DE1696136A1 - Verfahren zum Verhindern von Kohlenstoffablagerungen an den Metallflaechen eines Kernreaktors - Google Patents
Verfahren zum Verhindern von Kohlenstoffablagerungen an den Metallflaechen eines KernreaktorsInfo
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Description
Verfahren zum Verhindern von Kohlenstoffablagerungen an den Metallflächen eines
Kernreaktors
Die Erfindung betrifft Verfahren zum Verhindern von
Kohlenstoffablagerungen an den Metallflächen eines gasgekühlten und bei hoher Temperatur arbeitenden
Kernreaktors.
Neuerdings hat man Kernreaktoren gebaut, die später mit den Buchstaben HTGR (Hochtemperatur, jgasgekühlte Reaktoren)
bezeichnet werden müssten und im wesentlichen aus bei hoher Temperatur arbeitenden und mit einem Gas, wie
beispielsweise Helium oder Kohlendioxid, gekühlten Reaktoren bestehen. Diese Reaktoren werden grundsätzlich mit
nicht angereichertem oder leicht angereichertem Spaltmaterial betrieben und mit Graphit moderiert. Die Betriebstemperatur
eines solchen Reaktors kann leicht 10000C überschreiten, und es sind Reaktoren bekannt, bei
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welchen das Kühlgas, beispielsweise Helium, eine 80O0C
übersteigende Temperatur erreicht. Die Temperatur des Kühlgases in den Wärmeaustauschern dieser Reaktoren überschreitet
oft 5000C. Bs hat sich herausgestellt, dass bei einem heliumgekühlten
HTGR-Reaktor die Metallflächen im allgemeinen und insbesondere die Flächen der Wärmeaustauscher, die Temperaturen
zwischen 300 und 6000C aufweisen, auf die Kohlenstoffablagerung
eine katalytische Wirkung ausüben. So ist bekannt, dass Eisen bei diesen Temperaturen durch Katalyse folgende Reaktionen
herbeiführt;
1. CO + H2 C + H2O
2. 2 CO C + CO2
Da die Kohlenstoff ablagerung von der Kohlenoxid- und Wasserstoff konzentration im Kühlgas abhängt, erfolgt eine solche
Ablagerung in der Hauptsache, wenn diese Konzentrationen ein normales Niveau von weniger als ein Volumenteil pro Million
zu überschreiten beginnen, was beispielsweise beim Anlaufen des Reaktors der Fall ist. Bei einem solchen Reaktor bestehen
zahlreiche Elemente seines Kerns aus Graphit, wobei infolge der Temperaturerhöhung beim Anlaufen des Reaktors eine
Entgasung dieses Graphits erfolgt, wodurch die vorerwähnten Konzentrationen erhöht werden. Der Kohlenoxid-Prozentsatz
und der Wasserstoffgehalt des Kühlgases werden ausserdem erheblich erhöht, wenn in das Kühlgas Wasser einsickert und
folglich in dem Reaktor eine Oxidationszunahme an dem Graphit eintritt.
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Erfindungsgemäss hat man festgestellt, dass sich in solchen Reaktoren die Graphitablagerung an den Metallflächen
verhindern oder verringern lässt, wenn man dem Gasstrom in dem Reaktor eine flüchtige Siliciumverbindung
zusetzt. Es ist besonders vorteilhaft, diese Siliciumverbindung in den Gasstrom an der Stelle, an welcher die
Graphit ablagerung erfolgt,, und zwar in den Wärmeaustauschern des Reaktors, oder in Strömungsrichtung vor den
Wärmeaustauschern in den in diese einströmenden Gasstrom einzubringen. Eine Erklärung für die Tatsache, dass ein
solches Zusetzen einer Siliciumverbindung die Kohlenstoffablagerungen
an den Metallflächen verhindert oder jedenfalls verringert, ergibt sich daraus, dass die flüchtigen
Siliciumverbindungen bei der Betriebstemperatur des Reaktors zerfallen und dass sich dabei an den Metallflächen
eine oberflächliche Schutzschicht bildet, die die Metalle daran hindert, auf die vorstehend erörterten Reaktionen
ihre katalytische Wirkung auszuüben.
Gemäss dem Verfahren nach der Erfindung verwendet man vorzugsweise
flüchtige Siliciumverbindungen mit Silan (Siliciumwasserstoff)
oder mit einer organischen Siliciumverbindung, wobei sich gezeigt hat, dass die angestrebte Wirkung durch
Triäthylsilan hervorgerufen wird, eine im Handel erhältliche Verbindung mit einer Siedetemperatur von etwa 107°C.
Der Zweck der Verwendung flüchtiger Siliciumverbindungen ist der, dass sie bei der Betriebstemperatur des Reaktors
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gasförmig sind, wobei davon ausgegangen werden kann, dass ausser dem bereits genannten Triäthylsilan auch andere
Siliciumverbindungen die gleiche Wirkung ausüben.
Die Siliciumverbindung wird bei niedriger Konzentration verwendet,
deren obere Grenze angenähert zu 0,1 g/l Kühlgas angenommen werden kann. Die Konzentration der Siliciumverbindung
ist selbstverständlich von den im Kühlgas vorhandenen Kohlenoxid- und Wasserstoffmengen abhängig. Die
nachstehend beschriebenen Versuche zeigen, dass kleinere Mengen als der genannte Prozentsatz von 0,1 g/l Kühlgas
unter den Betriebsbedingungen des Reaktors wirksam sind.
