DE1639263C2 - Photolithographisches Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen oder htegrierten Schaltungen - Google Patents

Description

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Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen ist es allgemein üblich, an vorherbestimmten Stellen Durchbrüche mit einer ^ bestimmten Geometrie in die den Halbleiterkörper abdeckenden isolierenden Schichten einzubringen, beispielsweise in eine Siliciumoxidschicht, sofern es sich um ein Halbleiterbauelement aus Silicium handelt. Durch diese öffnungen werden dann Diffusionsmaterialien oder metallische Beläge eingebracht, die an den freigelegten Stellen in das Halbleitermaterial eindiffundieren oder an diesem Kontaktierungen ergeben sollen. In gleicher Weise geht man auch vor, wenn es beabsichtigt ist, elektrische Kontakte zu einem metallisehen Leitungsmuster zu erstellen, welches zwischen zwei isolierenden Schichten auf dem Halbleitersubstrat eingeschlossen ist. Im letzteren Fall ist es erforderlich, in der obersten isolierenden Schicht einen Durchbruch anzubringen, um für den metallischen Anschluß eine Zugangsmöglichkeit zu dem in Sandwichkonfiguration vorliegenden metallischen Leitungsmuster zu schaffen. Im Zuge der Herstellung derartiger Durchbrüche war es erforderlich, eine maskierende Schicht auf die Oberfläche der Isolierschicht aufzubringen, welche mit Ausnahme von ausgewählten Bereichen der isolierenden Schicht, an denen die Durchbrüche erzeugt werden sollen, als Schutzschicht in einem anschließenden Abtragungs- bzw. Ätzverfahren wirkt. Bisher wurden gewöhnlich in der Halbleitertechnik als maskierende Schichten solche aus einem Photolack benutzt.

Ein Nachteil bei dieser Art der Herstellung von Durchbrüchen in einer isolierenden Schicht ist darin zu erblicken, daß Unvollkommenheit der maskierenden Schicht sich schädlich auswirken können, wie sie erstens durch Defekte innerhalb der Photolackschicht und zweitens durch Verunreinigungen der Oberfläche der zu maskierenden isolierenden Schicht oder drittens auch durch Unvollkommenheiten der bei der Belichtung benutzten Maske verursacht sein können. Derartige Unvollkommenheiten ziehen öffnungen innerhalb der isolierenden Schicht nach sich, die während des anschließenden Ätzens zu schwerwiegenden Fehlern des herzustellenden Halbleiterbauelements führen können, die beträchtliche Qualitätsminderungen oder gar den Ausfall des Bauelementes verursachen. Diese Schaden ergeben sich dadurch, daß bei der Durchführung von Diffusionsverfahrensschritten zum Einbringen der Dotierungsstuffe in den Halbleiterkörper auf Grund von Nebendiffusionen durch die fehlerhaften öffnungen in der isolierenden Schicht unerwünschte Zonen im Halbleiterkörper entstehen. Diese unerwünschten Zonen verursachen entweder elektrische Kurzschlüsse oder Abweichungen von den elektrischen Eigenschaften des Halbleiterbauelementes oder der integrierten Schaltung. Bei der Herstellung von diskreten Halbleiterbauelementen auf einem konventionellen Halbleiterkörperplättchen von etwa 2,5 cm Durchmesser ist dieses Problem nicht von ausschlaggebender Bedeutung, da diese Halbleitervorrichtungen, sofern sie irgendwelche Abweichungen infolge von Maskendefekten aufweisen sollten, entfernt werden konnten.

Bei der Herstellung monolithischer Halbleiterstrukturen jedoch kann eine einzelne porenförmige öffnung in der isolierenden Schicht auf dem integrierten Halbleiterchip eine elektrische Fehlfunktion oder den Ausfall der gesamten Schaltung verursachen.

Zur Zeit können monolithisch integrierte Halbleiterchips einer bis mehr als sechzig elektrischen Schaltungen entsprechen, wobei jede dieser Schaltungen eine große Anzahl von Halbleiterkomponenten besitzen kann, so daß schon eine geringe Anzahl von Defekten der isolierenden Schicht eines Halbleiterplättchens die r-fci ligungsausbeute von monolithischen Chips beträchtlich reduzieren können. In gleicher Weise sind Defekte der obengenannten Art schädlich bei der Herstellung von elektrischen, metallisch leitenden Verbindungen, die entweder zu bestimmten Zonen der Halbleiterbauelemente geführt werden oder aber einen Kontaki niedrigen Widerstandes zu einem metallischen Leitungsmuster unterhalb der isolierenden Schicht bilder sollen.

