DE1274738B - Integrierte Halbleiterschaltung zum Nachbilden einer Induktivitaet - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung zum Nachbilden einer Induktivitaet

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DE1274738B
DE1274738B DER39462A DER0039462A DE1274738B DE 1274738 B DE1274738 B DE 1274738B DE R39462 A DER39462 A DE R39462A DE R0039462 A DER0039462 A DE R0039462A DE 1274738 B DE1274738 B DE 1274738B
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Michael Ervin Sekely
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
HOIl
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer: 1274 738
Aktenzeichen: P 12 74 738.5-33 (R 39462)
Anmeldetag: 15. Dezember 1964
Auslegetag: 8. August 1968
Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung zum Nachbilden einer Induktivität mit einem aktiven Halbleiterelement, ζ. Β. einem Transistor, sowie mit einem .RC-Phasenschiebernetzwerk, das mit der Steuerelektrode des Halbleiterelements gekoppelt ist.
Bei vielen Schaltungsanordnungen, wie z. B. Oszillatoren oder frequenzselektiven Verstärkern, müssen im Abstimm- oder Frequenzwählerkreis Induktivitäten vorgesehen werden. Will man derartige Anordnungen als integrierte Schaltungen aufbauen, so ergibt sich das Problem, in welcher Form man die erforderlichen induktiven Schaltungskomponenten bereitstellen soll. Während es nämlich nach dem derzeitigen Stand der Technik ohne weiteres möglich ist, aktive Komponenten, wie Transistoren oder Dioden sowie ohmsche Widerstände und Kapazitäten, in äußerst winzigen Plättchen oder Stückchen aus Halbleitermaterial integriert auszubilden, lassen sich induktive Komponenten mit Hilfe der einschlägigen technologischen Verfahrensweisen nicht im gleichen Halbleiterplättchen herstellen. Darüber hinaus ist die Herstellung von Induktivitäten mit brauchbaren Werten in den gewünschten Miniaturgrößen mittels der derzeit bekannten Methoden sehr schwierig.
Es ist bekannt, ein spannungsgesteuertes RC-Phasenschiebernetzwerk für die Verwendung in einem Frequenzmodulator oder Phasenschieberoszillator mit integrierten Halbleiterbauelementen aufzubauen. Bei dieser bekannten Anordnung, die besonders für Fernmeßzwecke geeignet ist, besteht das phasenschiebende Netzwerk aus zwei steuerbaren ohmschen Widerständen in Form zweier Unipolartransistoren sowie aus zwei Kapazitäten, von denen die eine, da sie ziemlich hoch kapazitiv sein muß, zweckmäßigerweise als von der integrierten Schaltung getrenntes Bauelement ausgebildet ist. Das Phasenschiebernetzwerk ist an die Steuerelektrode eines weiteren Unipolartransistors, der als aktives Bauelement dient, angekoppelt. Wie ohne weiteres ersichtlich, ist die Anordnung ziemlich kompliziert, und sie kommt wegen der für den einen Kondensator erforderlichen hohen Kapazität in der Regel auch nicht ohne getrennte Schaltungskomponenten aus, d. h., sie läßt sich im allgemeinen nicht in vollintegrierter Form ausführen.
