DE1639368B2 - Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen ohmscher Kontakte zwischen Aluminium als Kontaktmetall und mehre ren Oberflachenzonen eines Halbleiter korpers aus Silizium - Google Patents
Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen ohmscher Kontakte zwischen Aluminium als Kontaktmetall und mehre ren Oberflachenzonen eines Halbleiter korpers aus SiliziumInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61540467A | 1967-02-13 | 1967-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1639368A1 DE1639368A1 (de) | 1972-03-30 |
| DE1639368B2 true DE1639368B2 (de) | 1973-10-31 |
Family
ID=24465230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1639368A Pending DE1639368B2 (de) | 1967-02-13 | 1968-02-13 | Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen ohmscher Kontakte zwischen Aluminium als Kontaktmetall und mehre ren Oberflachenzonen eines Halbleiter korpers aus Silizium |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3508324A (enExample) |
| DE (1) | DE1639368B2 (enExample) |
| FR (1) | FR1549075A (enExample) |
| GB (1) | GB1156895A (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3651565A (en) * | 1968-09-09 | 1972-03-28 | Nat Semiconductor Corp | Lateral transistor structure and method of making the same |
| US3649882A (en) * | 1970-05-13 | 1972-03-14 | Albert Louis Hoffman | Diffused alloyed emitter and the like and a method of manufacture thereof |
| FR2191267B1 (enExample) * | 1972-06-28 | 1977-02-18 | Westinghouse Brake Semi Conduc |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2981877A (en) * | 1959-07-30 | 1961-04-25 | Fairchild Semiconductor | Semiconductor device-and-lead structure |
| GB1031837A (en) * | 1963-08-01 | 1966-06-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to metal plating |
| US3266127A (en) * | 1964-01-27 | 1966-08-16 | Ibm | Method of forming contacts on semiconductors |
-
1967
- 1967-02-13 US US615404A patent/US3508324A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-27 FR FR1549075D patent/FR1549075A/fr not_active Expired
-
1968
- 1968-02-13 GB GB7145/68A patent/GB1156895A/en not_active Expired
- 1968-02-13 DE DE1639368A patent/DE1639368B2/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1639368A1 (de) | 1972-03-30 |
| US3508324A (en) | 1970-04-28 |
| GB1156895A (en) | 1969-07-02 |
| FR1549075A (enExample) | 1968-12-06 |
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