DE1772423C - Schaltkreis für elektronische Musikinstrumente - Google Patents

Description

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und Ausschaltung) der Schaltstrecke auskommen. in an sich bekannter Weise eine äußerst hohe Demgegenüber liegt die Erfindung auf dem Gebiet Eingangsimpedanz, so daß der Schaltkreis direkt der elektronischen Musikinstrumente, bei denen die an einen Tongenerator angeschlossen werden Schaltvorgänge naturgemäß von Hand ausgelöst kann, ohne diesen nachteilig zu beeinflussen,
werden, so daß dort genügend Leistung zur Auslösung 5 3. Da mindestens zwei Transistoren in Reihe geder Schaltvorgänge zur Verfugung steht. Zudem ent- schaltet sind, liegt die Eingangsdurchbruchspanhält die Schaltstrecke dieses bekannten Schaltkreises nung bei etwa 12 bis 14 Volt, so daß der Schaltnur einen Transistor, der den Signalgeber, dessen kreis ohne Zwischenschaltung eines Spannungs-A_usgangssignal über die Schaltstrecke wahlweise tellers direkt an einen Tongenerator angeschlossen durchgeschaltet werden soll, nicht nur im leitenden io werden kann. Es entfallen also Spannungsteiler-Zustand stark belastet, sondern auch in gesperrtem widerstände oder Vorwiderstände.
Zustand wegen des insbesondere bei Leistungstransi- 4. Da die Ausgangsstufe ein Transistor in Emitterstoren hohen Reststromes nur unvollständig sperrt. grundschaltung ist, ergibt sich eine hohe Aus-Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, gangsimpedanz (in der Größenordnung von einen Schaltkreis zu schaffen, der direkt vom Aus- 15 100 Kiloohm), so daß mehrere Schaltkreise direkt gangssignal eines Tongenerators angesteuert wird und an ihren Kollekt ,ren miteinander verbunden bei dem der Einfluß der Zwischenschichtkapazität von werden können und nu ein einziger Arbeits-Transistoren sowie das L.ecksignal im Verhältnis zu widerstand ohne die andernfalls erforderlichen bekannten Schaltkreisen verringert und das Signal- Mischwiderstände erforderlich ist.
schaltverhältnis wesentlich größer ist. Gleichzeitig soll 20 5. Da der Schaltkreis im wesentlichen aus direkt der Schaltkreis eine sehr hohe Eingangsimpedanz verbundenen Transistoren und/oder Dioden behaben, so daß er direkt an einen Tongenerator ange- steht und die Anzahl der Widerstände klein ist, schlossen werden kann, ohne daß dadurch der Ton- läßt sich der Schaltkreis leicht in Form einer generator in irgendeiner Weise nachteilig beeinflußt integrierten Schaltung aufbauen. Mithin lassen wird. Außerdem soll die eingangsseitige Durchbruch- 25 sich Schaltkreise mit sehr geringen Abweichungen spannung auf etwa 12 bis 14 Volt gesteigei. werden, in ihren Eigenschaften herstellen,
so daß der Schaltkreis direkt an einen Tongenerator Die Erfindung wird im folgenden an Hand der angeschlossen werden kann, ohne daß ein Spannungs- Abbildungen näher beschrieben, die bevorzugte Austeiler zwischengeschaltet zu werden braucht. Auch die führungsbeispiele darstellen.

Ausgangsimpedanz soll so hoch sein, daß die Aus- 30 F i g. 1 ist das Schaltbild eines repräsentativen

gänge mehrerer Schaltkreise an ihren Kollektoren Beispiels eines bekannten Schaltkreises für elektro-

direkt miteinander verbunden werden können und nische Musikinstrumente;

nur ein einziger Arbeitswiderstand erforderlich ist. F i g. 2 (a) zeigt den Verlauf des Ausgangssignals

Schließlich soll der Schaltkreis so ausgebildet sein, eines Tongenerators in Abhängigkeit von der Zeit;

daß er hauptsächlich aus Transistoren und/oder 35 F i g. 2 (b) zeigt den Verlauf eines Lecksignals am

Dioden besteht, die direkt miteinander verbunden Ausgangsanschluß der Schaltung nach F i g. 1 im

sind, wobei die Anzahl der Widerstände klein ist, so gesperrten Zustand;

daß der Schaltkreis als integrierte Schaltung und F i g. 3 zeigt den grundsätzlichen Aufbau des erfin-

