DE1774247A1 - Leseanordnung fuer einen Transfluxor - Google Patents

Leseanordnung fuer einen Transfluxor

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DE1774247A1 DE19681774247 DE1774247A DE1774247A1 DE 1774247 A1 DE1774247 A1 DE 1774247A1 DE 19681774247 DE19681774247 DE 19681774247 DE 1774247 A DE1774247 A DE 1774247A DE 1774247 A1 DE1774247 A1 DE 1774247A1
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Kazuo Fukiage
Hiroshi Kobayashi
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    • G11C27/022Sample-and-hold arrangements using a magnetic memory element

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Description

  • Leseanordnung für einen Transflwcor
    Die Erfindung betrifft eine Leseanordnung für einen Transfluxor mit rechteckförmiger Hystereainkenalinie und mit zwei alternierend betriebenen Leaewicklungen auf den Itagnetflußechenkeln den Lenemagnetkreinen. Ein Transfluxor ist bekanntlich als Analogspeicher mit zerstörungsfreier Ablesung geeignet. Solche Analogspeicher finden in zunehmendem Maße zahlreiche-Anwendungen.
  • Ein Transfluxor besteht aus einem Magnetkern mit mehreren Löchern und mit rechteckförmiger Hysteresisschleife, womit unter Verwendung der zahlreichen um die Löcher gebildeten Magnetflußschenkel mehrere Magnetkreise zur Verfügung ge- stellt werden. Die Magnetflußschenkel tragen entsprechend zahlreiche Wicklungen. In der folgenden Beschreibung ist der Einfachheit halber auf Transfluxoren mit zwei Löchern bezug genommen. Die zrfindung ist jedoch unabhängig von der Löcheranzahl anwendbar.
  • Die Magnetkreise eines Transfluxors umfassen normalerweise einen Einschreibmagnetkreis von schleifenförmiger Gestalt und einen Lesemagnetkreie ebenfalls in schleifenförmiger Gestalt, der einen Teil des Einsehreibkreises belegt. En etflule schenkel des Einschreibkreises trägt eine Schreibwicklung die an eine Schreibimpulsguelle angeschlossen ist; dagegen sind zwei Lesewicklungen mit gleicher AxperewIndungszahl auf den beiden Magnetflußschenkeln eines jeden Lesekreises vor-gesehen. Die Lesewicklungen sind so ausgerichtotg daß die im Lesebetrieb induzierten Magnetflüsse den Lesemagnetkreis jeweils in entgegengesetzten Richtungen magnetisieren. Zese@-stromimpulse werden abwechselnd in die Lesewicklungen singespeist, wobei die Belastung gemeinsam an beide Lesewicklungen oder an eine gesonderte Ausgangswicklung des Leeemagnetkreises angeschlossen ist.
  • Im Betrieb einen solchen Transfluxors, wo dir Belastung .ge@ meinsam an beide Lesewicklungen angeschlossen ist, wird zunächst der hinschreibmagne@kreis in einer bestimmten Richtung gesättigt. Dieser Zustand wird als_Blookierungb#uetand bezeichnet, der Belastungentrom hat in dienen Blockierungezustand einen Maximalwert. Sodann liegt jeweils ein Impuls einer Einachreibimpulsfolge beliebiger Nellenform, z.B. rechteckförmig, an der Einachreibwicklung an; dieser Betriebszustand wird als Einstellphase bezeichnet. Der Einstellstromimpuls bewirkt eine teilweise Magnetisierung des Einschreibmagnetkreises in einer Richtung, die der Magnetisierungsrichtung des Blockierungszustandes entgegengesetzt ist. Dadurch wird die Induktivität einer jeden Lesewicklung größer, so daß der Belastungsstrom abnimmt. Mit zunehmender Einstellung durch Anlegen weiterer Einstellimpulse nacheinander wird der Zustand schließlich erreicht, wo die Hälfte des erzeugten Magnetflusses in der Polarität umgekehrt ist. Damit erreicht der Belastungsstrom einen Minimalwert.
