DE1183543B - Magnetisches Informationsspeichersystem, geeignet zum zerstoerungsfreien Ablesen gespeicherter Informationen - Google Patents
Magnetisches Informationsspeichersystem, geeignet zum zerstoerungsfreien Ablesen gespeicherter InformationenInfo
- Publication number
- DE1183543B DE1183543B DES58642A DES0058642A DE1183543B DE 1183543 B DE1183543 B DE 1183543B DE S58642 A DES58642 A DE S58642A DE S0058642 A DES0058642 A DE S0058642A DE 1183543 B DE1183543 B DE 1183543B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetization
- film
- field
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H 03 k
Deutsche Kl.: 21 al - 37/06
Nummer: 1183 543
Aktenzeichen: S 58642IX c/21 al
Anmeldetag: 18. Juni 1958
Auslegetag: 17. Dezember 1964
Die Erfindung betrifft ein magnetisches Informationsspeichersystem,
das zum nichtzerstörenden Ablesen einer durch einen von zwei möglichen magnetischen
Zuständen gespeicherten Informationen geeignet ist. Die in einem magnetischen Element
gespeicherte Information ist willkürlich definiert als eine von zwei möglichen Richtungen der remanenten
Magnetisierung eines Speicherkernes. Gewöhnlich wird eine Richtung der remanenten Magnetisierung
eines Speicherkernes als binäre Eins, die andere Richtung als binäre Null bezeichnet. Solche Speicherkerne
werden sowohl einzeln als auch in Form einer Speichermatrix verwendet, um Informationen zu
speichern. Das zerstörungsfreie Ablesen hält denselben Zustand der remanenten Magnetisierung aufrecht
und macht daher einen Rückstellzyklus entbehrlich, der für gewöhnlich erforderlich ist, um die
magnetischen Speicherkerne in den Zustand vor dem Ablesen zurückzumagnetisieren.
Zum zerstörungsfreien Ablesen des Speicherzustandes eines aus Ringkernen gebildeten Informationsspeichersystem
ist es bekannt, ein magnetisches Feld quer zur leichten Magnetisierungsachse mittels
einer Wicklung anzulegen, welche symmetrisch auf dem Speicherkern angeordnet bzw. durch eine, den
Kern symmetrisch durchsetzende Öffnung hindurchgeführt ist. Derartige aus Ringkernen gebildete Informationsspeichersysteme
erfordern verhältnismäßig viel Platz.
Die Erfindung bezweckt ein zerstörungsfreies Ablesen auch bei Informationsspeichersystemen zu ermöglichen,
welche aus dünnen magnetisierbaren Filmen gebildet werden. Dies erreicht die Erfindung
bei einem zum zerstörungsfreien Ablesen gespeicherter Information vermittels der Technik des Anlegens
eines magnetischen Feldes quer zu der leichten Magnetisierungsachse eines bistabilen magnetischen
Elementes geeigneten magnetischen Informationsspeichersystems dadurch, daß das magnetische Querfeld
durch die remanente Magnetisierung eines bistabilen magnetischen Elementes erzeugt wird, welches
die Information speichert und magnetisch induktiv mit einem weiteren bistabilen magnetischen Element
gekuppelt ist, welches nicht zur Speicherung von Informationen verwendet ist, wobei die schweren
Magnetisierungsachsen beider magnetischen Elemente quer zueinander liegen und die Permeabilitäten
der beiden magnetischen Elemente in Richtung rechter Winkel zu ihren remanenten Achsen derart
voneinander abweichen, daß die remanente Magnetisierung des Informationsspeicherelementes das
Querfeld für das andere magnetische Element liefert Magnetisches Informationsspeichersystem,
geeignet zum zerstörungsfreien Ablesen
gespeicherter Informationen
geeignet zum zerstörungsfreien Ablesen
gespeicherter Informationen
Anmelder:
Sperry Rand Corporation, New York, N. Y.
(V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. E. Weintraud, Patentanwalt,
Frankfurt/M., Mainzer Landstr. 136-142
Frankfurt/M., Mainzer Landstr. 136-142
Als Erfinder benannt:
Arthur Vincent Pohm;
White Bear Lake, Minn.;
Earl Nelson Mitchell, Saint Paul, Minn.;
Thomas Dean Rossing, Northfield, Minn.
Thomas Dean Rossing, Northfield, Minn.
