DE1769396A1

DE1769396A1 - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE1769396A1
Application number: DE19681769396
Authority: DE
Inventors: Sewell Jun Frank Anderson
Original assignee: Sperry Rand Corp
Current assignee: Sperry Corp
Priority date: 1967-05-19
Filing date: 1968-05-17
Publication date: 1971-09-23
Also published as: NL158656B; FR1565865A; GB1208077A; SE350651B; NL6807032A

Description

DIPL-ING. GÜNTHER KOCH DR. TINO HAIBACH

8MUNCHEN2, 17· Mai 1908 UNSERZEiCHEN: 11

Sperry Rand Corporation, New York N.Y., USA

Halbleiteranordnung

Die Erfindung betrifft Halbleiteranordnungen.

In den vergangenen Jahren wurde der Verbesserung der Planartransistor-Technologie große Aufmerksamkeit gewidment, insbesondere hinsichtlich der Verwendung von Siliciumoxyd als Diffusionsmaske sowie als Passivierungsmaterial für die pn-Schichten. Die Erfahrung hat gezeigt, daß Siliciumoxyd eine Reihe von Nachteilen aufweist, insbesondere hinsichtlich der verhältnismäßig hohen Temperaturen und langen Zeitdauern die zum Aufwachsen von Siliciumoxyd erforderlich sind und die Gefahr störender Beeinträchtigung von in dem Halbleitersubstratkörper vorhandeien pn-Schicht-Profilen mitsichbringen, sowie

/elektrischen auch hinsichtlich der verhältnismäßig schlechten'Stabilität

von Siliciumoxyd.

Ein wesentlicher Fortschritt in Richtung auf die Vermeidung dieser Nachteile wurde durch die Verwendung von Siliciumnitrid m Stelle von Siliciumoxyd als Material für die Diffusions-

masken und zur pn-Schicht-Passivierung erzielt. Nähere Einzelheiten der durch die Verwendung von Siliciumnitrid an Stelle von Silioiumoxyd erzielten Vorteile und der Verfahren zur Abscheidung von Siliciumnitrid bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen auf Halbleiter- und sonstigen Substratkörpern

sind in dem Patent (Patentanmeldung S 104 415 VIb/48b)

sowie in dem Patent (Patentanmeldung S 110 396 VIII(/21g)

der gleichen Anmelderin erläutert.

Die laufende Vervollkommnung und Verfeinerung der Verfahren zur Abscheidung von Siliciumnitrid auf Halbleitersubstratkörpern hat zu der Beobachtung geführt, daß die Vorteile, welche die Verwendung von Siliciumnitrid an sich bietet, nicht vollständig in reproduzierbarer Weise ausnutzbar sind, sofern nicht besondere Maßnahmen zur Vorbereitung der Oberfläche des Halbleitersubstratkörpers vor der Abscheidung des Siliciumnitrids getroffen werden. Werden derartige Maßnahmen unterlassen, so treten an der Grenzfläche zwischen dem Siliciumnitrid und dem Halbleitersubstrat Oberflächenladungen von veränderlicher Ladungsdichte auf, welche zu unerwünschten elektrischen Eigenschaften und Instabilitäten führen.

Die Erfindung betrifft somit näherhin eine Halbleiteranordnung mit einem Substrat aus einem Halbleitermaterial, auf dessen einer Oberfläche eine Schicht aus einem isolierenden Material vorgesehen ist. Insbesondere betrifft die Erfindung Halbleiteranordnungen dieser Art, bei welchen in dem Halbleiterkörper

ο ο ο ' : ' i Q e; 'j

wenigstens eine pn-Schicht enthalten ist, deren Rand sich bis an die Oberfläche des Halbleitermaterials erstreckt und von der erwähnten isolierenden Schicht im Sinne einer Passivierungsschicht überdeckt wird.

Durch die Erfindung sollen die geschilderten Nachteile bei

ganz

der Verwendung einer ganz aus Siliciumoxyd oder/aus Siliciumnitrid bestehenden Isolierschicht vermieden und insbesondere die sich aus dem Auftreten wechselnder Oberflächenladungsdichten ergebenden Beeinträchtigungen und Instabilitäten in einfacher Weise vermieden werden.