Die Erfindung hat es sich demgegenüber zur Aufgabe gemacht, eine einfache, einen induktiven Widerstand nachbildende Schaltungsanordnung zu schaffen, bei der als Phasenschiebernetzwerk lediglich ein ohmsches und ein kapazitives Element dienen, die in vollintegrierter Schaltungsweise zusammen mit dem
Integrierte Halbleiterschaltung zum Nachbilden
einer Induktivität
Anmelder:
Radio Corporation of America,
New York, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dr.-Ing. E. Sommerfeld, Patentanwalt,
8000 München 23, Dunantstr. 6
Als Erfinder benannt:
Michael Ervin Sekely, Belle Mead, N. J. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 17. Dezember 1963 (331271)
aktiven Bauelement auf oder in einem einzigen Block aus Halbleitermaterial ausgebildet werden können.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung vor, daß bei einer integrierten Halbleiterschaltung der eingangs genannten Art mit einem Eingangsklemmenpaar die Hauptelektroden des Halbleiterelements und die aus der steuerbaren ohmschen Komponente und der kapazitiven Komponente des Phasen-Schiebernetzwerkes bestehende Reihenschaltung verbunden sind und daß der Verbindungspunkt zwischen ohmscher Komponente und kapazitiver Komponente des Phasenschiebernetzwerkes mit der Steuerelektrode des aktiven Halbleiterelements verbunden ist. Will man den induktiven Widerstand der so gebildeten Induktivität steuerbar gestalten, so kann man mit der Steuerelektrode der ohmschen Komponente eine Regelspannungsquelle verbinden. Man kann aber auch die Steuerelektrode der ohmsehen Komponente mit dem Verbindungspunkt zwischen ohmscher Komponente und kapazitiver Komponente verbinden, in welchem Fall der induktive Widerstand fest, also nicht steuerbar ist. Besonders einfach wird die Anordnung, wenn man sowohl für das aktive Halbleiterelement als auch für die ohmsche Komponente des Phasenschiebernetzwerkes je einen Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode, und zwar für die ohmsche Komponente den zwischen den beiden Hauptelektroden des betreffenden Feldeffekttransistors liegenden Teil des Halbleiterkörpers der integrierten Schaltung verwendet, wobei die Ausgangselektroden der beiden FeId-
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effekttransistoren gemeinsam ausgebildet sein können. Verzichtet man auf die Steuerbarkeit des induktiven Widerstandes, so können in diesem Fall auch die Steuerelektroden der beiden Feldeffekttransistoren gemeinsam ausgebildet sein. Legt man dagegen an die getrennt ausgebildete Steuerelektrode des »ohmschen« Feldeffekttransistors eine entsprechende Regelspannung, so erhält man wiederum eine steuerbare Induktivität.
In den Zeichnungen zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung eines für die Schaltung nach der Erfindung geeigneten Feldeffekttransistors,
Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie 2-2 in
Fig. 3 das Schaltsymbol eines Feldeffekttransistors mit isolierter Steuerelektrode,
F i g. 4 ein Ausgangs-Strom-Spannungs-Diagramm für verschiedene Spannungen an der Steuerelektrode des Transistors nach F i g. 1,
F i g. 5 das Schaltschema einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6 das Schema einer anderen Ausführungsform des Phasenschiebernetzwerkes in F i g. 5,
F i g. 7 einen schematischen Grundriß der Halbleiterschaltung nach F i g. 5,
Fig. 8 einen Schnitt entlang der Linie 8-8 in F i g. 7 und
F i g. 9 einen schematischen Grandriß einer Halbleiterschaltung ähnlich der nach Fig. 7 mit dem Phasenschiebernetzwerk nach F i g. 6.
Der in den F i g. 1 bis 3 gezeigte Feldeffekttransistor besteht aus einem Halbleitermaterialblock 12. Der entweder einkristalline oder polykristalline Block 12 kann aus irgendeinem der für die Transistorherstellung verwendeten Halbleitermaterialien gefertigt sein. Beispielsweise kann man den Block 12 aus nahezu eigenleitendem Silizium, z. B. aus schwach dotiertem p-Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 100 Ohm · cm, herstellen.
Bei der Herstellung des Bauelementes geht man so vor, daß man zunächst stark dotiertes Siliziumdioxyd auf die Oberfläche des Siliziumblockes 12 aufbringt. Das Siliziumdioxyd ist mit Störstellenmaterial vom η-Typ dotiert. Mit Hilfe eines photolithographischen Verfahrens oder einer anderen geeigneten Verfahrensweise wird sodann das Siliziumdioxyd in dem Bereich, wo die Steuerelektrode gebildet werden soll, sowie ringsum an den Außenrändern des Siliziumplättchens entfernt. Auf den Flächenbereichen, wo die Zonen der Hauptelektroden gebildet werden sollen, bleibt die aufgebrachte Siliziumdioxydschicht unberührt.
