DE1764633A1 - Thyristor - Google Patents

Thyristor

Info

Publication number
DE1764633A1
DE1764633A1 DE19681764633 DE1764633A DE1764633A1 DE 1764633 A1 DE1764633 A1 DE 1764633A1 DE 19681764633 DE19681764633 DE 19681764633 DE 1764633 A DE1764633 A DE 1764633A DE 1764633 A1 DE1764633 A1 DE 1764633A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plate
control electrode
base
furnace
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19681764633
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Stacey Michael Albert
Bertioli Michael Murray
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZF International UK Ltd
Original Assignee
Lucas Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lucas Industries Ltd filed Critical Lucas Industries Ltd
Publication of DE1764633A1 publication Critical patent/DE1764633A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/24—
    • H10P14/2905—
    • H10P14/3411—
    • H10P14/3442—
    • H10P14/3444—

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Thyristors (AREA)
DE19681764633 1967-07-10 1968-07-09 Thyristor Pending DE1764633A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB31629/67A GB1222087A (en) 1967-07-10 1967-07-10 Thyristors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1764633A1 true DE1764633A1 (de) 1972-02-17

Family

ID=10326033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19681764633 Pending DE1764633A1 (de) 1967-07-10 1968-07-09 Thyristor

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE1764633A1 (enExample)
FR (1) FR1592551A (enExample)
GB (1) GB1222087A (enExample)
NL (1) NL6809770A (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3701696A (en) * 1969-08-20 1972-10-31 Gen Electric Process for simultaneously gettering,passivating and locating a junction within a silicon crystal
BE759754A (fr) * 1969-12-02 1971-05-17 Licentia Gmbh Thyristor avec emetteur court-circuite a l'une des faces principales aumoins du disque de thyristor et procede de production du thyristor

Also Published As

Publication number Publication date
FR1592551A (enExample) 1970-05-19
GB1222087A (en) 1971-02-10
NL6809770A (enExample) 1969-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1764464C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines lateralen Transistors
DE1260029B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen auf einem Halbleitereinkristallgrundplaettchen
EP0001574B1 (de) Halbleiteranordnung für Widerstandsstrukturen in hochintegrierten Schaltkreisen und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung
DE1298189B (de) Verfahren zum Herstellen von isolierten Bereichen in einer integrierten Halbleiter-Schaltung
DE2932043A1 (de) Feldgesteuerter thyristor und verfahren zu seiner herstellung
DE1564191B2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen
DE1589687C3 (de) Festkörperschaltung mit isolierten Feldeffekttransistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1087704B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem p-n-UEbergang
DE2704647A1 (de) Widerstand mit gesteuert einstellbarer groesse
DE1414538A1 (de) Unterschiedliche Leitfaehigkeitszonen aufweisende Halbleiteranordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1958542A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE3022122C2 (enExample)
DE2517252A1 (de) Halbleiterelement
DE2904480B2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrem Herstellen
DE3039009C2 (de) Sperrschicht-Feldeffekttransistor
DE1764633A1 (de) Thyristor
DE2607194C2 (de) Halbleiteranordnung
DE2219696B2 (de) Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Halbleiteranordnung
DE2527076A1 (de) Integriertes schaltungsbauteil
DE2537327A1 (de) Halbleiterbauelement mit einem pn- uebergang gleichfoermiger stromdichteverteilung und verfahren zum herstellen eines solchen halbleiterbauelements
DE1769271C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Festkörperschaltung
DE1614877C3 (enExample)
DE1071844B (enExample)
DE1285625B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE2321186B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Silicium- oder Siliciumcarbid-Rohres