DE1736203U - Elektrischer kondensator. - Google Patents
Elektrischer kondensator.Info
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Description
International Standard Electric Corporation^ liew Tork
Elektrischer Kondensator
Pie Heuerung "bedient Sien auf einen. Kondensator, der ein Metall
wie EUairtal» 3Pita33. oder Aluminium enthält, das sich "bei
anodischer Oxydation mit eikem Oxydfilm überzieht» Dieser Oxydfilm
ist entweder ein eigenleitender Halbleiter oder ein Halbleiter vom n-Syp. line weitere Halbleiterschieht befindet sich
auf der Oberfläche des zuerst genannten Halbleiters. Man erhält
so einen trockenen Kondensator von gexlng;®? G-rösse und grosser
Kapazität mit ausgezeichneter !Temperaturbeständigkeit.
Bei den bekannten Elektrolytkondensator en v/ird nach der Oxydationsbehandlung des Tentilmetalls wie iCantal, Titan oder Aluminium
dieses zusammen mit einem mit dem Elektrolyten getränkten
Papier aufgewickelt und bildet beim Anlegen eines elektrischen Feldes die Anode, während der Elektrolyt die Kathode
bildet·
Obwohl dieser bekannte Typ des elektrolytischen Kondensators
die Torteile einer grossen Kapazität mit geringer (Jrögjse vereinigt,
zeigt er doch ißaehteile im Betrieb bei extrem hohen
oder niedrigen Temperaturen als Folge der Verwendung des Elektrolyten,
lach längeren Betriebspausen sind die üigensehaften
des Kondensators schlechter und infolge der geringen
lichkeit ist der Kondensator fre^uenzabhängig*
«· 2 ·■
ISE/fieg. 1905
Diese lachteile werden durch die feuerung vermieden·
Der Kondensator gemäss der !feuerung enthält ebenfalls ein Ventilmetall
wie Santal» Titan oder Aluminium, das in der lage
ist, bei anodisch©? Oxydation β sich mit einem Öxydfila zu überziehen.
Auf diesem Oxydfilm befindet sich eine dünne Halbleiters oiiioht vom p-fyp, die in der lage ist, in der Oberflächenschicht
der Oxydschicht p-Leitfähigkeit au erzeugen. Auf der
Halbleiterschicht vom p-Iyp befindet sich gegebenenfalls eine v/eitere Schicht guter elektrischer leitfähigkeit, die aus irgend
einem der zuvor genannten Metalle wie Santal, litan oder
Aluminium bestehen kann oder aus einem anderen Metall und die Kathode bildet.
Der Aufbau eines Kondensators gemäss der !Teuerung ist in Mg.1
im Schnitt dargestellt. Mit 1 ist eine Platte aus Ventilmetall* beispielsweise eine l'antalplatte, bezeichnet f auf der sich dünne
Schichten 2 und 3 von lantaloxyd befinden, die durch anodisch©
Oxydation der Plattenoberfläche erzeugt sind. Das gebildete !Dantaloxyd besteht aus einer Schicht 2 vom n-iDyp und der
eigenleitenden Halbleiterschicht 3. Da die Kapazität eines elektrolyt is ohen Kondensators der lormiersp&nnung umgekehrt
proportional ist, während durch Inderung der Betriebsspannung
sich die Kapazität kaum verändert, soll die Tantaloxydsehicht
vom n-5?yp sehr dtinn und nur auf die unmittelbare Nachbarschaft
der metallischen !üantalplatte beschränkt sein. Daran schliesst
©ich die eigenleitende Halbleitersehicht aus üDantaloxyd,deren
Dicke der Pormierspannung entsprichtl
schliesslich noch eine lantaloxydschicht vom p-3)yp auf
der Oberfläche der Santaloxydschieht 3» die einen eigenleitenden
Halbleiter darstellt, vorhanden ist, so liegt ein Gleichrichter vor* der aus einer p*leitenden, einer eigenleitenden unt
- 3 ISB/Iieg.
