DE1644012C3 - Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase in eine lokal mit einer Siliciumnitridschicht maskierte Halbleiteroberfläche - Google Patents
Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase in eine lokal mit einer Siliciumnitridschicht maskierte HalbleiteroberflächeInfo
- Publication number
- DE1644012C3 DE1644012C3 DE19671644012 DE1644012A DE1644012C3 DE 1644012 C3 DE1644012 C3 DE 1644012C3 DE 19671644012 DE19671644012 DE 19671644012 DE 1644012 A DE1644012 A DE 1644012A DE 1644012 C3 DE1644012 C3 DE 1644012C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon nitride
- nitride layer
- mask
- diffusion
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 31
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 title claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 230000000873 masking Effects 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910000669 Chrome steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 230000002349 favourable Effects 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DVARTQFDIMZBAA-UHFFFAOYSA-O Ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[O-][N+]([O-])=O DVARTQFDIMZBAA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N Tetrahydro-2-furanmethanol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N Ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N Carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000078 corrosive Toxicity 0.000 description 1
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 1
- 230000001066 destructive Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
5. Verfahren nach den Ansprüchen 2 bis 4. da- 40 dem Angriff solcher bekannter Atzmittel zugänglich,
durch gekennzeichnet, daß das die Oxydation der Siliciumnitridschicht unter Anwendung von nichtwäßriger Tetrahydrofurfurylalkohollösung mit Zusatz
von Ammonnitrat und einer Stromdichte von die auch auf die aus Photolack bestehende Ätzmaske
zerstörend wirken. Man hat deshalb die Siliciumnitridschicht zunächst mi· einer ebenfalls aus der Gasphase
abgeschiedenen SiO2-Schicht abgedeckt, auf dieser erst
5 mA/cm2 an der von der Photolackmaske unbe- 45 die Photolack-Ätzmaske aufgebracht, um mit einem
dtckten Si3N4-Oberfläche erfolgt.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet daß zur selektiven Lösung
der oxydierten Stellen der Siliciumnitridschicht gepufferte wäßrige Flußsäurelösung verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydation unter Einwirkung von
Ozon bei erhöhter Temperatur durchgeführt wird.
Die Erfindung bezieht si^h auf ein Verfahren zum
Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase in eine lokal mit einer Siliciumnilridschicht maskierte
Halbleiteroberfläche.
£in solches Verfahren ist bekannt. Für seine Durchführung gelten die folgenden, aus der Planartechnik bekannten
Gesichtspunkte:
1. Die Oberfläche des insbesondere scheibenförmigen Halbleiterkristalls wird mit einer maskierenden
Schicht, im vorliegenden Fall also einer Siliciumnitridschicht. versehen, die man durch pyrolytiden
Photolack der Maske nicht schädigenden Ätzmittel, z. B. mit Ammoniumfluorid gepufferter, wäßriger
HF-Lösung, zunächst Fenster in der SiO2-Schicht zu ätzen. Die SiO2-Schicht bildet dann eine Maske für das
Ätzen der Diffusionsfenster in der SiiN4-Schicht, die gegen die hierzu erforderlichen Ätzmittel, im Gegensatz
zu der Photolackschicht, widerstandsfähig ist. Bekanntlich läßt man zur Erzeugung der Fenster in der
Siliciumnitridschicht Phosphorsäure (H 3PO4) bei erhöhter
Temperatur (mehr als 180° C) auf das mit der S1O2-Schicht
nicht abgedeckte Nitrid einwirken, während die Abdeckungsschicht gegenüber diesem Ätzmittel unempfindlich
ist. Dabei wird auch die eventuell auf der SiO2-Schicht noch haftende Photolackätzmaske zerstört.
Ein solches Verfahren ist einmal zeitlich aufwendig, weil es Zvvei Ätzschritte erfordert. Außerdem sind reproduzierbare
Bedingungen bei den für die Nitridätzung mit H3PO4 erforderlichen Temperaturen schwer
einzuhalten, weil sich in diesem Temperaturbereich H3PO4 in HPO3 umwandelt.
Es ist Aufgabe der Erfindung, diese Nachteile durch die Verwendung eines günstigeren Verfahrens zu ver-
meiden, welches darin besteht, daß nach dem bei einer
Temperatur von mindestens 8000C erfolgenden Aufbringen der Silidumnitridschicht auf die Halbleiteroberfläche
die Silidumnitridschicht, mit Ausnahme der Stellen der gewünschten Diffusionsfenster, mit einer
Abdeckung aus eingebranntem Photolack versehen wird, die freiliegenden Stellen der Siliciumnitridschicht
durch Einwirken von nascierendem Sauerstoff zu Siliciumdioxyd
oxydiert, dann die oxydierten Stellen der Siliciumnitridschicht
durch Einwirken eines die Nitridschicht nicht angreifenden Ätzmittels entfernt werden
und in die dadurch freigelegte Halbleiteroberfläche der Dotieningsstoff zum Eindiffundieren gebracht wird.
