DE1774247B2 - Leseanordnung fuer einen transfluxor - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Leseanordnung für einen Transfluxor mit rechteckförmiger Hysteresiskennlinie und mit zwei alternierend betriebenen Lesewicklungen auf den Magnetflußschenkeln des Lesemagnetkreises.

Ein Transfluxor ist ein analoges Speicherelement, das sich zur zerstörungsfreien Ablesung eignet. Solche Analogspeicher finden in zunehmendem Maße Anwendungen. Allerdings verwendet man in der Praxis nicht eine unendliche Vielzahl von Speicherwerten, also eine kontinuierliche oder analoge Abstufung, sondern man arbeitet mit einer sehr großen Anzahl fein abgestufter Speicherwerte, so daß der Transfluxor in der Praxis ein digitales Speicherelement mit einer großen Anzahl von Wertstufen darstellt. Die Arbeitsweise des Transfluxors ist somit als quasianalog zu bezeichnen. Im folgenden ist jedoch der Kürze halber immer die Bezeichnung analog benutzt.

Normalerweise betreibt man einen Transfluxor mit Speicherimpulsen, von denen der Transfluxor infolge seiner analogen Arbeitsweise das zeitliche Integral speichert. Der Transfluxor wertet infolgedessen Anzahl und Größe, d. h. Integral der Speicherimpulse, aus.

Ein Transfluxor besteht aus einem Magnetkern mit mehreren Löchern und mit rechteckförmiger Hysteresisschleife, womit unter Verwendung der zahlreichen um die Löcher gebildeten Magnetflußschenkel mehrere Magneikreise zur Verfügung gestellt werden. Die Magnetflußschenkel tragen entsprechend zahlreiche Wicklungen. In der folgenden Beschreibung ist der Einfachheit halber auf Transfluxcen mit zwei Löchern Bezug genommen. Die. Erfindung ist jedoch unabhängig von der Löcheranzahl anwendbar.

Die Magnetkreise eines Transfluxors umfassen normalerweise einen Einschreibmagnetkreis von schleifenförmiger Gestalt und einen Lesemagnetkreis ebenfalls in schleifenförmiger Gestalt, der einen Teil des Einschreibkreises belegt. Ein Magnetflußschenkel des Einschreibkreises trägt eine Schreibwicklung, die an eine Schreibimpulsquelle angeschlossen ist; dagegen sind zwei Lesewicklungen mit gleicher Amperewindungszahl auf den beiden Magnetflußschenkeln eines jeden Lesekreises vorgesehen. Die Lesewicklungen sind so ausgerichtet, daß die im Lesebetrieb induzierten Magnetflüsse den Lesemagnetkreis jeweils in entgegengesetzten Richtungen magnetisieren. Lesestromimpulse werden abwechselnd in die Lesewicklungen eingespeist, wobei die Belastung gemeinsam an beide Lesewicklungen oder an eine gesonderte Ausgangswicklung des Lesemagnetkreises angeschlossen ist.

Im Betrieb eines solchen Transfluxors, wo die Belastung gemeinsam an beide Lesewicklungen angeschlossen ist, wird zunächst der Einschreibmagnetkreis in einer bestimmten Richtung gesättigt. Dieser Zustand wird als Blockierungszustand bezeichnet, der Belastungsstrom hat in diesem Blockierungszustand einen Maximalwert. Sodann liegt jeweils ein Impuls einer Einschreibimpulsfolge beliebiger Wellenform, z. B. rechteckförmig, an der Einschreibwicklung an; dieser Betriebszustand wird als Einstellphase bezeichnet. Der Einstellstromimpuls be-

wirkt eine teilweise Magnetisierung des Einschreibmagnetkreises in einer Richtung, die der Magnetisierungsrichtung des Blockierungszuttandes engegengesetzt ist. Dadurch wird die Induktivität einer jeden Lesewicklung größer, so daß der Belastungsstrom abnimmt. Mit zunehmender Einstellung durch Anlegen weiterer Einstellimpulse nacheinander wird der Zustand schließlich erreicht, wo die Hälfte des erzeugten Magnetflusses in der Polarität umgekehrt ist. Damit erreicht der Belastungstrom einen Minimalwert.

