DE1730742U - Transistor-zerhacker. - Google Patents

Transistor-zerhacker.

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DE1730742U
DE1730742U DE1956N0006503 DEN0006503U DE1730742U DE 1730742 U DE1730742 U DE 1730742U DE 1956N0006503 DE1956N0006503 DE 1956N0006503 DE N0006503 U DEN0006503 U DE N0006503U DE 1730742 U DE1730742 U DE 1730742U
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DE
Germany
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housing
chopper
components
shielded
insulating material
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DE1956N0006503
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NSF NUERNBERGER SCHRAUBENFAB
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NSF NUERNBERGER SCHRAUBENFAB
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06*28,4.1
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Cs^szES'JEsß de" Hsseroag ist stm Srasisisiss^Zsshasfcs^ geriu^n1
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eines siazi^gü jiinhs£;ß susau;RiKßgi|fasses ßßö ii3 eio sctalliselies Gehäuse siassüausoj ailerälsgs süsseis öls iioehfseaueniea S^Srasssö assa TSQ ύ ®n Sie©giiecl!g3?as vssssbsalleh. auf gehalt es v;siösao ■·"■".
ein©0 iiiaöestsas alt ö©s\Bai"©lsmeri"ösa des Sp stüekte- esa öissels iEaaehlöüiäßg aiü dieseEä ims aas Isslies-sy&ff" gek3oaseiei?ne%0 die ssaefa. irt des gcflrisoktss sehsl« tiaajes eii3- ©öse beidseitig >etall£sie2-&0 ■ eatspseehenö der sj/fsräeslieäso Seitan£Sfüäruasen örHicla .jedssh entaeiallicier^ is-s.öid öas sttalliüsfes Gehäuse la swel vbseiseaöer veitgohjsnä atgssGiiisnrös KieEo unteri-gll'Co
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Weitere üinzelheiter ösr iieüttr ■fyjjren der Zeichnung bcispislEw
Die -Figur—1 sei§-5 den-seu^JPiÄS^
die'. Pi^tsr'2 in de? I-rsaf eicht bei geöffnete«.
MIt 1 lit-eine "lontcgeplatte -st'.:; Isolierstoff beseiclineti uls ein* oder auch beidseitig in. ;.;n £ica bekannter -..'eis 2 na lh Art" öe:i? ga«
ruckten ösjlisliungör. metallisiert
Diese Platts unterteilt' das.
Becher gehäuse 2Mn'zwei Kammern 3' und 4 ο Unter «geäracktß^ Schal» tnngen" werdsri VD^tiehnilich noch aer-SiebdSuGka-Ss= ader Fötoätsmethode gefertigte Schaltungen verstandeng eeiilieeEt aber andere Per ti^ungEmcthoden "nicht aus,. Sie Ketallisierua^on sind ε ο ausgelebt, dass eiiiereeits die er for der lic aen Lei tangs führungen ent» stehen, aase diese slier a?iäerer|-eit£ oach eins vieitgehend« Ab«= "' schirmung Riechen den Kammern 2 und 4 bildet, iäit ä i"£t eine εοΐ« ehe .aufgedruckte.i,:6taili£ierung angedeutet* Die Bauelemente des Spannunge^andlers» wie; Transformator 6, Transistor 7, jiinsteilregier 8 -und _ vielt ere Widerstände, Kondensatoren, Hicht'Äiä erst äni3e und dergleichen, eind auf der platte 1 angeordnet und mit dieser durch Tauchlötung vertunden. HELt 7a ist ein Wärmea"bleitblech angedeutet, das im ;^uten './ärrüekontaivt mit dem Sransistor einerseits unö mit
dem Bechergehäuse andererseits steht.
Ein be£anders gedrängter Aufbau entsteht, 'weoäs wie dargestellt„ die Bauelemente dee G-leichspannungswandlers konzentrisch uta des Irans·=· foroiator δ aßgeoränet sind. Die mit 9* Io und ii angedeuteten Sieb- ^liecler können ebenfalls unmittelbar an den metallisierten !Träger angelötet sein, einQ gedoch ia der jCamfaer 4 angeordnet! durch' disße Kammer führen auch die ?erbindungen zwischen■ den äusseren 3troaianschlüseeö 12 unö 13 und dem Spannungswandler. Siebglieder und Strois» Zuführungen sind dank der besonderen Ausbildung der Montageplatte 1 keiner nennenawertan StörStrahlung au^esetatj das Gerät arbeitet daher weitgehend* 's'trählungefrei·.
Das Gehäuse ist in aci sich bekatföter ./eise mit einer Isolierscheibe 14 abgedeckt, die zweckmäESigerweise gleich die äusseren -itroman-Schlüsse, beispielsweise Kontaktstifte oder iötöeen, trägt.
In weiterer Ausgestaltung der itfeutrung können auch 2 Isolierträger mit aufgedruckten leitungen und Afcschirmflächen mit den Bauelementen
psstüott;.und l:r, .^.3-aol<ld*i;"fgr-;--.;i
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erläutertes ;;relse mit. eine»" TsIl der Bau äeo SiefefjiiMeras öeEt&okt* 3sl der-.leus beide '''.'.Dniba^eeinhciten etapslfössig ^ber SD G22E sämtliche nocli erfar-Cisrlieü^s LS ea !Oaiiclilötprosess iiergastellt weröe« der üeiiern Ιτ
angeardost vv ua-gas i« eln-ai