  • Wenn der £inschreibvorgang von diesem Zustand aus fortgesetzt wird, wobei die Polarität der Einschreibimpulse umgekehrt ist (diese Betriebsweise mit polaritätsumgekehrten Einschreibimpulsen wird als Niedereinstellung bezeichnet), wird der Magnetisierungszustand des Transfluxors möglicher-weise wieder ind@en Blockierungszustand zurückgeführt und der Maximalwert des Belastungsstromes kann wieder erreicht werden. Eine solche Änderung des Belastungsstromes in AbhängiE keit von der Anzahl der Einschreibimpulee an der Einschreibwicklung wird als Aussteuerungskennlinie des Transfluxors bezeichnet. Damit eine zerstörungsfreie Ablesung möglich ist, müssen die Transfluzorkerne so bemessen sein, daß der Einschreibmagnet)Lreis leichter oder früher seinen Sättigungszustand erreicht als der Lesemagnetkreis. Diese bekannten Transfluxoren besitzen wesentliche Nachteile, die die Anwen- dungsmöglichkeiten von Transfluxoren als Analogspeicherelemente stark beschränken. Diese Nachteile sind folgende: 1. Zur Vergrößerung der Anzahl der Analog-Speicherwerte eines einzelnen Transfluzors mit konstanter Speicherkapazität müsset sowohl Amplitude als auch Dauer der Einschreibimpulse herabgesetzt werden. Dadurch wird die Aussteuerungskennlinie des Tranafluxors sowohl im Einstellbetrieb als auch im V.iedereinstellbetrieb abgeflacht. Dies bedeutet, daß die nnderungen des Belastungsstromes in Abhängigkeit von solchen verringerte Einstell- und Wiedereinstellimpulsen außerordentlich klein werden oder vollständig verschwinden..
  • 2. Mit ansteigender Außentemperatur wird die Rechteckigkeit der Hysteresisschleife des Magnetwerkstoffes des Kerns abgeflacht, wodurch ebenfalls die Aussteuerungskennlinien des Transfluxors abgeflacht werden.
  • Aufgabe der Erfindung ist eine solche Ausbildung eines Transfluxors der genannten Art, daß die Abflachung der Steuerkennlinie vermieden wird und daß ein großer Änderungsbereich des Belastungsstromes sowie eine Vielzahl von Speicherstellen verfügbar ist.
  • Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß zu einer Hauptlesewicklung auf einem läagnetflußschenkel jeweils auf dem anderen Magnetflußschenkel eine Zusatzlese-Wicklung mit geringerer Amperewindungszahl und mit entgegengesetztem Mdgnotieierungefluß bezüglich den Schreibmagnet- kreisen vorgesehen ist, wobei das Verhältniß der .Amperewindungszahlen von Hauptwicklung und Zusatzwicklung im. Sinne einer Verringerung des magnetischen Vorspannungsflusses aus dem Lesekreis in den Schreibkreis auf einen Optimalwert eingestellt ist. Durch die Herabsetzung der Vorspannung des Einschreibkreises vonseiten des Lesemagnetkreises wird die Kennlinie,des Transfluxors im wesentlichen vollsVändig symmetrisch. Die Kennlinie.ist innerhalb eines weiten Änderungebereiches des Belastungsstromes eindeutig und reproduzierbarf wobei zahlreiche Speicherstellen ($.B. einige hundert) verfügbar gemacht sind. Dieser Vorspanneffekt wurde als die Hauptur- ` lache für die VerschlechtJrung und Abflachung der Rennlinien des Transfluzors erkannt. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Die Erfindung wird anhand bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen-erläutert.
  • Fig. 1 zeigt einer perspektivische Ansicht der Grundform eines Magnetkerns für einen Transfluxor, Fig. 2 ist eine schematische Ansicht der Schaltkreise für einen bekannten Transfluxor mit einem Zweilochkern, Fig. 3 zeigt die Belastungsatromkennlinie in Abhängigkeit von der Einschreibimpulszahl für einen bekannten Tranafluxor und einen Tranafluxor nacl der Erfindung, die Fig. 4-13 zeigen verschiedene Ausführungsformen der Erfindung. Fig. 1 zeigt die Grundform eines Transfluxorkerns 1 mit drei Magnetflußschenkeln 2, 3 und 4. Der Einschreibmagnetkreis be= steht aus zwei sqhleifenförmigen Magnetflußwegen um das größer, Loch, jeweils übel die Magnetflußschenkel 2, 3 und 2, 4; der Lesemagnetkreis schließt sich um das kleinere Loch über die Magnetflußschenkel 3 und 4. Der Magnetkern ist so bemessen, daß der wirksame Querschnitt des Magnetflußachenkels 2 gleich oder größer als die Summe der Querschnitte der Magnetfluß- ' Schenkel 3 und 4 ist und daß die wirksamen Querschnitte der Magnetflußschenkel 3 und 4 gleich groß sind.
