DE1667656A1 - Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristallen fuer Halbleitervorrichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristallen fuer Halbleitervorrichtungen

Info

Publication number
DE1667656A1
DE1667656A1 DE19671667656 DE1667656A DE1667656A1 DE 1667656 A1 DE1667656 A1 DE 1667656A1 DE 19671667656 DE19671667656 DE 19671667656 DE 1667656 A DE1667656 A DE 1667656A DE 1667656 A1 DE1667656 A1 DE 1667656A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystals
aluminum nitride
silicon carbide
semiconductor devices
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671667656
Other languages
English (en)
Inventor
Knippenberg Wilhelm Franciseus
Gerrit Vespui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1667656A1 publication Critical patent/DE1667656A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/38—Nitrides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/915—Separating from substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/113—Nitrides of boron or aluminum or gallium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/148—Silicon carbide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

N.V.Philips1 Gloeilampenfabrieken
Abschrift
"Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristallen für Halbleitervorrichtungen"
Es ist uekanat, daß Aluminiumnitridkristalle durch RekrlötallinierunK und/oder Kondensation aus der Dampfphase bei Temperaturen von l800°C bis 23000C in Stickstoff atmosphärischen Drucks hergestellt werden können.
Auf diese V/eise entstehen aber im wesentlichen nadel form ige Kristal.Le und außerdem manchmal noch plattenförmige Kristalle geringer Abmessungen, vielfach nicht breiter als
Für- Anwendungen in der Halbleitertechnik ist es aber von Bedeutung', auch "x\,(:V gcössere plattenförmige Kristalle ·/■.-,-r P Ug en zu können.
liaoii der Eri'i \\<\ -\-:\\r, w-'rdf.-n solche platt··-nförm ige KristnLLe dadurch ii--r-p .:> L' (It, daß Aluminiumnitrid atf ρ labten Γ· W1-migen 'Λ il ic i n\wVu rbl>dkri stal len au:; der Gasphase durch IW--krirjtn J. 1 L:; i ur<iny und/oder Kond«;nsation be.-i Tern per;: tut- .m von iR00°f: t<i:; 2^00"1C nl>ff;iM;l7.l wird. Kh tritt dann < i π •"-pi tax ia I ·■(· 'JuO1I:; an don Π i I iciumkarbidkri stn L Lon auf.
109826/1269
BAD GRiG-MM,
f-1 .-J -
-Z-
Bekanntlich können plattenförmige Siliciumkarbldkristalle durch Rekristallisierung und/oder Kondensation in einer inerten Gasatmosphäre in einem von SiLiciumkarbid begrenzten Raum bei einer Temperatur von etwa ?500°C hergestelit werden. Wenn dabei das Auftreten von Temperaturgradienten und Gaswirbelangen möglichst vermieden wird, wachsen dabei etwa senkrecht zur Raumwand gut gestaltete, plattenförmige Siliciumkarbidkristalle mit einer Oberfläche bis 1 cm2.
Die Leitungseigenschaften dieser Kristalle können, wie weiter bereits bekannt, dadurch eingestellt werden, daß der Gasatmosphäre während des Kristaliwuchses Dotierungen, z.B. Stickstoff, Bor und Aluminium, zugeführt werden.
Nach der Erfindung hat sich weiterhin ergeben, daß, wenn das Anwachsen des Aluminiumnitrids an den SLliciumkarbidkristallen durchgeführt wird, während diese sich noch in dem von Siliciumkarbid begrenzten Raum befindet, in dem sie gebildet wurden, bei Temperaturen von l800°C bis 21000C nur ein epitaxialer Wuchs von Aluminiumnitrid erfolgt, jedoch bei Temperaturen von 21000C bis 2j5OO°C Mischkristalle von Aluminiumnitrid und Siliciumkarbid entstehen. Die Zusammensetzung dieser· Mischkristalle ist durch die Wahl der Temperatur im erwähnten Temperaturbereich einstellbar, wobei, der Gehalt an Siliciumkarbid bis auf 100$ bei 2300°C ansteigt, da bei dieser Temperatur das Aluminiumnitrid völlig zersetzt wird.
Der In dieser Beschreibung und den Patent-ansprüchen verwendete Ausdruck "ALuminiumnitrIdkristaL le" ro IL derart t'iufVei'nßt werden, daß dnrLn auch die AluniLniumni uridm i.schkrh;taLle e inb^grifft η sind.
1098 26/1 209
-7. J
Die Leitungseigenschaften der Aluminiumnitridkristalle und Mischkristalle sind durch die Zuführung von Do~ tierungen, wie Schwefel, zur Gasatmosphäre beim Anwach« sen einstellbar.
