Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filedfiledCritical
Publication of DE1800348A1publicationCriticalpatent/DE1800348A1/de
Publication of DE1800348B2publicationCriticalpatent/DE1800348B2/de
H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
H10D62/112—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for preventing surface leakage due to surface inversion layers, e.g. by using channel stoppers
H—ELECTRICITY
H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
H—ELECTRICITY
H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
Landscapes
Formation Of Insulating Films
(AREA)
DE196818003481967-10-021968-10-01Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
PendingDE1800348B2
(de)
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening voorziene eerste laag van siliciumdioxyde en in de gehele opening een tweede laag van siliciumdioxyde worden aangebracht, aan welke tweede laag een dusdanige hoeveelheid van een verbinding van een element verschillend van een doteringsstofelement is toegevoegd dat de etssnelheid van de twerkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, waarbij op een oppervlak van een half- geleiderlichaam een van een opening v
Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliziumoxyd, teils aus Siliziumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers, z.B. einer Halbleiteranordnung