Wenn der Einschreibvorgang von diesem Zustand aus fortgesetzt wird, wobei die Polarität der Einschreibimpulse umgekehrt ist (diese Betriebsweise mit polaritätsumgekehrten Einschreibimpulsen wird als Wiedereinstellung bezeichnet), wird der Magnetisierungszustand des Transfluxors möglicherweise wieder in den Blockierungszustand zurückgeführt, und der Maximalwert des Belastungsstroms kann wieder erreicht werden. Eine solche Änderung des Beiaslungbbti oiiis in Abhängigkeit von der Anzahl der Einschreibimpulse an der Einschreibwicklung wird als Aussteuerungskennlinie des Transfluxors bezeichnet. Damit eine zerstörungsfreie Ablesung möglich ist, müssen die Transfluxorkerne so bemessen sein, daß der Einschreibmagnetkreis leichter oder früher seinen Sättigungszustand erreicht als der Lesemacnetkreis. Diese bekannten Transfluxoren besitzen wesentliche Nachteile, die die Anwendungsmöglichkeiten von Transfluxoren als Analogspeicherelemente stark einschränken. Diese Nachteile sind folgende: ß d Ahl d Al

einschränken. Diese N g

1. Zur Vergrößerung der Anzahl der Analogspeicherwerte eines einzelnen Transfluxors mit konstanter Speicherkapazität müssen sowohl Amplitude als auch Dauer der Einschreibimpulse herabgesetzt werden. Dadurch wird die Aussteuerungskennlinie des Transfluxors sowohl im Einstellbetrieb als auch im Wiedereinstellbetrieb abgeflacht. Dies bedeutet, -iaß die Anderungen des Belastungstroms in Abhängigkeit von solchen verringerten Einstell- und Wiedereinstellimpulsen außerordentlich klein werden oder vollständig verschwinden.

2. Mit ansteigender Außen-temoeratur wird die Rechteckigkeit der Hysteresisschleife des Magnetwerkstoffes des Kerns abgeflacht, wodurch ebenfalls die Aussteuerungskennlinien des Trans-

abseflacht werden

beiden Lesewicklungen parallel zueinander an einen

gemeinsamen Belastungswiderstand angeschlossen

sind, und sieht vor, daß in Reihe zu jeder Lesew^eK-

lung eine Schaltstufe mit richtungsabhängigem Wi-

derstand eingeschaltet ist. Dadurch erreicht man

eine Verteilung eines jeden einzelnen Lesemipulses

auf beide Lesewicklungen in bestimmtem Verhältnis.

Eine weitere Ausbildung der Erfindung sieht tür

eine Leseanordnung der zuletzt genannten Art vor,

daß die Lesewicklungen durch einen Lberbruckungs-

widerstand miteinander verbunden sind. Auch damit

erzielt man eine Verteilung eines jeden Leseimpulses auf beide Lesewicklungen.

Durch die Herabsetzung der Vorspannung des fcinschreibkreises von Seiten des Lesemagnetkreises wird die Kennlinie des Transfluxors im wesentlichen voiiständig symmetrisch. Die Kennlinie ist innernaiD eines weiten Änderungsbereiches des BelastungsStroms eindeutig und reproduzierbar, wobei zahl reiche Speicherstellen (z.B. einige hundert) verfügbar gemacht sind. Dieser Vorspanneffekt wurde als me Hauptursache für die Verschlechterung und AB-flachung der Kennlinien des Transfluxors ^annt

Weiterbildungen der Erfindung sind in den unteransprächen gekennzeichnet.