(V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 23. Oktober 1957
(691 902)
V. St. v. Amerika vom 23. Oktober 1957
(691 902)
und eine beträchtliche Drehung dessen Magnetisierungsachse hervorruft, die remanente Magnetisierung
des weiteren Elementes jedoch eine unbeträchtliche Drehung der Magnetisierungsachse des Informationsspeicherelementes
bewirkt und eine Vorrichtung, vorzugsweise ein elektrischer Leiter, zur Verstärkung
oder Schwächung der Wirkung dieses magnetischen Querfeldes auf das weitere magnetische Element derart
vorgesehen ist, daß ein vorbestimmtes Lesemagnetfeld, welches quer zu der schweren Magnetisierungsachse
des weiteren magnetischen Elementes angelegt wird, eine Umschaltung des Magnetisierungszustandes
dieses Elementes zwecks Erzeugung eines. Ausgangssignals nur hervorruft, wenn das
magnetische Querfeld durch diese Vorrichtung vergrößert worden ist.
Die Erfindung gestattet es, als magnetische Elemente dünne magnetisierbare Filme zu verwenden,
wie sie in dem Aufsatz von Dr. M. Scott-Blois, erschienen in dem »Journal of Applied Physics«,
Bd. 26, Nr. 8, 1955 mit dem Titel: »Herstellung von dünnen, magnetischen Filmen und deren Eigenschaften«
beschrieben sind. Zwei derartige magnetisierbare
409 758/146
Filme werden dicht übereinandergelegt, derart, daß ihre Achsen der remanenten Magnetisierung sich
kreuzen. Diese beiden Filme arbeiten mit Wicklungen zusammen, welche bei Erregung den Zustand eines
der Filme wenigstens dann zu ändern vermögen, wenn der jeweils andere Film den einen von zwei
stabilen magnetischen Zuständen hat, jedoch keine Änderung herbeiführen können, wenn der andere
Film den anderen stabilen magnetischen Zustand hat. Hierdurch läßt sich das zerstörungsfreie ablesbare
Speichersystem auf sehr kleinem Raum unterbringen.
Die Erfindung ermöglicht somit die Abfühlung des magnetischen Zustandes eines Kernes ohne Zerstörung
dieses Zustandes durch die Anwendung eines zweiten Kernes, dessen Achse der remanenten Magnetisierung
quer zu der Achse der remanenten Magnetisierung des ersten Kernes angeordnet ist und
der ein Querfeld in dem ersten Kern erzeugt. Gemäß weiterer Ausbildung der Erfindung sind Mittel vorgesehen,
um in dem zweiten Kern ein Querfeld zu seiner remanenten Magnetisierung zu erzeugen, derart,
daß dieses additiv oder subtraktiv zu der remanenten Magnetisierung verläuft, je nachdem, wie der
Zustand der remanenten Magnetisierung des ersten Kernes ist, so daß die remanente Magnetisierung des
ersten Kernes dafür bestimmend ist, ob der zweite Kern seinen magnetischen Zustand während einer
Zeitspanne, in der ein Feld längs der Richtung der remanenten Magnetisierung des zweiten Kernes angelegt
wird, ändert.
Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt
F i g. 1 eine Kurvenschar, welche die Änderungen der Umschaltgeschwindigkeiten eines dünnen Filmkernes
in Funktion zu der Feldintensität der Quer- und der remanenten Achse der Schaltfelder wiedergibt.
Fig. 2 eine beispielsweise Ausführungsform der Erfindung, teilweise im Schnitt.
Fig. 3 eine beispielsweise Wellenform für den Abfrageimpuls, der nach der Erfindung zweckmäßig
verwendet wird.
Es wurde bereits vorgeschlagen, ein magnetisches Feld, welches quer zu der Magnetisierungsachse eines
magnetischen Kernes mit einer im wesentlichen rechteckigen Hysteresisschleife orientiert ist, bei Vorhandensein
eines längs der remanenten Magnetisierungsachse angelegten ersten Feldes zur Vergrößerung
der Umschaltegeschwindigkeit des Kerns zu verwenden. Besonders beachtlich ist dieser Effekt bei
dünnen Magnetfilmkernen, welche im Vakuum aufgedampft oder in anderer Weise als ein Substrat aufgebracht
sind, wie sie in dem Aufsatz von Dr. M. Scott-Blois, erschienen in der Zeitschrift »Journal
of Applied Physics«, Bd. 26 Nr. 8,1955, beschrieben sind. Die Beschreibung der Erfindung bezieht sich
auf solche Filmkerne, aber die Erfindung ist in gleicher Weise auch auf andere Arten von Kernen anwendbar,
sofern diese von einem in den anderen magnetischen Zustand in Übereinstimmung damit
umgeschaltet werden können, ob ein ausreichendes Querfeld vorhanden ist.