Ein grosser Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung besteht
darin, dass dem Gasstrom die Siliciumverbindung nicht fortlaufend zugesetzt werden muss. Gemäss einer vorteilhaften
Durchführungsform des Verfahrens wird die Siliciumverbindung jedesmal, wenn in dem Kühlgaskreislauf eine
Erhöhung der Kohlenoxid- und Wasserstoffkonzentration festgestellt wird, chargenweise eingebracht. Eine solche chargenweise
Dosierung der Zufuhr der Siliciumverbindung kann gegebenenfalls mit Hilfe von Überwachungsgeräten für den
Kohlenoxid- und WasserstoffProzentsatz im Reaktor reguliert
werden. Dieses Verfahren ermöglicht ohne grosse Kosten die Behebung der störenden Kohlenstoffablagerungen an den
Teilen des Reaktors.
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Bei den nachstehenden Versuchen geht man jedesmal von zwei
miteinander übereinstimmenden Eisen- oder Stahl probes täben
aus, von welchen einer mit einer flüchtigen Siliciumverbindung vorbehandelt ist und der andere als Vergleichsmateriai
dient.
Bei einem ersten Versuch wählt man Probestäbe aus elektrolytisch poliertem reinem Eisen, von welchen der erste im
Verlaufe von 12 Stunden in einer pro Liter 0,07 g Triäthylsilan
enthaltenden inerten Gasatmosphäre einer Temperatur von 5000C unterworfen wird. Darauf werden die beiden Probestäbe
in einem 1 Vol.% Kohlenoxid und 1 Vol.% Wasserstoff
enthaltenden Argonstrom einer Temperatur von 5000C ausgesetzt.
Nach einer Behandlung von 120 Std. ist der nicht vorbehandate Probestab mit einer Kohlenstoffablagerung
von etwa 20 mg/cm bedeckt, während der andere, mit Silan vorbehandä-te Probestab eine Kohlenstoffablagerung von weniger
als 0,2 mg/cm aufweist.
Sei einem zweiten Versuch verwendet man 'Probestäbe aus
einem Flußstahl, Typ 35»8. Der erste Probestab erhält die beim ersten Versuch beschriebene Silanvorbehandlung.
Darauf werden die beiden Probestäbe für die Dauer von 24 Stunden einem Argonstrom bei 550 C ausgesetzt, der
5 Vol.Ji Kohlenoxid und 5 Vol.% Wasserstoff enthält. An
dem mit Silan behandeltem Stahlprobestab wird keine Kohlenstoff
ablagerung festgestellt, während der nicht vorbehandel te Probestab sich mit einer Kohlenstoffablagerung von mehr
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10 mg/cm überzieht. Es kann angenommen werden, dass bei viel niedrigeren Kohlenoxid- und Wasserstoffkonzentrationen,
wie sie beispielsweise in einem HTGR-Reaktor auftreten, eine
viel schwächere Dosis der Siliciumverbindung ausreicht, um die
Ablagerung an den Metallflächen vollständig zu verhindern.
Auch wurden gute Ergebnisse erzielt bei Verwendung von
Dichlordiäthylsilan, (C2H5)2SiCL2, als Verhütungsmittel für
die Kohlenstoff ablagerungen an den Metallflächen. Bei einem dritten Versach unter den gleichen Bedingungen wie beim ersten,
jedoch ohne Vorbehandlung, werden 0,1 Vol.% von diesem Silan
unmittelbar in den Argonstrom eingebracht, der ausserdem .# Kohlenoxid und 1 Vol.% Wasserstoff enthält. Trotz
des Einsteilens der Silanzufuhr nach 2 Stunden ist nach 48 Stunden Gasstromdurchfluss bei 5000C keine Kohlenstoffablagerung
feststellbar, während bei einem Vergleichsversuch ohne vorübergehende Silanbeimischung die Ablagerung in der
gleichen Zeitspanne 3 bis 4 mg/cm beträgt. Diese Zahlenwerte erreichen für den behandelten Probestab und für den nicht
behandelten Probestab nach 100 Std. Gasdurchfluss 1,5 bzw. 15 mg/cm .
Auch hat sich gezeigt, dass Triphenylmethylsilan (CglO
als Verhütungsmittel geeignet ist. In diesem Falle wird das Verhütungsmittel in bestimmten Mengen in die Wärmeaustauscher
eingebracht. Der Dampfdruck dieser Verbindung reicht bei einer Temperatur von 400 bis 5000C aus, um die Kohlenstoff ablagerungen
an den Metallflächen zu verhindern.
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Claims (7)
1. Verfahren zum Verhindern von Kohlenstoffablagerungen
an den Metallflächen eines bei hohen Temperaturen arbeitenden, gasgekühlten Kernreaktors, dadurch gekennzeichnet,
dass dem im Reaktor umlaufenden Gasstrom eine flüchtige Siliciumverbindung von niedriger Konzentration
beigemischt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flüchtige Siliciumverbindung ein Silan oder eine
organische Siliciumverbindungist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flüchtige Siliciumverbindung Triäthylsilan ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass pro Liter Küti&as höchstens 0,1 g Siliciumverbindung
verwendet wird.
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BAD ORIGINAL
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5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
die Siliciumverbindung dem Gasstrom in den Wärmeaustauschern des Reaktors zugesetzt oder in Strömungsrichtung
vor den Wärmeaustauschern in den in diese einströmenden Gasstrom eingebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
das Zusetzen der Siliciumverbindung jedesmal, wenn in dem Kühlgaskreislauf eine Erhöhung der Kohlenoxid- und der
Wasserstoffkonzentration festgestellt ist, chargenweise erfolgt.
7. Gasgekühlter und bei hoher Temperatur arbeitender Kernreaktor zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch
1 bis 6, gekennzeichnet durch eine in der Nähe der Wärmeaustauscher angeordnete Vorrichtung zum Einbringen
von fluchtigen Siliciumverbindungen.
Wb/MS
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BAO ORIGINAL
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