DE1719501B2 - Verfahren zum herstellen einer zone legierten materials auf der oberflaeche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen platte - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer zone legierten materials auf der oberflaeche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen platte

Info

Publication number
DE1719501B2
DE1719501B2 DE1968R0047799 DER0047799A DE1719501B2 DE 1719501 B2 DE1719501 B2 DE 1719501B2 DE 1968R0047799 DE1968R0047799 DE 1968R0047799 DE R0047799 A DER0047799 A DE R0047799A DE 1719501 B2 DE1719501 B2 DE 1719501B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plate
single crystal
electrode
zone
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1968R0047799
Other languages
English (en)
Other versions
DE1719501A1 (de
Inventor
Anmelder Gleich
Original Assignee
Rojsin, Natan Mojsejevitsch; Larionov, Igor Naumovitsch; Kolesowa, Alvina Grigorjevna; Moskau
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rojsin, Natan Mojsejevitsch; Larionov, Igor Naumovitsch; Kolesowa, Alvina Grigorjevna; Moskau filed Critical Rojsin, Natan Mojsejevitsch; Larionov, Igor Naumovitsch; Kolesowa, Alvina Grigorjevna; Moskau
Priority to DE1968R0047799 priority Critical patent/DE1719501B2/de
Publication of DE1719501A1 publication Critical patent/DE1719501A1/de
Publication of DE1719501B2 publication Critical patent/DE1719501B2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L—DOMESTIC WASHING OR CLEANING; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47L21/00—Polishing of table-ware, e.g. knives, forks, spoons
    • A47L21/04—Hand implements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/02—Zone-melting with a solvent, e.g. travelling solvent process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Zone legierten Materials auf der Oberfläche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen Platte durch Aufbringen des Legierungszusatzes auf die Oberfläche an einer Stelle, die zwischen zwei mit der Platte in Kontakt stehenden Elektroden liegt, und Leiten eines elektrischen Gleichstromes durch die Platte von einer Elektrode zur anderen, so daß der Zusatz schmilzt und auf der Plattenoberfläche von der positiven zur negativen Elektrode wanden.
Die planare Konstruktion von Haibieitergeräten ist allgemein bekannt, bei der die passive Fläche der Elektrode, die zum Anschlu'J von Klemmen bestimmt ist, größer als der aktive Bereich ist, der die Funktionen der Steuerung des elektrischen Stroms unmittelbar ausübt. Ein Nachteil der planaren Konstruktion ist die Anwendung einer komplizierten Struktur (eines komplizierten Aufbaues), wofür Schichten aus verschiedenen Werkstoffen ausgenutzt werden (dielektrische und metallische).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Entwicklung eines Verfahrens zum Legieren eines Einknstalles, welches eine regelmäßige geometrische Form und vorgegebene geometrische Abmessungen des legierten Bereiches gewährleistet.
Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, ein Halbleitergerat mit tjnkristallelektroden solcher Form zu entwikkein, daß der Flächeninhalt der aktiven Bereiche geringer als der Flächeninhalt der passiven Bereiche ist.
Es wird somit angestrebt, den Einkristall so zu legieren, daß der zu legierende Bereich durch kristallographiNche Flächen abgegrenzt ist, wodurch es möglich wird, Halbleitergeräte mit Elektroden herzu- (*> sicllen, die die oben genannten Eigenschaften besitzen.
Diese Avifgabc wird durch ein Verfahren der eingangs angegebenen Art gelöst, das erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Platte verwendet wird, deren ()berfläche parallel zu mindestens einer Schnittli- <··- nie der Ebenen der dichtesten Packung der Kristallatcme liegt und daß die .Stromrichtung an der Oberfläche der Platte paiallel zur Schnittlinie liegt.
Beim Legieren eines Halbleitereinkristalles mit einem Gitter von Diamanttyp ist die Schmelze über die Oberfläche zu verschieben, die mit kristallographischer Orientierung [110] ausgeführt ist, indem man den elektrischen Strom derart richtet, daß der Vektor der Stromdichte an der Oberfläche (110) mit der Richtung [110] zusammenfällt
Man kann, unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens auf der Grundlage des Einkristalls mit einem Gitter vom Diamanttyp Halbleitergeräte mit Elektro den herstellen, die die Form eines geraden Prismenkeils aufweisen, dessen zwei Flächen mit den Ebenen (111) zusammenfallen und mindestens teilweise im Körper des genannten Einkristalls angeordnet sind.
Die Vorteile dos e-Tindungsgemäßen Verfahrens zum Legieren eines Bereiches des Einkristalles gegenüber den anderen Verfahren (durch Verschmelzen oder Diffusion) bestehen darin, daß der 2U legierende Bereich durch die kristallographischen Flächen abgegrenzt ist und die Regelmäßigkeit dessen geometrischer Form (Facetiierung), sowie die richtigen Abmessungen durch die kristalline Struktur des Einkristalls selber gewährleistet werden. Ein weiterer Vorteil des Verfahrens besteht dann, daß die Verteilung der Konzentration des Zusztze-· in dem legierten Bereich gleichmäßig ist und an den Grenzen der Legierung sprunghaft sinkt.
Die regelmäßige kristallographische Facettierung des zu legierenden Bereiches wird beim Anwenden des erfindungsgemäßen Verfahrens durch den Mechanismus der Auflösung des Einkristalls in der Schmelze und dessen anschließende Kristallisation bestimmt. In die an der Oberfläche des Einkristalls befindliche Schmelze gehen dessen Atome bis zur Sättigung der Lösung über. Beim Durchleiten von elektrischem Strom durch den Einkristall durchfließt der Strom teilweise auch die Schmelze, in der es unter der Einwirkung des Stromes zum elektrischen Transport der Einkristallatome in einer Weise kommt, daß an einer Grenze zwischen der Schmelze und dem Einkristall deren Konzentration anwächst und den Gleichgewichts^ ert überschreitet, an der anderen Grenze jedoch abnimmt und unter den Gleichgewichtswert sinkt. Dadurch kommt es an einer der Grenzen zur Auflösung, ar der anderen zur Kristallisation. Die Schmelze wandert nach der Grenze hin. wo es zur Auflösung des Einkristalls kommt. Im Ergebnis hinterläßt die Schmelze auf ihrem Wanderungsweg eine Einkristallbandschicht, die mit Atomen der Schmelze legiert ist. Da erfindungsgemäß der Vektor der Dichte des elektrischen Stromes zu der Schnittlinie der Ebenen der dichtesten Packung parallel gerichtet ist, wobei die Oberfläche des Einkristalls, an der die Schmelze wandert, zu dieser Linie auch parallel orientiert ist, wandert die Schmelze längs der prismati sehen Oberfläche, die durch die Ebenen der dichtesten Packung der Atome gebildet ist. Da Auflösung und Kristallisation schichtenweise vor sich gehen, wobei die Schichten parallel zu den Ebenen der dichtesten Packung sind, bilden diese Ebenen die Flächen des legierten Bereiches. Die notwendige Bedingung für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Legieren ist elektrische Leitfähigkeit des Einkristalls. Somit eignet sich das Verfahren zum Legieren von Einkristallen aus Halbleitern und aus Metallen.