In einem magnetischen Film von der Dicke einer Molekülschicht, d. h. ungefähr 1000 bis 2000 Ängströmeinheiten,
nimmt die Umschaltezeit um so mehr ab, als ein Querfeld, d. h. ein magnetisches Feld,
welches rechtwinklig zu der bevorzugten Richtung oder der leichten Achse der remanenten Magnetisierung
verläuft, anwächst. Diese Abhängigkeit ist in F i g. 1 zeichnerisch dargestellt, in der der reziproke
Wert der Schaltzeit T als Funktion des Längs- oder in Richtung der remanenten Achse verlaufenden
Umschaltfeldes HL für verschiedene Querfeldintensitäten
H7 dargestellt ist. Punkt 10 der Abszisse stellt
die Randbewegungskoerzitivkraft in örsteds dar. Die Kurve 12 zeigt die Schaltzeitveränderungen, wenn
ίο HT = 0 ist. Die Kurven 14, 16, 18, 20 und 22 sind
die entsprechenden Schaltzeitkurven für wachsende Querfeldintensitäten Z1 bis /5. Die Kurve 22 zeigt, daß
bei großem Querfeld die wirksame Koerzitivkraft eines dünnen Filmkernes herabgesetzt ist.
Aus dieser Darstellung ist ersichtlich, daß die Feldstärke des Schaltfeldes entlang der remanenten
Achse so gewählt werden kann; daß der Kern umschaltet oder seinen magnetischen Zustand ändert,
falls gleichzeitig ein verhältnismäßig starkes Querfeld vorhanden ist, seinen magnetischen Zustand
jedoch bei Abwesenheit eines ■ solchen Querfeldes nicht ändert. Durch Beschränkung der Querfeldintensität
einmal auf ein starkes Feld, z. B. eine Feldstärke, die größer ist als 0,5 örsted, das andere
Mal auf ein schwaches Feld, z. B. von weniger als 0,01 örsted, kann ein magnetischer Kern dazu verwendet
werden, um in geeigneter Weise zwischen der Anwesenheit eines starken Querfeldes und der Anwesenheit
eines schwachen Querfeldes zu unterscheiden. Wenn ein vorbestimmtes Längsschaltfeld angelegt
ist und der Kern umschaltet, dann wird eine Spannung in all seinen Wicklungen induziert, die anzeigt,
daß ein relativ starkes Querfeld vorhanden ist. Wenn dagegen der Kern nicht umschaltet, dann ist
das Fehlen der Spannung in den Wicklungen ein Anzeichen für die Abwesenheit eines Querfeldes
oder die Anwesenheit eines nur schwachen Querfeldes.
Die Erfindung verwendet diese Erscheinung als wirksames und neues Mittel für ein nichtzerstörendes Abfühlen oder Ablesen eines magnetischen Kernes. Bei dem in F i g. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel soll der Kern 24 abgefühlt werden. Dieser Kern kann einer von einer Vielzahl von Kernen sein, die in einem Speichermatrixsystem angeordnet sind, oder auch ein einzelner Kern sein, der individuell für die Speicherung von Information in irgendeinem Verarbeitungssystem verwendet wird. Nachstehend wird dieser Kern als der Informations- oder Speicherkern bezeichnet. Um ein nichtzerstörendes Abfühlen oder Ablesen der Information in dem Speicherkern 24 zu ermöglichen, ist ein zweiter Kern 26 dem Kern 24 zugeordnet. Dieser Kern 26 wird im nachstehenden als der Abfühl- oder Ablesekern bezeichnet. Vorzugsweise sind beide Kerne 24 und 26 dünne Filmkerne der vorher erwähnten Type, jedoch ist dies nicht notwendig, da auch andere Typen von magnetischen Kernen zur Verwirklichung des Wesens der Erfindung verwendet werden können. Das magnetische Material, das in den Kernen vorzugsweise angewandt wird, besitzt eine rechteckige Hysteresischarakteristik, so daß der bleibende Magnetismus einen verhältnismäßig hohen Prozentsatz des zur Sättigung aufgewendeten magnetischen Feldes bildet.
Die Erfindung verwendet diese Erscheinung als wirksames und neues Mittel für ein nichtzerstörendes Abfühlen oder Ablesen eines magnetischen Kernes. Bei dem in F i g. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel soll der Kern 24 abgefühlt werden. Dieser Kern kann einer von einer Vielzahl von Kernen sein, die in einem Speichermatrixsystem angeordnet sind, oder auch ein einzelner Kern sein, der individuell für die Speicherung von Information in irgendeinem Verarbeitungssystem verwendet wird. Nachstehend wird dieser Kern als der Informations- oder Speicherkern bezeichnet. Um ein nichtzerstörendes Abfühlen oder Ablesen der Information in dem Speicherkern 24 zu ermöglichen, ist ein zweiter Kern 26 dem Kern 24 zugeordnet. Dieser Kern 26 wird im nachstehenden als der Abfühl- oder Ablesekern bezeichnet. Vorzugsweise sind beide Kerne 24 und 26 dünne Filmkerne der vorher erwähnten Type, jedoch ist dies nicht notwendig, da auch andere Typen von magnetischen Kernen zur Verwirklichung des Wesens der Erfindung verwendet werden können. Das magnetische Material, das in den Kernen vorzugsweise angewandt wird, besitzt eine rechteckige Hysteresischarakteristik, so daß der bleibende Magnetismus einen verhältnismäßig hohen Prozentsatz des zur Sättigung aufgewendeten magnetischen Feldes bildet.