Anschließend wird der Block 12 in einer geeigneten Atmosphäre, beispielsweise in Wasserdampf, erhitzt, so daß die frei liegenden Siliziumbereiche unter Bildung aufgewachsener Siliziumdioxydschichten oxydieren, wie durch die hellpunktierten Flächenbereiche in Fig. 1 angedeutet. Während dieses Erhitzungsvorganges diffundiert das Störstellenmaterial aus der aufgebrachten Siliziumdioxydschicht unter Bildung der Zonen der Hauptelektroden in den Siliziumblock 12. In Fig. 2 sind die Zonen der Hauptelektroden mit S bzw. D bezeichnet.
Mit Hilfe eines weiteren photolithographischen Verfahrensschrittes wird sodann die aufgebrachte Siliziumdioxydschicht über einem Teil der eindiffundierten Zonen der Hauptelektroden entfernt. Durch Aufdampfen eines Leitermaterials mit Hilfe einer Aufdampfmaske werden Elektroden für die Stromeingangs-, die Stromausgangs- und die Steuerzone gebildet. Als Leitermaterial kann man z. B. Chrom und Gold in der genannten Reihenfolge oder auch andere geeignete Metalle verwenden.
Das fertige Plättchen ist in F i g. 1 gezeigt, wobei der hellpunktierte Bereich zwischen der Außenumgrenzung und der ersten dunklen Zone 14 aufgewachsenes Siliziumdioxyd ist. Der weiße Bereich 16 ist die der Stromeingangselektrode entsprechende metallische Elektrode. Die dunklen oder stärker punktierten Zonen 14 und 18 sind Schichten aus aufgebrachtem Siliziumdioxyd, die einen Teil der eindiffundierten Stromeingangszone überlagern. Die dunkle Zone 20 ist ebenfalls eine Schicht aus aufgebrachtem Siliziumdioxyd, die einen Teil der eindiffundierten Stromausgangszone überlagert. Die weißen Bereiche 22 und 24 sind die der Steuerelektrode bzw. der Stromausgangselektrode entsprechenden metallischen Elektroden. Der punktierte Bereich 28 ist eine Schicht aus aufgewachsenem Siliziumdioxyd, die teilweise von der Steuerelektrode 22 überlagert wird und diese vom Siliziumblock 12 sowie von den Hauptelektroden isoliert, wie in F i g. 2 gezeigt.
Das Siliziumplättchen wird auf einer leitenden Unterlage oder einem Systemträger 26 montiert, wie in F i g. 2 gezeigt. Die Schicht aus aufgewachsenem Siliziumdioxyd 28, auf der die Steuerelektrode 22 angebracht ist, überlagert eine Inversionsschicht oder einen stromführenden Kanal C, der die beiden Hauptelektroden miteinander verbindet. Gewünschtenfalls kann die Steuerelektrode sich mit der Schicht 18 aus aufgebrachtem Siliziumdioxyd überlappen.
F i g. 3 zeigt das Schaltsymbol des Feldeffektransistors mit isolierter Steuerelektrode nach Fig. 1 und 2. Man sieht die verschiedenen Elektroden, und zwar die Steuerelektrode G, die-Stromausgangselektrode D, die Stromeingangselektrode S sowie die dem Halbleiterblock entsprechende Blockelektrode Su. Zu beachten ist, daß die Elektroden D und S je nach der Polarität der zwischen ihnen angelegten Vorspannung entweder als Stromeingang oder als Stromausgang arbeiten. Das heißt, diejenige der beiden Elektroden, die gegenüber der anderen positiv vorgespannt ist, arbeitet jeweils als Stromausgang, während die jeweils andere Elektrode als Stromeingang arbeitet.
