DE1639263B1 - Photolithographisches verfahren zum herstellen von halbleiter bauelementen oder integrierten schaltungen - Google Patents

Description

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Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen chips einer bis mehr als sechzig elektrischen Schaloder integrierten Schaltungen ist es allgemein üblich, tungen entsprechen, wobei jgcje, dieser Schaltungen an vorherbestimmten Stellen Durchbrüche mit einer eine große Anzahl von Halbleiterkomponenten bebestimmten Geometrie in die den Halbleiferkorper sitzen kann, so daß. schon eine geringe Anzahl von abdeckenden isolierenden Schichten einzubringen, bei- 5 Defekten der isolierenden Schicht eines Halbleiterspielsweise in eine Siliciumoxidschicht, sofern es sich plättchens die Fertigungsausbeute von monolithischen um ein Halbleiterbauelement aus Silicium handelt. Chips beträchtlich reduzieren können. In gleicher Durch diese Öffnungen werden dann Diffusions- Weise sind Defekte der obengenannten Art schädlich materialien oder metallische Beläge eingebracht, die bei der Herstellung von elektrischen, metallisch leitenan den freigelegten Stellen in das Halbleitermaterial io den Verbindungen, die entweder zu bestimmten Zonen eindiffundieren oder an diesem Kontaktierangen er- der Halbleiterbauelemente geführt werden oder aber geben sollen. In gleicher Weise geht man auch vor, ejnen Kontakt niedrigen Widerstandes zu einem metalwenn es beabsichtigt ist, elektrische Kontakte zu einem lischen Leitungsmuster unterhalb der isolierenden metallischen Leitungsmuster zu erstellen, welches Schicht bilden sollen.

zwischen zwei isolierenden Schichten auf dem Halb- 15 Es ist daher erforderlich, porenförmige Defekte leitersubstrat eingeschlossen ist. Im letzteren Falle ist innerhalb der isolierenden Schicht zu vermeiden, da es erforderlich, in der obersten isolierenden Schicht derartige Öffnungen unerwünschte Kurzschlüsse enteinen Durchbruch anzubringen, um für den metal- weder zu der Halbleiteroberfläche oder zu dem metallischen Anschluß eine Zugangsmöglichkeit zu dem in lischen Leitungsmuster unterhalb der isolierenden Sandwichkonfiguration vorliegenden metallischen Lei- ao Schicht verursachen können.

tungsmuster zu schaffen. Im Zuge der Herstellung Eine Kontrolle bzw. Vermeidung der auf diese Weise

derartiger Durchbrüche war es erforderlich, eine zustande kommenden Kurzschlüsse ist bei der Her- ä

maskierende Schicht auf die Oberfläche der Isolier- stellung von monolithischen oder integrierten Halb- "

schicht aufzubringen, welche mit Ausnahme von aus- leiterbauelementen oder Chips von großer Wichtigkeit,

gewählten Bereichen der isolierenden Schicht, an 25 insbesondere auch im Hinblick auf die Erzielung eines

denen die Durchbrüche erzeugt werden sollen, als niedrigen Fertigungsausschusses.

Schutzschicht in einem anschließenden Abtragungs- Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe

bzw. Ätzverfahren wirkt. Bisher wurden gewöhnlich zugrunde, ein Verfahren anzugeben, das die genannten,

in der Halbleitertechnik als maskierende Schichten bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen und

solche aus einem Photolack benutzt. 30 integrierten Schaltungen mögliehen, auf Defekte in den