Die Filmkerne 24 und 26 sind auf ihren Trägern 28 und 30, welche vorzugsweise aus Glas bestehen,
aufgedampft. In einem Matrixspeichersystem kann jeder Träger eine Vielzahl solcher Kerne tragen, z. B.
eine Ebene von Kernen in der Matrixanordnung. Jedoch ist die Erfindung nicht auf eine solche Anordnung
beschränkt, da jeder Träger auch einen einzelnen dünnen Filmkern tragen kann, wie dies in der
Zeichnung angedeutet ist. Die Kerne brauchen auch nicht auf den Träger aufgedampft zu sein, sie können
auch plattiert sein oder in anderer Weise mit den isolierten Trägern verbunden sein, welche oberhalb
und unterhalb der Kerne liegen müssen, so daß sie die Kerne von ihren Wicklungen isolieren. Die
Wicklungen 32, 34 und 36 sind dem Speicherkern 24 zugeordnet, während die Wicklungen 38, 40 und
42 dem Ablesekern 26 zugeordnet sind. Diese Wicklungen sind vorzugsweise gerade, linienförmige Leiter,
welche als gedruckte Stromkreise geätzt oder in anderer Weise auf den Träger aufgebracht sein
können.
Bei dem Aufeinanderlegen der Kerne 24, 26 werden die leichten Achsen der Magnetisierung der
beiden Kerne sich gegenseitig kreuzend angeordnet. Die Linie 44 kann als die leichte Achse der Magnetisierung
des Informationskernes 24 betrachtet werden, wobei die Pfeilspitze 46 die Richtung der remanenten
Magnetisierung wiedergibt, wenn der Kern in dem magnetischen Zustand 1 magnetisiert ist,
während die Pfeilspitze 48 die entgegengesetzte Richtung der remanenten Magnetisierung, die als 0-Zustand
bezeichnet wird, wiedergibt. In ähnlicher Weise ist die leichte Achse der Magnetisierung des Abfühl-
oder Ablesekernes 26 durch die Linie 50 angedeutet, deren Pfeilspitzen an beiden Enden die beiden Zustände
der Magnetisierung des Ablesekernes wiedergeben.
Für die Veränderung der in dem Kern 24 durch eine der beiden magnetischen Zustände gespeicherten
Information kann jedes bekannte Mittel verwendet werden. Für diesen Zweck sind die Wicklungen 32
und 34 vorgesehen. Diese Wicklungen sind für gewöhnlich in einem Matrix-Speicher-System vorgesehen,
in welchem koinzidente Ströme verwendet werden, um einen bestimmten Kern auszuwählen.
Für gewöhnlich ist zusätzlich eine Wicklung 36 als Inhibitwicklung vorgesehen, um die Auswahl eines
bestimmten Kernes in einer Gruppe gegebenenfalls zu unterbinden. Der Strom, der für gewöhnlich in
einer der Wicklungen 32, 34, 36 fließt, wird im allgemeinen als Halbstrom bezeichnet und ist nicht
ausreichend, um allein eine Veränderung des magnetischen Zustandes des Informationskernes 24 hervorzurufen.
Jedoch können die Ströme in zwei dieser Wicklungen in Verbindung miteinander, sofern sie
in derselben Richtung fließen, ein Feld in dem Speicherkern 24 erzeugen, welches diesen in einen
bestimmten magnetischen Zustand einstellt, während der Kern gehindert wird seinen magnetischen Zustand
zu wechseln, wenn gleichzeitig in der dritten Wicklung in entgegengesetzter Richtung ein Strom fließt.