Es ist daher erforderlich, porenförmige Defekte innerhalb der isolierenden Schicht zu vermeiden, d£ derartige öffnungen unerwünschte Kurzschlüsse entweder zu der Halbleiteroberfläche oder zu derr metallischen Leitungsmuster unterhalb der isolierender Schicht verursachen können.

Eine Kontrolle bzw. Vermeidung der auf diese Weise zustande kommenden Kurzschlüsse ist bei der Herstel lung von monolithischen oder integrierten Halbleiter bauelementen oder Chips von großer Wichtigkeit insbesondere auch im Hinblick auf die Erzielung eine niedrigen Fertigungsausschusses.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabi zugrunde, ein Verfahren anzugeben, das die genannten bei der Fertigung von Halbleiterbauelementen um integrierten Schaltungen möglichen, auf Defekte in det bei der Herstellung verwendeten maskierenden Schich ten zurückzuführenden Schäden vermeidet.

Das die genannte Aufgabe lösende Verfahren nacl

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der Lehre der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckschicht zur Herstellung der gewünschten öffnungen mit mindestens zwei voneinander unabhängigen, ätzbeständigen Photolackschichten überzogen wird, wobei die jeweils folgenden Schichten auf die vorangehende, belichtete und ausgehärtete Schicht aufgebracht werden und diese Photolackschichten durch verschiedene Photomasken mit gleichem geometrischen Muster hindurch belichtet werden.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand einiger bevorzugter Ausfübningsbeispiele unter Zugrundelegung der Figuren beschrieben. In diesen bedeutet:

Fig. 1 eine Folge von Verfahrensschritten zur Herstellung von Durchbrüchen in isolierenden Abdekkungen auf Halbleiterkörpern unter Vermeidung von unerwünschten Poren in der isolierenden Schicht nach der Lehre der vorliegenden Erfindung,

Fig.2 eine weitere Folge von Verfahrensschritten zur Herstellung von Durchbrüchen in isolierenden Schichten auf einem metallischen Leitungsmuster unter Vermeidung von unerwünschten Porenbildungen nach der Lehre der vorliegenden Erfindung und

Fig.3 eine weitere Folge von Schritten zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung unter Berücksichtigung besonderer Maßnahmen zur Justierung mehrerer einzubringender Durchbrüche.

F i g. 1 zeigt im Verfahrensschritt 1 ein Halbleitersubstrat 10 mit einer isolierenden Schicht 12 auf dessen Oberfläche. Das Halbleiterbauelement kann z. B. aus Silicium, Germanium oder aus irgendeiner bekannten intermetallischen Verbindung bestehen. Als isolierende Schicht 12 kann ein bekanntes isolierendes Material, z. B. Siliciumoxid, Germaniumoxid, Siliciumnitrid oder Aluminiumoxid benutzt werden, wobei die jeweilige Substanz auf die Substratoberfläche durch irgendein bekanntes Niederschlags- oder durch ein thermisches Aufwachsverfahren aufgebracht wurde. Vorzugsweise wird das Halbleitersubstrat 10 aus Silicium und die isolierende Schicht 12 aus Siliciumoxid bestehen, welches thermisch auf die Oberfläche des Siliciumsubstrats aufgezüchtet ist Die weitere Beschreibung richtet sich auf dieses bevorzugte Material, es ist jedoch naheliegend, daß auch andere Materialien bei der Durchführung des Verfahrens benutzt werden können.

Im Verfahrensschritt 2 wird eine maskierende Schicht 14 auf der Isolierschicht 12 angebracht. Vorzugsweise besteht diese maskierende Schicht 14 aus einem Photolack. Die Aufbringung dieser Photolackschicht geschieht durch bekannte Dreh- und Trockenverfahren.

Das Photolackmaterial wird auf die Oberfläche der Siliciumdioxidschicht 12 aufgebracht, und nachdem der Halbleiterkörper zur gleichförmigen glatten Verteilung der Photolackschicht in Rotation versetzt wurde, schließt sich ein Trockenschritt an, der dazu dient, die Photolackschicht in eine dünne, gleichförmige Schicht zu überführen.

Im Verfahrenschritt 3, der ebenfalls dem Stand der Technik angehört, wird durch photolithographische Maskierung, Belichtung sowie durch einen Abtragprozeß, der meist mit einem Ätzmittel durchgeführt wird, der Durchbruch 16 in die Photolackschicht 14 eingebracht. Im Verfahrensschritt 4 wird nunmehr eine zweite maskierende Photolackschicht 18 auf der ersten Photolackschicht 14 hergestellt. Hierzu dienen die gleichen Verfahren, wie sie oben im Zusammenhang mit der Herstellung der ersten Photolackschicht 14 beschrieben wurden. Die zweite Photolackschicht 18

besitzt jedoch einen vertieften Bereich 20, welcher direkt über dem Bereich der Photolackschicht 14 liegt und der die Lage der eingebrachten Öffnung markiert.

Der Verfahrensschritt 5 zeigt, wie eine öffnung 22 sowohl in die erste als auch in die zweite Photolackschicht durch Benutzung eines photolithographischen Maskierungs-, Belichtungs- und Aotragungsprozesses eingebracht wird. Es wird jedoch eine von der ersten Maske verschiedene Maske zur Durchführung des genannten Verfahrensschrittes benutzt. Hiermit wird bezweckt, eine Wiederholung von porenförmigen Maskendefekten der gleichen Konfiguration zu vermeiden, was bei zweifacher Benutzung der bereits während des Verfahrensschrittes 3 benutzten Maske unvermeidbar wäre.

Da die Wahrscheinlichkeit, daß porenförmige Maskendefekte bei zwei übereinander aufgebrachten Einzelmasken miteinander fluchten, wegen der statistischen Verteilung der Defekte sehr gering ist, können die Auswirkungen dieser bei jeder Einzelmaske an sich unvermeidbaren Defekte durch die Benutzung einer doppelten Maskierungsschicht weitgehend unterbunden werden.

In dem Verfahrensschritt 6 wird z. B. mittels einer gepufferten Fluorwasserstoffsäure unter Verwendung der doppelten Photolackschicht 14 und 18 als Maskierungsschichten ein Durchbruch 24 in die Siliciumdioxidschicht 12 geätzt. Hierbei bleiben alle porenförmigen Öffnungen, welche an sich z. B. in der oben gelegenen Photolackschicht 18 vorhanden sind, nur geringfügig wirksam, da die gepufferte Fluorwasserstoffsäure nicht in der Lage ist, die darunterliegende erste Photolackschicht 14 anzugreifen, sofern nicht zufällig zwei Poren innerhalb der ersten und der zweiten Photolackschicht miteinander fluchten. Verfahrensschritt 7 zeigt eine Schnittdarstellung nach Entfernung der ersten und zweiten Photolackschichten 14 und 18, in welcher der fertiggestellte Durchbruch 24 in der Oxidschicht 12 erkennbar ist. An dieser Stelle des Herstellungsverfahren ergibt sich eine aus der Fig. 1 ersichtliche Verzweigung, je nachdem, ob die Einbringung des Durchbruches 24 zum Zwecke der Erzeugung einer diffundierten Zone (Verfahrensschritt SA) oder zur Herstellung eines an die Oberfläche des Substrates 10 führenden metallischen Kontaktes (Verfahrensschritt SB) erfolgte.

Im ersten Falle bedient man sich eines konventionellen Diffusionsverfahrens, wobei entweder eine n- odei· eine p-leitende Zone 26 innerhalb des HalbleitersubstratslO erzeugt wird. Die eindiffundierte Zone 26 kann als Kollektor-, Basis- oder Emitterzone benutzt werden. Weiterhin ist auch eine Verwendung als Isolationszone oder als Zone zur Unterbindung von Inversionserscheinungen denkbar, wie es in der Halbleitertechnik grundsätzlich bekannt ist. Das vorliegende Verfahren erlaubt daher die Herstellung von definierten, durch Diffusion einzubringenden Zonen in das Halbleitersubstrat 10, wobei praktisch jede Möglichkeit ausgeschlossen wird, andere unerwünschte diffundierte Zonen innerhalb des Halbleitersubstrats 10 aufkommen zu lassen, d. h. ein Fall, der eintreten kann, wenn unerwünschte porenartige Durchbrüche in der Siliciumdioxidschicht 12 vorhanden sind, die ihrerseits auf entsprechend lokalisierte porenförmige öffnungen in einer einzelnen maskierenden Photoresistschicht zurückzuführen sind.

Wünscht man andererseits einen metallischen Kontakt zur Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 durch die

Durchbrüche 24 (Verfahrensschritt SB) hindurch herzustellen, so wird ein metallisches Leitungsmuster 28 auf der isolierenden Oxidschicht 12 angebracht, was durch bekannte Aufdampfungs- oder Kathodenzerstäubungsverfahren möglich ist. Das Doppelmaskierungsverfahrens nach der Lehre der vorliegenden Erfindung ist gleichfalls nützlich beim Anbringen von ohmschen oder von gleichrichtenden Kontakten an einer Halbleiteroberfläche, da hierdurch die Wahrscheinlichkeit, unerwünschte Metallkontakte zu bekommen, herabgesetzt wird, das ist eine Möglichkeit, die eintreten kann, wenn die isolierende Schicht 12 unerwünschte porenartige Durchbrüche besitzt, die ihrerseits wieder durch Porendefekte hervorgerufen werden, wie sie bei der Benutzung einer einzelnen Photolackschicht vorkommen können.

F i g. 2 erläutert ein Verfahren zum Anbringen von elektrischen Kontakten an einem metallischen Leitungsmuster, das sich seinerseits auf einer isolierenden Schicht auf einem Substrat befindet. Dieses Verfahren ist besonders nützlich, wenn entweder eine Zuführungskontaktierung an einem metallisch leitenden Muster angebracht werden soll, welches selbst wieder im ohmschen Kontakt mit einer Zone des Halbleiterkörpers steht, oder wenn elektrische Zwischenverbindungen zwischen verschiedenen Metallschichten oder Mustern hergestellt werden sollen, die im wesentlichen untereinander durch eine isolierende Zwischenschicht getrennt sind. Die Bezugszeichen der F i g. 1 werden ebenfalls in der F i g. 2 in entsprechender Weise unter Hinzufügung des Buchstabens A benutzt, wodurch ein Hinweis auf gleichartige Elemente beider Strukturen gegeben ist.

Im Verfahrensschritt 1 wird zunächst eine isolierende Schicht 11 auf das Halbleitersubstrat 10Λ aufgebracht. Dann wird ein metallisches Leitungsmuster 13 auf die isolierende Schicht aufgebracht. Beide Schritte können mittels bekannter Verfahren, etwa entsprechend den Verfahrensschritten 1 bis 8ß der Fig. 1 realisiert werden. Eine Isolierschicht 12Λ wird auf die Oberfläche der Gesamtstruktur aufgebracht, was z. B. durch einen mittels Hochfrequenzenergie betriebenen Kathodenzerstäubungsapparat geschieht. Besonders nützlich isolierende Materialien bezüglich der Hochfrequenzzerstäubung sind Gläser oder Silicate. Im Verfahrensschritt 2 wird eine maskierende Schicht 14/4 auf die Isolierschicht 12A aufgebracht Die maskierende Schicht 14Λ besteht vorzugsweise aus einem Photolack, beispielsweise aus dem bekannten Kodak Photolack.

Im Verfahrensschritt 3 wird ein Durchbruch 16/4 in die Photolackschicht 14/4 eingebracht wie es bereits im Zusammenhang mit Verfahrensschritt 3 der F i g. 1 beschneben wurde.

Im Verfahrensschritt 4 wird nunmehr eine zweite Photolackschicht 18A auf die erste Photolackschicht 14/4 aufgebracht was z. B. entsprechend dem bereits beschriebenen Verfahrensschritt 4 der F i g. 1 geschehen kann. Die zweite Photolackschicht besitzt einen etwas abgesenkten Bereich 20Λ oberhalb der öffnungen in der Photolackschicht 14Λ was einer Markierung der Lage der früher in dieser Schicht gebildeten Durchbrüche gleichkommt Im Verfahrensschritt 5 wird nunmehr ein Durchbruch 22/4 in die erste und zweite Photolack schicht 14*4 und 18/4 eingebracht, was etwa so geschieht wie es im Verfahrensschritt 5 der Fig. 1 beschrieben wurde. Nunmehr wird im Verfahrensschritt 6 entsprechend dem Verfahrensschritt 6 der Fig. 1 ein Durch bruch 24/4 in die isolierende Schicht 12/4 eingeätzt.

wobei die doppelten Photolackschichten 14Λ und 18/4 insgesamt als Maskierungsschichten dienen. Im Verfahrensschritt 7 (entsprechend dem Verfahrensschritt 7 der Fig. 1) werden nunmehr die erste und zweite Photolackschicht 14Λ und 18/4 entfernt, so daß der Durchbruch 24/4 in der Isolierschicht 12/4 zurückbleibt.