Ein Nachteil bei dieser Art der Herstellung von bei der Herstellung verwendeten maskierenden Schich-Durchbrüchen in einer isolierenden Schicht ist darin ten zurückzuführenden Schäden vermeidet,
zu erblicken, daß Unvollkommenheiten der maskieren- Das die genannte Aufgabe lösende Verfahren nach den Schicht sich schädlich auswirken können, wie sie der Lehre der vorliegenden Erfindung ist dadurch erstens durch Defekte innerhalb der Photolackschicht 35 gekennzeichnet, daß die Abdeckschicht zur Herstellung und zweitens durch Verunreinigungen der Oberfläche der gewünschten Öffnungen mit mindestens zwei vonder zu maskierenden isolierenden Schicht oder drittens einander unabhängigen, ätzbeständigen Photolackauch durch Unvollkommenheiten der bei der Beiich- schichten überzogen wird, wobei die jeweils folgenden tung benutzten Maske verursacht sein können. Der- Schichten auf die vorangehende, belichtete und ausartige Unvollkommenheiten ziehen Öffnungen inner- 40 gehärtete Schicht aufgebracht werden, und/oder daß halb der isolierenden Schicht nach sich, die während mindestens eine dieser Photolackschichten durch mindes anschließenden Ätzens zu schwerwiegenden Feh- destens zwei Photomasken mit gleichem geometrischem lern des herzustellenden Halbleiterbauelements führen Muster hindurch belichtet werden,
können, die beträchtliche Qualitätsminderungen oder Die Erfindung wird im folgenden an Hand einiger ' gar den Ausfall des Bauelementes verursachen. Diese 45 bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Zugrunde-Schäden ergeben sich dadurch, daß bei der Durch- legung der Figuren beschrieben. In diesen bedeutet: führung von Diffusionsverfahrensschritten zum Ein- F i g. 1 eine Folge von Verfahrensschritten zur Herbringen der Dotierungsstoffe in den Halbleiterkörper stellung von Durchbrüchen in isolierenden Abdekauf Grund von Nebendiffusionen durch die fehler- kungen auf Halbleiterkörpern unter Vermeidung von haften Öffnungen in der isolierenden Schicht uner- 50 pnei wünschten Poren in der isolierenden Schicht nach wünschte Zonen im Halbleiterkörper entstehen. Diese der Lehre der vorliegenden Erfindung,
unerwünschten Zonen verursachen entweder elek- F i g. 2 eine weitere Folge von Verfahrensschritten irische Kurzschlüsse oder Abweichungen von den zur Herstellung von Durchbrüchen in isoliere tiden elektrischen Eigenschaften des Halbleiterbauelementes Schichten auf einem metallischen Leitungsmuster oder der integrierten Schaltung. Bei der Herstellung 55 unter Vermeidung γρη unerwünschten Porenbildungen von diskreten Halbleiterbauelementen auf einem kon- nach der Lehre der vorliegenden Erfindung und
ventionellen Halbleiterkörperplättchen von etwa F i g. 3 eine weitere Folge von Schritten zur Durch-2,5 cm Durchmesser ist dieses Problem nicht von aus- führung des Verfahrens nach der Erfindung unter Beschlaggebender Bedeutung, da diese Halbleitervor- rücksichtigung besonderer Maßnahmen zur Justierung richtungen, sofern sie irgendwelche Abweichungen 60 mehrerer einzubringender Durchbrüche,
infolge von Maskendefekten aufweisen sollten, ent- F i g. 1 zeigt im Verfahrensschritt 1 ein Halbleiterfernt werden konnten. substrat 10 mit einer isolierenden Schicht 12 auf des-

Bei der Herstellung monolithischer Halbleiter- sen Oberfläche. Das Halbleiterbauelement kann z. B. strukturen jedoch kann eine einzelne porenförmige aus Silicium, Germanium oder aus irgendeiner beÖffnung in der isolierenden Schicht auf dem inte- 65 kannten intermetallischen Verbindung bestehen. Als grierten Halbleiterchip eine elektrische Fehlfunktion isolierende Schicht 12 kann ein bekanntes isolierendes oder den Ausfall der gesamten Schaltung verursachen. Material, z. B. Siliciumoxid, Germaniumoxid, SiIi-

