromausfall.
Ähnliche Schaltungsanordnungen können auch für die Diode 60 angegeben werden. Bei einer die Diode 60 enthaltenden Speicherschaltung werden die Durchbruchsspannung in Sperrichtung oder die Kapazität des pn-überganges 66 der Diode 60 gemessen. Die Wahlschaltung kann wie bei Fig. 10 ausgebildet sein.
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Claims (12)

Patentansprüche
1. Peldeffekt-Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper gegebenen Leitungstyps, der eine Anordnung enthält, deren elektrische Eigenschaften durch elektrische Ladungen steuerbar ist, die sich in der Nähe der Oberfläche des Körpers und außerhalb von diesem befinden, ferner mit einem auf der Oberfläche angeordneten Isolierkörper und einer Anordnung zum Erzeugen eines elektrischen Feldes ' am Isolierkörper j dadurch gekennzeich-η e t, daß der Isolierkörper mindestens zwei Schichten (22, 52, 72; 24, 54, 74) aufweist, von denen die erste (22, 52, 72) eine Dbke hat,, die kleiner als die für Ladungsträger aus dem Halbleiterkörper (12, 42, 62) unter dem Einfluß einer vorgegebenen Feldstärke in der ersten Schicht durchtunnelbare Strecke ist, und die zweite Schicht (24, 54 74) Mittel zum Einschließen von Ladungsträgern in dieser Schicht aufweist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus Silicium, die erste Schicht aus Siliciumdioxid und die zweite Schicht aus Siliciumnitrid bestehen.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus Silicium, die erste Schicht aus Siliciumdioxid und die zweite Schicht aus Silicium bestehen.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung zum Erzeugen des elektrischen Feldes eine dritte
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Schicht (56) enthält, die sich auf der zweiten Schicht (5*0 befindet und eine Metallelektrode (57) trägt.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper eine Quellenzone (15, 45) und eine im Abstand davon angeordnete Abflußzone (l6, 46), die an die Oberfläche (14, 44) des Halbleiterkörpers (12, 42) angrenzen, enthält.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (12) aus Silicium, die erste Schicht (22) aus Siliciumdioxid und die zweite Schicht (24) aus Siliciumnitrid bestehen.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (42) aus Silicium, die erste Schicht (52) aus Siliciumdioxid und die zweite Schicht (54) aus Silicium bestehen.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf der zweiten Schicht (54) eine dritte Schicht (56) aus Isoliermaterial befindet , die eine Metallelektrode (57) trägt.
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d adurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (62) angrenzend an einen Teil seiner Oberfläche (64) eine Zone (65) enthält, die den entgegen-
909821/0766
gesetzten Leitungstyp aufweist wie der Rest des Körpers und mit diesem einen pn-übergang (66) bildet, und daß die erste Schicht (72) auf dem Rand des pn-überganges angeordnet ist.
10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Halbleiterkörper (62) aus Silicium, die erste Schicht (72) aus Siliciumdioxid und die zweite Schicht (7*0 aus Siliciumnitrid bestehen.
11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus Silicium, die erste Schicht aus Siliciumdioxid und die zweite Schicht aus Silicium bestehen.
12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf der zweiten Schicht eine dritte Schicht aus Isoliermaterial befindet, die eine Metallelektrode trägt.
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