Die Anwendung des erfmdungsgemäßen Verfahrens zum Legieren von Halbleitereinkristallen mit Diamantgitter macht es möglich, Bandelektroden mit pn-Übergängen in Form gerader Prismen mit geraden Rändern herzustellen. Dabei können die Elektroden mit einem
oder mehreren Zusätzen mit gleichmäßig verteilten Konzentrationen legiert werden. In einer Reihe von Fällen werden die Bandelektroden m»t Hilfe von Selektivätzen in einer Weise geätzt daß die Seitenflächen des Prismas in den Einkristall nur zum Teil 5 versenkt sind.
Der Vorteil der Halbleitergeräte mit solchen Elektroden besteht darin, daß in diesen eine geringe Räche elektrisch aktiver Bereiche, die mit dem Kristall unmittelbar im Kontakt sind, und eine große Fläche passiver Bereiche er/.ie!t werden, an die elektrischen Klemmen ohne weiteres angeschlossen und im Falle piezoempfindlicher Transistoren oder Dioden mechanische Kraft herangeführt werden kann.
Nachstehend wird die Erfindung durch die Beschreibung eines Beispiels für die Herstellung von Germaniumstruktur mit den p+np-Obergängtn für einen Transistor und clic Zeichnungen näher erläutert Es zeigt
Fig. 1 eine l.inknstallplatte und die Richtung der kristallographischcn Achsen-,
F1 g. 2 das Schema der Anordnung der Einkristallplatte mit den strom/uführenden Elektroden und des Erhitzers;
F i g. 3 die krislallographische Facettierung der rekristallisieren Bandschicht·,
F i g. 4 die Struktur des Aufbaus eines Transistors mit prismatischer Elektrode, die zum Teil im Kristallkörper angeordnet ist.
Die genannte Struktur wird wie folgt hergestellt:
F.ine Germaniumplatte vom p-Typ mit einem spezifischen Widerstand von 0,5 Ohm/cm und 100 mm Länge, 2 mm Breite sowie 0,3 mm Dicke wird bei der Herstellung in einer Weise orientiert, daß deren Achse mit der Richtung [110] (F ig. 1) und die breite Fläche mit der kristallographischen Ebene (110) zusammenfällt.
Man verwendet zweckmäßig für die Herstellung orientierter Germaniumplatten ein orientiertes Germaniumcinkristallband, welches durch Ziehen aus der Schmelze durch eine formbildende Ziehdüse hergestellt wird.
Die Oberfläche der Germaniumplatte (Fig. 1) wird in einem Ät/mittel. das HF (42%ig), HNO1 (65%ig), CIIiCOOH (9b°/oig) in einem Verhältnis von 5:8.15 enthält, bei einer Temperatur von 70°C während 10 s behandelt.
Auf die Stirnfläche der Germaniumplatte 1 (Fig. 2) werden Tantalhalter 2 aufgesetzt, die an der Oberfläche der stromzuführenden Elektroden 3 und 3' frei gleiten können, wodurch ein sicherer Kon'rkt mit der Germaniumplatte 1 gewährleistet und durch Wärmeausdehnung hervorgerufene mechanische Spannungen beseitigt werden.
Die Elektroden 3 und 3', auf denen die Kontakthalter 2 gleiten, sind in der Arbeitskammer (in der Zeichnung nicht angedeutet) angeordnet, in der das Legieren durchgeführt wird.
Auf die in der Arbeitskammer angeordnete Platte 1 wird in tier Nähe der positiv geladenen Elektrode \ die Perle 4 aus Gallium-Antimon-Legierung mit einer Konzentration .111 Antimon von 10% aufgebracht. i,0
Die Arbeitskammer wird hennetisch abgedichtet. Darin wird eine Schlitzatmosphäre durch das Durchleiu-n von getrocknetem Wasserstoff geschaffen Die Pl.ittc 1 wird durch den Erhitzer 5 auf eine Temperatur von 400'" C gebracht und durch sie ein elektrischer Strom geleitet. Die Stromstärke für die genannten .Abmessungen dci Platte beträgt 2 Ampere. Das Schmcl/meiall wandert die Platte entlang von dor
40 positiven Elektrode 3 zur negativen Elektrode 3', indem es die rekristallisierte Bandschicht 6 hinterläßt die durch die Zusätze von Gallium und Antimon legier: ist Das Schmelzmetall wandert über die Plattenoberfläche mit einer Geschwindigkeit von etwa 1 mm in einer Minute.
Die Rekristallisationsbandsch«cht 6 (Fig.3) bildet sich in Form eines geraden Prismenkeils, dessen zwei Seitenflächen mit den Ebenen (111) zusammenfallen.
Diese Abbildung zeigt die Facettierung der rekristallisierten Bandschicht
Die Breite der Bandschicht 6 beträgt für die genannten Abmessungen der Perle 4 gegen 30 um.
Durch die Veränderung der Zusammensetzung der Schutzatmosphäre (z. B. der Feuchtigkeit von Wasserstoff) wird die Benetzung der Oberfläche der Platte 1 mit der Schmelze und dadurch die Breite der rekristallisierten Schicht 6 feingeregelt
Nach der Bildung der rekristallisierten Schicht auf der ganzen Länge der Platte 1 wird der Prozeß unterbrochen und die Platte aus der Arbeitskammer herausgebracht.
In F i ρ. 4 ist eine Transistorstruktur gezeigt, die unter Verwendung der Platte 1 mit der rekristallisierten Schicht 6 erhalten wurde. Diese Struktur hat die Emissionselektrode 7 in Form eines geraden Prismenkeils, dessen zwei Seitenflächen mit den Ebenen der dichtesten Packung des Einkristalls der Platte 1 zusammenfallen. Die Fläche des passiven Bereiches der Elektrode ist größer als die des elektrisch aktiven. Die Elektrode 7 ragt zum Teil aus der Oberfläche der Platte 1 heraus. Darüber hinaus besitzt die Transistorstruktur die Basiselektrode 8 und den metallischen Überzug 9. Die Transistorstruktur erhält man wie folgt. Die Einkristallplatte mit der rekristallisierten Schicht, die nach dem beschriebenen Verfahren hergestellt wird, unterzieht man einer Behandlung in einem Sclektivätzmittel. Beim Ätzen werden Schichten entfernt, die parallel zu den Ebenen der dichtesten Packung der Atome sind, wobei die Ätzgeschwindigkeit einer stark legierten rekristallisierten Schicht um Dutzende Male geringer als die Ätzgeschwindigkeit der Germaniumplatte ist.
Nach der Durchführung des Selektivätzens erhält man die Basiselektrode 8 (Fig.4), die durch die Diffusion des Antimons aus dem Germaniumpulver, das mit Antimon legiert ist, in einem Wasserstoffstrom bei einer Temperatur von 780°C während 2 Minrten entsteht. Gleichzeitig erfolgt die Diffusion des Antimons aus der Elektrode 7 in den Teil der Basuschicht, der an die erwähnte Elektrode unmittelbar angrenzt.
Das Aufbringen des metallischen Überzugs 9 erfolgt durch Aufstäuben unter Vakuum, wobei die räumliche Trennung der metallischen Basis- und Emitterschicht durch die Emissionselektrode 7 selber herbeigeführt wird, die als Maske d^nt.
Die Teilung einer solchen Bandstruktur von etwa 100 mm Länge in kürzere Strukturen wird bestimmt durch die erforderliche Streuleistung des Halbleitergerätes.
Dank der Metallisierung der Basisschicht besitzt die beschriebene Struktur des Transistors einen sehr geringen ohmschen Widerstand der Basis. Für den Parameter /> ■ d eine Größe unter 10 ':s erreicht.
Die beschriebene Struktur mit der hervortretenden Emissionselektrode wird auch in Konstruktionen piezoempfindlicher Transistoren verwendet, da sie als Druckki in zentraler dient.
Hierzu 1 Blatt Zeichnunecn