Die beiden Hauptelektroden sind durch den stromführenden Kanal C untereinander verbunden. Die Majoritätsstromträger (im vorliegenden Fall Elektronen) fließen in dieser dünnen Kanalzone dicht an der Oberfläche von der Eingangselektrode zur Ausgangselektrode. Der stromführende Kanal C ist in F i g. 2 durch die gestrichelten Linien angedeutet.
Im Diagramm nach F i g. 4 zeigt die Kurvenschar 30 bis 39 die Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinien des Transistors nach F i g. 1 für verschiedene Werte der Steuerelektrodenspannung. Ein Merkmal des Feldeffekttransistors mit isolierter Steuerelektrode besteht darin, daß die Nullvorspannungskennlinie so gewählt werden kann, daß sie einer beliebigen der Kurven 30 bis 39 entspricht. In F i g. 4 entspricht die Kurve 37 der Nullvorspannungskennlinie, d. h. der Kennlinie für die Spannung Null zwischen Steuerelektrode und Stromeingangselektrode. Die Kurven 38 und 39 entsprechen positiven, die Kurven 30 bis
36 negativen Spannungen zwischen den besagten Elektroden.
Die Bestimmung der Lage der Nullvorspannungskennlinie nach Wahl erfolgt während der Herstellung des Transistors, und zwar z. B. durch entsprechendes Kontrollieren der Dotierung des Kanals C und der Zeitdauer und/oder der Temperatur des Verfahrensschrittes des Aufwachsens der Siliziiimdioxydschicht 28 (Fig. 1 und 2).
Der Transistor nach F i g. 1 ist ein Transistor vom Verarmungstyp und hat eine dem Kanal C in F i g. 2 entsprechende Inversionsschicht. Eine andere Ausführung, der Transistor vom Anreicherungstyp, hat eine der Strom-Spannungs-Charakteristik nach F i g. 4 ähnliche Ausgangs-Strom-Spannungs-Charakteristik, wobei jedoch die Null Vorspannungskennlinie der Kurve 30 in F i g. 4 entspricht. Die Oberfläche eines p-leitenden Siliziumplättchens, wie im Zusammenhang mit F i g. 1 beschrieben, hat die Neigung, bei der normalen Behandlung im Zuge der Herstellung des Transistors η-leitend zu werden. Um einen Transistor vom Anreicherungstyp zu erhalten, muß man dafür sorgen, daß nach der Fertigstellung des Transistors die endgültige Oberfläche p-leitend bleibt. Dies kann z. B. dadurch erreicht werden, daß man in die Kanaloberfläche des p-leitenden Siliziumplättchens eine dünne Schicht aus Bor eindiffundiert. Das Bor wird später durch Diffusion in das Plättchen teilweise wieder entfernt und durch Absorption in eine Oxydschicht an der Oberfläche übergeleitet; jedoch bleibt nach der Fertigstellung des Transistors immer noch so viel Bor übrig, daß die Oberfläche p-leitend bleibt.
F i g. 5 zeigt eine Halbleiterschaltung nach der Erfindung. Zwischen die Eingangsklemmen α und b ist eine Wechselstromquelle 40 gekoppelt. Die Eingangsklemme b liegt an einem Punkt festen Bezugspotentials, hier gezeigt als Masse. Ein Feldeffekttransistor 50 von der in F i g. 1 und 2 gezeigten Art mit Ausgangselektrode 54, Eingangselektrode 56 und Steuerelektrode 58 ist zwischen die Eingangsklemmen α und b so geschaltet, daß sein Stromweg 55 über die Wechselstromquelle 40 gekoppelt ist.