Zu diesem Zweck ist gemäß der Erfindung vorgesehen, daß die Schicht aus dem isolierenden Material aus einer unteren Schicht aus Siliciumoxyd von wenigstens- etwa 100 S Dicke und einer auf dieser unteren Schicht aufgebrachten oberen Schicht aus Siliciumnitrid besteht und die Gesamtdicke der unteren und der oberen Schicht nicht größer als etwa 1500 S ist.

Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung, bei welchem zunächst wenigstens eine pn-Schicht in dem Halbleitersubstrat erzeugt wird, deren Rand sich bis zur Oberfläche des Halbleitersubstratkörpers erstreckt und wobei gemäß der Erfindung vorgesehen ist, daß man zunächst die Oberfläche des Halbleitersubstratkörpers zur Bildung einer den pn-Schiehtrand bedeckenden unteren Schicht aus Siliciumoxyd von wenigstens etwa 100 S Dicke oxydiert

1 0 9 8 2 » /■ ! 3 h 3

und sodann auf diese untere Schicht eine obere Schicht aus Siliciumnitrid in einer Dicke abscheidet, daß die Gesamtdicke aus der unteren und der oberen Schicht nicht größer als etwa 1500 8 ist.

Ddie Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß Oberflächenladungen an der Grenzfläche zwischen Siliciumnitrid und einer Halbleiteroberfläche sich durch die Verwendung einer Zwischenschicht aus Siliciumoxyd von wenigstens etwa 100 8 Dicke zwischen der Siliciumnitrid-Passlvierungsschicht und dem Halbleitersubstratkörper, beispielsweise dem Siliciumkörper, weltgehend verringern und stabilisieren lassen. Allgemein gesprochen soll die Dicke der Siliciumoxydschicht einerseits genügend groß sein, um jede direkte Halbleiter/Siliciumnitrid-Grenzfläche zu verhindern, andererseits soll die Siliciumoxydzwischenschlcht jedoch nicht so dick sein, daß hierdurch die eingangs erwähnten unerwünschten Eigenschaften des Siliciiumoxyds in nennenswertem Ausmaße auftreten. Eine Dicke von etwa 100 8 ist ausreichend; vollkommen zufriedenstellende Ergebnisse wurden mit Dicken von etwa 450 8 und darüber erzielt.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigen:

Fig. 1 in schematischer Darstellung einen Metall-Isolator-Halbleiter-Kondensator ("metal-insulator-semiconductorr Kondensator, im folgenden auch als MIS-Kondensator

bezeichnet), mit einer Siliciumoxyd-Zwischenschicht zwischen

109839/1353 ./.

einer Si Ii ciuinni trids chi cht und einem Siliciumsubstrat.

Fig. 2 eine experimentell aufgenommene Kapazitäts-ZSpannungskennlinie des Kondensators aus Fig. 1, wobei, der Halbleiter vom η-Typ ist,

Fig. 5 eine Schar von Kapazitäts-ZSpannungskennli^nien, wie sie sich bei Anlegung verschiedener Vorspannungen an einen Kondensator von dem in Fig. 1 gezeigten Typ, jedoch ohne Siliciumqxyd.zwlschenschicht ergeben,

Fig. 4 eine Schar von Kapazitäts-ZSpannungs-Kennlinien, wie sie sich beim Anlegen verschiedener Vorspannungen an den in Fig. 1 gezeigten Kondensator mit der erfindungsgemäßen Siliciumoxyd-Zwischenschicht ergeben, ,

Fig. 5 eine schematische Darstellung eines Feldeffekttransistors,

en
dessZTorelektrode gemäß dem Kondensatoraufbau nach Fig.l ^ ausgebildet ist.