Unabhängig von der Richtung der remanenten Magnetisierung in dem Kern 24 wird in dem Ablesekern
ein Fluß induziert, welcher in ihm ein Querfeld erzeugt. Dieses Querfeld verläuft entlang derselben
Achse 44 der remanenten Magnetisierung des Speicherkernes und ist in seiner Wirkung auf den
Ablesekern 26 immer so stark wie die remanente Magnetisierung des Speicherkernes. Die Kopplung
der remanenten und induzierten Magnetisierung des Speicherkernes auf den Ablesekern ist daher verhältnismäßig
eng, so daß die Kopplungsverluste gering sind. Der Ablesekern ist gegenüber dem Querfeld,
welches in ihm induziert wird, hochempfindlich. Andererseits ist der Informationskern 24 verhältnismäßig
unempfindlich gegen die Querfelder, die in ihm induziert werden. Infolgedessen ist die remanente
Magnetisierung des Ablesekernes 26 verhältnismäßig unwirksam hinsichtlich der Erzeugung eines
Querfeldes in dem Speicherkern 24. Die Einstellung der Empfindlichkeit von dünnen Fihnkernen gegen
ίο quermagnetische Felder kann dadurch verwirklicht werden, daß die Kerne einzeln ausgewählten Temperaturen
unterworfen werden, während das magnetische Feld aufgebracht wird, Die Querpermeabilität
eines Kernes wird kleiner, wenn das aufgebrachte Feld parallel zu der Achse der leichten Magnetisierung
des Kernes verläuft, ist aber vergrößert, wenn das Feld senkrecht zu dieser leichten Achse der
Magnetisierung gerichtet ist. Auf diese Weise kann die Empfindlichkeit gegenüber Querfeldern bei beiden
Kernen leicht so eingestellt werden, daß eine enge Kopplung der remanenten Magnetisierung des
Speicherkernes 24 mit dem Ablesekern 26, aber eine vernachlässigbare kleine Kopplung zwischen der
remanenten Magnetisierung des Ablesekernes und dem Speicherkern besteht.
Sobald es gewünscht ist, den magnetischen Zustand des Speicherkernes 24 abzufühlen, ohne dessen
magnetischen Zustand zu zerstören, wird ein Strom durch eine der Wicklungen 32, 34 oder 36 gleichzeitig
mit einem Strom in den Wicklungen 38 und 40 geschickt. Zum Beispiel sei angenommen, daß die
Inhibitwicklung 36 verwendet wird, um während der Abfühlperiode Strom zu führen. Vorzugsweise verläuft
der Stromfluß in der Wicklung 36 während dieser Zeitspanne stets in einer gleichen Richtung
und es sei angenommen, daß diese Richtung immer gleich der durch den Pfeil 52 angedeuteten Richtung
ist. Das Feld, das durch diesen Stromfluß erzeugt wird, verläuft in Richtung des Flußpfeiles 54. Bei
einem Vergleich des Flußpfeiles 54 mit den Pfeilspitzen 46 und 48 der remanenten Magnetisierung
wird es augenscheinlich, daß der Fluß entweder der remanenten Magnetisierung entgegengesetzt ist oder
diese verstärkt, je nach dem Zustand der remanenten Magnetisierung in dem Speicherkern 24. Infolgedessen
wird das Querfeld, welches in dem Ablesekern durch die remanente Magnetisierung des Speicherkernes
induziert wird, in diesem Augenblick entweder verkleinert oder vergrößert. Vorzugsweise hat
der Strom 52 eine solche Stärke, daß der resultierende Fluß des Querfeld in dem Ablesekern 26 vollständig
auslöscht, wenn die remanente Magnetisierung in dem Speicherkern in dem Nullzustand ist und den
Fluß verdoppelt, wenn die remanente Magnetisierung des Speicherkernes sich in dem 1-Zustand befindet.
Es ist ersichtlich, daß zu verschiedenen Zeiten drei verschiedene Werte der Quermagnetisierung des Ablesekernes
26 bestehen können. Fließt kein Strom 52, dann hat das Querfeld seinen normalen Betrag, der
durch die remanente Magnetisierung des Speicherkernes erzeugt wird; fließt Strom 52, dann besteht
entweder überhaupt kein Querfeld in dem Ablesekern 26 oder das Querfeld hat die doppelte Stärke
wie das normal bei Abwesenheit von Strom 52 bestehende Querfeld.
Bei gleichzeitigem Auftreten von Halbströmen in den Wicklungen 38 und 40 und bei Abwesenheit von
Strom 52 wird der Ablesekern 26 nicht umgeschaltet,
weil das Querfeld in ihm ungenügend groß ist, um eine Umschaltung zu veranlassen. Die gleiche Wirkung
tritt bei Auftreten von Strom 52 ein, wenn der Fluß 54 dem remanenten Querfeld in dem Ablesekern
26 entgegengerichtet ist. Ist jedoch der Fluß 54 in dem gleichen Sinne gerichtet wie das remanente
Querfeld in dem Kern 26, dann ändert der Ablesekern seinen magnetischen Zustand. Diese Zustandänderung
induziert eine elektromotorische Kraft in der Abfühlwicklung 42, welche anzeigt, daß der
Speicherkern seinen Zustand 1 eingenommen hat. Wenn jedoch der Ablesekern 26 seinen Zustand nicht
ändert, wird keine elektromotorische Kraft in der Wicklung 42 induziert. Dadurch wird eine Anzeige
gegeben, daß der Speicherkern sich in seinem Zustand 0 befindet.