Schaltkreise mit sehr kleinen Abweichungen in ihren dungsgemäßen Schaltkreises;

Eigenschaften hergestellt werden können. 40 F i g. 4 ist das Schaltbild eines Beispiels einer

Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch praktischen Ausführung der Erfindung und die
gelöst, daß vor die Ausgangsstufe eine Eingangsstufe F i g. 5 (a) bis 5 (j) sind Schaltbilder anderer Ausmit einem Transistor ir Kollektorgrundschaltung ge- führungsbeispiele der Erfindung,
schaltet ist, in dessen Emitterkreis ein Widerstand Die in F i g. 3 dargestellte Grundausführung des liegt, und der Emitter des Transistors der Eingangs- 45 erfindungsgemäßen Schaltkreises enthält eine Einstufe entweder direkt oder über mindestens ein Halb- gangsstufe mit einem in Kollektorgrundschaltung geleiterbaudement mit der Basis des Transistors der schalteten Transistor T_M als Verstärker und e.ne Aus-Ausgangsstufe verbunden ist. g".ngsstute mit einem in Emittergrundschaltung geWeiterbildungen der Erfindung sind in den Unter- schalteten Transistor T₄₀ als Verstärker, wobei die ansprüchen gekennzeichnet. 50 Basis des Transistors Γ_4? direkt (d. h. ohne Koppel-Die wesentlichen Vorteile des erfindungsgemäßen kondensator und Vorwiderstand) mit dem Emitter Schaltkreises sind folgende: des Transistors T₃₀ verbunden ist und der Transistor T₄₀

1. Bei dieser Schaltung sind die Kollektoren der in seinem Kollektorkreis einen Widerstand R₀ als beiden Transistoren der Eingangs- und Ausgangs- Arbeitswiderstand enthält.

stufe nicht direkt verbunden, sondern der KoI- 55 Die Emitter der Transistoren T₃₀ und T₄₀ sind beide lektor des Transistors der Eingangsstufe ist über je einen Widerstand Re₃ und Re₁ mit einem wechselstrommäßig geerdet. Dadurch erscheint Steueranschluß S verbunden, so daß sie beide von das Lecksignal, das von der Basis zum Kollektor einem Hüllkurvensignal einer Hüllkurvenformerschalder Eingangsstufe übertragen wird, nicht am tung6, die einen Tastschalter/!: enthält, gesteuert Kollektor des Transistors der Ausgangsstufe. Dies 60 werden. Der Schaltkreis ist mit einem Eingangsbedeutet, daß sik.li der Einfluß der Sperrschicht- anschluß 3, der direkt mit der Basis des Transistors T₃₀ kapazität verringert, so daß sich ein kleineres verbunden ist, und mit einem Ausgangsanschluß 4 ver-Lecksignal auf der Ausgangsseite und mithin ein sehen. Da es sich bei der Hüllkurvenformerschaltung 6 größeres Schaltvcthältnis im Vergleich zu bekann- um irgendeine an sich bekannte Schaltung handeln ten Schaltkreisen ergibt. 65 kann, wird sie hier nicht im einzelnen beschrieben. Die

2. Da die Eingangsstufe einen Transistor in KoI- Beschreibung wird vielmehr auf eine Anzahl bevorzuglektorgrundschaltimg (auch Kollektorschaltung ter Ausführungen desjenigen Schaltkreises beschränkt, oder Emitterfolger genannt) enthält, ergibt sich der tür die Erfindung kennzeichnend ist.

Ein Beispiel eines erfindungsgemäßen Schaltkreises Ausgangssignals wird in Abhängigkeit von dem dem ist in F i g. 4 gezeigt. In dieser F i g. 4 sind auch die Steueranschiuß 5 zugeführten Potential gesteuert. Vns Verbindungen des Schaltkreises mit mehreren anderen ist der Spannungsabfall in Durchlaßrichtung an der gleichen Schaltkreisen in symbolischer Form ange- Basis-Emitter-Strecke jedes Transistors. Dieser Spandeutel. Der Eingangsanschluß 3 jedes Schaltkreises 5 nungsabfall wird für alle Transistoren als gleich anist direkt mit der Basis eines in Kollektorgrundschal- genommen. Eine Spannung (£₆ — 4 Vim) · RcIRc₄ tung betriebenen Transistors T_3x verbunden. Der erscheint als Ausgangsspannung am Arbeitswider-Emitter dieses Transistors JT₃, ist direkt mit der Basis stand Rc.