Die Erfindung wird an Hand bevorzugter Ausiunrungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen

erläutert. .. ,

Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicnt oer Grundform eines Magnetkerns fur einen lransnuxor, Fi g. 2 ist eine schematische Ansicht der bcnaitkreise für einen bekannten Transfluxor mit einem

Zweilochkern, ,- ■ · _Au

F i u. 3 zeigt die Belastungsstromkennlinie in Abhängigkeit von der Einschreibimpulszahl tür emen bekannten Transfluxor und einen Transfluxor nach

der Erfindung, „«ϋ,,,,ηο«

Fig. 4 bis 13 ze.gen verschiedene Ausfuhrungsformen der Erfindung. . Fig.l zeigt die Grundform eines· ^«isfluxorkerns 1 mit drei Magnetflußsehenkein 2 3 und 4 Der Einschreibmagnetkreis besteht ™ ™« ^s™* fenförm.gen Magnetflußwegen um das größere Loch,

jeweils über die Magnetflußschenkel 2, 3 und 2 4 der Lesemagnetkreis schließt sich um das Weinere Loch über d>e Magnetflußschenkel 3 undI 4 Der Magnetkern ist so bemessen daß de r «Jsjrae Querschnitt des Magnetflußschenkels 2 gleich ooer

dcB Sehreibstois auf ei™, Op.im.lwe« angestellt ^iSlFi„e wekere Lösung der Erfindung bezieh, sieh auf eine Leseanordnung der genannten Art, wo die ^^SÄp T,eib_er-'ströme in die Lesewieklungen 6 und 7 eingespe.s, werden.

Der Transfluxor mag sich zunächst in dem durch die Pfeilrichtung 40 angegebenen Blockierungszustand befinden. Sodann werden jeweils nacheinander Einschreibimpulse entsprechender Größe in die Einschreibwicklung zur stufenweisen Einstellung des Transistors in die durch die Pfeilrichtung 41 angegebene Magnetisierungsrichtung eingespeist. Nach Fig. 3, die die Aussteuerungskennlinie darstellt, nimmt der Belastungsstrom I in dem Belastungswiderstand 20 von einem Maximalwert längs der ausgezogenen Kurve 51 entsprechend der zunehmenden Anzahl der Einschreibimpulse ab. Nachdem das Stromminimum 50 erreicht ist, soll die Polarität der Einschreibimpulse durch den Polaritätswechselschalter 11 umgekehrt werden, und die Einschreibung wird fortgesetzt. Der Belastungsstrom nimmt dann längs der ausgezogenen Kurve 51 zu. Wenn der Transfluxor zunächst in Pfeilrichtung 41 blockiert wird, folgen die Änderungen des Belastungsstroms der gestrichelten Kurve 52. Dies bedeutet, daß beim Betrieb des Transfluxors in der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 die Aussteuerungskennlinien einen ausgeprägten Unterschied zwischen der Einstell- und Wiedereinstellphase zeigen. Wenn der Transfluxor in Pfeilrichtung 41 blockiert ist, kann der anfängliche Maximalwert des Belastungsstroms nicht mehr erreicht werden, unabhängig von der Dauer der Wiedereinstellphase, wie dies die gestrichelte Kurve 52 deutlich erkennen läßt.

Der Hauptnachteil eines Transfluxors in dieser Schaltungsanordnung liegt darin, daß die Kennlinien merklich von der idealen V-Form abweichen, die für einen Analogspeicher am geeignetsten ist.

Dies führt zu weiteren Nachteilen:

Eine analoge Signalspeicherung wird um so schwieriger, je kleiner die Signalamplitude ist, so daß die Speicherstufen nicht in dem erforderlichen Maße fein abgestuft werden können.

Der Aussteuerungsbereich des Belastungsstroms ist außerordentlich eingeschränkt.

Es konnte durch theoretische und experimentelle Untersuchungen dieses herkömmliche Transfluxor gezeigt werden, daß diese Nachteile bei höherer Außentemperatur immer ausgeprägter auftreten und daß zur Behebung dieser Nachteile die Größenschwankungen der Magnetkerne innerhalb sehr enger Herstellungstoleranzen gehalten werden müssen. Die Hauptursache dieser Nachteile liegt in folgendem:

Wenn der Belastungsstrom I in den Lesewicklungen 6 und 7 nach F i g. 2 alternierend fließt, werden die Lese-Magnetflußschenkel 3 und 4 abwechselnd in gleicher Richtung magnetisiert, wie die Pfeile 42 und 43 angeben. Dies wirkt sich für den Einschreibmagnetkreis wie ein besonderes äußeres Vorspannungsmagnetfeld aus. Wenn im einzelnen der Einschreibmagnetkreis in Pfeilrichtung 40 nach F i g. 2 blockiert ist, wirkt dieses Vorspannungsmagnetfeld der Magnetisierungsrichtung in der Einstellphase entgegen, doch mit der Magnetisierungsrichtung in der Wiedereinstellphase zusammen. Dies bedingt eine stärkere oder schwächere magnetomotorische Kraft auf der Eingangsseite zur Einstellung oder Wiedereinstellung gegenüber einem fehlenden Vorspannungsmagnetfeld, wodurch die Einstellung und Wiedereinstellung sozusagen erschwert bzw. erleichtert wird. Wenn im Gegensatz dazu der Einschreibmagnetkreis in Pfeilrichtung 41 nach F i g. 2 blockiert ist, ist das Vorspannungsmagnetfeld so ausgerichtet, daß es mit der Magnetisierungsrichtung in der Einstellphase übereinstimmt, doch derselben in der Wiedereinstellphase entgegenwirkt, dadurch wird die Wiedereinstellung erschwert.

In jedem Fall ist der Vorspannungseffekt um so ausgeprägter, je größer die reversible Permeabilität des Magnetwerkstoffes ist. Dies beruht auf der folgenden Erscheinung: Ein Teil des in dem Einschreibmagnetkreis durch den Einschreibvorgang erregten

ίο Magnetflusses stellt beim Vorhandensein einer reversiblen Permeabilität einen Verlust dar, ohne wesentlich zur Analogspeicherung beizutragen, doch der Verlustanteil des Magnetflusses ist jeweils gegenüber dem Fehlen des Vorspanneflektes in Abhängigkeit

davon geringer oder größer, als die Magnetisierungsrichtung mit der Richtung des Vorspannungsmagnetfeldes übereinstimmt oder derselben entgegengerichtet ist.

Die vorstehenden Überlegungen zeigen, daß die

so Ursache der Abflachung der Kennlinien des Transfluxors in der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 dem magnetischen Vorspannungseffekt auf Grund des Belastungsstroms in den Lesewicklungen und der reversiblen Permeabilität des Magnetstoffes zugerechnet werden müssen. Zur Verwirklichung eines Transfluxors mit einer optimalen Austeuerungskennlinie müssen die folgenden Verhältnisse realisiert werden: Der magnetische Vorspannungseffekt muß herabgesetzt werden, und gleichzeitig muß ein entsprechender Anteil des magnetischen Vorspannungseffektes zur Kompensation der Abflachung der Transfluxorkennlinie auf Grund der reversiblen Permeabilität ausgenutzt werden.

Dieser Erfindungsgedanke kann durch die im folgenden beschriebenen Leseanordnungen verwirklicht werden. Entsprechende Ausführungsformen der Erfindung sind in den Fig. 4 bis 13 erläutert.

F i g. 4 zeigt schematisch eine erste Ausführungsform der Erfindung, wo nur die im Sinne der Er- findung abgewandelten Bauteile des Transfluxors (entsprechend den Magnetflußschenkeln 3 und 4 in Fig. 2) in vergrößertem Maßstab dargestellt sind: der irn wesentlichen unveränderte Einschreibteil ist der Einfachheit halber weggelassen. Dies gilt für alle Fig. 4 bis 13.

Nach F i g. 4 sind die Lesewicklungen (6 und 7 in F i g. 2) jeweils in zwei ungleiche, in Reihe geschaltete Teilwicklungen 61, 62 und 71, 72 geteilt, die jeweils auf einander gegenüberliegende Magnetfluß-So schenkel 3 und 4 des Lesemagnetkreises um das kleinere Loch gewickelt sind. Die Windungszahl der Teilwicklungen 61 und 71 einerseits und der Teilwicklungen 62 und 72 andererseits sei N_rl und N_rv. Dann ist der genannte Vorspannungseffekt für den Einschreibmagnetkreis proportional der Differenz zwischen N_rl und N₇₂. Durch entsprechende Auswahl des Verhältnisses N_rl/N_r2 kann man eine Aussteuerungskennlinie gemäß der strichpunktierten Kurve 53 in F i g. 3 erhalten, wo die Magnetisierungs-

richtung des Blockierungszustandes mit derjenigen im Wiedereinstellzustand übereinstimmt. Wenn für die F i g. 4 und 2 die Beziehung

gilt, bleibt der Änderungsbereich des Belastungsstroms für die Schaltung nach Fi g. 4 im wesentlichen der gleiche wie für die Schaltung nach Fig.2. Alle folgenden Au führungsformen der Erfindung sind in-