Die erzielten Kombinationen eines Siliciumkarbidkristalles mit einem Aluminiumnitridkristall können vorteilhaft als "Hetero-junction" in optoelektrischen Vorrichtungen, wie pn-Lichtquellen, Anwendung finden.
Weiterhin sind diese Kristallkombinationen als auch die .Aluminiumnitridkristalle selber, von denen der Substratkristall aus Siliciumkarbid, z.B. durch Abschleifen, entfernt wurde, bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie Transistoren und Dioden, insbesondere sur Verwendung bei hohen Temperaturen verwendbar.
Die Erfindung wird im nachfolgenden an Hand der Zeichnung durch einige Beispiele verdeutlicht.
Beispiel 1;
Wie in Fig. 1 im Schnitt dargestellt, wird in ein Graphitrohr 1 ein Kern 2 eingesetzt und der dazwischen liegende Raum mit reinem Siliciumkarbid 3 ausgefüllt, das durch Pyrolyse von SiHCIpCH., in Wasserstoff erhalten ist.
Das Silieiunikarbidpulver wird angedrückt und der Kern 2 vorsichtig entfernt, worauf das Ganze gesintert wird.
Das entstandene Gefäß, welches aus dem GraphitzyX:U:äer 1 und dem Siliciumkarbidzylinder 4 besteht, wird bsiierseits durch Platten 5 verschlossen, wie in Fig. 2 i?.rge-
.. K 109826/1269
stellt. Anschließend wird in einem Quarzgefäß in Argon atmosphärischen Drucks mittels der Hochfrequenzspule 7 auf 2550oC erhitzt. Dabei entstehen etwa senkrecht zur Zylinderwand durch Rekristallisierung und/cder Kondensation plattenförmige Siliciumkarbidkristalle 8.
Die auf diese Weise hergestellten Siliciumkarbidkristalle werden als Substrat bei der Herstellung von Aluminiumnitridkristallen verwendet. Dazu können die Kristalle von der Zylinderwand abgebrochen und anschließend zur weiteren Verarbeitung in einem Graphitrohr angebracht werden, z.B. durch Einklemmen in Nuten in der Rohrwaridung. Vorzugsweise erfolgt aber das Anwachsen von Aluminiumnitrid an den Siliciumkarbidkristallen in dem Zylinder, in dem sie gebildet sind.
Dazu wird die Platte 5 am unteren Ende der Zylinder i und > durch ein Grapliitgefäß 9 ersetzt, in welches ein mit Aluminium Ii gefüllter- Becher 10 aus Aluminiumoxyd eingesetzt ist.
Das in Fig. 3 dargestellte Gebilde wird dann 2 Stunden lang in Ammoniak atsie sphärischen Drucks bei 1^000C erhitzt, wobei das Alunsiniu" in Nitrid umgesetzt wird,
Nachdem die AffliEc/-iakatmosphäre durch Stickstoff ersetzt worden ist, wird iie Temperatur desjenigen Teiles der Apparatur, in de-": sicm das Aluminiumnitrid befindet, auf IQOO0C gebracht und die Temperatur der Siiieiumkarbiä» kristalle auf 2GC-U^C gesteigert. Dacei wächst Aluminiumnitrid epitaxial an den Kristallen,
Vielfach -vrolg.x, '.uf einer Sexte der Ών.ϋκΐΐ« weniger caei/ ms.z^hiii^ i so· :-'■' Überhaupt- ;:?-:jä t:-:t v:,u:;·« von Aluminium-
UÖS28/ 1 26S
nitrid. Wenn das epitaxiale Anwachsen J5 Stunden lang fortgesetzt wird, entstehen Stärken von 100 bis 200 μπι.
Schließlich kann das Siliciumkarbid durch Abschleifen entfernt werden, so daß plattenförmige, nur aus Aluminium-
2 nitrid bestehende Kristalle mit Oberflächen bis 1 cm erhalten werden.
Beispiel 2;
Auf die an Hand von Pig. 1, 2 und j5 beschriebene Weise werden η-Typ Siliciumkarbidkristalle durch Rekristallisierung und/oder Kondensation in einer Argonatmosphäre mit 0,1$ Stickstoff gebildet. An diesen Kristallen wird epitaxial p-Typ Aluminiumnitrid in einer Stickstoffatmosphäre mit 0,1 % Schwefelwasserstoff angewachsen.
Aus den erzielten Kristallkombinationen werden Plättchen
von 1 mm gesägt, die durch das Aufschmelzen einer Goldlegierung mit 5 % Tantal bei 130O0C mit Kontakten versehen werden. Die entstandene Diode mit "Heterojunction" strahlt bei Belastung mit 10 V JO mA blaues Licht aus.
Beispiel 3;
Auf die im Beispiel 1 beschriebene Weise wird Aluminiumnitrid an Siliciumkarbidkristallen angewachsen. Die SiC-Kristalle werden aber während des Anwachsens auf 22500C gehalten. Polglich entsteht ein epitaxialer Wuchs von Misch kristallen mit der Zusammensetzung 90 % AlN und 10 % SiC an den SiC-Kristallen.
Patentansprüche
- 6 109826/ 1269

