DE2629468A1 - Temperaturkompensierter oszillator - Google Patents
Temperaturkompensierter oszillatorInfo
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Description
2629468 DIpL-PHyS-O-E. Weber ο-β München 71
Patentanwalt Hofbrunnstraße 47
Telefon: (089)7915050
Telegramm: monopolweber münchen
U 392
MOTOROLA, ING.
1303 East Algonquin Road Schaumburg, 111. 60196 USA
1303 East Algonquin Road Schaumburg, 111. 60196 USA
Temperaturkompensierter Oszillator
Die Erfindung betrifft einen temperaturkotr.pensierten Oszillator.
In integrierten Schaltungen ist der Widerstand von Lasteinriclitungen
gegenüber der Temperatur höchst empfindlich. Widerstandsveränderungen
rühren hauptsächlich von Veränderungen in der Cberflächenträgerbeweglichkeit mit der Temperatur her. Bekannte
Kondensatoren in integrierten Schaltungen waren im wesentlichen temperaturunempfindlich. Wenn eine Schaltung zur Erzeugung einer
Zeitkonstanten in einer integrierten Schaltung verwendet wurde, bei welcher eine resistive Last vorhanden war, und ein in herkömmlicher
Weise in der integrierten Schaltung ausgebildeter Kondensator verwendet wurde, änderte sich die RC-Zeitkonstante
mit der Temperatur beträchtlich. Dies wirft hinsichtlich der
Stabilisierung der Oszillatorfrequenz große Frobleme auf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen temperaturkompensierten
Oszillator zu schaffen, welcher mit der MOS-Technologie kompatibel ist.
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Insbesondere soll gemäß der Erfindung ein temperaturkompensierter Oszillator geschaffen werden, der eine Schaltung zur
Erzeugung einer Zeitkonstanten und eine Eückführschaltung
aufweist. Zur Lösung der Erfindungsaufgabe dienen insbesondere die im Patentbegehren niedergelegten Merkmale.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes ist vorgesehen, daß ein MOS-Eingoszillator gebildet
wird, bei welchem das resistive Element der die EC-Zeitkonstante erzeugenden Schaltung eine MOS-Lasteinrichtung ist ,
wobei das kapazitive Element ein Anreicherungskondensator ist. Wenn die Betriebstemperatur ansteigt, nimmt die effektive Kapazität
dieses Kondensators ab, und der Widerstand der MOS-Lasteinrichtung nimmt zu. Bei einer vorgegebenen Temperaturveränderung
kompensieren sich die Veränderungen in dem effektiven Widerstand und in der Kapazität gegenseitig. Deshalb bleibt
bei einer vorgegebenen Temperaturveränderung die Betriebsfrequenz des Bingoszillators konstant.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielsweise anhand der Zeichnung
beschrieben; in dieser zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung des SchaltSchemas des erfindungsgemäßen
Ringoszillators,
Fig. 2 eine Darstellung von einem der Inverter, welche in dem Ringoszillator gemäß Fig. 1 verwendet werden, und zwar
zusammen mit einem detailierten Schaltschema der Inverterschaltung,
Fig. JA eine Schaltung eines Anreicherungskondensators
Fig. 3B eine Schaltung eines digital gesteuerten Anreicherungskondensators ,
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Fig. 4 eine Drauf siclit auf einen digital steuerbaren Anreicherung
s-Feldeffekt-Kondensator, und
Fig. 5 einen Schnitt durch die Ausführungsforro des Erfindungsgegenstandes gemäß Fig. 4· entlang der Linie 5-5·
Die I"ig. 1 zeigt ein Schaltschema einer Ausführungsform eines
Ringoszillators, der einen Anreicherungskondensator verwendet. Der Ringoszillator 100 weist eine erste Stufe 110 auf, er hat
weiterhin eine zweite Stufe 112 und er hat schließlich eine dritte Stufe 113. Die erste Stufe 110 hat einen Inverter 114,
dessen Eingang mit dem Rückführleiter 116 verbunden ist und dessen Ausgang mit dem Leiter 118 verbunden ist. Der Anreicherungskondensator 120 ist zwischen dem Spannungsquellenknoten 122 und
dem Leiter 118 angeordnet. Die zweite Stufe 112 weist einen Inverter 124 auf, dessen Eingang mit dem Leiter 118 und dessen
Ausgang mit dem Leiter 126 verbunden ist.
Der Anreicherungskondensator 128 ist zwischen dem Spannungsquellenknoten
130 und dem Leiter 126 angeordnet. Die dritte Stufe 113 weist einen Inverter 132 auf, dessen Eingang mit dem Leiter
126 und dessen Ausgang mit dem Leiter 134- verbunden ist. Der
Anreicherungskondensator 136 ist zwischen dem Leiter 134- und dem
Spannungsquellenknoten 138 angeordnet. Der Ausgang des Ringoszillators 100 wird vom Knoten 140 abgeleitet.
Die linke Seite der Pig. 2 zeigt einen Inverter 236, wie er
für die Inverter typisch ist, die in dem Ringoszillator 100 verwendet werden, wobei ein Eingangsknoten 234 und ein Ausgangsknoten
238 vorhanden sind. Die rechte Seite der Fig. 2 zeigt
ein detailierteres Schaltschema des Inverters 236, dessen Eingang von dem Knoten 230 und dessen Ausgang von dem Knoten 226
abgeleitet wird. Die Versorgungsspannung VDD wird an den Knoten
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geführt. Der Knoten 232 liefert die Hasse für die Einrichtung.
Die Lasteinrichtung 224 ist zwischen dem Knoten 220 und dem
Knoten 226 angeordnet. Eine Schalteinrichtung 228 ist zwischen dem Knoten 226 und dem Kasseknoten 232 angeordnet. Die Fig. JA
zeigt ein Schaltschema eines Anreicherungskondensators, wie er
im Ringoszillator 100 gemäß Fig. 1 verwendet wird. Der Knoten 2Ή dieses Kondensators 10 stellt eine Verbindung dieses Kondensators
10 zu der Schaltung des Hingoszillators 100 her. Der Knoten 216 des Kondensators 10 ist normalerweise mit einer Spannungsquelle
verbunden. Die Elektrode 212 des Kondensators 10 ist aus polykristallinem Silizium hergestellt.
Die Fig. 3B stellt einen digitalen Anreicherungskondensator 10f
dar, der nachfolgend im einzelnen näher erläutert wird und dessen Kapazität digital verändert wird, wenn eine Steuerspannung
an eine oder an mehrere einer Vielzahl von Steuerleitungen angelegt wird. In der Fig. JiB sind die Steuerleitungen durch die
Knoten 217A, 217B und 21?C dargestellt.
Der digitale Kondensator 10' gemäß Fig. 3B kann einen oder mehrere
der drei Anreicherungskondensatoren ersetzen, die in dem Ringoszillator
100 dargestellt sind. Wenn drei digitale Anreicherungskondensatoren in dem Ringoszillator 100 verwendet werden, und
wenn der Wert aller dieser Kondensatoren derselbe ist, kann eine Umsehaltschaltung in der Weise vorgesehen werden, daß alle drei
digitalen Anreicherungskondensatoren unabhängig voneinander verändert werden. Dadurch wird die Möglichkeit geschaffen, daß
nicht nur die Betriebsfrequenz des Ringoszillators 100 verändert werden kann, sondern auch die Wellenform der Ausgangswellenform
den Erfordernissen entsprechend gestaltet werden kann.
Wenn der größte der Anreicherungskondensatoren im Ringoszillator 100 ein digitaler Kondensator ist, so kann die Betriebsfrequenz
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des Ringoszillators 100 verändert werden oder gesteuert werden,
indem die Kapazität des digitalen Anreiciierungskondensators verändert wird. Wenn der Widerstand der Lasteinrichtung in jeder
Stufe des Ringoszillators 100 derselbe ist, so wirkt der größte Kondensator als frequenzbestimmende Komponente. Die anderen zwei
Stufen mit den kleineren Kondensatoren haben verhältnismäßig
kleine IiC-Z eitko ns tan ten und sind nicht dazu in der Lage, in
der Weise mitzuwirken, daß die Betriebsfrequenz· der Einrichtung
nennenswert beeinträchtigt werden könnte.
Eine Ausführungsform des Anreicherungskondensators ist in der !•'ig. 4 dargestellt, welche einen Grundriß des digital steuerbaren
Anreicherungskondensators 10 wiedergibt, wie er in der US-Patentanmeldung
410 678 beschrieben ist. Der Kondensator 10 ist innerhalb eines verhältnismäßig leicht dotierten Bereiches 12 mit
Ϊί-Leitfähigkeit ausgebildet, der einen spezifischen Widerstand
im Bereich von etwa 2 bis 10 0hm. cm haben kann. Gemäß den Fig. 4
und 5 weist der Kondensator 10 einen Bereich 14 mit P-Leitfähigkeit
von verhältnismäßig geringem spezifischem Widerstand auf (10 - 100 Ohm pro Quadrat), welcher innerhalb des Bereiches
12 mit Π-Leitfähigkeit an dessen Oberseite 58 ausgebildet ist.
Der Bereich 14 reit P-Leitfähigkeit bildet den Quellenbereich für den Anreicherungskondensator 10, und er enthält den Hauptunterbereich
15 sowie die nebengeordneten Unterbereiche 16, 18 und 20.
Der Hauptsteuerelektrodenleiter 22 liegt über dem Isolator 56,
der Siliciumdioxid sein kann, welcher seinerseits auf dem Hauptkanalbereich
60 im Abschnitt des Körpers mit N-Leitfähigkeit des Halbleiters 12 an seiner Oberseite 58 angeordnet ist, und zwar
unterhalb von und zusammenhängend mit dem Steuerelektrodenisolator
56. Der Steuerelektrodenisolator 56 kann eine Dicke
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von 1000 A haben. Der Steuerelektrodenleiter 22 besteht vorteilhafterweise aus dotiertem polykristallinem Silizium, welches *) entspricht Deutscher Patentanmeldung P 24 51 364.2-33
von 1000 A haben. Der Steuerelektrodenleiter 22 besteht vorteilhafterweise aus dotiertem polykristallinem Silizium, welches *) entspricht Deutscher Patentanmeldung P 24 51 364.2-33
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einen spezifischen Widerstand im Bereich von 25 "bis 300 Ohm
pro Quadrat aufweist und einen polykristallinen Siliziumansatz über den dicken Feldisolator 54- hat (der aus Siliciumdioxid
mit einer Dicke von 4000 - 10000 A oder darüber sein kann), welcher die Hauptsteuerelektrode 24 darstellt. Der polykristalline
Siliziumbereich JO liegt auf dem nebengeordneten Steuerelektrodenoxidschichtbereich
58 > der einen nebengeordneten
Kanalbereicli 62 darstellt, der sich zwischen dem Quellenunterbereich
18 und dem Senkenbex'eich 4-2 erstreckt. Der polykristalline
Bereich 30 erstreckt sich über das dicke Oxid 54-, um die
nebengeordnete Steuerelektrode 32 zu bilden. In ähnlicher Weise
liegt der polykristalline Bereich 26 über einem weiteren nebengjeordneten
Kanalbereich, der darunter angeordnet ist, wobei dieser Kanalbereich den Quellenunterbereich 16 mit dem Senkenunterbereich
40 verbindet, und ein polykristalliner Bereich 34- liegt
über einem weiteren Kanalunterbereich, der mit diesem fluchtet, und den Quellenunterbereich 20 mit dem Senkenunterbereich 44
verbindet. Die polykristallinen Silizium-Steuerelektrodenleiter 26 und 34 erstrecken sich jeweils über das IPeldoxid 54-» welches
die nebengeordneten Steuerelektroden 28 und 36 bildet.
Dicke Oxidbereiche 46, 48 und 50 verhindern eine parasitäre
Eanalbildung im Umkreis und legen auch die Endpunkte der Senkenunterbereiche 40, 42 und 44 fest. Der Grenzbereich 52 legt den
Rand des dicken Oxidbereiches 54- fest, welcher den Bereich 14
mit P-Leitfähigkeit begrenzt.