Zur Zeit können monolithisch integrierte Halbleiter- ciumnitrid oder Aluminiumoxid benutzt werden, wo-

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bei die jeweilige Substanz auf die Substratoberfläche zufällig zwei Poren inner halb der ersten und der zweiten, ■durch irgendein bekanntes Niederschlags- oder durch Photolacksphicht miteinander fluchten. Verfahrensein thermisches Aufwachsverfahren aufgebracht wurde. schritt 7 zeigt eine Schnittdarstellung nach Entfernung Vorzugsweise wird .das Halbleitersubstrat 10 aus SiIi- der ersten und zweiten Photolackschichten 14 und 18, •cium und die isolierende Schicht 12 aus Siliciumoxid 5 in welcher der fertiggestellte Durchbruch 24 in der bestehen, welches thermisch auf die Oberfläche des !Oxidschicht 12 erkennbar ist. An dieser Stelle des Siliciumsubstrats aufgezüchtet ist. Die weitere Be- Herstellungsverfahrens ergibt sich eine aus der F i g. 1

Schreibung richtet sich auf dieses bevorzugte Material, ersichtliche Verzweigung, je nachdem, ob die Eines ist jedoch naheliegend, daß _:aueh andere Materialien bringung des Durchbruches 24 zum Zwecke der Er-

bei der Durchführung des Verfahrens benutzt werden io zeugung einer diffundierten Zone (Verfahrensschritt

können. .84) oder zur Herstellung eines an .die Oberfläche des

Im Verfahrensschritt 2 wird eine maskierende Substrates 10 führenden metallischen Kpntaktes (Ver-

Schicht 14 auf der Isolierschicht 12 angebracht. Vor- f ahrensschritt 8B) erfolgte.

zugsweise besteht diese maskierende Schicht 14 aus Im ersten Falle bedient man sich eines konveneinem Photolack. Die Aufbringyng dieser Photolack- 15 tipnellen Diffusionsverfahrens, wobei entweder eine schicht geschieht durch bekannte Dreh- und Trocken- n- oder eine p-leitende Zone 26 innerhalb .des HaIbyerfahren. leitersubstrats 10 erzeugt wird. Die eindiffundierite Das Photolackmaterial wird auf die Oberfläche der Zone 26 kann als Kollektor-, Basis- oder Emitterzone Siliciumdioxidscbicht 12 aufgebracht, und nachdem der benutzt werden. Weiterhin ist auch eine Verwendung Halbleiterkörper zur gleichförmigen glatten Verteilung 20 als Isolationszone oder als Zone zur Unterbindung der Photolaeksehicht in Rotation versetzt wurde, von Inversionserscheinungen denkbar, wie es in der schließt sich ein Trockenschritt an, der dazu dient, die Halbleitertechnik grundsätzlich bekannt ist. Das vor-Photolaekschicht in eine dünne, gleichförmige Schicht liegende Verfahren erlaubt daher die Herstellung von zu überführen. definierten, durch Diffusion einzubringenden Zonen in Im Verfahrensehritt 3, der ebenfalls dem Stand der 25 das Halbleitersubstrat 10, wobei praktisch jede Mög-Technik angehört, wird durch photolithographische lichkeit ausgeschlossen wird, andere unerwünschte Maskierung, Belichtung sowie durch einen Abtrag- diffundierte Zonen innerhalb des Halbleitersubstrats 10 prozeß, der meist mit einem Ätzmittel durchgeführt aufkommen zu lassen, d. h. ein Fall, der eintreten wird, der Durchbruch 16 in die Photolaeksehicht 14 kann, wenn unerwünschte porenartige Durchbrüche eingebracht. Jm Verfahrensschritt 4 wird nunmehr 30 in der Siliciumdioxidschicht 12 vorhanden sind, die eine zweite maskierende Photolaeksehicht 18 auf der ihrerseits auf entsprechend lokalisierte porenförmige ■ersten Photolaeksehicht I4 hergestellt. Hierzu dienen Öffnungen in einer einzelnen maskierenden PhotOr die gleichen Verfahren, wie sie oben im Zusammen- resistschicht zurückzuführen sind, hang mit der Herstellung der ersten Photolaeksehicht 14 Wünscht man andererseits einen metallischen Konbeschrieben wurden. Die zweite Photolaeksehicht 18 35 takt zur Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 durch besitzt jedoch einen vertieften Bereich 20, welcher die Durchbrüche 24 (Verfahrensschritt 8B) hindurch direkt über dem Bereich der Photolaeksehicht 14 liegt herzustellen, so wird ein metallisches Leitungsmuster 28 und der die Lage der eingebrachten öffnung markiert. auf der isolierenden Oxidschicht 12 angebracht, was Der Verfahrensschritt5 zeigt, wie eine Öffnung 22 durch bekannte Aufdampfungs- oder Kathodensowohl in die erste als auch in die zweite Photolack- 40 zerstäubungsverfahren möglich ist. Das Doppelmasschicht durch Benutzung eines photolithographischen kierungsverfahren nach der Lehre der vorliegenden Maskierungs-, Belichtungs- und Abtragungsprozesses Erfindung ist gleichfalls nützlich beim Anbringen von eingebracht wird. Es wird jedoch eine von der ersten ohmschen oder von gleichrichtenden Kontakten an Maske verschiedene Maske zur Durchführung des .einer Halbleiteroberfläche, da hierdurch die Wahrgenannten Verfahrensschrittes benutzt. Hiermit wird 45 scheinlichkeit, unerwünschte Metallkontakte zu ,bebezweckt, eine Wiederholung von porenförmigen kommen, herabgesetzt wird, das ist eine Möglichkeit, Maskendefekten der gleichen Konfiguration zu ver- die eintreten kann, wenn die isolierende Schicht 12 meiden, was bei zweifacher Benutzung der bereits unerwünschte porenartige Durchbrüche besitzt, die während des Verfahrensschrittes 3 benutzten Maske ihrerseits wieder durch Porendefekte hervorgerufen .unvermeidbar wäre. 50 werden, wie sie bei der Benutzung einer einzelnen

Da die Wahrscheinlichkeit^ daß porenförmige Photolaeksehicht vorkommen können. Maskendefekte bei zwei übereinander aufgebrachten F i g. 2 erläutert ein Verfahren zum Anbringen von Einzelmasken miteinander fluchten, wegen der sta- elektrischen Kontakten an einem metallischem Leitistischen Verteilung der Defekte sehr gering ist, tungsmuster, das sich seinerseits auf einer isolierenden können die Auswirkungen dieser bei jeder Einzelmaske 55 Schicht auf einem Substrat befindet. Dieses Verfahren an sich unvermeidbaren Defekte durch die Benutzung ist besonders nützlich, wenn entweder eine Zuführungseiner doppelten Maskierungsschicht weitgehend unter- kontaktierung an einem metallisch bitenden Muster bunden werden. angebracht werden soll, welches selbst wieder im ohmin dem Verfahrensschritt 6 wird z. B. mittels einer sehen Kontakt mit einer Zone des Halbleiterkörpers gepufferten Fluorwasserstoffsäure unter Verwendung 60 steht, oder wenn elektrische Zwischenverbindungen der doppelten Photolaeksehicht 14 und 18 als Mas- zwischen verschiedenen Metallschichten oder Mustern kierungsschichten ein Durchbruch 24 in die Silicium- hergestellt werden sollen, die im wesentlichen unterdioxidschicht 12 geätzt. Hierbei bleiben alle poren- einander durch eine isolierende Zwischenschicht geförmigen Öffnungen, welche an sich z. B. in der oben trennt sind. Die Bezugszeichen der F i g. 1 werden gelegenen Photolaeksehicht 18 vorhanden sind, nur 65 ebenfalls in der F i g. 2 in entsprechender Weise unter geringfügig wirksam, da die gepufferte Fluorwasser- Hinzufügung des Buchstabens A benutzt, wodurch stoffsäure nicht in der Lage ist, die darunterliegende ein Hinweis auf gleichartige Elemente beider Str.ukerste Photolaeksehicht 14 anzugreifen, sofern nicht türen gegeben ist.