1905
einer η-leitenden Halbleiterschient Gesteht. Beim Anlogen
einer Spanntmg in Verrichtung entstellt ein Spannungsabfall in
dem eigenleitenden Halbleitergebiet. Die Kapazität des £leichriohters
weist daher einen Wert auf, der hauptsächlich durch
die Dicke, KLtiehe und Dielektrisitätekonstante des eigenleitenden
Halbleitera bestirnt ist. Bei den bekannten elektrolytisehen
Kondensatoren werden die Ionen des Elektrolyten durch die Oberfläche des Halbleiters absorbiert, wodurch eine dünne
g-Schicht entsteht» Ss wurde jedoch gefunden, dass die dünne
p-Schicht vorteilhafter auf" andere Weise erzeugt werden kann,
durch die Ionendes Elektrolyten.
In Iig.1 bezeichnet 5 beispielsweise eine aufgedampfte Schicht
von reinem öermsniuia,. das die Halbleitersehieht vom p-2yp
erzeugt. In der p-Sehicht ist eine trosse Ansah! von Defektelektronen
vorhanden* von denen ein Seil gegen die Oberfläche
der !Cantalozydschicht 3 diffundiert, die aus eigenleitendem
Halbleiter besteht· Die Elektronen im eigenleitenden Halbleiter
3 diffundieren ßBßen die p-Sermaniumoehicht und rekombinieren
mit den Defektelektronen, d.h. öit den positiven üadungsträgern
in p«*Germa,nium auf Kosten einer kurzen lebensdauer
der negativen lä&dun-iSträger (in diesem Falle Elektronen) in der
aufgedampften p-öeriaaniumsohicht* So wird ein Oberflächenaustand
vom p-iyp in der Oberflache des eigenleitenden Halbleiters
3 erzeugt, wem der Halbleiter 5 vom p-ÜDyp Bit der Oberfläche
der eigenleitenden Hslbleiterschicht 3 in Kontakt steht. Die
Bildung der oberflächlichen p-Sehicht ist durch die Schichten
in Hg. 1 angedeutet*
Wenn die aufgedampfte öermaniumöchieht, wie in öie0em Beispiel,
aus einem Halbleiter vom p-£yp besteht» hat diese Schicht einen
sehr grosssen elektrischen Widerstand» Diese Erscheinung macht
- 4 1905
es wünschensTirert» die Oberfläche der aufgedampften Schicht 5
mit einer dünnen Schicht 6 yon geringem elektrischen Widerstand zu "bedecken· Dann besteht der Kondensator aus einem
Schichtgleichrichter rom !Cyp p-i-n» wobei i die eigenleitende»
Halbleiterschioht bedeutet. Die genannte gutleitende Schicht
bil&ot die eise SXöMcfcrode und das !Tantal die andere«
3?ig· 2 ssoigt die Gfleichrichterlcennlinie eines solchen Sonden«
sators. Die positiven und negativen Torseichen der Spannung
entsprechen der !Polung der dünnen metallischen Elektrode. Der
Strom in gperrichtung beträgt weniger als 0,1 Mikroampere, Die
(xleiehriehterkennlinie, insbesondere der Strom in Durchlaßrichtung,
wird hauptsächlich durch die Spannung bei der anodischen Oxydation, bestimmt, d.h. durch die Diefce der eigenleitenden
Ealble it er s chi cht·
Im folgenden soll ein spezielles Au,sftahrungsbeispiel eines
Kondensators gemäss der1 !Neuerung beschrieben werden.
Sine 3?anta,lfolie von 33 x 75 mm mit einer Dicke 0,014 mm wird
gründlich gewaschen und in eine ?/ässrige 7$ige Lösung von
Amaoniumlcarbonat eingetaucht* Hierauf wird eine Spannung angelegt,
so dass eine anodische Oxydation stattfindet, wobei die
Stromdichte 4 Milliampere pro cm beträgt. Die Spannung wird
langsam, bis auf 10 V gesteigert. STachdem die formierung beendet
ist, was ungefähr eine Stunde dauert, wird die Polie aus
dem Bad herausgenommen» gründlich gewaschen und getrocknet»
Auf der Oberfläche wird reinstes Germanium (reiner als 99>999$)
durch Aufdampfen im Vakuum bei 10"^mm Hg niedergeschlagen und
darauf durch Aufdampfen eine Aluminiumschioht erzeugt· Bei
einer Messung,, bei &eä? die lantalfolie die Anode und die Aluminiums
chi cht die Kathode bildet, ergibt sich, dass der Reststrom "bei 7 V unter 0,1 Mikrofarad beträgt. Die Kapazität ist
1905
ungefähr dieselbe wie "bei. einem elektrolytischen Kondensator,
der durch Yerwöndung einer gleichen Ss&talplatte hergestellt
ist· Die Durchsehla$espannung des Kondensators liegt ungefähr
zwischen 9 und 10 T, was ungefähr der Spannung bei der anodi—
sehen Oxydation entspricht*
Wie axt® dem oben beschriebenen Beispiel entnommen v/erden
hat der Kondensator gemäss der iTeueruns nicht nur die Torteilö
dop kskaimieK. oleirfcrol3rtischen Kondensators, sondeim kann
ausse-rdsm Dei extrem hohen und niedrigen fDemperaturen Terwendet
werden, da er keinen llektrolyten enthält, Weiterhin zeigt
er keine frecpens&hwedohungen und Tersclileehterungen» woiax er
!Enger abge gehalt ο t war, was beides bei Tenärendung eines
Elektrolyten der fall ist*
Anlagen?
