DE1071844B - - Google Patents

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DE1071844B DENDAT1071844D DE1071844DA DE1071844B DE 1071844 B DE1071844 B DE 1071844B DE NDAT1071844 D DENDAT1071844 D DE NDAT1071844D DE 1071844D A DE1071844D A DE 1071844DA DE 1071844 B DE1071844 B DE 1071844B
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1126514B (de) * 1960-01-29 1962-03-29 Intermetall Verfahren zur Herstellung von Zenerdioden mit einem Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps
DE1141723B (de) * 1960-06-10 1962-12-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem n-leitenden Siliziumkristall, insbesondere eines Flaechentransistors vom pnp-Typ
DE1194065B (de) * 1959-11-10 1965-06-03 Westinghouse Electric Corp Halbleiterbauelement mit teilweise fallender Charakteristik und Betriebsschaltung

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1194065B (de) * 1959-11-10 1965-06-03 Westinghouse Electric Corp Halbleiterbauelement mit teilweise fallender Charakteristik und Betriebsschaltung
DE1126514B (de) * 1960-01-29 1962-03-29 Intermetall Verfahren zur Herstellung von Zenerdioden mit einem Halbleiterkoerper eines Leitfaehigkeitstyps
DE1141723B (de) * 1960-06-10 1962-12-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem n-leitenden Siliziumkristall, insbesondere eines Flaechentransistors vom pnp-Typ

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