Wie an sich bekannt ist, fluchten der Hauptkanalbereich 60 und die oben genannten nebengeordneten Kanalbereiche in selbstausrichtender
Weise mit den benachbarten Bereichen mit F-Leitfähigkeit, weil sie während desselben Herstellungsschrittes erzeugt
werden, bei welchem die polykristallinen Silizium-Steuerelektrodenleiter
dotiert werden. Die polykristallinen Silizium-Steuerelektrodenleiter und auch das dicke Oxid 54- dienen als
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Diffusionsmasken, so daß dadurch eine zur Selbstausrichtung
geeignete Anordnung gebildet ist.
Die Arbeitsweise des Ringoszillators 100 ist an sich bekannt und bedarf keiner näheren Erläuterung. Die Betriebsfrequenz wird
durch die RC-Zeitkonstanten des Ringoszillators 100 festgelegt. Die Impedanz einer Lasteinrichtung wie 224 bestimmt das resistive
Element jeder RC-Zeitkonstanten, während die Kapazität eines Anreicherungskondensators wie 120, 128 oder 1J6 das kapazitive
Element jeder RC-Zeitkonstanten bestimmt. Die Werte des Widerstandes und der Kapazität in den Stufen 110, 112 und 11J könnten
identisch sein, dies ist jedoch keine notwendige Voraussetzung für eine ordnungsgemäße Arbeitsweise der Schaltung.
Eine vorteilhafte Eigenschaft des Ringoszillators 100 besteht darin, daß seine die Zeitkonstante bestimmenden Elemente sich
gegenseitig im Hinblick auf Temperaturveränderungen kompensieren. Diese Eigenschaft der Temperaturkompensation ergibt sich aus der
Tatsache, daß der Widerstand der La st einrichtung 224· in jeder Stufe umgekehrt proportional zu der Oberflächenträgerbeweglichkeit
des Halbleitermaterials ist, während die Kapazität des Anreicherungskondensators
in jeder Stufe zu der Oberflächenträgerbeweglichkeit direkt proportional ist.
Die Tatsache, daß die Kapazität eines Anreicherungskondensators der Temperatur direkt proportional ist, läßt sich leicht anhand
der Beweglichkeit der Oberflächenträger erläutern. Wenn .nämlich
die Temperatur zunimmt, nimmt die Beweglichkeit der Oberflächenträger in dem Anreicherungskondensator ab, und zwar im Kanalbereich,
Dies führt zu einer Zunahme in dem Kanalwiderstand. Wenn jedoch der Widerstand entlang dem Kanal von dem Quellenbereich aus zunimmt,
so wirkt diese Zunahme im Kanalwiderstand in der Weise, daß die Stromstärke über den Kanalbereich abnimmt. Die Stromstärke
am Quellenanschluß ist am größten, während der Strom an
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der gegenüberliegenden Seite des Kanals den geringsten Wert
hat. Dies führt d.azu, daß ein abnehmender Stromgradient über
den liana Ib er eich vorhanden ist. Da die Kapazität eine Funktion
der Ladung ist und daher such eine Funktion der Stromstärke,
bewirkt dieser Stromgradient über den Kanal des Anreicherungskondensators eine entsprechende Abnahme in der wirksamen Gesamtkapazität
aufgrund des verminderten Kapazitätsbeitrages von den entfernteren Bereichen des Anreicherungskondensators. Leshalb
ist die Kapazität dieses Kondensators der überflächenträgerbeweglichkeit
direkt proportional. Da die Oberflachenträgerbeweglichkeit
umgekehrt proportional zur Temperatur ist, wird die effektive Kapazität des Anreicherungskondensators umgekehrt
proportional zur Temperatur.
Da die Temperaturveränclerung des Widerstandselementes der die
Zeitkonstante erzeugenden Schaltung umgekehrt proportional zur Gberflachenträgerbeweglichkeit ist und die Temperaturveränderung
des kapazitiven Elementes der die Zeitkonstante erzeugenden Schaltung direkt proportional zu der Cberflächenträgerbeweglichkeit
ist, kompensieren diese Veränderungen, welche durch Veränderungen in der Cberflächenträgerbeweglichkeit hervorgerufen werden,
sich gegenseitig, wenn die resistiven und die kapazitiven Elemente in einer die BC-Zeitkonstante erzeugenden Schaltung miteinander
verbunden werden. Mit anderen Worten, das resistive Element hat einen positiven Temperaturkoeffizienten, während
das kapazitive Element einen negativen Temperaturkoeffizienten hat, und die Größe dieser Temperaturkoeffizienten ist gleich.
