DE1769751C3 - Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehalterten Stabes im Vakuum und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehalterten Stabes im Vakuum und Vorrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B13/16—Heating of the molten zone
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Description
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Das erfindungsgemäße Verfahren zum tiegelfreien
kennzeichnet, daß die Stärke des magnetischen Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehalterten
Führungsfeldes (9) gewobbelt wird. 45 Stabes im Vakuum, wobei die Schmelzzone durch
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- mittels eines magnetischen Feldes geführte, fokuskennzeichnet,
daß die Elektronenbeschleuni- sierte Elektronenstrahlen erhitzt wird, ist dadurch gegungsspannung
bei konstantem Magnetfeld (9) kennzeichnet, daß der fokussierte Elektronenstrahl
um einen Mittelwert gewobbelt wild. mittels des magnetischen Feldes so um die Schmelz-
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 50 zone entlang ihres Umfanges herumgeführt wird, daß
kennzeichnet, daß der Erregerstrom der elektro- er streifend auftrifft.
magnetischen Fokussierungslinse (S) gewobbelt Eine geeignete Vorrichtung zur Durchführung die-
wird. ses Verfahrens besteht aus einem Elektronenstrahler
11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- mit Fokussiereinrichtung und mit einer Haltevorrichkennzeichnet,
daß die Einfallsrichtung des Elek- 55 tung für den zu behandelnden Stab, wobei der Elektronenstrahls
in das Magnetfeld (9) mit Hilfe tronenstrahler und der Stab räumlich so angeordnet
einer Ablenkvorrichtung (10) periodisch verän- sind, daß die Richtung des Elektronenstrahls an dem
dertwird. Stab in der Höhe der zu erzeugenden Schmelzzone
12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- vorbeizielt und wobei Mittel zur Erzeugung eines im
kennzeichnet, daß die Breite und/oder Tempera- 60 wesentlichen zum Stab parallelen Magnetfeldes vorr
tür der Schmelzzone auf dem Stab (6) durch pe- gesehen sind. Bei Betrieb wird dann ein Magnetfeld
riodische Ablenkung des einfallenden Elektro- solcher Konfiguration und Feldstärke erzeugt, daß
nenstrahls in Richtung der Längsausdehnung des der Elektronenstrahl gegen das Schmelzgut hin abge-Stabes
gesteuert wird. lenkt wird, mit einem Krümmungsradius, welcher
13. Vorrichtung zur Durchführung des Verfah- 65 einen streifenden Einfall des Strahles auf die
rens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, Schmelzzone ergibt.
daß Elektronenstrahler (1,2,3) und Stab (6) Die Fig. la und Ib zeigen ein Ausführungsbei-
räumlich so angeordnet sind, daß die Richtung spiel. Ein Elektronenstrahler bekannter Art, beispiels-
weise bestehend aus Glühkathode 1, Wehneltzylinder 2 und Anode 3, sendet einen Elektronenstrahl 4
aus, welcher z. B. durch eine magnetische Linse 5 fokussiert wird. Um den zonenweise m schmelzenden
Stab 6 herum sind zwei magnetische Linsen 8 so angeordnet, daß sie ein Magnetfeld 9 erzeugen, das im
wesentlichen parallel zur Achse des Stabes verläuft. Der am Schmelzgut vorbeizielende Elektronenstrahl 4 wird bei geeigneter Richtung des Magnetfeldes 9 beim Eintritt in dieses zum Schmelzgut hin gebogen. Die Magnetfeldstärke wird nun im Verhältnis
zur Beschleunigungsspannung der Elektronen so gewählt, daß der Radius der Bahn, welche die Elektronen beschreiben, in der Nähe der Oberfläche des
Schmelzgutes etwa gleich oder etwas kleiner dem halben Stabdurchmesser wird, so daß die Elektronen
den Stab umkreisen und rings um die Schmelzzone herum streifend auf diese einfallen. Diese Einstellung
ist leicht zu erreichen und kann durch Beobachtung der Schmelzzone überwacht werfen.