Da die Kopplung der remanenten Magnetisierung des Ablesekernes 26 mit dem Speicherkern 24 vernachlässigbar
ist, rindet während der Abfühlperiode keine Umschaltung des magnetischen Zustandes des ao
Speicherkernes statt. Infolgedessen bleibt der magnetische Zustand des Speicherkernes unverändert aufrechterhalten,
wenn er auch vorübergehend gestört sein mag. Vorzugsweise hat der Strom, der den
Wicklungen 38 und 40 zugeführt wird, eine Wellenform ähnlich derjenigen, die in Fig. 3 dargestellt ist.
Infolgedessen wird der Ablesekern seinen magnetischen Zustand zweimal während jeder Abfühlperiode
ändern, wenn sich der Speicherkern 24 in seinem Zustand 1 befindet. Es ist aber nicht wesentlieh,
daß die Ströme in den Wicklungen 38 und 40 ihre Richtung wechseln, weil bereits ein einziger
Wechsel des magnetischen Zustandes des Ablesekernes ein ausreichendes Signal zur Anzeige des Zustandes
1 des Speicherkernes erzeugt. Jedoch beseitigt die Verwendung eines Wechselstromes in den
Wicklungen 38 und 40 die Notwendigkeit, daß die nicht dargestellten angeschlossenen Apparate, welche
die Ströme liefern, ihrerseits festhalten, welchen Zustand der Ablesekern nach der letzten Abfühlperiode
eingenommen hat. Wird ein Gleichstrom in den Wicklungen 38 und 40 während irgendeiner Abfühlperiode
verwendet, dann müssen die Stromflüsse, die in aufeinanderfolgenden Abfühlperioden verwendet
werden, unterschiedliche Polarität haben, so daß die Polaritäten miteinander abwechseln.
Claims (6)
1. Magnetisches Informationsspeichersystem, geeignet zum zerstörungsfreien Ablesen gespeicherter
Informationen vermittels der Technik des Anlegens eines magnetischen Feldes quer zu der
leichten (remanenten) Magnetisierungsachse eines bistabilen magnetischen Elementes, dadurch
gekennzeichnet, daß das magnetische Querfeld durch die remanente Magnetisierung eines bistabilen magnetischen Elementes (24) erzeugt
wird, welches die Information speichert und magnetisch induktiv mit einem weiteren
bistabilen magnetischen Element (26) gekuppelt ist, welches nicht zur Speicherung von Informationen
verwendet ist, wobei die schweren Magnetisierungsachsen beider magnetischen Elemente
(24, 26) quer zueinander liegen und die Permeabilitäten der beiden magnetischen Elemente in
Richtung rechter Winkel zu ihren remanenten Achsen derart voneinander abweichen, daß die
remanente Magnetisierung des Informationsspeicherelementes (24) das Querfeld für das andere
magnetische Element (26) liefert und eine beträchtliche Drehung dessen Magnetisierungsachse hervorruft, die remanente Magnetisierung
des weiteren Elementes (26) jedoch eine unbeträchtliche Drehung der Magnetisierungsachse
des Informationsspeicherelementes (24) bewirkt und daß eine Vorrichtung, vorzugsweise ein elektrischer
Leiter (36), zur Verstärkung oder Schwächung der Wirkung dieses magnetischen Querfeldes
auf das weitere magnetische Element (26) derart vorgesehen ist, daß ein vorbestimmtes
»Lesee-Magnetfeld, welches (mittels 38 und 40) quer zu der schweren Magnetisierungsachse des
weiteren magnetischen Elementes (26) angelegt wird, eine Umschaltung des Magnetisierungszustandes (Umkehr der Richtung der Magnetisierung)
dieses Elementes zwecks Erzeugung eines Ausgangssignals (an 42) nur hervorruft, wenn das
magnetische Querfeld durch diese Vorrichtung vergrößert worden ist.
2. Informationsspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wicklungen
als gedruckte Stromkreise ausgeführt sind.
3. Informationsspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens
eine Wicklung für die Aufbringung eines Feldes längs der Achse der remanenten Magnetisierung des zweiten Filmes wenigstens eine
Periode eines Wechselstromes führt und hierdurch ein remanentes Magnetisierungsfeld in dem
zweiten Film erzeugt, wobei der zweite Film seinen Zustand zweimal ändert, wenn beide Querfelder
sich addieren, jedoch seinen Zustand nicht ändert, wenn beide Querfelder sich gegenseitig
schwächen und der magnetische Zustand des ersten Filmes unverändert aufrecht bleibt, unabhängig
davon, ob der zweite Film seinen Zustand ändert oder nicht.
