DE1771077A1 - Quarzglasrohr mit UEberzug - Google Patents
Quarzglasrohr mit UEberzugInfo
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Description
Hanau, den 29. März 1968 PA-Dr.Hn/rf
Heraeus-Schott Quarzochmelze GmbH, Hanau
"Quaraglasrohr mit Ueberzug"
Die Erfindung besieht-sich auf ein Quarzglasrohr, insbesondere
für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren, welches auf der Außenseite einen üeberzug aufweist.
Be icrt bekannt, bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen,
wie -Dioden, Vierschichtendioden, Transistoren, integrierten
Schaltungen oder dergl., beispielsweise zur Dotierung. Diffusionsverfahren
anzuwenden. Hierbei wird ein Diffusionsrohr aus Quarzglas
verwendet, welches in einem elektrisch beheizten Glühofen
angeordnet ist. In dem Diffusionsrohr, welches die zu dotierenden Halbleiterkrißtalle enthält, wird dis zur Dotierung der
Halbleiterkristalle vorbestimmte Gasatinosphäre bei vorgegebener
Diffusionstemperatur aufrechterhalten.
Aus der französischen Patentschrift 1 293 554 ist ein Diffusionsrohr aus Quarz bekannt, welches aui' seiner Aussenseite mit einen:
üeberzug versehen ist. Dieser Ueberzug wird bei der Behandlungstemperatur
der Halbleiterkristalle schmelzflueosig. Hierdurch 3oll
verhindert werden, dacs Verunreinigungen durch das Quers-Diffusionsrohr
hindurch in den Halbleiterbehandlurigarauni, d, h. in
den vom Quarssrohf umhüllten Raum, oindiffimcliuren könren.
- 2 -■
109883/0490
BAD ORIGINAL
Es wurde festgestellt, dass die bisher verwendeten, akändig im
Glühofen verbleibenden Diffusionsrohre aus Quarzglas ainen Nachteil besitzen. Dieser Nachteil besteht darin, dass da3 Diffusionsrohr sich plastisch sehr wesentlich verformt, wenn di? Diffusioustemperatur zu hoch gewählt wird. Die Folge dieser Verformung i3t,
dass die mit den Halbleiterkristallen beschickten Trä'jerhorden
nicht mehr in das Diffusionerohr hineinpassen, so dass ein häufiges Auswechseln des Diffueionsrohrea unvermeidlich ist.
Aue der USA-Patentschrift 3 275 493 ist es bekannt, die mechanische
Festigkeit von Glaskörpern dadurch zu erhöhen, dasa dar Glaskörper
mit einer unter Druckspannung stehenden Mischkristall,3chicht, wie
Dichroit-Krietallschicht, versehen wird. Auf das Gebiat der wuarzglas-Diffusionsrohre 1st dieser Gedanke deshalb nicht* Übertragbar,
weil bei den hohen Verwendungstemperaturen von mehr als 10000C
die mschkrietallschicht weich wird und die in dießer Schicht vorhandenen Druckspannungen sich ausgleichen würden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Quarzglierohr, insbesondere für die Durqhfilhrung halbleitertechnologisoaer Verfahren j su sohaffen, welches Temperaturen von mehr als 1000 0C ausgaset st werden kann, ohne dase die Gefahr einer störendan Verformung
besteht. ;
'
Gelüst wird diese Aufgabe durch ein QuarBglasrohr, inebesondere
für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren, welches einer Temperatur von mehr ale IQOO0C aur.setzba-r— iot und
auf seiner Aussenseite einen üeberzug aufweirt, erfiniungegemaas
dadurch, dass wenigstens derjenige Teil des Quarzglasrohres, v/elcher der Temperatur von mehr als 10000C ausgesetzt wiVd, einen
üeberzug bestehend aus einer zusammenhängenden i'einkrletallinen
Cristobalit-Schicht aufweise, deren Dicke kleiner ί·.1β 3 $>
der Wandstärke des-Quarzglasrohres ?.m Bereich det; Ücbarzujes ist.
109883/0^90
BAD ORIGINAL
Die zusamnu nhä:igende, feinkristalline Cristobalit-Schicht wthfelt
vorteilhaft erweise weniger als eTTnzngstJagsig etwa 5»10
Keimbildnejatone pro cm2. Als Keimbildneratome haben sich insbesondere 8OJche Stoffe bewährt, welche die Diffusionsprozesse der
Halbleiter-1 echnik nicht stören, al3o keine Halbleiter-gif te sind.