Besonders vorteilhaft ist die in F i g. 1 b gezeigte Feldform des Magnetfeldes 9 mit von außen nach
dem Schmelzgut hin leicht abnehmender Feldstärke, da der Krümmungsradius der Bahn solcher Elektronen, deren Richtung beispielsweise durch etwaige
Reflexion am Stab geändert wirf, bei Entfernung von der Schmelzzone wieder kleiner wird, so daß sie
auf diese zurückgelenkt werden. Die Elektronen bleiben damit in der Umgebung der Schmelzzon: gefangen, bis sie in diese einfallen.
Wenn das Magnetfeld 9 elektromagnetisch erzeugt wird, so kann die geeignete Feldstärke leicht durch
Änderung des Magnetisierungsstromes der Spulen 8 erreicht werden. Bei Erzeugung durch Permanentmagneten kann dagegen die Beschleunigungsspannung der Elektronen entsprechend angepaßt werden.
Die Magnete werden zum Schutz gegen die Wärmestrahlung vorteilhaft gekühlt und abgeschirmt.
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt eine ringsherum gleichmäßige Aufheizung der Schmelzzone, wenn Magnetfeld, Beschleunigungsspannung
und Fokussierung geeignet eingestellt werden; allerdings ist eine so genaue Einstellung mühsam. Durch
Drehen des Stabes um seine Längsachse kann die Gleichmäßigkeit der Aufheizung auch bei ungenauer
Einstellung verbessert werfen. Besonders geeignet, eine rasche Ausmittelung zu ermöglichen, sind elektrische Verfahren. Eine Wobbelung der Magnetfeldstärke um einen Mittelwert verändert den Krüm-
srsas ^Sa
richtung des Elektronenstrahls 4 »* ^u MVBtfeMS
ίο miSe einer Ablenkvorrichtung 1· fuhrt ebenfalls
™ einem gleichmäßigeren Elektronen«^ auf den
in Richtung J" T '—-*1«« des Stabes wd
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zone und/oder deren Temperarar ro*
oder zu korngieren. erfindunesgemäßen
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Stab 6 und der Elektronenkanone JJgJjJ*weraen
welche die Sichtverbmdungshme *J*J« dem *tab
*5 des Schmelzgutes undhto^™^*~f%T
tronenkanone *?**"?£ *™™EleSronenkanone
Blende besteht dann daß von der ™«™3"g£Jf
ausgesandte Ionen und Atome am Stab ^*^";
weil die Ionen durch das.Magnetfeld19>
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3» lenkt werden als die Elektroden.p Die Efe 15nfyn;t^1
hindert auch die seitlich »» ÄfjSXSm
auswandernden Ionen und Moleküle am Auftretten
auf das Schmelzgut.
beim Zonenschmelzen im
Auftreffen des P^^
zone werden nämlich viele
zeugt, welche im Vabi^ ^J^
die Wände stoßen und Gasm°lekükfreB
«o welche^ de« Druck erbabn. D^ ve3en?daß
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das rund um die S^^^g™? daSt
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Diese können nur in ** ^
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schränkte Flache, ^hiJf2£ ^J
verliert. Deshalb ist die Erfindung £«ο°*η rab
für das Zonenschmelzen im Ultrahochvakuum geeig
Claims (7)
1. Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen allelen Magnetfeldes vorgesehen sind.
eines an seinen Enden gehalterten Stabes im Va- 5 14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch
kuum, wobei die Schmelzzone durch mittels eines gekennzeichnet, daß zwischen dem Elektronenmagnetischen
Felde., geführte, fokussierte Elek- strahler (1,2,3) und dem Stab (6) in der Nähe
tronenstrahlen erhitzt wird, dadurch ge- des letzteren eine Blende (12) angeordnet ist.