Unter den verschiedenen Eigenschaften von Halbleiteroberflächen und Halbleiter-Isolator-Grenzflächen, die eingehend studiert wurden, haben elektrische Aufladungsphenomene vielleicht die größte Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Oberflächenladungen an einer Halbleiteroberfläche wurden bis ins Detail gehend untersucht im Wege von Feldeffektmessungen, Oberflächen-Rekombinationsmessungen sowie Oberflächen-Photospannungs-Messungen. Neuerlich

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wurden Messungen der Abhängigkeit der Kapazität von der Spannung an einem Metall-Isolator-Halbleiter-Kondensator (im folgenden als MIS-Kondensator bezeichnet) zur Untersuchung von Oberflächenladungserscheinungen herangezogen. Der Aufbau des MIS-Kondensators ist in diesem Zusammenhang besonders bedeutsam, da er vielen neuzeitlichen Halbleiteranordnungen zugrunde liegt. Beispielsweise bildet diese Struktur des MIS-Kondensators die Torelektrode eines MIS-Translstors. Au_ßerdem kann der MIS-Kondensator wegen seiner spannungsabhängigen Kapazität äußerst nützlich als ein nicht-lineares passives Schaltungselement sein. Ein MIS-Kondensator weist eine Metallelektrode, eine Isolierschicht sowie einen Halbleiter-Substrat- bzw. Trägerkörper (beispielsweise Silicium) auf. Das Vorspannpotential für den Kondensator wird zwischen einem mit der Metallelektrode verbundenen Anschluß und Masse angelegt.

Das Verfahren der Heranziehung von Kapazitats-Spannungs-Messungen zur Bestimmung elektrischer ßrenzflachenphenomene ist in der Fachwelt wohl bekannt. Eine frühzeitige Beschreibung dieses Verfahrens findet sich in dem Aufsatz "An Investigation of Surface States at a Silicon/Silicon Oxide Interface Employing Metal -Oxide-Silicon Diodes" von L.M. Terman in "Solid-State Electronics, Bd. 5, September-October 19-62, S..285-299". Eine typische Kapazitäts-/Spannungs-Kurve eines MIS-Kondensators ist in Fig. 2 dargestellt. Es sei darauf hingewiesen, daß die Offset-Spannung V ein Maß für Zwischenschichtzustände und feste

° des

Ladungszentren in der Isolierschicht/MIS-Kondensators ist.

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Die Zwischenschichtzustände sind elektrische Zentren, deren Ladung eine Funktion der an den Kondensator angelegten Vorspannung ist, während die festen Ladungszentren von der angelegten Spannung unabhängig sind. Die Offset-Spannung ist zweckmäßig als der Spannungswert im Schnittpunkt der an die Kapazitäts-/Spannungskurve gelegten Tangenten 7 und 8 definiert. Der Betrag der Offset-Spannung ist somit ein Maß für die Zwischenschichtzustände und festen Ladungszentren, und die Stabilität der Offsetspannung ist ein Maß der Stabilität der Zwischenschicht.

Wie eingangs erwähnt, hat man gefunden, daß an der Grenzfläche zwischen Siliciumnitrid und Silicium eine hohe Oberflächenladungsdichte herrscht, sofern nicht besondere Maßnahmen zur Vorbereitung der Oberfläche des Siliciumsubstrats vor der Aufbringung des Siliciumnitrids getroffen werden. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Oberflächenladungen durch die Anwendung einer Zwischenschicht aus Siliciumoxid von

,etwa
wenigstens 100 8 Dicke zwischen der Siliciumnitridschicht und dem Siliciumsubstrat weitgehend verringert und stabilisiert werden können. Diese Herabsetzung und Stabilisierung der Oberflächenladung konnte experimentell durch identische Testversuche an 5 Sätzen von MIS-Kondensatoren nachgewiesen werden, von denen jeder eine Gesamt-Isolierschicht von I5OO 8 Dicke zwischen der Metallelektrode und dem Siliciumsubstrat besaß. Die 5 Sätze von Kondensatoren waren im übrigen gleichartig mit

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dem einzigen Unterschied, daß bei einem Satz die Isolierschicht ganz aus Siliciumnitrid bestand, währenji die anderen H- Sätze wie aus Fig. 1 ersichtlich, ausgebildet waren, in welcher die Metallelektrode bei 1, das Halbleitersubstrat bei 3 und der äußere Anschluß bei 4 dargestellt sind. Die Isolierschicht 2 bestand aus einer Hauptschicht aus Siliciumnitrid 5 auf einer Mebenschicht von entsprechend geringerer Dicke aus Siliciumoxyd 6. Unter den angegebenen Bedingungen herrscht eine Ladungs-

11 —2
dichte von etwa 1,8 χ 10 em je Volt Spannungsversetzung der Kapazitäts-/Spannungskurve des betreffenden MIS-Kondensators gegenüber dem Null-Wert. Diese Ladungsdichte ist es, welche die "Einschalt"-Spannung für Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode beeinflussen, wobei es letzQ-ich erwünscht ist, diese Spannung kontrollierbar und reproduzierbar zu machen.