Schließlich wird im Verfahrensschritt 8 entsprechend dem Verfahrensschritt 8ß der Fig. 1 ein metallisches Leitungsmuster oder e;in Kontakt 28/4 zum Zwecke der elektrischen Verbindung mit dem metallischen Leitungsmuster 13 hergestellt. Das Leitungsmuster 28/4 kann z. B. durch ein Ätzverfahren erstellt werden. Das beschriebene Vorgehen eröffnet die Möglichkeit, elektrische Kontakle herzustellen, bei denen die Wahrscheinlichkeit eines durch porenartige Defekte innerhalb der isolierenden Schicht 12/4 verursachten Kurzschlusses sehr gering ist.

Unter Zugrundelegung der Fig. 3 wird nunmehr ein Herstellungsprozeß beschrieben, der ähnlich dem unter Zugrundelegung der Verfahrensschritte 1 bis SA oder 8ß der Fi g. 1 beschriebenen ist. Es wurden hierbei die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 benutzt, mit dem Unterschied, daß in der Fig.3 der Buchstabe B hinzugefügt wurde, um gleiche strukturelle Elemente hervorzuheben. Die Verfahrensschritte 1 und 2 der F i g. 3 entsprechen völlig den Verfahrensschritten 1 und 2 der F i g. 3.

Während des Verfahrensschrittes 3 werden zwei öffnungen 16ß und 16ßl in die Photolackschicht 145 eingebracht, was mit bekannten photolithographischen Maskierungs- und Belichtungsprozessen, wie sie im Verfahrensschritt 3 der F i g. 1 beschrieben wurden, durchgeführt wird. Es können auch mehrere Öffnungen benutzt werden.

Im Verfahrensschritt 4 wird eine zweite Photolackschicht 18B auf die erste Photolackschicht 14 mittels bekannter Verfahren aufgebracht. Die zweite Photolackschicht 18ßbesitzt zwei etwas vertiefte Gebiete 20ß und 20ß1. welche oberhalb der Durchbruchsbereiche 16ß und 16ßl innerhalb der Photolackschicht 14ß liegen.

Die Verfahrensschritte 5/4 und 6A betreffen eine Modifikation, bei der öffnungen 29 und 31 in die zweite Photolackschicht 18A1I eingebracht werden, die größer sind, als es bei den Öffnungen in der ersten Photolackschicht 14Al der Fall ist, so daß sich eine gewisse Erleichterung der Arbeiten bezüglich der Justierung der Öffnungen innerhalb der ersten und der zweiten Photolackschicht ergibt

Im Verfahrensschritt 6/4 werden die Durchbrüche 33 und 35 innerhalb der isolierenden Schicht 12/41 etwa entsprechend dem im Verfahrensschritt 6 der F i g. 1 beschriebenen Vorgehen erstellt

Die Verfahrensschritte 5B und 6S erhellen eine weitere Modifikation bei der eine einzelne öffnung 32 innerhalb der zweiten Photolackschicht 18B hergestellt wird, wobei beide Öffnungen in der ersten Photolack schicht 14ß überdeckt werden. Die größere Einzelöffnung 32 erleichtert den Justiervorgang der öffnungen innerhalb der ersten Photolackschicht bezüglich der öffnung in der zweiten Photolackschicht Während des Verfahrensschrittes 6ß werden die Durchbrüche 32/4 und 35/4 in die Isolierschicht 12B eingebracht etwa entsprechend dem in Verfahrensschritt 6 der Fig. 1 beschriebenen Vorgehen.

In Verfahrensschritt 7 wurden die erste und die zweite Photolackschicht etwa entsprechend Verfahrensschritt 7 der Fi g. 1 entfernt wobei die öffnungen 33 und 35

innerhalb der isolierenden Schicht 12ß zurückblieben. Verfahrensschritt 8A entspricht im wesentlichen dem Verfahrensschritt SA der Fig. I₁ jedoch wurden zwei Diffusionsgebiete 37 und 39 in das Substrat 10ß eingebracht. Auf die genannte Weise kann z. B. ein Feldeffekttransistor hergestellt werden.

Verfahrensschritt 8ß ist im wesentlichen der gleiche wie der Verfahrensschritt 8ß der Fig. I₁ jedoch sind nunmehr zwei ohmsche Kontakte 41 und 43 vorhanden, die z. B. mit dem Substrat 10ß und einer n-leitenden Zone elektrisch in Verbindung stehen.

Es ist offensichtlich, daß eine einzelne öffnung in eine isolierende Schicht in Übereinstimmung mit dem in F i g. 3 gezeigten Ausführungsbeispiel eingebracht werden kann. Es ist gleichfalls offensichtlich, daß die öffnung in der ersten maskierenden Schicht größer gemacht werden kann, als es der öffnung in der zweiten maskierten Schicht entspricht, jedoch bestimmt die kleinere Öffnung die Größe der in der isolierenden Schicht entstehenden öffnung. Wenn auch bei den in den Fig. 1, 2 und 3 beschriebenen Verfahren die Herstellung von öffnungen in der ersten maskierenden Schicht erfolgt, ist es jedoch nicht notwendig, in Wirklichkeit diese öffnungen in die erste maskierende Schicht einzubringen. Wenn es gewünscht wird, kann ein latentes Bild auf der ersten maskierten Schicht erzeugt werden, wobei dieser ersten Schicht die Aufgabe zufällt, das Gebiet des Photolackes unter dem Bildbereich unbelichtet zu lassen. Dieses Vorgehen ist besonders angebracht, wenn es sich bei der ersten Schicht um eine Photolackschicht handelt.

Bei der Herstellung einer öffnung innerhalb der zweiten maskierenden Schicht über dem Bild in der ersten maskierenden Schicht erhält man daher eine lagerichtige öffnung in beiden maskierenden Schichten.

Weiterhin kann auch lediglich eine Photolackschicht als maskierende Schicht benutzt werden an Stelle von zwei Photolackschichten, vorausgesetzt, daß zwei verschiedene Masken gleichen Musters zur Belichtung dieser einen Photolackschicht benutzt werden. Bei dieser Art des Vorgehens lassen zwar Defekte in der ersten Maske gewisse unbelichtete Stellen auf der Photolackschicht zurück, jedoch werden die unerwünschten latenten Bilder während der Benutzung der zweiten Maske belichtet. Da die Defekte in der ersten Maske in statistischer Weise verteilt sind, besteht im allgemeinen keine Ausrichtung oder Fluchtung mit den Defekten der zweiten Maske, so daß die Wahrscheinlichkeit des Wirksamwerdens von porenartigen Defekten innerhalb der Photolackschicht herabgesetzt wird.

Die Photolackschicht wird daher keine unbelichteter Stellen aufweisen, die von den Defekten in der erster oder in der zweiten Maske herrühren. In dieser Weise lassen sich auch die nachteiligen Folgen vermeiden, di< sonst leicht infolge von porenartigen Photomaskende fekten auftreten können.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Photolithographisches Verfahren zum Hersteilen von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen, bei dem Qualitätsminderungen bzw. Ausfälle infolge porenförmiger Defekte in der den Halbleiterkörper maskierenden isolierenden Abdeckschicht vermieden werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckschicht zur Herstellung der gewünschten Öffnungen mit mindestens zwei voneinander unabhängigen, ätzbeständigen Photolackschichten überzogen wird, wobei die jeweils folgenden Schichten auf die vorangehende, belichtete und ausgehärtete Schicht aufgebracht werden und diese Photolackschichten durch verschiedene Photomasken mit gleichem geometrischen Muster hindurch belichtet werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Abdeckschicht als Diffusionsmaske verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in der isolierenden Abdeckschicht erzeugten öffnungen zur Kontaktierung von definierten Bereichen des Halbleiterkörpers dienen.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die öffnungen in der isolierenden Abdeckschicht auf dem Halbleiterkörper elektrisch leitende Querverbindungen zwischen mindestens zwei in isolierende Abdeckschichten eingebettete Leitungsmuster auf der Halbleiteroberfläche oder innerhalb des Halbleiterkörpers hergestellt werden.