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Im Verfahrensschritt 1 wird zunächst eine isolierende Verfahrensschritt 3 der F i g. 1 beschrieben wurden,

Schicht 11 auf das Halbleitersubstrat 10 ^l aufgebracht. durchgeführt wird. Es können auch mehrere Öffnungen

Dann wird ein metallisches Leitungsmuster 13 auf die benutzt werden.

isolierende Schicht aufgebracht. Beide Schritte können Im Verfahrensschritt 4 wird eine zweite Photolackmittels bekannter Verfahren, etwa entsprechend den 5 schicht 185 auf die erste Photolackschicht 14 mittels Verfahrensschritten 1 bis 85 der F i g. 1 realisiert bekannter Verfahren aufgebracht. Die zweite Photowerden. Eine Isolierschicht 12^4 wird auf die Ober- lackschicht 18 5 besitzt zwei etwas vertiefte Gebiete 205 fläche der Gesamtstruktur aufgebracht, was z. B. und 2051, welche oberhalb der Durchbruchsbedurch einen mittels Hochfrequenzenergie betriebenen reiche 165 und 1651 innerhalb der Photolack-Kathodenzerstäubungsapparat geschieht. Besonders io schicht 145 liegen.

nützlich isolierende Materialien bezüglich der Hoch- Die Verfahrensschritte 5 A und 6 A betreffen eine

frequenzzerstäubung sind Gläser oder Silicate. Im Modifikation, bei der Öffnungen 29 und 31 in die

Verfahrensschritt 2 wird eine maskierende Schicht 14^4 zweite Photolackschicht 18.41 eingebracht werden,

auf die Isolierschicht 12.4 aufgebracht. Die maskie- die größer sind, als es bei den Öffnungen in der ersten

rende Schicht 14^4 besteht vorzugsweise aus einem 15 Photolackschicht 14^41 der Fall ist, so daß sich eine

Photolack, beispielsweise aus dem bekannten Kodak gewisse Erleichterung der Arbeiten bezüglich der

Photolack. Justierung der Öffnungen innerhalb der ersten und

Im Verfahrensschritt 3 wird ein Durchbruch 16^4 der zweiten Photolackschicht ergibt,

in die Photolackschicht 14^4 eingebracht, wie es Im Verfahrensschritt 6A werden die Durchbrüche 33

bereits im Zusammenhang mit Verfahrensschritt 3 der 20 und 35 innerhalb der isolierenden Schicht 12.41 etwa