4. Informationsspeichersystem nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß mit
dem ersten Film eine Wicklung zur Aufbringung eines Feldes der remanenten Magnetisierungsachse verbunden ist, das jedoch nicht ausreicht,
um den ersten Film zu einer Änderung seines magnetischen Zustandes zu veranlassen, aber
ausreichend ist, um wenigstens eine wesentliche Verminderung des Querfeldes hervorzurufen,
wenn der erste Film sich in einem seiner beiden magnetischen Zustände befindet.
5. Informationsspeichersystem nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur
Verwendung als Koinzidenzstrommatrix jeder Film mehrere Wicklungen trägt, die geeignet sind,
zur Auswahl eines bestimmten von mehreren Paaren dünner magnetischer Filme gleichzeitig
verlaufende Ströme zu führen.
6. Informationsspeichersystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste
von beiden Firmen eines Paares drei Wicklungen hat und der Stromfluß durch jede der Wicklungen
allein nicht ausreicht, um den Zustand des Filmes zu ändern, jedoch gleichzeitig in zwei der Wicklungen auftretende Ströme ausreichend sind für
eine Änderung des Zustandes des ersten Filmes, sofern die Ströme gleiche Richtung haben, während
ein Stromfluß durch die dritte Wicklung
zur gleichen Zeit in entgegengesetzter Richtung eine Änderung des magnetischen Zustandes dieses
Filmes unterbindet, und daß der zweite magnetische Film drei weitere Wicklungen trägt, von
denen zwei bei gleichzeitigem Stromfluß ein Feld im zweiten Kern längs einer Achse der leichten
10
Magnetisierung erzeugen, welches jedoch für sich nicht ausreicht, um den Zustand des zweiten
Filmes zu ändern.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschrift Nr. 1015 853.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 758/146 12.64 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US691902A US3015807A (en) | 1957-10-23 | 1957-10-23 | Non-destructive sensing of a magnetic core |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1183543B true DE1183543B (de) | 1964-12-17 |
Family
ID=24778433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES58642A Pending DE1183543B (de) | 1957-10-23 | 1958-06-18 | Magnetisches Informationsspeichersystem, geeignet zum zerstoerungsfreien Ablesen gespeicherter Informationen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3015807A (de) |
DE (1) | DE1183543B (de) |
FR (1) | FR1211791A (de) |
GB (1) | GB854153A (de) |
NL (2) | NL231142A (de) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3131078A (en) * | 1958-05-21 | 1964-04-28 | Lab For Electronics Inc | Random storage |
US3126529A (en) * | 1958-12-31 | 1964-03-24 | Non-destructive read-out | |
US3321751A (en) * | 1959-05-29 | 1967-05-23 | Hughes Aircraft Co | Magnetic thin film element |
GB922602A (en) * | 1959-06-30 | 1963-04-03 | Ibm | A data storage device |
US3070783A (en) * | 1959-11-24 | 1962-12-25 | Sperry Rand Corp | Non-destructive sensing system |
US3193806A (en) * | 1960-01-04 | 1965-07-06 | Sperry Rand Corp | Search memory array |
US3195108A (en) * | 1960-03-29 | 1965-07-13 | Sperry Rand Corp | Comparing stored and external binary digits |
NL266171A (de) * | 1960-06-24 | |||
NL272834A (de) * | 1960-12-21 | |||
US3179928A (en) * | 1961-01-17 | 1965-04-20 | Sperry Rand Corp | Search memory using longitudinal steering fields |
NL271532A (de) * | 1961-02-13 | |||
GB1014752A (en) * | 1961-04-06 | 1965-12-31 | Emi Ltd | Improvements in or relating to thin film magnetic members |
US3302190A (en) * | 1961-04-18 | 1967-01-31 | Sperry Rand Corp | Non-destructive film memory element |
NL280055A (de) * | 1961-07-10 | |||
NL286939A (de) * | 1961-12-22 | |||
US3289182A (en) * | 1961-12-29 | 1966-11-29 | Ibm | Magnetic memory |
US3175201A (en) * | 1962-02-26 | 1965-03-23 | Ibm | Magnetic storage elements |
US3221313A (en) * | 1962-04-13 | 1965-11-30 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic memory circuits |
US3278913A (en) * | 1962-09-26 | 1966-10-11 | Massachusetts Inst Technology | High capacity memory |
US3337856A (en) * | 1963-06-28 | 1967-08-22 | Ibm | Non-destructive readout magnetic memory |
DE1574757B1 (de) * | 1963-08-26 | 1971-09-30 | Burroughs Corp | Speichervorrichtung mit einem magnetischen duennschicht speicherelement |