In der ersten Spalte der folgenden Tabelle sind die Offset-Spannungen angegeben, wie sie jeweils an 10 MIS-Kondensatoren gemessen wurden, deren jeder eine ganz aus Siliciumnitrid bestehende Isolierschicht von 1500 8 Dicke besaß. Jeder dieser Kondensatoren war aus n-Silicium-Substratkörpern von etwa 10 0hm-

/und

cm spezifischem Widerstand^Hl ^-Kristallorientierung hergestellt. In der zweiten Spalte der Tabelle sind die Offsetspannungen aufgeführt, wie sie an 22 MIS-Kondensatoren des in Fig. 1 gezeigten Typs gemessen wurden, bei welchem jeweils jedes Siliciumsubstrat zunächst in Gegenwart von reinem Sauerstoff 15 Sekunden lang bei 120O⁰C oxydiert wurde. Nach dieser Oxydationsbehandlung wurde Siliciumnitrid auf dem Siliciumoxyd abge-

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schieden, bis zu einer Gesamtdicke von etwa 1500-8 einschließlich der Silici.umoxydschicht. In der j5. und 4. Spalte der Tabelle sind die Offsetspannungen für 21 bzw. 5 Kondensatoren aufgeführt, die in gleicher Weise wie die Kondensatoren von Spalte 2 hergestellt waren, mit dem Unterschied, daß die Dauer der Oxydationsbehandlung bei der Herstellung der Kondensatoren im Falle der Spalte 3 50 Skunden und im Falle der Spalte 4 60 Sekunden betrug. In Spalte 5 schließlich sind die Offsetspannungen von 9 MIS-Kondensatoren der in Fig. 1 gezeigten Art angegeben, wobei jeweils jedes Siliciumplättchen zunächst in Gegenwart eines Gemische von 1% Stickstoffoxyd in Argon 15 Minuten lang bei 1200⁰C oxydiert wurde. Sodann wurde Siliciumnitrid auf dem Siliciumoxyd bis zu einer Gesa^dicke von 1500 8 einschließlich der Siliciumoxydschicht abgeschieden. Man darf annehmen, daß die Oxydationsbehandlungen von 15 Sekunden bzw. 30 Sekunden Dauer eine Siliciumoxydschicht von etwa 100 8 bzw. etwa 250 8 Dicke auf dem betreffenden Siliciumplättchen ergeben, während die Oxydationsbehandlung von 60 Sekunden mit reinem Sauerstoff bzw. die 15-minütige Oxydation mit dem 1$ Stickstoffoxyd enthaltenden Gemisch Siliciumoxydschichten von etwa 300 8 bis etwa 400 8 Dicke auf dem betreffenden Siliciumplättchen ergeben.

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	MIS-Kondensa toren mit einer ganz nur aus Siliciumnitrid bestehenden Isolierschicht	MIS-Kondensatoren mit einer aus Siliciumnitrid und Siliciumoxyd bestehenden Isolierschicht	Oxydati onsbehand lung von 30 Sek.bei 1200°Cmit reinem Op	Oxydations- behandlung von 6o Sek. bei 1200⁰C mit reinem °2	Oxydations taehandlung von 15 Min. bei 1200⁰C mit 1% N₂O
	, ^Vo	Oxydati- onsbehand- lung von 15 Sek.bei 1200°C mit reinem Op	^Vo	^Vo	^Vo
	-6.5	^Vo	-3.4	-3.6	-2.0
	-2.5	-4.8	-1.1	-2.4	-2.0
	-7.5	-1.5	-1,4	-2.5	-1.0
	-2.5	-2.0	-3.0	-2.5	-1.5
	-2.0	-1.2	-2.6	-2.0	-1.5
	-7.0	-1.6	-2.1		-1.5
	-7-5	-2.0	-0.8		-1.5
	-6.0	-2.6	-0.8		-1.5
	-4.0	-1.1	-1.6		-2.5
	-10.0	-1.2	-1.9
		-1.2	-1.5
		-0.5	-1.3
		0.0	-1.0
		-2.5	-2.0
		-2,2	-2,1
		-2.1	-2.1 -1.0 -1.1
109839,		-2.4 -3.2 -1.8	-1.5 -1.5 -1.3
/1353		-0.4 -1.0 -1.2
		-0.8