Wenn die Betriebsfrequenz des Oszillators abnimmt, wird der Temperaturkompensationseffekt vermindert. Dies gilt insbesondere
für Anreicherungskondensatoren mit geringen Abmessungen.
- Patentansprüche -
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Claims (8)
1.' Temperaturkompensierter Oszillator mit einer eine Zeitkonstante
erzeugenden Schaltung und mit einer Kückfuhrschaltung, wobei
eine Impedanz zwischen einem Spannungsleiter und einem ersten Knoten angeordnet ist, um einen Strom diesem Knoten zuzuführen,
xvelcher mit steigender Temperatur abnimmt, dadurch g e k e η η
z eich net, daß ein Anreicherungskondensator das zweite
Element der Zeitkonstantenanordnung bildet, welches zwischen
dem ersten Knoten und einem zweiten Spannungsleiter angeordnet ist, um über das resistive Element aufgeladen zu werden,
und daß der Anreicherungskondensator eine Kapazität hat,
welche mit steigender Temperatur abnimmt, so daß die RC-Zeitkonstante bei Temperaturveränderungen in wesentlichen
unverändert bleibt.
2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Anreicherungskondensator ein digitaler Kondensator ist.
3. Oszillator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
digitale Kondensator weiterhin eine Mehrzahl von digitalen Eingängen aufweist, welche derart mit dem digitalen Kondensator
verbunden sind, daß die Oszillatorfrequenz steuerbar ist.
4-. Temperaturkompensierter Oszillator, der eine eine Zeitkonstante
erzeugende Schaltung aufweist, welche einen ersten Widerstand hat, der zwischen einem ersten Spannungsversorgungsleiter und
einem ersten Knoten angeordnet ist, um dem ersten Knoten einen Strom mit einem negativen Temperaturkoeffizienten zuzuführen,
und wobei ein zweiter Widerstand zwischen einem zweiten Spannungsversorgungsleiter
und dem ersten Knoten angeordnet ist, um einen Strom mit einem negativen Temperaturkoeffizienten
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- -ίο -
von dem ersten Knoten abzuführen, dadurch gekennzeichnet,
daß ein HOS-Kondensator zwischen dem ersten Knoten und der Spannungsversorgungseinricntung angeordnet ist, um die
Ströme mit negativem Temperaturkoeffizienten dadurch zu
kompensieren, daß die Kapazität/eine Punktion der Temperatur angehoben wird.
5. Digital steuerbarer Oszillator mit einer eine Zeitkonstante
erzeugenden Schaltung, welche eine Impedanz aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein digitaler Anreicherungskondensator
an die Impedanzeinrichtung angeschlossen ist und wenigstens ein Steuereingang des Anreicherungskondensators,
un auf digitalem Weg die Zeitkonstante eines Signals zu steuern, welches durch die Schaltung zur Erzeugung einer
Zeitkonstante erzeugt wird, und zwar als !funktion eines Steuersignals, welches dem Steuereingang zugeführt wird.
6. 'Temperaturkompensierter KOS-Oszillator mit einem ersten
IiOS-Inverter, der einen Eingang hat, welcher mit einem
Ausgang eines dritten KOS-Inverters verbunden ist, während
einer zweiter M)S-Inverter vorhanden ist, der einen Eingang
hat, welcher mit einem Ausgang des ersten MOS-Inverters verbunden ist, und wobei der dritte HOS-Inverter einen Eingang
hat, der mit einem Ausgang des zweiten MOS-Inverters verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster, ein
zweiter und ein dritter Anreicherungskondensator zwischen einem Spannungsleiter und den Ausgängen der ersten, zweiten
bzw. dritten Stufe jeweils angeordnet ist.
7· KOS-Osζillator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Hehrzahl von digitalen Eingängen jeweils mit dem ersten, dem zweiten und dem dritten Kondensator verbunden sind, um
die Frequenz und die Wellenform des Oszillators zu steuern.