Claims (1)

  1. Ί
    Schutüsansprüghe: ' ... ' ·
    1„ In ein metallisches Sech er gehäuse eingebauter' Eransi&i hacker. aiii -Gleichrichter anä-.-Siefegl-iedern-sur"j&leichgp wand lung, dessen Eingang- und -Ausgang sinsoiiliesslicii weiii|.y5$eü£ der im Ausgang liegenden Siebglieder vom SpanQangswsndJ-sr ^eii·=· gehend stra-ilungsdicht !abgeschirmt., sind. 0 gskennaeiclinet durch eine, mindestens rait den Bauelementen des b'paanun-jS'Ä'aadlei'S bs— stückte, mit di-3ε-en durch lanQhlötung-verbundenep ein« oöor auch beidseitig mstallisierte, entsprechend eiß^r erforderlichen
    Leitungsfütertang teilweise jedoch Liedes entmstaliisierte^ ίΰοπ-tageplatte auB Isolierstoff, die das uietaTltsehe Gehäuse in zwei.voheinsader weitgehend .abgeschirmte Kammern unterteilt«
    2e 2erfcaeker nach Anspruch lrdadärch gekennzeichnet, dass die I/Eon« tageplatte, aus,, !st?2i mit aufgedruckten Leitungen" tand Abschirmflä» chen versehenen Isolierplatten zusammengesetzt ist·
    3. Zerhacker nach Anapruch 2, dadurch gekennzeichnet/dass die voneinander abzuschirmenden Bauelemente -mit je einer Platte durch TauchlötUög verbunden un'd diese Platten längs der den Bauelementen gegenüber liegend en Pl'ächen verbunden, bei£piels?ieise verklebt oder verlötet sind.
    4· Zerhacker nach Anspruch 1 oder den folgenden, dadurch gek3nn<= - zeichnet, dass daß Gehäuse durch einen die äuseeren Stromanschlüsse tragenden Isolieretoffdeckel, beispielsweise eine mit Stiftkontakten oder Lötanschlüssen ausgerüstete Scheite9 abgedeckt ist· ' ■ -
    5. Zerhacker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine nach Art der gedruckten Schaltungen örtlich metallisierte? Abdeeksclieibe, die mit einigen Baucleftienteö, beispielsweise den Siebgliedern, bestückt und mit clieeen durch (Dsuchlötung verbunden ist· -
    N,S.P. Hornberger Schraabenfabrik und Blektrowerk G.m.b.H.
DE1956N0006503 1956-04-28 1956-04-28 Transistor-zerhacker. Expired DE1730742U (de)

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DE (1) DE1730742U (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1159086B (de) * 1957-11-12 1963-12-12 Siemens Ag Schaltungsanordnung fuer einen Zerhacker

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1159086B (de) * 1957-11-12 1963-12-12 Siemens Ag Schaltungsanordnung fuer einen Zerhacker

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