5 Sohutsanspriiche
Claims (1)
- «LJ.a3.905Sehutaanspriiche s1») Blelrtriseher Kondensator mit einer Sls&trocle aus f Umbildendem Ventilmetall wie Stent al, Jitan oder Aluminium» die mit einer O&y&achicht überzogen ist, auf der sich eine Halb· Isiteraohioht Tbefindet, dadurch, gekennseiolmet, dass sich. auf dor Qxj&seMont eine HalbleiterscMciit vom p-3)yp befindet, die Qi&e oijopfläohliolie p-ScMoiit la der Ozydsoiiiclxt W Mldot*2·) Slektrisohea* Kondensator nach. Anisprucli 1, dadurch, golcenn-» dass die Haltleiterschiclit aus {xerißaniuia vom "besteht·3·) Bleictrischer Kondensator nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht durch Aufdampfen im T&fcuum aufgebracht ist*4.) llolttriseher Kondensator nach Ansprueii 1 ia'is 3f dadurch gelEennisoiohnet, dass die Halbleit©1*8cMeht von einer Schicht grösser&r Leitfähigkeit bedeckt ist«3·) Elektrischer Kondensator nach Anspruch 4» dadurch ^QiClHiQt, äass diö Schicht grösseror Leitfülhigkeit aus einom Ventilaotall wie Aluminium besteht.(Dr.Bo.)Fr,/Ha, - 25.4*56
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---|---|---|---|
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DE1956I0005018 Expired DE1736203U (de) | 1955-05-07 | 1956-05-02 | Elektrischer kondensator. |
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Country | Link |
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DE (1) | DE1736203U (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1110310B (de) * | 1958-12-09 | 1961-07-06 | Int Standard Electric Corp | Elektrischer Kondensator, bei dem die eine Belegung aus einer Folie aus Ventilmetall besteht |
DE1126033B (de) * | 1959-04-30 | 1962-03-22 | Degussa | Verfahren zur Herstellung einer Elektrode aus Titan fuer elektrolytische Kondensatoren |
DE1133469B (de) * | 1959-05-30 | 1962-07-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Elektrischer Kondensator mit Metalloxyd-Dielektrikum und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1152194B (de) * | 1958-12-09 | 1963-08-01 | Int Standard Electric Corp | Elektrischer Metalloxyd-Kondensator |
DE1300179B (de) * | 1966-04-25 | 1969-07-31 | Csf | Halbleiteranordnung |
-
1956
- 1956-05-02 DE DE1956I0005018 patent/DE1736203U/de not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1110310B (de) * | 1958-12-09 | 1961-07-06 | Int Standard Electric Corp | Elektrischer Kondensator, bei dem die eine Belegung aus einer Folie aus Ventilmetall besteht |
DE1152194B (de) * | 1958-12-09 | 1963-08-01 | Int Standard Electric Corp | Elektrischer Metalloxyd-Kondensator |
DE1126033B (de) * | 1959-04-30 | 1962-03-22 | Degussa | Verfahren zur Herstellung einer Elektrode aus Titan fuer elektrolytische Kondensatoren |
DE1133469B (de) * | 1959-05-30 | 1962-07-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Elektrischer Kondensator mit Metalloxyd-Dielektrikum und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1300179B (de) * | 1966-04-25 | 1969-07-31 | Csf | Halbleiteranordnung |
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