Ein weiterer, dem Transistor 50 ähnlicher Feldeffekttransistor 52 hat seine Ausgangselektrode 60, Eingangselektrode 62 und Steuerelektrode 64 auf dem Halbleiterblock 65 ausgebildet, der zugleich auch den Block des ersten Feldeffekttransistors 50 bildet. Der Stromweg 67 des Transistors 52 (mit dem Widerstand R) liegt in Reihe mit einem Kondensator
66 und bildet zusammen mit diesem ein Phasenschiebernetzwerk 69. Die Reihenschaltung 69 liegt auch zwischen den beiden Eingangsklemmen α und b. Die Steuerelektroden 58 und 64 der beiden Feldeffekttransistoren 50 bzw. 52 sind jeweils an den Verbindungspunkt des Kondensators 66 mit dem Stromweg 67 angeschlossen. Während nach dem Schaltbild der für das Phasenschiebernetzwerk 69 benötigte ohmsche Widerstand R durch den Stromweg
67 gebildet wird, kann man den erforderlichen Widerstand R auch auf andere Weise bereitstellen, beispielsweise in Form einer eindiffundierten η-Zone, die vom übrigen Teil der Schaltung entsprechend isoliert ist, oder in Form eines auf das Siliziumdioxyd aufgedampften Widerstandes. Die Verwendung eines Feldeffekttransistors mit isolierter Steuerelektrode im Phasenschiebernetzwerk bietet jedoch den Vorteil, daß ein größerer dynamischer Widerstandsbereich erhalten wird und das Herstellungsverfahren sich sehr vereinfacht, da der Widerstand und das aktive Bauelement gleichzeitig hergestellt werden können.
Während beide Transistoren 50 und 52, wie oben erwähnt, vom Verarmungstyp sein können, kann man für den Transistor 52 auch den Anreicherungstyp wählen, wodurch die Arbeitsweise der Schaltung wegen des diesem Transistortyp eigenen größeren Widerstandes sich verbessert. Der Transistor 50 sollte jedoch wegen der dem Transistor vom Verarmungstyp eigenen höheren Transkonduktanz (Leitwert des Stromweges zwischen Eingang und Ausgang) und des daraus sich ergebenden höheren Verstärkungsgrades vom Verarmungstyp sein.
Im Betrieb der Anordnung wird eine Signalspannung V1 an den Stromweg 55 zwischen den Hauptelektroden des Transistors 50 sowie an das Phasenschiebernetzwerk 69 gelegt. Der Widerstandswert R des Stromweges 67 zwischen den Hauptelektroden des Feldeffekttransistors 52 entspricht dessen Nullvorspannungskennlinie, so daß die am Kondensator 66 auftretende Spannung V2 gegenüber der Eingangssignalspannung V1 phasenverschoben ist. Die am Kondensator 66 entwickelte Spannung V2 gelangt zur Steuerelektrode 58 des Transistors 50. Die Spannung v2 moduliert den Widerstand des Stromweges 55 zwischen den Hauptelektroden. Da die Spannung v2 außer Phase mit der Signalspannung V1 ist, bewirkt der die Strecke 55 durchfließende Strom (der im wesentlichen in Phase mit V2 ist), daß der Nettostromfluß aus der Signalquelle 40 gegenüber der Eingangssignalspannung V1 um einen Winkel, der annähernd 90° betragen kann, phasenverschoben ist. Der Strom aus der Signalquelle 40 eilt der Signalspannung V1 nach, so daß die Schaltungsanordnung mit den beiden Transistoren 50 und 52 sich ähnlich wie eine Induktivität verhält.
Während in F i g. 5 als aktive Bauelemente Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode dienen, kann man statt dessen auch andere Arten von Halbleiter-Bauelementen, beispielsweise Bipolartransistoren, verwenden. Allerdings ist für die Zwecke der vorliegenden Schaltungsanordnung der verhältnismäßig kleine Eingangswiderstand der üblichen bipolaren Transistoren unerwünscht.