  • Die Grundschaltung eines herkömmlichen Transfluxor-Analogspeichers mit zerstörungsfreier Ablesung ist in Fig. 2 dargestellt. Die Windungszahl in den Wicklungen 5, 6 und 7 auf den Magnetflußschenkeln 2, 3 und 4 sind jeweils Nw, Nr und Nr. Die Einschreibwicklung 5 ist über einen Polaritätswechselschalter 11 an einen Impulsgenerator 10 angeschlossen, wogegen der Impulsgenerator 21 über je eine Diode 22 an die Lesewick- lungen 6 und 7 angekoppelt ist, die gemeinsam mit dem Belastungswiderstand 20 verbunden sind.
  • Der Impulsgenerator 21 kann z.8. ein üblicher Multivibrator mit zwei Ausgängen sein, über die jeweils. im Gegentaktbetrieb gleichpolare Treiberstörme in die Lesewicklungen 6 und eingespeist werden. Der Transfluxor mag sich zunächst in dem durch die Pfeilrichtung 40 angegebenen Blockierungazustand befinden. Sodann werden jeweils nacheinander Einschreibimpulse entsprechender Größe in die Einschreibwicklung zur stufenweisen Einstellung des Transistors in die durch die Pfeilrichtung 41 angegebene Magnetisierungsrichtung eingespeist. Nach Fig. 3, die die Aussteuerungskennlinie darstellt, nimmt der Belastungsstrom I in dem Belastungswiderstand 20 von einem Maximalwert längs der ausgezogenen Kurve 51 entsprechend der zunehmenden Anzahl der Einschreibimpulse ab. Nachdem das Stromminimum 50 erreicht ist, soll die Polarität dörr EizsahreibiapulWo duroü den Polare tätswechselschalt;r 11 umgekehrt werden und die Einschreibung wird fortgesetzt. Der Belastungsstrom nimmt denn längs der ausgezogenen Kurve 51 zu. Wenn der Transfluzor zunächst in Pfeilrichtung 41 blockiert wird, folgen die Xaderungen des Belastungsstromes der gestrichelten Kurve 52. Dies bedeutet, daß beim Betrieb des Transfluxors in der Schaltungaanordnung nach Fig. 2 die Aussteuerungskennlinien einen ausgeprägten Unterschied zwischen der Einstell- und Wiedereimtellphase zeigen. Wenn der Transfluxor in Pfeilrichtung 41 blockiert ist, kann der anfängliche Maximalwert des Belastungsstromes nicht mehr erreicht werden, unabhängig von der Dauer der Wiedereinstellphase, wie dies die gestrichelte Kurve 52 deut- lich erkennen läBt.
  • Der Hauptnachteil eines Transfluxors in dieser Schaltungsan- ordnung liegt darin, ddB die Kennlinien merklich von der idealen V-Form abweichen, die für einen Analogspeicher am geeignetsten ist.
  • Dies führt zu weiteren Nachteilen: Eine analoge Signalspeicherung wird umso schwieriger, je kleiner die Signalamplitude ist, so daß die Speicherstufen nicht in dem erforderlichen Maße feinabgestuft werden können. Der Aussteuerungsbereich des Belastungsstromes ist außerordentlich eingeschränkt.