Claims (7)

Pa tentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristallen, bei dem Aluminiumnitrid durch Rekristallisierung und/ oder Kondensation aus der Gasphase bei Temperaturen von l800°C bis 25000C abgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumnitridkristalle epitaxial an plattenförmigen Siliciumkarbidkristallen angewachsen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an plattenförmigen Siliciumkarbidkristallen, die durch Rekristallisierung und/oder Kondensation in einem von Siliciumkarbid begrenzten Raum gebildet sind, in diesem Raum bei Temperaturen von l800°C bis 21000C angewachsen wird.
3· Verfahren nach Anspruch 1, zur Herstellung von Aluminiumnitridmischkristallen, dadurch gekennzeichnet, daß an plattenförmigen Siliciumkarbidkristallen, die durch Rekristallisierung und/oder Kondensation in einem von Siliciumkarbid begrenzten Raum gebildet sind, in diesem Raum bei Temperaturen von 21000C bis 23000C angewachsen wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß während des Kristallwuchses über die Gasatmosphäre Dotierungen zugeführt werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der aus Siliciumkarbid bestehende Substratkristall entfernt wird.
6. Kristalle und Kristallkombinationen, die nach einem der Ansprüche 1 bis 5 erhalten sind.
7. Halbleitervorrichtungen mit Kristallen und Kristallkombinationen nach Anspruch 6.
109826/1269
DE19671667656 1966-10-25 1967-10-12 Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristallen fuer Halbleitervorrichtungen Pending DE1667656A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6615059A NL6615059A (de) 1966-10-25 1966-10-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1667656A1 true DE1667656A1 (de) 1971-06-24

Family

ID=19797991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671667656 Pending DE1667656A1 (de) 1966-10-25 1967-10-12 Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristallen fuer Halbleitervorrichtungen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3634149A (de)
AT (1) AT288318B (de)
BE (1) BE705580A (de)
CH (1) CH501061A (de)
DE (1) DE1667656A1 (de)
GB (1) GB1196029A (de)
NL (1) NL6615059A (de)
SE (1) SE328852B (de)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4382837A (en) * 1981-06-30 1983-05-10 International Business Machines Corporation Epitaxial crystal fabrication of SiC:AlN
JPS61291494A (ja) * 1985-06-19 1986-12-22 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法
JP2650744B2 (ja) * 1988-12-28 1997-09-03 シャープ株式会社 発光ダイオード
DE4109979C2 (de) * 1990-03-28 2000-03-30 Nisshin Flour Milling Co Verfahren zur Herstellung beschichteter Teilchen aus anorganischen oder metallischen Materialien
US5958132A (en) * 1991-04-18 1999-09-28 Nippon Steel Corporation SiC single crystal and method for growth thereof
JP3214868B2 (ja) * 1991-07-19 2001-10-02 ローム株式会社 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
US5270263A (en) * 1991-12-20 1993-12-14 Micron Technology, Inc. Process for depositing aluminum nitride (AlN) using nitrogen plasma sputtering
US5679152A (en) 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US6958093B2 (en) * 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US5759908A (en) * 1995-05-16 1998-06-02 University Of Cincinnati Method for forming SiC-SOI structures
US5814840A (en) * 1995-06-06 1998-09-29 Purdue Research Foundation Incandescent light energy conversion with reduced infrared emission
US5650361A (en) * 1995-11-21 1997-07-22 The Aerospace Corporation Low temperature photolytic deposition of aluminum nitride thin films
FR2747401B1 (fr) * 1996-04-10 1998-05-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede pour la formation de carbure de silicium (sic) monocristallin sur un germe
US5858086A (en) * 1996-10-17 1999-01-12 Hunter; Charles Eric Growth of bulk single crystals of aluminum nitride
US5954874A (en) * 1996-10-17 1999-09-21 Hunter; Charles Eric Growth of bulk single crystals of aluminum nitride from a melt
US6045612A (en) * 1998-07-07 2000-04-04 Cree, Inc. Growth of bulk single crystals of aluminum nitride
US6063185A (en) * 1998-10-09 2000-05-16 Cree, Inc. Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride: silicon carbide alloy
US6086672A (en) * 1998-10-09 2000-07-11 Cree, Inc. Growth of bulk single crystals of aluminum nitride: silicon carbide alloys
US6596079B1 (en) * 2000-03-13 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
US20060005763A1 (en) * 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US7638346B2 (en) * 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
JP4470690B2 (ja) * 2004-10-29 2010-06-02 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶、炭化珪素基板および炭化珪素単結晶の製造方法
EP1960570A2 (de) 2005-11-28 2008-08-27 Crystal Is, Inc. Grosse aluminiumnitridkristalle mit reduzierten defekten und herstellungsverfahren dafür
JP5281408B2 (ja) * 2005-12-02 2013-09-04 クリスタル・イズ，インコーポレイテッド ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
US9034103B2 (en) * 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
EP2007933B1 (de) * 2006-03-30 2017-05-10 Crystal Is, Inc. Verfahren zur gesteuerten dotierung von aluminiumnitrid-massenkristallen
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US8323406B2 (en) 2007-01-17 2012-12-04 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9437430B2 (en) * 2007-01-26 2016-09-06 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8088220B2 (en) * 2007-05-24 2012-01-03 Crystal Is, Inc. Deep-eutectic melt growth of nitride crystals
WO2009066663A1 (ja) * 2007-11-22 2009-05-28 Meijo University 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びそれを使用した板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法
JP5303941B2 (ja) * 2008-01-31 2013-10-02 住友電気工業株式会社 ＡｌｘＧａ１−ｘＮ単結晶の成長方法
JP5367434B2 (ja) * 2009-03-31 2013-12-11 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
US20100314551A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Bettles Timothy J In-line Fluid Treatment by UV Radiation
JP5806734B2 (ja) 2010-06-30 2015-11-10 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 熱勾配制御による窒化アルミニウム大単結晶成長
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US20150280057A1 (en) 2013-03-15 2015-10-01 James R. Grandusky Methods of forming planar contacts to pseudomorphic electronic and optoelectronic devices