Fig. 6 zeigt eine andere Ausführungsform des Phasenschiebernetzwerkes 69 der Anordnung nach F i g. 5. Für die in F i g. 5 bereits vorhandenen Schaltungselemente sind in F i g. 6 Bezugsnummern mit Strichindizes verwendet. Das Phasenschiebernetzwerk 69' enthält einen dem Transistor 52 in F i g. 5 entsprechenden Transistor 52'. Jedoch ist die Steuerelektrode 64' des Transistors 52' mit einer veränderlichen Steuerspannungsquelle 70, beispielsweise einer Batterie oder einer anderen geeigneten Spannungsquelle, verbunden. Die Steuerspannungsquelle ist dabei an eine Klemme/ angeschlossen und liegt zwischen der Steuerelektrode 64' und Masse.
Die Klemme / kann ein äußerer Anschluß der Schaltung sein oder aber, wenn die Steuerspannung z. B. einem weiteren, im gleichen Halbleiterplättchen ausgebildeten Transistor entnommen wird, kann die Verbindung zwischen der Steuerspannungsquelle 70 und der Steuerelektrode 64' in der Anordnung selbst ausgebildet sein. Die Klemmen d, b' und g' entsprechen den Klemmen a, b bzw. g in F i g. 5, wo die Klemme g den Verbindungspunkt der Stromeingangs-
elektrode 62 des Transistors 52 und der Steuerelektrode 58 des Transistors 50 darstellt.
Die an die Steuerelektrode 64' des Transistors 52' gelegte Steuerspannung bestimmt bzw. steuert den Widerstand des Kanals 67' entsprechend dem Diagramm nach F i g. 4. Der Induktivitätswert der Schaltung ist eine direkte Funktion des Wertes des ohmschen Widerstandes der Strecke 67' zwischen den
Hauptelektroden (L ^
C ??
, wobei C die Kapazität
des Kondensators 66', gm die Transkonduktanz des Transistors 50 und R der ohmsche Widerstand der Strecke 67' ist). Durch Verändern der Spannung an der Steuerelektrode 64' und somit des Widerstandes R erhält man auf diese Weise eine veränderliehe oder steuerbare elektronische Induktivität.
Fig. 7 zeigt schematisch die konstruktive Ausbildung der Ausführungsform der Erfindung nach F i g. 5 für den Fall, daß diese als integrierte Schaltung auf einem Plättchen aus Halbleitermaterial, hier als »Block« bezeichnet, ausgebildet ist.
In Fig. 7 entsprechen die Klemmen a" und b" den Klemmen α bzw. b in F i g. 5. Die Elektrode 56" entspricht der Stromeingangselektrode 56 des Transistors 50, und die Elektrode 58" entspricht der Steuerelektrode 58 des Transistors 50. Die Elektrode 54" entspricht den beiden Stromausgangselektroden 54 und 60 der Transistoren 50 bzw. 52. Die Elektrode 56" entspricht der Stromeingangselektrode 62, und die Elektrode 64" entspricht der Steuerelektrode 64 des Feldeffekttransistors 52. Die Elektroden 58" und 62" sind durch eine äußere metallische Verbindung c" zusammengeschaltet.
F i g. 8 zeigt einen Schnitt entlang der Linie 8-8 in Fig.7. Der Halbleiterblock80 kann aus nahezu eigenleitendem Silizium, beispielsweise schwach dotiertem p-Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 100 Ohm · cm, bestehen. Auf die Oberfläche des Blockes 80 ist stark dotiertes Siliziumdioxyd aufgebracht. Das Siliziumdioxyd ist mit Dotierungsmaterial vom η-Typ versehen. Für die Herstellung der integrierten Schaltung nach Fig. 7 und 8 kann man sich des im Zusammenhang mit F i g. 1 beschriebenen Herstellungsverfahrens oder irgendeiner anderen geeigneten Verfahrensweise bedienen.