Vi-

soweit gleich, als man optimale Aussteuerungskennlinien wie in dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel durch entsprechende Verteilung der Lesewicklungen auf die Magnetflußschenkel erzielen kann.

F i g. 5 ist eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, die gegenüber F i g. 4 insoweit abgewandelt ist, als ein handelsüblicher Wechselspannungsoszillator 23 als Lesespannungsquelle benutzt ist; der Lesestrom ist über einen Transformator 24 mit Mittelabgriff abgenommen. Der Widerstand 27 stellt den Innenwiderstand der Spannungsquelle dar.

F i g. 6 zeigt eine dritte Ausführungsform der Erfindung, wo neben der Verwendung eines Wechselspannungsosziliatois 23 irn Vergleich zu F i g. 4 eine Lesewicklung mit entgegengesetztem Wicklungssinn gewickelt ist, außerdem ist eine der Dioden 22 umgekehrt. Damit fließt in der Belastung 20 ein Wechselstrom.

F i g. 7 zeigt eine vierte Ausführungsform der Erfindung, wo gegenüber Fig. 6 zwei zusätzliche Dioden 25 vorgesehen sind, damit in der Belastung 20 ein Gleichstrom fließt. Diese Dioden 25 können durch zwei Kondensatoren ersetzt werden, so daß man eine Gleichrichterschaltung mit Spannungsverdopplung erhält.

F i g. 8 zeigt eine fünfte Ausführungsform der Erfindung, wonach im Unterschied zu den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen eine gesonderte Ausgangswicklung 26 auf die Magnetflußschenkel des Lesemagnetkreises gewickelt ist; die Belastung 20 ist an diese Ausgangswicklung 26 angeschlossen.

F i g. 9 zeigt eine sechste Ausführungsform der Erfindung. Danach ist je ein Widerstand 28 zur Einstellung der Transfluxorkennlinie im Nebenschluß zu einer jeden Diode 22 geschaltet. Durch diese Nebenschaltung soll der Vorspannungseffekt auf Grund der beiden Lesewicklungen in Abhängigkeit von einer entsprechenden Auswahl der Größe dieser Nebenschlußwiderstände im Verhältnis zu dem Belastungswidcrstand 20 herabgesetzt werden. Es möge z. B. ein Strom von Seiten der abwechselnd leitenden Dioden 22 in der Lesewicklung 6 fließen. Gleichzeitig fließt infolge des Nebenschlußwiderstandes der gegenüberliegenden Diode ein Teil des Stroms der Wicklung 6 in der Wicklung 7, der nicht durch den Belastungswiderstand fließt; dieser Anteil hängt von den Werten der Widerstände 25 in entsprechender Weise ab. Dadurch kann man in dem Magnetflußschenkel 4 (oder 3) ein Vorspannungsmagnetfeld in entgegengesetzter Richtung zu dem Vorspannungsmagnetfeld der jeweiligen Lesewicklung 6 (oder 7) erzeugen, wodurch der resultierende Vorspannungseffekt auf einen gewünschten kleinen Wert herabgesetzt werden kann. Damit kann man eine ideale Aussteuerungskennlinie gemäß der strichpunktierten Kurve53 in Fig.3 erhalten, wenn die Richtung des Vorspannungsmagnetfeldes mit derjenigen des Wiedereinstellfeldes übereinstimmt.

Fig. 10 zeigt eine siebente Ausführungsform der Erfindung, wo die Verbindungspunkte zwischen je einer Lesewicklung und einer Diode durch einen Überbriickungswiderstand 29 überbrückt sind, dessen Wert entsprechend dem gewünschten Vorspannungseffekt ausgewählt ist. Diese Überbrückungsschaltung stellt einen Minimalwert des Vorspannungseffektes infolge der Lesewicklungen durch entsprechende Auswahl des Wertes des Überbrückungswiderstandes im Vergleich zu dem Belastungswiderstand sicher. Zum Beispiel soll der Durchlaßstrom einer Diode 22 in der Lesewicklung 6 fließen. Bei geeigneter Einstellung des Überbrückungswiderstandes kann ein Teil des sonst nur durch die Belastung 20 fließenden Stroms durch die Lesewicklung 7 fließen, so daß ein Vorspannungsmagnetfeld im Einschreibmagnetkreis entgegengesetzter Richtung zu dem durch die Lesewicklung 6 erregten Vorspannungsmagnetfeld erzeugt werden kann. Damit kann der resultierende Vorspannungseffekt herabgesetzt werden, soweit die Richtung des resultierenden Vorspannungsmagnetfeldes mit der Richtung des Rückstellmagnetfeldes für den Transfluxor übereinstimmt, kann man die optimale Austeuerungskennlinie gemäß der strichpunktierten Kurve 53 in F i g. 3 erhalten.

Diese Ausführungsform der Erfindung stellt eine Abwandlung der Ausführungsform nach F i g. 9 dar. insoweit der Impulsgenerator durch eine Schaltung aus einem handelsüblichen Wechselspannungsoszillator 23, einem Qucllenwiderstand 27 und einem Transformator 24 mit Mittelgriff ersetzt ist. Die siebente Ausführungsform bringt eine große Einfachheit der Leseanordnung, da nur ein einziger zusätzlicher Widerstand erforderlich ist.

Die weiteren Ausführungsformen der Erfindung, die entweder in Überbrückungs- oder Nebenschlußschaltung ausgeführt sind, besitzen ebenfalls die optimalen Kennlinien gemäß der vorigen Erläuterung. Die einzelnen Schaltungsmerkmale dieser Ausführungsbeispiele können im allgemeinen wechselweise gegeneinander ausgetauscht werden.

F i g. 11 zeigt eine achte Ausführungsform der Erfindung, wo die Lesewicklungen 6 und 7 auf den Magnetflußschenkeln 3 und 4 subtraktiv arbeiten und die Dioden 30 und 31 mit umgekehrter Sperrichtung eingeschaltet sind. Ein Überbrückungswiderstand 29 zur optimalen Einstellung der Kennlinie des Transfluxors ist an die Dioden 30 und 31 angeschlossen und dient jeweils zur Überbrückung der nichtleitenden Diode. Ein Wechselspanmingsoszillator 23 ist als Lesespannungsquelle in Reihe mit dem Belastungs-

widerstand 20 angeschlossen. Durch den letzteren fließt ein Wechselstrom I.

Durch entsprechende Festlegung des Wertes des Widerstandes 29 kann man sicherstellen, daß ein Teil des während einer jeden Halbwelle durch eine in Durchlaßrichtung vorgespannte Diode fließenden Belastungsstroms über den Überbrückungswiderstand 26 jeweils in die andere Lesewicklung fließt. Dadurch wird ein Vorspannungsmagnetfeld entgegengesetzt zu der Richtung des von der unmittelbar an die leitende Diode angeschlossenen Lesewicklung erzeugten Vorspannungsmagnetfeldes hervorgerufen, so daß dei resultierende Vorspannungseffekt einen gewünschter kleinen Wert hat Falls der Wert des Überbrückungs Widerstandes 26 zur Steuerung des Vorspannungs

effektes für praktische Verhältnisse zu klein ist, kam man einen kleinen Widerstand zwischen den Über brückungswiderstand 26 und eine jede Diode ein schalten.

Fig. 12 zeigt eine neunte Ausfühiungsform de Erfindung, die eine Umsetzung der Uberbrückungs schaltung nach Fig. 11 in eine Nebenschlußschaltun; darstellt, zusätzlich sind zwei Dioden 25 zur Erzie lung eines Belastungsgleichstroms vorgesehen. Mi

r>nn cno/ji

dieser Leseanordnung fließt ein Strom der erforderlichen Größe in der Lesewicklung, die an die jeweils nichtleitende Diode angeschlossen ist, wobei der jeweilige Stromfluß über den Nebenschlußwiderstand 28 erfolgt. Die beiden Vorspannungsmagnetfelder haben entgegengesetzte Richtungen zueinander, und der resultierende Vorspannungseffekt erreicht einen Minimalwert, wenn die Werte der Widerstände 28 entsprechend gewählt sind. Die Dioden 25 können durch zwei Kodensatoren ersetzt werden, so daß man ic

n _e^^{hrichterschaltu}"g mit Spannungsverdopp

Fig. 13 zeigt eine zehnte Ausführungsform dei brnndung, wo innerhalb der Leseanordnum» neben den Lesewicklungen 6 und 7 eine Ausganeswicklung 26 vorgesehen ist, an welche die Belastuni 20 ange Sw ^SCn 'π¹' ,^{Die Verrin}Serung des Vorspannungstffektes und damit die Verbesserung der Aussteuerungskennhmc wird in gleicher Weise wie bei der Aiisfuhrungsform nach Fig. H erzielt.

Hierzu 2 Blatt Zeichnunuen

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Leseanordnung für einen Transfluxor mit rechteckf örmiger Hysteresiskennlinie und mit zwei alternierend betriebenen Lesewicklungen auf den Magnetflußschenkeln des Lesemagnetkreises dadurch gekennzeichnet, daß zu einer Hauptlesewicklung auf einem Magnetflußschenkel jeweils auf dem anderen Magnetflußschenkel eine Zusatzlesewicklung mit geringerer Amperewindungszahl und mit entgegengesetztem Magnetisierungsfluß bezüglich des Schreibmagnetkreises vorgesehen ist, wobei das Verhältnis der Amperewindungszahlen von Hauptwicklung und Zusatzwicklung im Sinne einer Verringerung des magnetischen Vorspannungsflusses aus dem Lesekreis in den Schreibkreis auf einen Optimalwert eingestellt ist.

2. Leseanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Haupt- und Zusatzlescwicklung jeweils als in Reihe geschaltete Teilwicklungen (61, 62 bzw. 71, 72) ausgebildet sind (F i g. 4 bis 8).

3. Leseanordnung für einen Transfluxor mit rechteckförmiger Hysteresiskennlinie und mit as zwei auf den Magnetflußschenkeln des Lesemagnetkreises sitzenden, alternierend betriebenen Lesewicklungen, die parallel zueinander an einen gemeinsamen Belastungswiderstand angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zu jeder Lesewicklung (6, 7) eine Schaltstufe mit richtungsabhängigem Widerstand eingeschaltet ist (Fig.9, 12,13).

4. Leseanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltsuife mit richtungsabhängigem Widerstand aus einer Diode (22) mit einem ohmschen Widerstand (28) besteht.

5. Leseanordnung für einen Transfluxor mit rechteckförmiger Hysteresiskennlinie und mit zwei auf den Magnctflußschenkeln des Lesemagnetkreises sitzenden, alternierend betriebenen Lesewicklungen, die parallel zueinander an einen gemeinsamen Belastungswideirstand angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Lesewicklungen (6,7) durch einem Überbrückungswiderstand (29) miteinander verbunden sind (F ig. 10,11).

6. Leseanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesewicklungskreise an zwei alternierende Gleichtaktausgänge einer Spannungsquelle angeschlossen sind (F i g. 4 und 9).

7. Leseanordnunp nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesewicklungskreise an die Gegentaktausgänge einer Wechselspannungsquelle angeschlossen sind (F i g. 5 und 10).

8. Leseanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lesewicklungskreise parallel an eine Wechsel-Spannungsquelle (23) angeschlossen sind, wobei jeder Lesewicklungskreis eine bezüglich der Wechselspannungsquelle mit umgekehrter Vorzugsrichtung geschaltete Richtleitstufe enthält (F i g. 6 bis 8 und 11 bis 13).

9. Leseanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine zusätzliche Ausgangswicklung (26) vorgesehen ist, die um beide Magnetflußschenkel gewickelt und mit beiden Lesewicklungen induktiv gekoppelt ist (F ig. 8 und 13).