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL239785A (de) * 1959-06-02
BE620887A (de) * 1959-06-18
US3129125A (en) * 1959-07-01 1964-04-14 Westinghouse Electric Corp Preparation of silicon carbide materials
US3228756A (en) * 1960-05-20 1966-01-11 Transitron Electronic Corp Method of growing single crystal silicon carbide
US3210624A (en) * 1961-04-24 1965-10-05 Monsanto Co Article having a silicon carbide substrate with an epitaxial layer of boron phosphide
US3275415A (en) * 1964-02-27 1966-09-27 Westinghouse Electric Corp Apparatus for and preparation of silicon carbide single crystals

Also Published As

Publication number Publication date
AT288318B (de) 1971-02-25
SE328852B (de) 1970-09-28
CH501061A (de) 1970-12-31
GB1196029A (en) 1970-06-24
US3634149A (en) 1972-01-11
BE705580A (de) 1968-04-24
NL6615059A (de) 1968-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1667656A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Aluminiumnitridkristallen fuer Halbleitervorrichtungen
DE2463206C2 (de)
DE4116563C2 (de) Siliciumcarbid-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69704483T2 (de) Züchtung von farblosen siliziumcarbidkristallen
US3458779A (en) Sic p-n junction electroluminescent diode with a donor concentration diminishing from the junction to one surface and an acceptor concentration increasing in the same region
DE2231926A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitermaterial und zur herstellung von halbleitereinrichtungen
DE2733354A1 (de) Verfahren zur herstellung eines keramikproduktes
DE3620329C2 (de)
Dean et al. Green electroluminescence from gallium phosphide diodes near room temperature
DE1194984B (de) Halbleiteranordnung aus Siliziumkarbid und Verfahren zu deren Herstellung
DE19905516A1 (de) Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen
EP0004031A1 (de) Dichte polykristalline Formkörper aus alpha-Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung durch drucklose Sinterung
DE885756C (de) Verfahren zur Herstellung von p- oder n-leitenden Schichten
DE3786148T2 (de) Verfahren zur hetero-epitaktischen zuechtung.
DE2131391C2 (de) Elektroluminierende Galliumphosphid-Diode
DE69002846T2 (de) Lichtemittierende Diamantanordnung.
Nuese et al. The preparation and properties of vapor-grown In 1− x Ga x P
DE112010000867T5 (de) Herstellungsverfahren für SiC-Einkristall vom n-Typ, dadurch erhaltener SiC-Einkristall vomn-Typ und dessen Anwendung(7) E] Antrag auf vorzeitige Bearbeitung oder PrU
DE1166938B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
Neuberger III-V ternary semiconducting compounds-data tables
DE1188555B (de) Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems
DE2251938A1 (de) Legierung zur thermoelektrischen energieumwandlung, verfahren zu deren herstellung und daraus gebildeter thermoelektrischer energieumwandler
DE3124817A1 (de) Lumineszenzdiode mit hohem wirkungsgrad und hoher grenzfrequenz der modulierbarkeit
DE1592886A1 (de) Verbesserungen von oder hinsichtlich lumineszierender Stoffe
Kumashiro et al. Crystal growth of boron phosphide by high pressure flux method