Wie man aus Fig. 7 sieht, können jedoch die Steuerelektrode 64" und die Stromeingangselektrode 62" während des im Zusammenhang mit Fig. 1 beschriebenen Aufdampfschrittes untereinander verbunden, d. h. zusammengeschaltet werden. Wenn die Stromausgangselektrode 54" und folglich die Stromausgangszone beiden Transistoren 50 und 52 (F i g. 5) gemeinsam ist, braucht man nur eine Klemme a", um die Eingangssignale beiden Transistoren zuzuleiten. Der Stromweg d" (Fig. 8) kann so angelegt werden, daß er p-leitend bleibt und man dadurch einen Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode vom Anreicherungstyp (mit hohem Kanalwiderstand) erhält, indem man beim Herstellungsverfahren einen entsprechenden Extraschritt vorsieht, wie im Zusammenhang mit F i g. 4 beschrieben. Der Stromweg d" liefert somit den erforderlichen hohen Widerstand für das Phasenschiebernetzwerk 69 (Fig. 5). Der Stromweg e" ist eine Inversionsschicht, welche die für die gewünschte Arbeitsweise der Schaltung erforderliche Charakteristik mit hoher Transkonduktanz (gm) liefert. Die dem Kondensator 66 in F i g. 5 entsprechende Kapazität wird durch die Kapazität zwischen den Elektroden 58" und 56" gebildet, die als Kondensatorbeläge wirken und durch die zwischen ihnen befindliche Siliziumdioxydschicht entsprechend voneinander isoliert sind.
F i g. 9 zeigt eine der Anordnung nach F i g. 7 ähnliche integrierte Schaltung, jedoch unter Verwendung des Phasenschiebernetzwerkes nach F i g. 6 für die Erzeugung einer veränderlichen elektronischen Induktivität. Zwischen den Anordnungen nach Fig. 7 und 9 bestehen folgende Unterschiede: Erstens besteht die äußere Verbindung c" in der Schaltung nach F i g. 9 direkt zwischen der Steuerelektrode 58" und der Stromeingangselektrode 62", wobei die Steuerelektrode 64" nicht mit der Stromeingangselektrode 62" verbunden ist; zweitens hat die Steuerelektrode 64" einen äußeren Anschluß/" zum Anlegen einer Steuerspannung für die Steuerung der Induktivität der Schaltung, wie im Zusammenhang mit Fig. 6 erklärt.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Integrierte Halbleiterschaltung zum Nachbilden einer Induktivität mit einem aktiven Halbleiterelement, z. B. einem Transistor, sowie mit einem i?C-Phasenschiebernetzwerk, das mit der Steuerelektrode des Halbleiterelements gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß mit einem Eingangsklemmenpaar (a, b) die Hauptelektroden (54, 56) des Halbleiterelements (50) und die aus der steuerbaren ohmschen Komponente (52, 52') und der kapazitiven Komponente (66, 66') des Phasenschiebernetzwerkes (69, 69') bestehende Reihenschaltung verbunden sind und daß der Verbindungspunkt (g) zwischen ohmscher Komponente und kapazitiver Komponente des Phasenschiebernetzwerkes mit der Steuerelektrode (58) des aktiven Halbleiterelements verbunden ist.
2. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Steuerelektrode (64') der ohmschen Komponente (52') eine Regelspannungsquelle (70) verbunden ist (Fig. 6).
3. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbindungspunkt (g) zwischen ohmscher Komponente (52) und kapazitiver Komponente (66) mit der Steuerelektrode (64) der ohmschen Komponente verbunden ist.
4. Integrierte Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das aktive Halbleiterelement aus einem Feldeffekttransistor (50) mit isolierter Steuerelektrode besteht und daß die ohmsche Komponente des Phasenschiebernetzwerkes durch den zwischen den beiden Hauptelektroden eines weiteren ebenfalls eine isolierte Steuerelektrode aufweisenden Feldeffekttransistors (52) liegenden Teil des Halbleiterkörpers der integrierten Schaltung gebildet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift Nr. 3 070 762.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 589/372 7.68 © Bundesdruckerei^Berliti
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