Aus der vorstehenden Tabelle ist ersichtlich, daß die Offsetspannungen bei den Kondensatoren mit einer Siliciumoxyd-Zwischenschicht zwischen dem Siliciumnitrid und dem Siliciumsubstrat wesentlich niedriger und gleichförmiger sind als die Offsetspannungen der MIS-Kondensatoren, deren Isolierschicht ganz ausschließlich aus Siliciumnitrid bestand. Beispielsweise betrug die maximale Änderungen zwischen den Offsetspannungen der Kondensatoren mit ganz aus Nitrid bestehender Zwischenschicht 8 Volt, während die entsprechenden maximalen Änderungen der Kondensatoren mit Siliciumoxyd-Zwischenschicht 4,8 Volt, 2,6 Volt,

1.6 Volt bzw. 1,5 Volt betrugen. Desweiteren betrug der durchschnittliche Mittelwert der Offsetspannungen der Kondensatoren mit ganz aus Nitrid bestehender Zwischenschicht 5*6 Volt, während die Mittelwerte der Offsetspannungen für die Kondensatoren mit Siliciumoxyd-Zwischenschicht 1,7 Volt, 1,7 Volt, 2,6 Volt bzw,

1.7 Volt betrugen.

Es ist nicht nur von Bedeutung, daß die Oberflächenzustände an der Grenzschicht zwischen der Siliciümnitridschicht und dem Siliclumsubstrat hinsichtlich der Reproduzierbarkeit stabilisiert werden, sondern es ist auch erwünscht, daß die Oberflächenzustände hinsichtlich der Anlegung von Vorspannpotentialen stabilisiert werden. Die Figuren 3 und 4 veranschaulichen die der Anlegung eines elektrischen Felds nahe dem Durchbruchpotentiäl zuzuschreibende Verschiebung der Kapazitäts-/Spannungs-Kennlinien der MIS-Kondensatoren mit ganz aus SiIiciumnitrit bestehender

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Isolierschicht bzw. der MIS-Kondensatoren mit Siliciumoxyd-Zwischenschicht. Die in Fig. 3 graphisch dargestellten Daten wurden an einem MIS-Kondensator gemessen, dessen Isolierschicht aus Siliciumnitrid mit einer Dicke von 1500 8 auf einem Siliciumsubstrat abgeschieden war. Die in Fig. 4 graphisch dargestellten Daten wurden mit einem MIS-Kondensator erhalten, dessen Isolierschicht aus Siliciumnitrid bestand, das auf eine durch Oxydation des Siliciumsubstrats mit reinem Sauerstoff während 60 Sekunden bei 1200⁰C erhaltene Schichtdicke von Siliciumoxyd abgeschieden wurde. Die Gesamtdicke der Siliciumoxyd-Zwischenschicht und der Siliciumnitrl^chicht betrug 15OO 8 . Kurve 9 in Fig. 3 stellt die Kapazitäts-/Spannungskennlinie des MIS-Kondensators mit ganz aus Siliciumnitrid bestehender Isolierschicht vor dem Anlegen irgendeiner elektrischen Vorspannung dar. Die Kurven 10 und 11 geben die beim Anlegen einer Vorspannung von -45 Volt bzw. +45 Volt während einer Periode von 60 Sekunden erhaltenen verschobenen Kennlinien wieder. Entsprechend zeigt Kurve 12 in Fig. 4 die Kapazitäts-/Spannungs-Kennlinie des MIS-Kondensators mit der Siliciumoxyd-Zwischenschicht vor dem Anlegen einer elektrischen Vorspannung. Die Kurven 13 und 14 geben die verschobenen Kennlinien, wie sie sich beim Anlegen von -45 Volt bzw. +45 Volt während einer Periode von 60 Sekunden ergeben. Beide Kondensatorren wurden unter Verwendung von n-Siliciumsubstratkörpern mit einem spezifischen Widerstand von etwa 10 Ohm-cm und mitwill />Kristallorientierung hergestellt. Die Kurvendarstellungen in den Figuren 3 und 4 sind im gleichen Spannungsmaßstab gezeichnet und

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zeigen klar die wesentlich verbesserte Stabilität gegenüber der Anlegung elektrischer Potentiale, wie sie die MIS-Kondensatoren mit Siliciumoxyd-Zwischenschicht zeigen.

Die vorteilhaften Eigenschaften., wie sie sich aus den in der vorstehenden Tabelle, aufgeführten Daten und den graphischen Darstellungen der Figuren 3 und 4 ergeben, können in einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode ausgenutzt werden, bei welchem der MIS-Kondensator die Torelektrode bildet. Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung eines derartigen Feldeffekttransistors; eine Siliciumnitria-schicht 15 und eine Silioiumoxydschicht 16 dienen als die Isolierschicht der Torelektrode und gleichzeitig als Passivierungsschicht für die pn-Schichtränder der Quelle-pn-Sdieht VJ und der Senke-pn-Schicht 18/An der Quelle-Elektrode 19, der Torelektrode 20 und der Senke-Elektrode 21 werden die Betriebspotent'iale angelegt. Es sei daraufhingewiesen, daß die Siliciumoxydschicht bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel bei einer verhältnismäßig hohen Temperatur von ' 1200°C hergestellt wird/ wenngleich auch niedrige^Temperaturen bei entsprechend längerer Oxydationsdauer angewendet werden können.

Die Siliciumnitridschicht 5 bei dem Kondensator gemäß Fig. 1 bzw. die Siliciumnitridschicht 15 bei dem Feldeffekttransistor gemäß Fig. 5 kann nach den Verfahren hergestellt werden, wie sie beispielsweise in Patent . .., ... (Patentanmeldung S 104 415 VIb/48b) (Siliciumnitrid)

+ Außerdem dienen die Schichten 15 und 16 als Diffusions.maske im Verlauf der Herstellung der Quelle-pn-Schicht 17 und ^m/ der Senke-pn-Schicht 18 +

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oder in dem Patent (Patentanmeldung S 110 396 VIIIc/21g)

/(sauerstoffhaltiges Siliciumnitrid)
der gleichen Anmelderin beschrieben sind. Die Bezeichnung "Siliciumnitrid" in den folgenden Patentansprüchen soll daher sowohl Siliciumnitrid als solches als auch sauerstoffhaltiges Siliciumnitrid umfassen.

Patentansprüche:

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Claims

Patentansprüche:

1) Halbleiteranordnung mit einem Substrat aus einem Halbleitermaterial, auf dessen einer Oberfläche eine Schicht aus einem isolierenden Material vorgesehen ist, dadurch g e k e η nz ei c h η e t, daß die Schicht aus dem isolierenden Material aus einer unteren Schicht (6,16) aus Siliciumoxyd von wenigstens etwa 100 8 Dicke und einer auf dieser unteren Schicht aufgebrachten oberen Schicht (5*15) aus Siliciumnitrid besteht und die Gesamtdicke der unteren und der oberen Schicht nicht größer als etwa 15OO 8 ist.

2) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der unteren Schicht (6,l6) nicht größer als etwa 450 8 ist.

3) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine auf der Oberseite der Isolierschicht vorgesehene Metallelektrode (1).

4) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3* dadurch gekennzeichnet, daß man zur Herstellung der erwähnten Isolierschicht zunächst die Oberfläche des Halbleitersubstrats bei 1200⁰C mit Sauerstoff behandelt und sodann Siliciumnitrid auf der so oxydierten Oberfläche abscheidet.

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5) Verfahren nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet, daß die Sauerstoffbehandlung während einer Zeitdauer von etwa 15 Sekunden bis etwa 60 Sekunden vorgenommen wird.

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