kennzeichnet, daß der fokussierte Elektronenstrahl (4) mittels des magnetischen Feldes (9) ta
kennzeichnet, daß der fokussierte Elektronenstrahl (4) mittels des magnetischen Feldes (9) ta
so um die Schmelzzone entlang ihres Umfanges
herumgeführt wird, daß er streifend auftrifft.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des magnetischen Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren
Führungsfeldes (9) so gewähl* wird, daß der 15 zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an seinen En-Krümmungsradius
der um den Stab herum- den gehalterten Stabes im Vakuum. Es ist eine Angeführten
Elektronenbahnen etwa gleich dem Ordnung bekannt, bei der der Stab von einer Ringkahalben
Stabdurchmesser ist. thode umgeben ist und in der Höhe der Schmelzzone
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- gleichzeitig aus allen Richtungen konzentrisch mit
kennzeichnet, daß die Stärke des magnetischen ao Elektronen beschossen wird. Ein Nachteil dieser be-Führungsfeldes
so gewählt wird, daß der Kriim- kannten Anordnung ist es, daß von der Ringkathode
mungsradius der um den Stab (6) herumgeführten Ionen oder Atome auf das Schmelzgut gelangen und
Elektronenbahnen etwas kleiner als der halbe es verunreinigen. Ferner dampft auch von der
Stabdurchmesser ist. Schmelzzone Material ab und verunreinigt die
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 25 Elektronenkanone. Deshalb wird oft der Beschüß
kennzeichnet, daß das magnetische Führungsfeld der Schmelzzone mit Hilfe eines oder mehrerer Fern-(9)
im Raum außerhalb des Stabes (6) mit zur fokus-Elektronenstrahler vorgezogen, wobei der
Oberfläche desselben hin leicht abnehmender Nachteil, daß auch bei drehendem Schmelzgutstab
Feldstärke gestaltet wird. keine symmetrische Temperaturverteilung erreicht
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 30 wird, in Kauf genommen wird. Ein schwacher Ionenkennzeichnet,
daß der Krümmungsradius der beschuß des Schmelzgutes aus der Kathode kann
Elektronenbahnen bei konstantem Magnetfeld auch hier nicht vermieden werden. Diese Nachteile
(9) durch Veränderung der Beschleunigungsspan- bekannter Zonenschmelzverfahren weitgehend zu
nung eingestellt wird. überwinden ist das Ziel der vorliegenden Erfindung.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 35 Es ist auch ein Verfahren zum tiegelfreien Zonenkennzeichnet,
daß der Stab (6) während des schmelzen eines an seinen Enden gehalterten Stabes Elektronenbeschusses um seine Achse gedreht im Vakuum bekannt, bei dem die Schmelzzone durch
wird. mittels eines magnetischen Feldes geführte fokus-
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- sierte Elektronenstrahlen erhitzt wird. Diese magnetikennzeichnet,
daß der Krümmungsradius der 40 sehe Strahlführung dient im bekannten Fall lediglich
Elektronenbahnen periodisch vergrößert und ver- der Verschiebung der Schmelzzone entlang des Stakleinert
*ird. bes.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1153767A CH458566A (de) | 1967-08-14 | 1967-08-14 | Verfahren und Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum mit Elektronenstrahlbeschuss |
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DE1769751B2 DE1769751B2 (de) | 1973-08-23 |
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Family
ID=4374471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19681769751 Expired DE1769751C3 (de) | 1967-08-14 | 1968-07-08 | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an seinen Enden gehalterten Stabes im Vakuum und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Country Status (5)
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GB (1) | GB1179805A (de) |
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Families Citing this family (1)
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JPS59190300A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および装置 |
-
1967
- 1967-08-14 CH CH1153767A patent/CH458566A/de unknown
- 1967-09-20 NL NL6712840A patent/NL140750B/xx unknown
-
1968
- 1968-07-08 DE DE19681769751 patent/DE1769751C3/de not_active Expired
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- 1968-08-13 FR FR1576943D patent/FR1576943A/fr not_active Expired
Also Published As
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DE1769751B2 (de) | 1973-08-23 |
NL140750B (nl) | 1974-01-15 |
GB1179805A (en) | 1970-02-04 |
FR1576943A (de) | 1969-08-01 |
NL6712840A (de) | 1969-02-18 |
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Legal Events
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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