eines nachgeschaltelen in Kollektorgrundschaltung Der Bereich des Kollektorpolentials (der die Größe betriebenen Transistors T₃₀ verbunden, und der Emit- ίο der kombinierten Ausgangsspannung bestimmt) des ter des Transistors T₃₀ ist direkt mit der Basis eines Transistors T₄₀ liegt in diesem Falle zwischen Null nachgeschaltelen in Kollektorgrundschaltung belrie- (Massepolential) und (4 Vns - Voss), wobei V, es benen Transistors T_n und gleichzeitig über einen die Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emil-Widerstand Ap₃ mit einem Steueranschluß 5 verbun- ter des Transistors T₄₀ ist. Dementsprechend wird der den. Der Emitter des Transistors T₄₁ ist direkt mit der 15 Wert des Widerstandes Rc so gewählt, daß das KoI-Basis eines Transistors T_i0 einer nachgeschalteten lektorpotenlial selbst dann in diesen Bereich fällt, Verstärkerstufe in Emittergrundschaltung verbunden, wenn durch den Widersland Rc ein Strom fließt, und der Emitter des Transistors T₄₀ ist über einen dessen Stärke das //-fache des erwähnten Kollektor-Widerstand Re₄ mit dem Steueranschluß 5 verbunden. Stroms ist (wobei η die Anzahl der Schaltkreise in der Der Kollektor des Transistors T,_o liegt über einen ao einen Gruppe ist). Als Transistoren sind Silizium-Arbeitswiderstand Rc auf Massepotential und ist transistoren geeignet, da sie einen hohen Spannungsgleichzeitig über einen Kondensator Γ mit dem Aus- abfall Vne haben und für integrierte Schaltungen gangsanschluß 4 verbunden. geeignet sind.

Der Schallkreis nach F i g. 4 unterscheidet sich Eine Messung der Schallverhältnisse hat ergeben,

vom Schaltkreis nach F i g. 3 insofern, als zwischen 25 daß hei einer eingangsseijigen Rechteckschwingung

dem Eingangsanschluß 3 und dem Transistor T₃₀ und mit einer Amplitude von 10 V Spitze-Spitze und einer

zwischen dem Transistor T₃₀ und dem Transistor T₄₀ Frequenz von 1,5 Kilohertz das Schaltverhältnis bei

jeweils Transistoren T₃₁ und T_n jeweils mit einem auf einer bekannten Schaltung, wie sie in F i g. 1 gezeigt

Massepolenlial liegenden Kollektor und einer als ist, 55 db beträgt, während das eines erfindungs-

Eingang dienenden Basis und einem als Ausgang 30 gemäßen Schaltkreises, wie er in F i g. 4 dargestellt

dienenden Fnitter in direkter Verbindung zwischen- ist, etwa 85 db beträgt, also um etwa 30 db besser ist.

geschallet sind. Durch diese Aufsummierung der Basis- Mit »Schaltverhältnis« wird das Verhältnis der Spitze-

Emitter-Durchbruchsspannungen der beiden Transi- Spitze-Werte der ausgangsseitigen Rechteckschwingung

stören T₃₀ und T₃₁ in jeder der vorausgehenden beiden des Schaltkreises im leitenden Zustand und der diffe-

Stufen wird die zulässige Amplitude des Eingangs- 35 renzierten Ausgangsschwingung des Schaltkreises im

signals erhöht. Gleichzeitig wird durch eine mehr- nichtleitenden oder gesperrten Zustand bezeichnet.

stufigeReihenschallungderBasis-Emitter-Grenzschicht- An Stelle dieses erfindungsgemäßen Schaltkreises

kapazitäten und durch Kurzschließen des Signals in sind auch zahlreiche andere Ausführungen denkbar,

bezug auf die auf Massepotential liegende Seite mit denen der gleiche Erfindungsgedanke zugrunde liegt.

Hilfe der Basis-Kollektor-Grenzschichtkapazität in 40 wa·. an Hand der folgenden Beispiele anderer bevor-

jeder Stufe die Amplitude des schließlich am Ausgangs- zugter Ausführungen gezeigt wird. Alle diese Beispiele

anschtuß 4 erscheinenden Lecksignals verringert, wenn werden an Hand eines einzigen Schaltkreises einer

der Schaltkreis gesperrt ist. Vielzahl von Schaltkreisen beschrieben, die zu einer

Vorzugsweise sind diejenigen Teile des beschriebe- Gruppe verbunden sind.

nen Schallkreises, die in F i g. 4 durch eine gestrichelte 45 F i g. 5 (a) zeigt ein Ausführungsbeispiel eines

Linie umrandet sind (einschließlich des Widerstands R_e Schaltkreises, der für dr^r, Fall verwendet werden kann,

in einigen Fällen), in Form einer integrierten Schaltung daß die Eingangsspannung kleiner als etwa 5 Volt von

ausgeführt. In diesem Falle sind die Kollektoren der Spitze zu Spitze ist und der den gleichen Aufbau wie

Transistoren T_n, T₁₀ und T_n bei allen Schaltkreisen der in F i g. 4 gezeigte Schaltkreis hat, nur daß die

zu einer Gruppe von mehreren Schaltkreisen, die 50 Transistoren T_n und T_n weggelassen sind, d. h.. er

miteinander kombiniert werden sollen, untereinander hat den gleichen Aufbau wie der in Fig. 3 gezeigte

verbunden, aber nur die Kollektoren der Transisto- Grundschaltkreis. Die in den F i g. 5 (b) und 5 (c)

ren F₄₀ aller Schaltkreise sind miteinander verbunden. dargestellten Schaltkreise enthalten einerseits einen

Jeder Schaltkreis ist mit einem Eingangsanschluß 3 Transistor T_n und andererseits eine in Durchlaß-

und einem SteueranschluB S versehen. 55 richtung gepolte Diode D_n vor dem Transistor T₃₀.

Der in F j g. 4 gezeigte Schaltkreis wird :iun für so daß sich bis zu einer Eingangsspannung von etwa

den Fall betrachtet, daß ein Tongenerator, der ein 10 Volt Spitze-Spitze verhältnismäßig hohe Schalt-

Ausgangssignal in Form einer rechteckförmigen Verhältnisse ergeben.

Schwingung mit einer nahezu dem Gesamtbetrag der Der in F i g. 5 (d) gezeigte Schaltkreis unterscheidet Speisespannung entsprechenden Amplitude abgibt, 60 sich von dem in F i g. 4 gezeigten Schaltkreis dadurch,

direkt mit dem Eingangsanschluß 3 verbunden ist und daß der Transistor T_n durch eine Diode D_n ersetzt

dem Steueranschluß 5 von der Hüllkurvenformer- ist. Fi g. 5 (e) zeigt den Schaltkreis für den Fall, daß

schaltung 6, wie sie in F i g. 3 gezeigt ist. ein Poten- eine Eingangsimpedanz mit dem Wert β · Re₃ aus-

lial (- E_s> zugeführt wird. reichend ist, wobei der Transistor T_n ebenfalls durch

In diesem Falle hat der Kollektorstrom des Transi- 6₅ eine Diode O₃₁ ersetzt ist und fl den Stromventär-

stors T_n die Form einer rechteckförmigen Schwingung. kungsfaktor des in Emittergrundschaltung betriebenen

deren Amplitude zwischen Null und etwa dem Wert Transistors darstellt.

(£_s - 4 Vi,k)IRc₄ schwankt, und die Amplitude des Bei dem in F i g. 5 (f) gezeigten Schaltkreis ist der

Widerstand Λ<?₃ in zwei Widerstände Ae₃, und Re_3Z aufgeteilt. Der Verbindungspunkt beider Widerstände ist direkt mit dem nachgeschalteten Transistor T₄₁ verbunden, um den Bereich des Kollektorpotentials der Ausgangsstufe und die Größe des der Basis des Transistors T₄₁ zugeführten Signals zu bestimmen. F i g. 5 (g) zeigt denselben Schaltkreis nach Austausch der Transistoren T₃₁ und T₄₁ durch Dioden D₃, und Z)₄₁.