DE1259382B (de) * | 1963-09-16 | 1968-01-25 | Plessey Uk Ltd | Magnetspeicherelement |
CH412010A (de) * | 1963-09-27 | 1966-04-30 | Ibm | Magnetschichtspeicher |
GB1052649A (de) * | 1964-06-05 | |||
US3436749A (en) * | 1965-10-04 | 1969-04-01 | Ibm | Thick magnetic film memory device |
GB1488483A (en) * | 1973-10-23 | 1977-10-12 | Emi Ltd | Credit cards and other security documents |
US4857418A (en) * | 1986-12-08 | 1989-08-15 | Honeywell Inc. | Resistive overlayer for magnetic films |
US5019461A (en) * | 1986-12-08 | 1991-05-28 | Honeywell Inc. | Resistive overlayer for thin film devices |
US4897288A (en) * | 1987-01-28 | 1990-01-30 | Honeywell Inc. | Vialess shorting bars for magnetoresistive devices |
US4754431A (en) * | 1987-01-28 | 1988-06-28 | Honeywell Inc. | Vialess shorting bars for magnetoresistive devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1015853B (de) * | 1954-04-15 | 1957-09-19 | Philips Nv | Speicheranordnung mit einem geschlossenen Kern aus ferromagnetischem Material mit hoher Remanenz |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB788352A (en) * | 1954-07-26 | 1958-01-02 | Plessey Co Ltd | Improvements in and relating to electric signal storage devices and apparatus |
-
0
- NL NL113780D patent/NL113780C/xx active
- NL NL231142D patent/NL231142A/xx unknown
-
1957
- 1957-10-23 US US691902A patent/US3015807A/en not_active Expired - Lifetime
-
1958
- 1958-06-06 GB GB18225/58A patent/GB854153A/en not_active Expired
- 1958-06-18 DE DES58642A patent/DE1183543B/de active Pending
- 1958-10-09 FR FR1211791D patent/FR1211791A/fr not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1015853B (de) * | 1954-04-15 | 1957-09-19 | Philips Nv | Speicheranordnung mit einem geschlossenen Kern aus ferromagnetischem Material mit hoher Remanenz |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1211791A (fr) | 1960-03-18 |
NL231142A (de) | |
GB854153A (en) | 1960-11-16 |
NL113780C (de) | |
US3015807A (en) | 1962-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1183543B (de) | Magnetisches Informationsspeichersystem, geeignet zum zerstoerungsfreien Ablesen gespeicherter Informationen | |
DE930242C (de) | Elektrische Impulsspeichervorrichtung | |
DE2241906C2 (de) | Magnetoresistives Abfühlelement | |
DE1034891B (de) | Elektrischer Impuls-Schaltkreis | |
DE2450364A1 (de) | Elektromagnetischer wandler | |
DE1424532A1 (de) | Planar-Hallvorrichtung | |
DE1960972A1 (de) | Speicheranordnung zum magnetischen Speichern einer Vielzahl von Datenbits und Verfahren zum Schreiben bzw. Lesen in bzw. aus solchen Speicheranordnungen bzw. Mehrfachbit-Mehrfachmagnetschicht-Speicherelementen solcher Speicheranordnungen | |
DE1233437B (de) | Magnetischer Speicher | |
DE967154C (de) | Schaltkreis | |
DE1424575B2 (de) | Magnetischer festwertspeicher | |
DE1264508B (de) | Magnetisches Schieberegister | |
DE1189138B (de) | Datenspeicherelement | |
DE1015853B (de) | Speicheranordnung mit einem geschlossenen Kern aus ferromagnetischem Material mit hoher Remanenz | |
DE1254685B (de) | Magnetkernschalter fuer Mehrfachkopplung von Signalen unter gleichzeitiger Signalverstaerkung | |
DE1091609B (de) | Mehrschenkliger Magnetspeicher | |
DE1279743B (de) | Zerstoerungsfrei ablesbare Speichervorrichtung und Verfahren zu ihrer Ansteuerung | |
DE1070680B (de) | Verfahren und Einrichtung zum Aufzeich nen und mchtloschenden Ablesen einer binaren Information auf magnetischen Pmgkernen | |
DE1285000B (de) | Schaltungsanordnung zum Abfuehlen von magnetischen Speicherelementen | |
DE2226639C3 (de) | Nicht-lineare Vorrichtung zum Erfassen eines magnetischen Flusses | |
DE1034686B (de) | Magnetisches Speicherelement | |
DE1236577B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur nicht zerstoerenden Feststellung der Richtung einer Magnetisierung | |
DE2820835C3 (de) | Magnetische Leseeinrichtung | |
DE1213482B (de) | Auf einen hohen oder niedrigen Wert umschaltbarer induktiver Blindwiderstand | |
DE1142454B (de) | Magnetverstaerker | |
DE2820835C2 (de) | Einrichtung zum Abtasten von magnetisierbaren, auf einem Träger aufgezeichneten Informationen |