Darüberhim us soll die Diffusionsgeschwindigkeit der keimbildenden Stoffe-im quarzglas bei Temperaturen von wehr als 10000C klein
sein gegenüber der von Natrium. Geeignet sind als keimbildeuße
Stoffe insVesondere Elemente mit groasem Ionenradius, v/ie beispielsweise
Z;.nk, Magnesium, Calzium, Zirkonium oder Zinn. Es war überraschej'd, dass die erfindungsgemässen Quarzglasrohre mit dem
sehr dünner zusammenhängende^ feinkristallinan Cristobalit-Ueberzug
beim Überschreiten einer Temperaturschwelle im Bereich von
etwa 30Q0C gleichgültig ob von unten oder von oben her, nicht zu
Bruch gehe)■·, weil, wie an sich bekannt, Cristobali^ in diesem Tesiperaturber«
ic h infolge einer Modifikationsänderung einen Sprung im
Ausdehnung#k<Effizienten besitzt. Vermutlich ist dies darauf zurückzuführen,1
weil die Ueberzugsschicht aus feinkristallinem Cristobalit an.sMerordentlich dünn ist.
Sie erfindi-n^sgemässen Quarzglasrohre mit dem feinkristallinen,
Zusammenhangsnden Gristobalit-Ueberzug haben auch während längerer
Verw^ilzeit von einigen Wochen bei Temperaturen, welche
bis etwa 1"CO0C reichten, keine störenden plastischen Verformungen
gezi-i.gt. Die besonders gute mechanische Festigkeit der
erfindungsfomässen Quarzglaerohre auch bei Temperaturen von mehr
als 10000Cv ist wahrscheinlich damit zu erklären, dass die aufgebrachte
rainkristalline Crietobalit-Schicht zusammenhängend iet und dl» Cristobalit-Kristalle bei hohen Temperaturen noch
wachsen.
Es hat sicli als sehr vorteilhaft erwiesen, auf die Cristobalit-Schicht
eii'e Schutzschicht aufzubringen. Damit wird vermieden,
dass beiep.eisweise von der Muffel des Glühofens während der
Aufreizung des vftiarzglasrohres auf die Temperatur, bei welcher
109883/0490
BAD '
die HpIb .eitt rdotji.e 'uns durchgeführt ι ird* Verunreinigungen in dee
Quarzglas rohr hinoJUn^elrngen, welche larin unerwünschte KriotallisaMonpprozessc
auslösen würden Als Uberzugsatoffe für
die Schutzschicht haben eich solche ;ewährt, die bei Temperaturen
vor" et?a 1300 0C noch nicht allzu sehr verdampfen, aber
bereits ein }lasti3che3 Verhalten neigen« Als geeignet haben
sich beitpielaweioe Germaniumoxid, Ij.sehungen aus Germaniumoxid
und Siliaiuaioxidun oder MiechglSser erwiesen.
1 igur 1 zeigt In Ansicht eii« erfindungsgemäO
ausgebildetes Quarz< lasrohr
1igur 2 aeigt einen Querschnitt durch das.
■ι Quarzglasrohr gemäß Figur 1 im Bireich
des Überzuges-.
* 'i
I igur 3 zeigt einen Querschnitt durch ei: ι
Qi'.arzglasrohr nit übereug und
SohutzBOhichü
Das Quarz^lasrohr 1 ist, nie Figur 1 zeigt, teilteise mit einem
überzug2eas einer zueanroenhängenden, feinkrista3linen Cristobalit-Sct
loht versehen. Es ist selbstverständli'i;i auch möglich,
des geeonice Quarzglasrohr 1 mit einer Oristobpiit-Schiclrfc au
Überziehe^ο Vorteilhafterweise brigt man die Cristobalit-Sehioht
nur auf diejenigen Teile des Quarzglasrohres auf. welche den
hohen iem^eratüren von mshr als 1000 0C ausgesetzt werden·
Durch die teilweise Beschichtung des Quarzglasrohres bleibt
beispielsweise die Möglichkeit erhalten, an den unbecohiohteten
Stellen, insbesondere den Rohrenden Quarzglasschliffe oder
andere Qu'iraglesteile anzusetzen«.
109883/049 0
BAD
_ 5 ■-
Dae in Fi,>ur 3 im Querschnitt dargestellte erfindungogemaQe
Quarzglas:"ohr· I weist nicht nur einen überzug 2 aus feinlcristallinera
Crintobalit auf, sondern auf den überzug 2 ist noch eine
Schutzschicht 3 aufgebracht.