  • Es konnte durch theoretische und experimentelle Untersuchungen dieses herkömmlichen Transfluxors gezeigt werden, daß diese Nachteile bei höherer Außentemperatur immer ausgeprägter auftreten und daß zur Behebung dieser Nachteile die Größenschwankungen der Magnetkerne innerhalb sehr enger Herstellungstoleranzen gehalten werden müssen. Die Hauptursache dieser Nachtbile liegt in folgendem: Wenn der Belastungsstrom I in den Lesewicklungen 6 und 7 nach Fig. 2 alternierend fließt, Werden die Lese-Magnetflußschenkel 3 und 4> abwechselnd in gleicher Richtung magnetisiert, wie die Pfeile 42 und 43 angeben. Dies wirkt sich für den Einschreibmagnetkreis wie ein besonderes äußeres Vorspannungsmagnetfeld aus. denn im einzelnen der Einschreibmagnetkreis@in Pfeilrichtung 40 nach Fig. 2 blockiert ist,
    wirkt dieses Vorspannungsmagnetfeld der Magnetisierungsrich-
    tung/cn
    er Einstellphase entgegen, doch mit der Magnetisierung:
    richtung in üer Wiedereinstellphase zusammen. Dies bedingt eine stärkere oder schwächere magnetomotori$che Kraft auf der Eingangsseite zur Einstellung oder Wiedereinstellung gegenüber einem fehlenden Vorspannungsmagnetfeld, wodurch die Einstellung und Wiedereinstellung sozusagen erschwert bzw. erleichtert wird. Wenn im Gegensatz dazu der Einschreib. magnetkreis in Pfeilrichtung 41 nach Fig. 2 blockiert ist,
    ist das Vorspannungsmagnetfe@.d so ausgerichtet, daß es mit
    der Magnetisierungsrichtund äer Einstellphase übereinstimmt,
    doch derselben in der Wiedereinstellphase entgegenwirkt, da- durch wird die Einstellung erleichtert, dagegen die Wiedereinstellung erschwert.
  • In jedem Fall ist der Vorspannungseffekt umso ausgeprägter, je größer die reversible Permeabilität des Magnetwerkstoffes ist. Dies beruht auf der folgenden Erscheinung: Ein Teil des in dem Einschreibmagnetkreis durch den Einschreibvorgang erregten Magnetflusses stellt beim Vorhandensein einer reversiblen Permeabilität einen Verlust dar, ohne wesentlich zur Analogspeicherung beizutragen, doch der Verlustanteil des Magnetflusses ist jeweils gegenüber dem Fehlen des Vorspanneffektes in Abhängigkeit davon geringer oder größer, als die Magnetisierungsrichtung mit der Richtung des Vorspegnuagsmagnetfeldes übereinstimmt oder derselben entgegengerichtet is Die vorstehenden Uberlegungen zeigen, daß die Ursache der Abflachung der Kennlinien des Transfluxors in der Schaltungsanordnung nach Fiß. 2 dem magnetischen Vorspannungseffekt aufgrund des Belastungsstromes in den Lesewicklungen und der reversiblen Permeabilität des Magnetstoffes zugerechnet werden müssen. Zur Verwirklichung eines Tran®fluxors mit einer optimalen Aussteuerungskennlinie müssen die folgenden Verhältnisse realisiert werden: Der magnetische Vorspannungseffekt muß herabgesetzt werden und gleichzeitig muß ein entsprechende Anteil des magnetischen Vorspannungseffekts zur Kompensation der Abflachung der Transfluxorkennlinie aufgrund der reversiblen Permeabilität ausgenutzt werden.
  • Dieser Erfindungsgedanke kann durch die im folgenden beschrieb nen Leseanordnungen verwirklicht werden. Entsprechende Ausführungsformen der Erfindung sind in den Fig. 4 bis 13 erläutert. Fig. 4 zeigt schematisch eine erste Ausführungsform der Erfindung, wo nur die im Sinne der Erfinduhg abgewandelten Bauteile des Transfluxors (entsprechend den Magnetflußschenkeln 3 und4 in Fig. 2) in vergrößertem Maßstab dargestellt sind; der im wesentlichen unveränderte Einschreibteil ist der Einfachheit halber weggelassen. Dies gilt für alle Figuren 4 bis 13.