F i g. 1 beschrieben wurde. entsprechend dem im Verfahrensschritt 6 der F i g. 1

Im Verfahrensschritt 4 wird nunmehr eine zweite beschriebenen Vorgehen erstellt. ä Photolackschicht ISA auf die erste Photolackschicht Die Verfahrensschritte 55 und 65 erhellen eine ^ 14^4 aufgebracht, was z. B. entsprechend dem bereits weitere Modifikation, bei der eine einzelne Öffnung 32 beschriebenen Verfahrensschritt 4 der F i g. 1 ge- 25 innerhalb der zweiten Photolackschicht 185 hergeschehen kann. Die zweite Photolackscbicht besitzt stellt wird, wobei beide Öffnungen in der ersten Photoeinen etwas abgesenkten Bereich 20^4 oberhalb der lackschicht 145 überdeckt werden. Die größere Einzel-Öffnungen in der Photolackschicht 14^4, was einer öffnung 32 erleichtert den Justiervorgang der Öff-Markierung der Lage der früher in dieser Schicht nungen innerhalb der ersten Photolackschicht bezüggebildeten Durchbrüche gleichkommt. Im Verfahrens- 30 lieh der Ölnung in der zweiten Photolackschicht, schritt 5 wird nunmehr ein Durchbruch 22^4 in die Während des Verfahrensschritts 65 werden die Durcherste und zweite Photolackschicht 14.4 und 18.4 ein- brüche 32^4 und 35A in die Isolierschicht 125 eingebracht, was etwa so geschieht, wie es in Verfahrens- gebracht, etwa entsprechend dem in Verfahrensschritt 5 der F i g. 1 beschrieben wurde. Nunmehr schritt 6 der F i g. 1 beschriebenen Vorgehen,
wird im Verfahrensschritt 6 entsprechend dem Ver- 35 In Verfahrensschritt 7 wurden die erste und die f ahrensschritt 6 der Fig. 1 ein Durchbruch 24 A in zweite Photolackschicht etwa entsprechend Verfahrensdie isolierende Schicht 12A eingeätzt, wobei die dop- schritt 7 der F i g. 1 entfernt, wobei die Öffnungen 33 pelten Photolackschichten 14^4 und 18v4 insgesamt und 35 innerhalb der isolierenden Schicht 125 zuals Maskierungsschichten dienen. In Verfahrens- rückblieben. Verfahrensschritt 8^4 entspricht im weschritt7 (entsprechend dem Verfahrensschritt7 der 40 sentlichen dem Verfahrensschritt8^4 der Fig. 1, je-F i g. 1) werden nunmehr die erste und zweite Photo- doch wurden zwei Diffusionsgebiete 37 und 39 in das lackschicht 14.4 und 18,4 entfernt, so daß der Durch- Substrat 105 eingebracht. Auf die genannte Weise bruch 24.4 in der Isolierschicht 12^4 zurückbleibt. kann z. B. ein Feldeffektransistor hergestellt werden. ,

Schließlich wird im Verfahrensschritt 8 entsprechend Verfahrensschritt 85 ist im wesentlichen dar gleiche dem Verfahrensschritt 85 der F i g. 1 ein metallisches 45 wie dar Verfahrensschritt 85 der F i g. 1, jedoch sind Leitungsmuster oder ein Kontakt 28A zum Zwecke nunmehr zwei ohmsche Kontakte 41 und 43 vorder elektrischen Verbindung mit dem metallischen handen, die z. B. mit dem Substrat 105 und einer Leitungsmuster 13 hergestellt. Das Leitungsmuster n-leitendsn Zone elektrisch in Verbindung stehen. 28^4 kann z. B. durch ein Ätzverfahren erstellt wer- Es ist offensichtlich, daß eine einzelne Öffnung in den. Das beschriebene Vorgehen eröffnet die Möglich- 50 eine isolierende Schicht in Übereinstimmung mit dem keit, elektrische Kontakte herzustellen, bei denen die in F i g. 3 gezeigten Ausführungsbeispiel eingebracht Wahrscheinlichkeit eines durch porenartige Defekte werden kann. Es ist gleichfalls offensichtlich, daß die innerhalb der isolierenden Schicht 12,4 verursachten Öffnung in der ersten maskierenden Schicht größer Kurzschlusses sehr gering ist. gemacht werden kann, als es der Öffnung in der zweiten Unter Zugrundelegung der F i g. 3 wird nunmehr 55 maskierten Schicht entspricht, jedoch bestimmt die ein Herstellungsprozeß beschrieben, der ähnlich dem kleinere Öffnung die Größe der in der isolierenden unter Zugrundelegung der Verfahrensschritte 1 bis Schicht entstehenden Öffnung. Wenn auch bei den 8,4 oder 85 der F i g. 1 beschriebenen ist. Es wurden in den F i g. 1, 2 und 3 beschriebenen Verfahren die hierbei die gleichen Bezugszeichen wie in F i g. 1 be- Herstellung von Öffnungen in der ersten maskierenden nutzt, mit dem Unterschied, daß in der F i g. 3 der 60 Schicht erfolgt, ist es jedoch nicht notwendig, in Wirk-Buchstabe5 hinzugefügt wurde, um gleiche struk- lichkeit diese Öffnungen in die erste maskierende turelle Elemente hervorzuheben. Die Verfahrens- Schicht einzubringen. Wenn es gewünscht wird, kann schritte 1 und 2 der F i g. 3 entsprechen völlig den ein latentes Bild auf der ersten maskierenden Schicht Verfahrensschritten 1 und 2 der F i g. 3. erzeugt werden, wobei dieser ersten Schicht die Auf- __ Während des Verfahrensschrittes 3 werden zwei 65 gäbe zufällt, das Gebiet des Photolackes unter dem Öffnungen 165 und 1651 in die Photolackschicht 145 Bildbereich unbelichtet zu lassen. Dieses Vorgehen eingebracht, was mit bekannten photolithographischen ist besonders angebracht, wenn es sich bei der ersten Maskierungs- und Belichtungsprozessen, wie sie im Schicht um eine Photolackschicht handelt.