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen einer Zone legierten Materials auf der Oberfläche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen Platte durch Aufbringen des Legieningszusatzes auf die Oberfläche an einer Stelle, die zwischen zwei mit der Platte in Kontakt stehenden Elektroden liegt, und Leiten eines elektrischen Gleichstromes durch die Platte )0 von einer Elektrode zur anderen, so daß der Zusatz schmilzt und auf der Plattenoberfläche von der positiven zur negativen Elektrode wandert, dadurch gekennzeichnet, daß eine Platte verwendet wird, deren Oberfläche paiallel zu mindestens einer Schnittlinie der Ebenen der dichtesten Packung der Kristallatome liegt und daß die Stromrichtung an der Oberfläche der Platte parallel zur Schnittlinie liegt
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem HaIbIe: tereinkristall mit Diamantgitter der elektrische Strom derart durchgeleitet wird, daß der Vektor der Stromdichte an der Oberfläche mit der Richtung [110] tusammenfällt.
25
DE1968R0047799 1968-01-16 1968-01-16 Verfahren zum herstellen einer zone legierten materials auf der oberflaeche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen platte Granted DE1719501B2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1968R0047799 DE1719501B2 (de) 1968-01-16 1968-01-16 Verfahren zum herstellen einer zone legierten materials auf der oberflaeche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen platte