Bei den in den F i g. 5 (h) und 5 (i) gezeigten Schaltkreisen ist eine höhere Eingangsspartnung zulässig. Bei dem in F i g. 5 (h) gezeigten Schaltkreis ist eine Diode D₃, vor den Eingang des Schaltkreises nach F i g. 4 geschaltet, wodurch das Schakverhältnis

um etwa 6 db gegenüber dem des Schaltkreises nach F i g. 4 vergrößert und eine höhere Eingangsspannung zulässig ist. Bei dem in F ι g. 5 (i) gezeigten Schaltkreis sind die in F i g. 5 (h) gezeigten Transistoren 7"_3l und T₄₁ jeweils durch die Dioden D₁₁, D₃₂ und die Dioden D₄₂, D₄₁ ersetzt. In all den Fällen, in denen eine größere Anzahl von Transistoren und Dioden in den verschiedenen gleichstromgekoppelten Teilen des Schaltkreises eingesetzt ist, ist eine höhere Eingangsspannung zulässig und ergibt sich sowohl ein höheres Schaltverhältnis als auch ein größerer Bereich für das Kollektorpotential der Ausgangsstufe, wodurch sich eine höhere kombinierte Ausgangsspannung erzielen läßt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

209639/257

Claims (6)

1 2 Eingangsanschluß 3, einem AusgangsanschluS 4 und Patentansprüche: einem Steueranschluß 5 versehen. Ein über den Ein gangsanschluß 3 zugeführtes Signal wird von Wider-

1. Schaltkreis für elektronische Musikinstrumente ständen R₁, K₂ und R₃ geteilt, der Basis eines TVansimit einer Ausgangsstufe, die einen Transistor in 5 stors T zugeführt und vom Kollektor des Transistors Emittergrundschaltung enthält, wobei der Emitter bzw. von einem im Kollektorkreis des Transistors T dieses Transistors über einen Widerstand mit einem liegenden Arbeitswiderstand A₁ über einen Konden-Steueranschluß verbunden und an den Steuer- sator C an dem Ausgangsanschluß 4 abgenommen, anschluß eine Hüllkurvenformerschaltung mit Eine Hüilkurvenformerschaltung 6 mit einem Tasteinem Tastschalter angeschlossen ist, dadurch io schalterK ist an den Steueranschluß5 angeschlossen gekennzeichnet, daß vor die Ausgangs- und dient zur Ein-Aus-Steuerung des Emitters des stufe (Γ₄₀, R_e, Ae₄, C) eine Eingangsstufe (Γ₃₀, Re₃) Transistors T über einen Widerstand R₅. Als Tonmit einem Transistor (T₃₀) in Kollektorgrundschal- generator wird häufig eine astabile Kippschaltung tung geschaltet ist, in dessen Emitterkreis ein verwendet, deren rechteckförmiges Ausgar.gssignal, Widerstand (Re,) liegt, und der Emitter des Tran- 15 das zwischen dem Speisepotential und Massepotential sistors der Ein^angsstufe entweder direkt oder hin- und herschwingt, wie es in F i g. 2 (a) gezeigt über mindestens ein Halbleiterbauelement mit der ist, ständig dem Eingangsanschluß 3 zugeführt wird. Basis des Transistors der Ausgangsstufe verbun- Da die Stärke des Kollektorstroms des Transistors der den ist. Höhe des Basispotentials gegenüber dem Emitier

2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 20 potential proportional ist, erscheint am Ausgangszeichnet, daß vor die Eingangsstufe ein Transistor anschluß 4 ein Rechtecksignal mit einer Amplitude. (T₃₁) in Kollektorgrundschaltung und zwischen die die von einem Hüükurvensignal abhängt, das dem Eingangsstufe und die Ausgangsstufe ein Transi- Steueranschluß 5 durch die Ein-Aus-Schaltung des stor(7"₄₁) in Kollektorgrundschaltung geschaltet Tastschalters zugeführt wird.

ist, wobei die Basis dieser zusätzlichen Transisto- 25 Bei einem derart ausgebildeten Schaltkreis liegt eine ren (T₃₁, T_Al) jew< ils als Eingang und ihr Emitter Sperrspannung zwischen Basis und Emitter des Tranals Ausgang dient. sistors T, wenn der Tastschalter K geöffnet ist, so daß

3. Schallkreis nach Anspruch 1, dadurch gekenn- der Transistor gesperrt, d.h. nichtleitend ist. Wegen zeichnet, daß das Halbleiterbauelement ein Transi- der Grenzschichtkapazität zwischen der Basis und dem stor(r_4I) in Kollektorgrundschaltung oder eine 30 Kollektor wird das Eingangssignal, dessen Verlauf in Diode (D₄₁) ist oder zwei in Reihe geschaltete F i g. 2 (a) gezeigt ist, zu einem Lecksignal mit diffe-Dioden (D₄₁, D₄₂) enthält. renziertem Verlauf, wie es in F i g. 2 (b) gezeigt ist.

4. Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 3, dadurch das am Ausgangsanschluß 4 erscheint. Da sich dieses gekennzeichnet, daß vor die Eingangsstufe min- Lecksignal entsprechend der Anzahl der Schaltkreise destens eine Diode (D₃,) oder ein Transistor (T₃₁) 35 aufsummiert und besonders in Wiedergabepausen als geschaltet ist. störendes Rauchsignal auftritt, ist dies in der Praxis

5. Schaltkreis nach Anspruch 2, dadurch gekenn- für Musikinstrumente unerwünscht.

zeichnet, daß der Widerstand (Re₃) im Emitter- Ferner ist die Durchbruchspannung zwischen Basis

kreis des Transistors (T₃₀) der Eingangsstufe in und Emitter von Planartransistoren in jedem Falle zwei in Reihe geschaltete Widerstände (Ae₃₁, Re_3i) 40 verhältnismäßig niedrig — sie liegt zwischen sechs und aufgeteilt ist und ihr Verbindungspunkt mit der sieben Volt —, so daß die Amplitude der Eingangs-Basis des zwischen die beiden Stufen geschalteten Signalspannung unter diesen Wert heruntergeteill Transistors (Γ_4Ι) verbunden ist. werden muß.

6. Schaltkreis nach einem oder mehreren der Es ist auch bekannt (Richard F. S h e a, Transistor-Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß 45 technik, Berliner Union — Stuttgart 1962, S. 97, 138 er als integrierte Schaltung ausgebildet ist. bis 140), in einer Verstärkerschaltung zwei Transistoren direkt so zusammenzuschalten, daß sie eine neue Einheit mit drei Anschlüssen bilden. Dabei sind einer-

seits die Kollektoren und andererseits der Emitter des

50 ersten Transistors mit der Basis des zweiten Transistors verbunden. Dieses Verfahren wurde von Dar-

Die Erfindung betrifft einen Schaltkreis für elektro- lington zu dem Zweck vorgeschlagen, einen Trannische Musikinstrumente mit einer Ausgangsstufe, die sistor mit einem Stromverstärkungsfaktor nahe bei einen Transistor in Emittergrundschaltung enthält, Eins zu gewinnen. Hierdurch wird jedoch nicht der wobei der Emitter dieses Transistors über einen 55 Nachteil beseitigt, daß bei Verwendung dieser VerWiderstand mit einem Steueranschluß verbunden und Stärkerschaltung als Schaltkreis und gesperrtem Einan den Steueranschluß eine Hüllkurvenformerschal- gangstransistor das zu sperrende Signal über jie tung mit einem Tastschalter angeschlossen ist. Basis-Kollektor-Sperrschichtkapazität zum Kollektor

In elektronischen Musikinstrumenten werden häufig und damit zum Ausgang übertragen wird.
Schaltkreise zum Schalten von Signalen verwendet. 60 Es ist auch ein Schaltkreis bekannt (USA.-Patent-Dabei wird die Vorderflanke und Rückfianke von schrift 3 005 114), bei dem vierTransistorstufen hinter-Tonsignalen so gesteuert, daß Knackgeräusche ver- einander geschaltet sind, aber nur über die letzte, d. h. hindert werden und ein Aufrechterhaltungs- oder deren Emitter-Kollektor-Strecke das durchzuschal-Dauereffekt erzielt wird. ^v tcnde Signal geleitet wird. Die drei vorgeschalteten

Ein Beispiel für bekannte Schaltkreise ist in F i g. 1 65 Stufen dienen lediglich zur Ansteuerung der letzten der zeichnungen dargestellt. Dieser Schaltkreis ist mit Stufe, der eigentlichen Schaltstrecke, mit möglichst einem auf Bezugspotential liegenden Anschluß I, hoher Empfindlichkeit, d. h. man will dort mit einem einem auf Speisepotential liegenden Anschluß 2, einem möglichst schwachen Schaltsignal zur Steuerung (Ein-