Bei der Herstellung einer Öffnung innerhalb der zweiten maskierenden Schicht über dem Bild in der ersten maskierenden Schicht erhält man daher eine lagerichtige Öffnung in beiden maskierenden Schichten.

Weiterhin kann auch lediglich eine Photolackschicht als maskierende Schicht benutzt werden an Stelle von zwei Photolackschichten, vorausgesetzt, daß zwei verschiedene Masken gleichen Musters zur Belichtung dieser einen Photolackschicht benutzt werden. Bei dieser Art des Vorgehens lassen zwar Defekte in der ersten Maske gewisse unbelichtete Stellen auf der Photolackschicht zurück, jedoch werden die unerwünschten latenten Bilder während der Benutzung der zweiten Maske belichtet. Da die Defekte in der ersten Maske in statistischer Weise ver- ig teilt sind, besteht im allgemeinen keine Ausrichtung oder Fluchtung mit den Defekten der zweiten Maske, so daß die Wahrscheinlichkeit des Wirksamwerdens von porenartigen Defekten innerhalb der Photolackschicht stark herabgesetzt wird. so

Die Photolackschicht wird daher keine unbelichteten Stellen aufweisen, die von den Defekten in der ersten oder in der zweiten Maske herrühren. Γη dieser Weise lassen sich auch die nachteiligen Folgen vermeiden, die sonst leicht infolge von porenartigen Photomaskendefekten auftreten können.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Photolithographisches Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen, bei dem Qualitätsminderungen bzw. Ausfälle infolge porenförmiger Defekte in der den Halbleiterkörper maskierenden isolierenden Abdeckschicht vermieden werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckschicht zur Herstellung der gewünschten Öffnungen mit mindestens zwei voneinander unabhängigen, ätzbeständigen Photolackschichten überzogen wird, wobei die jeweils folgenden Schichten auf die vorangehende, belichtete und ausgehärtete Schicht aufgebracht werden, und/oder daß mindestens eine dieser Photolackschichten durch, mindestens zwei Photomasken mit gleichem geometrischem Muster hindurch belichtet werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Abdeckschicht als Diffusionsmaske verwendet wird.

3. Verfahren nach. Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die in der isolierenden Abdeckschicht erzeugten Öffnungen zur Kontaktierung von definierten Bereichen des Halbleiterkörpers dienen.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Öffnungen in der isolierenden Abdeckschicht auf dem Halbleiterkörper elektrisch leitende Querverbindungen zwischen mindestens zwei in isolierende Abdeckschichten eingebettete Leitungsmuster auf der Halbleiteroberfläche oder innerhalb des Halbleiterkörpers hergestellt werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109 535/332