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8. Temperaturkompensierter MOS-Oszillator mit einem ersten
aktiven Bereich zur Bildung einer resistiven Impedanz, wobei der Widerstand dieser Impedanz umgekehrt proportional
zu der Ladungsbeweglichkeit in dem Bereich ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter aktiver Bereich vorgesehen
ist, um eine kapazitive Impedanz zu bilden, welcher ■betrieblich mit dem ersten aktiven Bereich verbunden ist,
daß der zweite aktive Bereich derart ausgebildet ist, daß er eine Kapazität liefert, welche der Ladungsbeweglichkeit
direkt proportional ist, so daß die Art der Temperaturveränderung der Beweglichkeit in dem ersten Bereich durch
diejenige des zweiten Bereiches kompensiert wird, wodurch eier MOS-Oszillator im wesentlichen temperaturunempfindlich
wird.
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Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/593,076 US3978431A (en) | 1975-07-03 | 1975-07-03 | Temperature compensated oscillator |
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Publication Number | Publication Date |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JPS528758A (de) |
DE (1) | DE2629468A1 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4519086A (en) * | 1982-06-16 | 1985-05-21 | Western Digital Corporation | MOS Phase lock loop synchronization circuit |
JPS59107226A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-21 | Citizen Watch Co Ltd | 温度検出器 |
US4536720A (en) * | 1983-11-14 | 1985-08-20 | International Business Machines Corporation | Programmable oscillator with power down feature and frequency adjustment |
JPS61115814A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-06-03 | 北陸紙工株式会社 | 帯封紙の重合端部接着用両面接着テ−プの貼付装置 |
US5072197A (en) * | 1991-01-03 | 1991-12-10 | Hewlett-Packard Company | Ring oscillator circuit having improved frequency stability with respect to temperature, supply voltage, and semiconductor process variations |
US5317287A (en) * | 1992-07-16 | 1994-05-31 | National Semiconductor Corporation | Low-gain, range programmable, temperature compensated voltage controlled ring oscillator |
FR2705833B1 (fr) * | 1993-05-28 | 1995-06-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit intégré du type à résistance, capacité et transistor, procédé de fabrication d'un tel circuit intégré et application à un oscillateur. |
US5764111A (en) * | 1997-02-18 | 1998-06-09 | Motorola Inc. | Voltage controlled ring oscillator frequency multiplier |
US6268778B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-07-31 | Silicon Wave, Inc. | Method and apparatus for fully integrating a voltage controlled oscillator on an integrated circuit |
US7173501B1 (en) | 2003-06-27 | 2007-02-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Dual slope temperature dependent oscillator |
EP3200347B1 (de) * | 2016-01-28 | 2019-11-13 | Nxp B.V. | Temperaturkompensierter oszillator |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3388340A (en) * | 1965-12-29 | 1968-06-11 | Avco Corp | Phase controlled ring oscillator comprising a plurality of active delay stages individually coupled to a control device |
US3416100A (en) * | 1967-04-07 | 1968-12-10 | Kruse Storke Electronics | Voltage tuned oscillator with resistive and capacitive tuning diodes |
US3708757A (en) * | 1971-07-07 | 1973-01-02 | Gen Instrument Corp | Oscillator loop including two double valued mosfet delay networks |
US3748499A (en) * | 1971-12-20 | 1973-07-24 | Teledyne Ryan Aeronautical | Voltage variable non-induction phase shifter with monolithic implementation |
US3757245A (en) * | 1972-06-02 | 1973-09-04 | Western Electric Co | Temperature compensated field effect transistor crystal oscillator |
JPS5011737A (de) * | 1973-06-04 | 1975-02-06 | ||
US3911466A (en) * | 1973-10-29 | 1975-10-07 | Motorola Inc | Digitally controllable enhanced capacitor |
-
1975
- 1975-07-03 US US05/593,076 patent/US3978431A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-06-30 DE DE19762629468 patent/DE2629468A1/de not_active Ceased
- 1976-07-02 JP JP51077955A patent/JPS528758A/ja active Pending
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US3978431A (en) | 1976-08-31 |
JPS528758A (en) | 1977-01-22 |
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Legal Events
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