DE1614990A1 - Halbleiterschaltelement mit mehreren UEbergaengen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterschaltelement mit mehreren UEbergaengen und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE1614990A1
DE1614990A1 DE19671614990 DE1614990A DE1614990A1 DE 1614990 A1 DE1614990 A1 DE 1614990A1 DE 19671614990 DE19671614990 DE 19671614990 DE 1614990 A DE1614990 A DE 1614990A DE 1614990 A1 DE1614990 A1 DE 1614990A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
forward direction
blocking
transition
area
extends
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671614990
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Glass William Brian
Gerald Whiting
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Mobility Ltd
Original Assignee
Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Brake and Signal Co Ltd filed Critical Westinghouse Brake and Signal Co Ltd
Publication of DE1614990A1 publication Critical patent/DE1614990A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/80—PNPN diodes, e.g. Shockley diodes or break-over diodes

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)
DE19671614990 1966-01-06 1967-01-03 Halbleiterschaltelement mit mehreren UEbergaengen und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1614990A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB617/66A GB1102836A (en) 1966-01-06 1966-01-06 Multi-junction semi-conductor elements
GB1771066 1966-05-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1614990A1 true DE1614990A1 (de) 1971-01-14

Family

ID=26236066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614990 Pending DE1614990A1 (de) 1966-01-06 1967-01-03 Halbleiterschaltelement mit mehreren UEbergaengen und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE1614990A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR1507498A (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1102836A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL152706B (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0926740A3 (en) * 1997-12-23 1999-08-25 National University of Ireland, Cork A transient voltage suppressor

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2549614C3 (de) * 1975-11-05 1979-05-10 Nikolai Michailovitsch Belenkov Halbleiterschalter
GB9106205D0 (en) * 1991-03-22 1991-05-08 Lucas Ind Plc Breakover diode
FR2871295B1 (fr) * 2004-06-02 2006-11-24 Lite On Semiconductor Corp Dispositif de protection contre les surtensions et son procede de fabrication

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0926740A3 (en) * 1997-12-23 1999-08-25 National University of Ireland, Cork A transient voltage suppressor

Also Published As

Publication number Publication date
GB1102836A (en) 1968-02-14
FR1507498A (fr) 1967-12-29
NL6700081A (enrdf_load_stackoverflow) 1967-07-07
NL152706B (nl) 1977-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2009102C3 (de) Integrierte Halbleiteranordnung mit komplementären Feldeffekttransistoren
DE2252371C3 (de) Schwellwert-Verknüpfungsglied mit komplementär-symmetrischen Feldeffekttransistoren
DE660520T1 (de) Bidirektionalstromsperrender MOSFET für Batterietrennschalter mit Schutzvorrichtung gegen den verkehrten Anschluss eines Batterieladegeräts.
DE1639173C3 (de) Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung
DE19519796A1 (de) Halbleiterschaltung
DE2627574C3 (de) Integrierte Schaltungsanordnung in Injektionslogik für Schwellwertfunktionen
DE1564221A1 (de) Halbleiterbauelement vom Feldeffekttyp,insbesondere zur Realisierung von logischen Funktionen
DE2029219A1 (de) Integrierter Halbleiterwiderstand
DE1614300B2 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
DE1216435B (de) Schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Zonen
DE2422549A1 (de) Logische verknuepfungsschaltung mit josephson-elementen
DE1614990A1 (de) Halbleiterschaltelement mit mehreren UEbergaengen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2930375A1 (de) Spannungsteiler
DE2026036C3 (de) Hochspannungs-Planarhalbleiter-Bauelement
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE3009042A1 (de) Halbleiterwiderstand
DE1132662B (de) Flaechentransistor mit zwei ohmschen Steuerelektroden fuer den Emitter-Kollektor-Strom an der Basiszone
DE3026361C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE2356840A1 (de) Verlaengerungsvorrichtung fuer kontaktelemente von elektrischen steckverbindungen
DE2756514A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2635800C2 (de) Monolithisch integrierte Schottky-I↑2↑L-Gatterschaltung
DE1159018B (de) íÀWeder-Nochí -Schaltung
DE1081049B (de) Sperrgatter bzw. logisches íÀUnd-NichtíÂ-Element unter Verwendung von Transistoren
DE1922754C3 (de) Halbleiterbauelement mit mindestens zwei miteinander gekoppelten bistabilen Halbleiterschaltungselementen
DE4029121A1 (de) Wechselstromsteuerelement

Legal Events

Date Code Title Description
OHW Rejection