Die Herst ι !llung von mit einer Orietobalit-ähicht veroenenen
Quarzglas:Ohren kann beispielsweise so erfolgen, daß man reinsten Cristobal.t in Pulverform auf das Quarzglasrohr aufstäubt und
mittels e:.ner Flamme oder in einem Ofen in die Quarzgleeoberfläehe
einbrennt und gegebenenfalls das Quarzglasrohr so lange euf hoher Temperatur hält, bis die eingebrannten Keiiae zu einer
zusemmenhljagenden, feinkristallinen Schicht verwachsen sind«, Bei
einem Quarzglasrohr, dessen Wandstärke im Bereich, des Cristobalit-Uberzuges
etwa 2 rom beträgt, beträgt die Dicke der Crisfcobalit-Schicht
vti niger als 0,02
109883/0490 BAD ORIGINAL1
Claims (1)
- ~ 6I 'Quarzgliasrohr: insbesondere für die Durchführung halbleiter-* technologischer Verfahren, welches einer Temperatur von mehr ale 1000 0C aussetzber iet und auf seiner Außenseite einen Überzug, aufweist, dadurch gekennzeichnet ^ daß wenigsten* derjenige leil des Querzglasrohres (1), weloher der Temperatur von mehr als 1000 0C ausgesetzt wird, einen Überzug (2) bestehend aus einer zusammenhängendeng feinkristallir en cristobelit-Schicht aufweist, deren Dicke kleiner als 1 % der Wand-* stärke lee QuarzglasiOhres im Bereich des Überzuges ist.2~ Quarzglisrohr nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die 0. rietooslit-Schicht (2) aus in die Oberfläche dee Quar2glesrohres singebrsnntem reinem Cristobelit-Pulver besteht.3« Quarzglksrohr nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichr.et, daß dieC ristobplit-Schicht weniger 8la5olO l*e Keimbjldneratomepro cn" eniHiält '4ο Quarzglisrohr nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Keifflbllineratome aus einem Stoff bestehen, dessen PjLffusionsgeschwiidigkeit in Quarzglas bei Temperaturen von mehr als 1000 0C klein ist gegenüber derjenigen von !atrium,''5ο Quarzglisrohr nach den Ansprüchen 3 und/oder 4, dadirch ge« kennzeichnet, daß die Keimbildneratome aus Zink, Magnesium, Oelzium, Zirkonium oder Zinn bestehen.6. QuarzgIiarohr nach einem oder mehreren der vorhergehenden AnöprlicJie. dadurch gekennaeiohnet, da0 auf die Cristobal it-Schicht (2) eine Schutzschicht (3) aufgebracht ist.•τ ^109883/0490 BADQuarzglasrohr noch Anspruch 6, dadurch gekennsaioimet, daß die Sc.iutzachicht (5) aus Germaniumoxid, einer Mischung aus GermenLumoxid und Siliziumoxiden oder aus einem Mischglae be8teh;;r weichet: bei 'iiner Temperatur von et'.v- 15(10 C'C plastisch ist ^109883/0490
BADLeerseite
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681771077 DE1771077C (de) | 1968-03-30 | Quarzglasrohr mit auf der Außenfläche angebrachtem Überzug zur Verwendung bei Temperaturen über 1000 Grad C, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren | |
GB1563969A GB1255551A (en) | 1968-03-30 | 1969-03-25 | Improvements in or relating to externally coated fused silica tube |
CH458269A CH514512A (de) | 1968-03-30 | 1969-03-26 | Quarzglasrohr mit Überzug |
FR6908991A FR2005160A1 (de) | 1968-03-30 | 1969-03-26 | |
NL6904878A NL142652B (nl) | 1968-03-30 | 1969-03-28 | Kwartsglasbuis met bekleding. |
US00166844A US3776809A (en) | 1968-02-22 | 1971-07-28 | Quartz glass elements |
US383432A US3927697A (en) | 1968-02-22 | 1973-07-27 | Quartz glass elements |
US05/616,522 US4102666A (en) | 1968-02-22 | 1975-09-25 | Method of surface crystallizing quartz |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19681771077 DE1771077C (de) | 1968-03-30 | Quarzglasrohr mit auf der Außenfläche angebrachtem Überzug zur Verwendung bei Temperaturen über 1000 Grad C, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1771077A1 true DE1771077A1 (de) | 1972-01-13 |
DE1771077B2 DE1771077B2 (de) | 1972-09-07 |
DE1771077C DE1771077C (de) | 1973-04-12 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2005160A1 (de) | 1969-12-05 |
NL142652B (nl) | 1974-07-15 |
GB1255551A (en) | 1971-12-01 |
NL6904878A (de) | 1969-10-02 |
DE1771077B2 (de) | 1972-09-07 |
CH514512A (de) | 1971-10-31 |
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