Die gemäß der Erfindung vorgeschlagene Oxydation der Silidumnitridschicht durch nascierenden, also in
atomarem Zustand vorliegenden Sauerstoff, läßt sich bei Temperaturen durchführen, bei denen eine Photolackmaske
nicht oder nur unwesentlich angegriffen wird. Vorzugsweise wird bei dem erfindungsgemäßen
Verfahren der nasrierende Sauerstoff im Zuge einer
anodischen Oxydation erzeugt.
Die Tatsache, daß die Bindung zwischen Sauerstoff und Silidum merklich fester als die zwischen Silicium
und Stickstoff ist, ermöglicht die Umwandlung einer Siliciumnitridschicht
in eine aus Siliciumdioxyd bestehende Schicht. Andererseits sind aber hierzu normalerweise
höhere Temperaturen erforderlich. Um den Oxydationsprozeß im Interesse der Verwendung einer Photolackmaskierung
auch bei niedrigen, d. h. höchstens 1500C betragenden, Temperaturen zu bewerkstelligen,
ist die Energie nascierenden Sauerstoffe das geeignete Mittel. Es bestehen mehrere Möglichkeiten, nascierenden
Sauerstoff bei niedrigen Temperaturen zu erzeugen. Um dabei die aus Photolack bestehende Maskierung
möglichst zu schonen, ist die Anwendung von anodischen Oxydationsprozessen besonders zu empfehlen.
Des weiteren wird die Erfindung vorzugsweise unter diesem Aspekt beschrieben.
Ausführungsbeispiel:
40
Zunächst wird ein in bekannter Weise für den Maskierungsprozeß vorbereitetes Scheibchen aus einkristallinem
Silicium in einer zur Erzeugung von Siliciumnitrid geeigneten Atmosphäre auf 8000C oder mehr erhitzt
und auf diese Weise eine beispielsweise 0.1 μ dicke Schicht aus Siliciumnitrid erzeugt. Diese Schicht ist in
konzentrierter Rußsäure unlöslich. Sie wird mit einem Photolack beschichtet, der an den Stellen der zj erzeugenden
Diffusionsfenster belichtet und lokal durch Entwicklung von den belichteten Stellen befreit wird. Der
stehengebliebene Lack wird bei etwa 2500C eingebrannt, indem die beispielsweise auf eine elektrische
Heizplatte aufgelegten, mit dem Photolack bedeckten Siliciumscheiben der Einwirkung von Luft oder auch
von Inertgas ausgesetzt werden. Die auf diese Weise behandelten Siliciumscheiben können nun für den nachfolgenden
Prozeß der anodischen Oxydation kontaktiert werden. Zu diesem Zweck ist es am einfachsten,
wenn man bei der Erzeugung der Nitridschicht dafür sorgt, daß nur die eine Flachseite der Scheibe bedeckt
wird, während die Rückseite frei bleibt.
In der Zeichnung ist eine zur anodischen Oxydation geeignete, das Wesentlichste zeigende Apparatur vereinfacht
dargestellt. Der mit der Nitridschicht 2 und der Photolackmaskierung 3 bedeckte Siliciumkristall 1 wird
an seiner Rückseite von einer mit einer Ansaugvorrichtung versehenen Elektrode 4, beispielsweise aus
Chromstahl, angesaugt und festgehalten. Da die mit der Elektrode 4 in Berührung stehende Rückseite 1 weder
von der Nitridschicht 2 noch von der Photolackschicht 3 bedeckt ist, wird auf diese Weise gleichzeitig ein guter
elektrischer Kontakt zwischen der Elektrode 4 und dem Siliciumkristall 1 gesichert Der Kristall 1 taucht
mit seiner Vorderseite einschließlich der Siliciumnitridschicht 2 und der Photolackmaskierung 3 in einen zum
Zweck der anodischen Oxydation geeigneten, beispielsweise in einem Quarzgefäß 5 befindlichen Elektrolyten
6. Dieser Elektrolyt kann z. B. aus nicht wäßriger Tetrahydrofurfurylalkohollösung
bestehen, der mit je 40 g/l mit Ammonnitrat (NH4NO3) versetzt ist
Stellt man eine Stromdichte von 5 mA/cm2 an der
von der Photolackmaske unbedeckten Si3N-»-Oberfläche
(die Oberfläche der Elektrode 4 soll dabei mit dem Elektrolyten 6 nicht in Kontakt gelangen) ein, so wird
die Siliciumnitridschicht an den von der Photolackschicht 3 nicht bedeckten Stellen in Oxyd verwandelt.
Dieser Vorgang wird von einer Reduktion der Stromdichte bzw. von einer Erhöhung der zur Konstanthaltung
der Stromdichte erforderlichen Spannung zwischen der den Halbleiter kontaktierenden Elektrode 4
und einer in das Elektrolytbad tauchenden Gegenelektrode 7 begleitet Den Abschluß des Oxydationsprozesses
erkennt man deshalb daran, daß die Spannung bzw. die Stromdichte wiederum konstante Werte annimmt.
Üblicherweise weist die Siliciumnitridschicht 2 eine Stärke von etwa 1 μ und weniger, die Photolackschicht
eine Stärke von etwa 20 bis 50 μ auf. Unter diesen Bedingungen kann man die gewünschte Stromdichte von
5 mA/cm2 durch Verwendung einer Gleichspannungsquelle 8 mit 200 V Spannung und einer Einwirkungsdauer
von etwa 10 Minuten erreichen. Bei entsprechend dickeren Si3N4-Schichten benötigt man entsprechend
höhere Spannungen. Da der Prozeß der anodischen Oxydation nicht nur die freigelegte Nitridschicht,
sondern auch die Siliciumoberfläche erfaßt und außerdem das entstehende Siliciumoxyd ein besseres Isolationsvermögen
als die Siliciumnitridschicht aufweist, spielt es keine Rolle, wenn der Elektrolyt die Halbleiteroberfläche
berührt
Nach erfolgter Oxydation der Siliciumnitridschicht an der Stelle des zu erzeugenden Diffusionsfensters 9
wird der Kristall I aus dem Elektrolytbad entfernt, der Photolack 3 in bekannter Weise abgelöst und die nunmehr
nur mit der partiell oxydierten Siliciumnitridschicht bedeckten Kristalle 1 mit verdünnter gepufferter
Flußsäure zur Entfernung der oxydierten Teile der Siliciumnitridschicht behandelt. Der auf diese Weise
entstandene, mit einer Siliciumnitridmaske mit Diffusionsfenster bedeckte Kristall wird dann in üblicher
Weise bei erhöhter Temperatur der Wirkung eines dotierenden Gases ausgesetzt und der Diffusionsprozeß
und damit das erfindungsgemäße Verfahren in bekannter V/eise zum Abschluß gebracht.
Die Oxydation der Siliciumnitridschicht kann auch auf andere Art und Weise erfolgen, bei der nascierender
Sauerstoff entsteht Beispielsweise kann eine Behandlung mit Ozon bei erhöhter Temperatur stattfinden.
Desgleichen können auch andere zur anodischen Oxydation geeignete, den isolierenden Phoiolack jedoch
nicht angreifende Elektrolytflüssigkeiien, beispielsweise Glykolborat, verwendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase in eine lokal mit einer
SHiriumnitridschicht maskierte Halbleiteroberfläche, dadurch gekennzeichnet, daß nach
dem bei einer Temperatur von mindestens 8000C erfolgenden Aufbringen der SHiciumnitridschicht
auf die Halbleiteroberfläche die Siliciumnitridschicht, mit Ausnahme der.SteJlen der gewünschten
Diffusionsfenster, mitleiner^bdeckuggfiösTeihge-,
branntem Photolack versehen wird, die freiliegenden Stellen der Siliciumnitridschicht durch Einwirken
von nascierendem Sauerstoff zu Siliciumdioxyd oxydiert dann die oxydierten Stellen der Siliciumnitridschicht
durch Einwirken eines die Nitridschicht nicht angreifenden Ätzmittels entfernt werden und
in die dadurch freigelegte Halbleiteroberfläche der Dotierungsstoff zum Eindiffundieren gebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die lokale Umwandlung der Siliciumnitridschicht in Siliciumdioxyd durch anodische
Oxydation der nicht abgedeckten Stellen vorgenommen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem bei mindestens
8000C erfolgenden Entstehen der Siliciumnitridschicht an der Halbleiteroberfläche und Bedeckung
dieser Schicht mit einer Photolackmaske die Photolackmaske bei etwa 2500C eingebrannt und dabei
die mit dem Photolack bedeckten Halbleiterscheiben der Einwirkung von Luft oder auch Inertgas
ausgesetzt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß der Halbleiterkristall während der anodischen
Oxydation durch Ansaugen an einer aus Chromstahl bestehenden Elektrode festgehalten
und zur gleichen Zeit elektrisch kontaktiert wird.
sehe Umsetzung eines entsprechenden Reaktions-,
gases, z. B. emes" verdünnten Gemisches aus SiHi
und NH3, erhalten kann. Zu diesem Zweck wird
das Reaktionsgasgemisch mit der erhitzten Oberfläche des zu behandelnden Halbleiterkristalls in
einem, vorzugsweise als Durchströmungsgefäß ausgebildeten Reaktionsgefäß für einige Zeit in
Kontakt gebracht
2. Die maskierende Schicht wird unter gleichzeitiger
Verwendung einer belichteten und entwickelten Photolackabdeckung als Ätzmaske mit einem ge-
* ^eigneten Ätzmittel behandelt so daß sich die nicht
abgedeckten Teile der maskierenden Schicht in dem Ätzmittel lösen, während die abgedeckten
Teile, die zu erzeugende Ätzmaske bildend, die Oberfläche des Halbleiterkristalls nach wie vor abdecken.
3. Die erhaltene Anordnung wird in einem dotierend wirkenden Gas für einige Zeit erhitzt, so daß Dotierungsstoff
aus der Gasphase in die in den Fenstern der Diffusionsmaske freiliegenden Stellen
des Halbleiterkristalis eindiffundiert, wodurch bei entsprechender Vordotierung des Halbleiterkristal's
pn-Übergänge entstehen.
Das Verfahren wird gewöhnlich unter Verwendung von Diffusionsmasken aus S1O2 zum Eindiffundieren
von Phosphor oder Bor in Siliciumkristalle oder auch Germaniumkristalle angewendet Will man andere Dotierungsstoffe
z. B. Gallium oder Zink unter Verwendung einer Diffusionsmaske eindiffundieren, so muß
man an Stelle einer Maske aus SiO. eine Siüciumnitridmaske
verwenden, die sich auch gegenüber anderen Dotierungsstoffen durch ein besseres Maskierungsvermögen
auszeichnet.
Jedoch bereitet die Erzeugung der Diffusionsfenster in einer Siliciumnitridschicht Schwierigkeiten, wenn
diese, was vor allem im Interesse der Maskierungsfähigkeit günstig ist, bei einer oberhalb von 800° C liegenden
Temperatur abgeschieden ist Diese ist dann nur
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0110710 | 1967-07-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1644012C3 true DE1644012C3 (de) | 1977-04-07 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1614999A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit einer einem vorgegebenen Flaechenmuster entsprechenden dielektrischen Schicht auf der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers | |
DE2822901C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE2641752C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors | |
DE2229457B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
DE3490007T1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen | |
DE2832740A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
EP2338179B1 (de) | Verfahren zur behandlung von substraten und behandlungseinrichtung zur durchführung des verfahrens | |
DE2658448B2 (de) | Verfahren zum Ätzen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten Schicht aus Siliciumnitrid in einem Gasplasma | |
DE1489240B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE2633714C2 (de) | Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2453134A1 (de) | Planardiffusionsverfahren | |
DE1961634A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Misfet | |
DE2613490A1 (de) | Verfahren zur entfernung von vorspruengen auf epitaxieschichten | |
DE1644012B2 (de) | Verfahren zum eindiffundieren von dotierungsstoff aus der gasphase in eine lokal mit einer siliciumnitridschicht maskierte halbleiteroberflaeche | |
DE1644012C3 (de) | Verfahren zum Eindiffundieren von Dotierungsstoff aus der Gasphase in eine lokal mit einer Siliciumnitridschicht maskierte Halbleiteroberfläche | |
DE2951237C2 (de) | Verfahren zum Entfernen von Galliumrückständen auf der Oberfläche einer A ↓I↓↓I↓↓I↓B↓V↓ Halbleiterschicht | |
DE2519360A1 (de) | Aluminiumhaltiges mittel und ein verfahren zu seinem auftragen auf ein substrat | |
DE2545153C2 (de) | Verfahren zum Freilegen einer metallischen Leiterschicht | |
DE2738493A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
EP0032174B1 (de) | Verfahren zum Dotieren von Siliciumkörpern durch Eindiffundieren von Bor und Anwendung dieses Verfahrens zum Herstellen von Basiszonen bipolarer Transistoren | |
DE2152057A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiteraufbaus | |
DE1614691A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen nach der Planartechnik unter Verwendung von Bor als Dotierungsmaterial | |
DE1614569A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer aus Silisiumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers | |
DE1803025A1 (de) | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2529865C2 (de) | Wäßrige Ätzlösung zum selektiven Ätzen von Siliciumdioxidschichten auf Halbleiterkörpern |