  • Nach Fig. 4 sind die Lesewicklungen (6 und 7 in Fig. 2) jeweils in zwei ungleiche, in Reihe geschaltete Teilwicklungen 61, 62 und 71, 72 geteilt, die jeweils auf einander gegenüberliegende Magnetflußschenkel 3 und 4 des Lesemagnetkreises um das kleinere Loch gewickelt sind. Die Windungszahl der Teilwicklungen 61 und 71 einerseits und der Teilwicklungen r2. Dann ist der genannte 62 und 72 andererseits sei Nrl und N Vorspannungseffekt für den Einschreibmagnetkreis propoitlonal der Differenz zwischen Nrl und N r2. Durch entsprechende Auswahl des Verhältnisses Nrl/Nr2 kann man eine Aussteuerungskennlinie gemäß der strichpunktierten Kurve 53 in Fig. 3 erhalten, wo die Magnetisierungsrichtung des Blockierungszu-" Standes mit derjenigen im Wiedereinstellzüstand übereinstimmt. Wenn für die Fig. 4 und 2 die Beziehung NI = N r1 , Nr2 gilt, bleibt der Änderungsbereich des Belastungsstromes für die Schaltung nach Fig. 4 im wesentlichen der gleiche'wie für die Schaltung nach Fig. 2. Alle folgenden Ausführungsformen der Erfindung sind insoweit gleich, als man optimale Aussteuerungskennlinien wie in dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel durch entsprechende Verteilung der Lesewicklungen auf die Magnetflußschenkel erzielen kann.
  • Fig. 5 ist eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, die gegenüber Fig. 4 insoweit abgewandelt ist, als ein handelgüblicher Wechselspannungsoszillator 23 als Lesespannungsquelle benutzt ist; der Lesestrom ist über einen Transformator 24 mit Mittelabgriff abgenommen.
  • Der Widerstand 27 stellt den Innenwiderstand der Spannungsquelle dar. Fig. 6 zeigt eine dritte Ausfühgungsform der Erfindung, wo neben der Verwendung eines Wechselspannungeoazillators 23 im Vergleich zu Fig. 4 eine Lesewicklung mit entgegengesetztem Wicklungssinn gewickelt ist, außerdem ist eine der Dioden 22 umgekehrt. Damit fließt in der Belastung 20 ein Wechselstrom. Fig. 7 zeigt eine vierte Ausführungsform der Erfindung, wo gegenüber Fig. 6 zwei zusätzliche Dioden 25 vorgesehen sind, damit in der Belastung 20 ein Gleichstrom fließt. Diese Dioden 25 können durch zwei Kondensatoren ersetzt werden, ao daß man eine Gleichrichterschaltung mit Spannungsverdoppelung erhält. Fig. 8 zeigt eine fünfte Ausführungsform der Erfindwng, wonach im Unterschied zu den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen eine gesonderte Ausgangswicklung 26 auf die Nagnetflußachen kel des Lesemagnetkreises gewickelt ist; die Belastung 20 ist an diese Ausgangswicklung 26 angeschlossen., Fig. 9 zeigt eine sechste Ausführungsform der Erfindung. Danach ist je ein Widerständ 28 zur Einstellung der Traxtsfluxorkennlinie im Nebenschluß zu einer jeden Diode 22 geschaltet. Durch diese Nebenachlußschaltung soll der Vorepannungeeffektaufgrund der beiden Lesewicklungen in Abhängigkeit von einer entsprechen den Auswahl der Größe dieser Nebenschlußwideretände im Verhältnis zu dem Belastungswiderstand 20 herabgesetzt werden. Es möge z.B. ein Strom vonseiten der abwechselnd leitenden Dioden 22 in der Lesewicklung 6 fließen. Gleichzeitig-fließt infolge des Nebenschlußwiderstandes der gegenüberliegenden Diode ein Teil des Stromes Ja der Wicklung 6 in der Wicklung 7, der nicht durch den Belastungswiderstand fließt; dieser Anteil hängt von den Werten der Widerstände 25 in entsprechender Weise ab. Dadurch kann man in dem Magnetflußschenkel 4 (oder 3) ein Vorapannungsnagnetfeld in entgegengesetzter Richtung zu dem Vor-spannungsmagnetfeld der jeweiligen Lesewicklung 6 (oder 7) erzeugen, wodurch der resultierende Vorapannungaeffekt auf eine: gewünschten kleinen Wert herabgesetzt werden kann. Damit kann man eine ideale Aussteuerungskennlinie gemäß der strichpunktiez ten Kurve 53 in Fig. 3 erhalten, wenn die Richtung des Vorspannungsmagnetfeldes mit derjenigen des Wiedereinstellfeldes übereinstimmt.
  • Fig. 10 zeigt eine siebente Ausführungsform der Erfindung, wo die Verbindungspunkte zwischen je einer Lesewicklung und einer Diode durch einen Uberbrückungswiderstand 29 überbrückt sind, dessen Wert entsprechend dem gewünschten Vorspannungseffekt ausgewählt ist. Diese Uberbrückungsschaltung stellt einen Minimalwert des Vorspannungseffektes*infolge der Lesewicklungen durch entsprechende Auswahl des Wertes des Gberbrückungswiderstandes im Vergleich zu dem Belastungswiderstand sicher. Z.B. soll der Durchlaßatrom einer Diode 22 in der Lesewicklung 6 fließen. Bei geeigneter Einstellung des Lberbrückungswiderstandes kann ein Teil des sonst nur durch die Belastung 20 fließenden Stromes durch die Lesewicklung 7 fließen, so daß ein Vorspannungsmagnetfeld im Einschreibmagnetkreis entgegengesetzter Richtung zu dem durch die Lesewicklung 6-erregten Vorspannungsmagnetfeld erzeugt werden kann. Damit kann der resultierende Vorspannungseffekt herabgesetzt werden.. Soweit die Richtung des resultierenden Vorspannungsmagnetfeldes mit der Richtung des Rückstellmagnetfeldes für den Transfluxor übereinstimmt, kann man die optimale Aussteuerungskennlinie gemäß der strichpunktierten Kurve 53 in Fis. 3 erhalten.
  • Diese Ausführungsform der Erfindung stellt eine Abwandlung der Ausführungsform nach Fig. 9 dar, insoweit der Impulsgenerator durch eine Schaltung aus einem handelsüblichen @@echselspannungsoszillator 23, einem Quellenwiderstand 27 und einem Transformator 24 mit Mittelabgriff ersetst ist. Die siebente Ausführungsform bringt eine3große Einfachheit der Leseanordnur da nur ein einziger zusätzlicher Widerstand erforderlich ist. Die weiteren Ausführungsformen der Erfindung, die entweder in Gbrbrückungs- oder Nebenschlußschaltung ausgeführt sind, besitzen ebenfalls die optimalen Kennlinien gemäß der vorigen Erläuterung. Die einzelnen Schaltungsmerkmale dieser Ausführungsbeispiele können im allgemeinen wechselweise gegeneinan- der ausgetauscht werden.
  • Fig. 11 zeigt eine achte Ausführungsform der Erfindung, wo die Lesewicklungen 6 und ? auf den Magnetflußschenkeln 3 und 4 subtraktiv arbeiten und die Dioden 30 und 31 mit umgekehrter Sperrichtung eingeschaltet sind. Ein bberbrückungewiderstand 29 zur optimalen Einstellung der Kennlinie des Transfluxors ist an die Dioden 30 und 31 angeschlossen und dient jeweils zur Überbrückung der nichtleitenden Diode. Ein Wechse: spannungsoszillator,23 ist als Lesespannungequelle in Reihe mit dem Belastungswiderstand 20 angeschlossen* Durch den letzteren fließt ein Wechselstrom I. Durch entsprechende Festlegung des Wertes des Widerstandes 29 kann man sicherste llen, daß ein Teil des während einer jeden Halbwelle durch eine in Durchlaßrichtung vorgespannte Diode fließenden Belastungsstromes über den Uberbrückungswiderstand 26 jeweils in die andere Lesewicklung fließt. Dadurch wird ein Vorspannungsmagnetfeld entgegengesetzt zu der Richtung de: von der unmittelbar an die leitende Diode angeschlossenen Lesewicklung erzeugten Vorspannungsmagnetfeldes hervorgerufen so daß der resultierende Vorspannungseffekt einen gewünschten kleinen Wert hat. Falls der Wert des tberbrückungswiderstande: 26 zur Steuerung des Vorspannungseffektes für praktische Verhältnisse zu klein ist, kann man einen kleinen Widerstand zwischen den Uberbrückungswiderstand 26 und eine jede Diode einschalten.
  • Fig. 12 zeigt eine neunte Ausführungsform der Erfindung, die eine Umsetzung der Überbrückungsschaltung nach Fig. 11 in eine Nebenschlußschaltung darstellt, zusätzlich sind zwei Dioden 25 zur Erzielung eines Belastungegleichstromen vorge- sehen. Mit dieser Leseanordnung fließt ein Strom der erforder- lichen Größe in der Lesewicklung, die an die jeweils nichtlei- tende Diode angeschlossen ist, wobei der jeweilige Stromfluß über den Nebenschlußwiderstand 28 erfolgt. Die beiden Vorspannungsmagnetfelder haben entgegengesetzte Richtungen zueinan- der, und der resultierende Vorspannungseffekt erreicht einen Minimalwert, wenn die Werte der Widerstände 28 entsprechend gewählt sind. Die Dioden 25 können durch zwei Kondensatoren ersetzt werden, so daß man eine Gleichrichterschaltung mit Spannungsverdoppelung erhält.
  • Fig. 13 zeigt eine zehnte Ausführungsform der Erfindung, wo innerhalb der Leseanordnung neben den Lesewicklungen 6 und ? eine Ausgangswicklung 26 vorgesehen ist, an welche die Belastt 20 angeschlossen ist. Die Verringerung des VorspannungseffektE und damit die Verbesserung der Aussteuerungskennlinie wird in gleicher Weine wie bei der Ausführungsfora nach Zig. 11 ' erzielt.

Claims (1)

  1. P a t e n t a n srp r ü c h e II###111#111W 1W I##@###@1#111 1. Leseanordnung für einen Transfluxor mit reahtackförmiger Hysteresiskennlinie und mit zwei alternierend betriebenen Lesewicklungen auf dem Magnetflußschenkeln des Lesemagnet- kreises, dadurch gekennzeichnet, daß zu einer Hauptlesewick- Jung auf einem ltagnetflußschenkel jeweils auf dem' deren Hagnetflußschenkel eine Zusatzlesewickluxg mit geringerer Ampdrewindungszahl und mit entgegengeeetstem etieierungs# fluß bezüglich des Schreibmagnetkreisen vorgesehen ist, wobe: das Verhältnis der Ampirewindungszahlen von Hauptwicklung und Zusatzwicklung im Sinne einer Verringerung des magneti-. sehen Vorspannungsflusses aus dem Lesekreis in den Sehreib- kreie auf einen Optimalwert eingestellt ist.
    2. Leseanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenüceichnet, daß Haupt- und Zusatzlesewicklung jeweils als in Reihe ge-' schaltete Teilwicklungen (61, 62 bzw: 71x ) ausgebildet sind (Fig. 4 bis 8).. 3. Leseanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zu jeder Lesewicklung (G, 7) eine Schaltstute mit richtungsabhängigem Widerstand eingeschaltet ist (Fig. 9 12 und 13). 4. Leseanordriung-nach Anspruch 3, dadurch gekenn$eichnet, daß die Schaltstufe mit richtungsabhängigem Widerstand aus,, einer Diode (22) und einem ohmachen Widerstand (28) besteht. 5. Leseanordnung nach Aerueh 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Lesewicklungen (6; 7) durch einen Überbrilickungs= widerstand (29) miteinander verbunden Bind (Zig. 10 und 11).
    6. Leseanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesewicklungakreise an zwei alternierende Gleichtaktausgänge einer Spannungsquelle angeschlossen sind (Fig. 4 und 9). Leseanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesewicklungskreise an die Gegentaktausgänge einer Wechselspannungsquelle angeschlossen sind (Fig. 5 und 10). B. Leseanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesewicklungakreise parallel an eine Wechseispannungequelle (23) angeschlossen sind, wobei jeder Lesewicklungakreie eine bezüglich der Wechselspannungsquelle mit umgekehrter Vorzugsrichtung geschaltete Richtleitstufe enthält (Fig. 6 bis 8 und 11 bis 13). 9. Leseanordnuif nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Ausgangswicklung (26) vorgesehen ist, die um beide Magnetflußschenkel gewickelt und mit beiden Lesewicklungen induktiv gekoppelt ist (Fig. 8 und 13).
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