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1968R0047799 DE1719501B2 (de) 1968-01-16 1968-01-16 Verfahren zum herstellen einer zone legierten materials auf der oberflaeche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen platte

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1719501A1 DE1719501A1 (de) 1971-05-27
DE1719501B2 true DE1719501B2 (de) 1977-06-02

Family

ID=7408557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1968R0047799 Granted DE1719501B2 (de) 1968-01-16 1968-01-16 Verfahren zum herstellen einer zone legierten materials auf der oberflaeche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen platte

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1719501B2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5946415B2 (ja) * 1978-04-28 1984-11-12 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE1719501A1 (de) 1971-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3141967C2 (de)
DE961913C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit p-n-UEbergaengen
DE2841230C2 (de) Programmierbare Speicherzelle mit Halbleiterdioden
DE2523307C2 (de) Halbleiterbauelement
DE1295094B (de) Halbleiterbauelement
DE1444496A1 (de) Epitaxialer Wachstumsprozess
DE1811389C3 (de) Flächenhaftes Halbleiterbauelement
DE2019655C2 (de) Verfahren zur Eindiffundierung eines den Leitungstyp verändernden Aktivators in einen Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers
DE976348C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente
DE1223951B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen
DE2730566C3 (de) Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2450907A1 (de) Verfahren zum herstellen von tiefen dioden
DE1130522B (de) Flaechentransistor mit anlegierten Emitter- und Kollektorelektroden und Legierungs-verfahren zu seiner Herstellung
DE1041161B (de) Flaechentransistoranordnung
DE2523055A1 (de) Minoritaetstraeger-trennzonen fuer halbleitervorrichtungen und verfahren zu ihrer herstellung
DE1564534A1 (de) Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1521414C3 (de) Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage
DE1639262A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode
DE1719501B2 (de) Verfahren zum herstellen einer zone legierten materials auf der oberflaeche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen platte
DE1719501C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Zone legierten Materials auf der Oberfläche einer einkristallinen, halbleitenden oder metallischen Platte
DE2608813C3 (de) Niedrigsperrende Zenerdiode
DE2408402A1 (de) Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen bzw. nach einem solchen verfahren hergestellte integrierte halbleiterschaltungseinheit
DE1260032B (de) Verfahren zur Bildung einer gleichrichtenden Sperrschicht in einem Halbleiterscheibchen
DE2709628A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleitern
DE1564373A1 (de) Vorrichtung mit Silicium p - n Vereinigungszone und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee