DE1589475A1 - Thyristor mit Hilfskathoden - Google Patents

Thyristor mit Hilfskathoden

Info

Publication number
DE1589475A1
DE1589475A1 DE19671589475 DE1589475A DE1589475A1 DE 1589475 A1 DE1589475 A1 DE 1589475A1 DE 19671589475 DE19671589475 DE 19671589475 DE 1589475 A DE1589475 A DE 1589475A DE 1589475 A1 DE1589475 A1 DE 1589475A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitter
controllable semiconductor
auxiliary
layers
arrangement according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671589475
Other languages
English (en)
Inventor
Spicar Dr Erich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABB Norden Holding AB
Original Assignee
ASEA AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASEA AB filed Critical ASEA AB
Publication of DE1589475A1 publication Critical patent/DE1589475A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4918—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

Thyristor mit Hilfskathoden
Die Erfindung /betrifft eine steuerbare Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit zwei äusseren Schienten, Emitterschichten, und mit zwei zwischen diesen Schichten gelegenen Schichten, Basisschichten, wobei die Schichten abwechselnd P- und IT-leitend sind, an jeder Emitterschicht eine Hauptelektrode für den Belastungsstrom und an einer der Basisschichten eine Steuerelektrode angeschlossen ist.
Ein Beispiel einer solchen Halbleiteranordnung ist ein Thyristor. Wenn ein Thyristor gezündet wird, breitet sich der gezündete Bereich durch die Kristalle seitlich vom zuerst zündenden Bereich (dem Initialbereich) mit einer gewissen Geschwindigkeit aus. Der Belastungsstrom, der während des ersten Teils des Zündverlaufs fliesst, wird deshalb durch einen verhältnismässig schmalen Kanal fliessen. Wenn dieser Strom allzu hoch wird, wird die sich in diesem Bereich bildende Verlustenergie so gross, dass der Thyristor schmilzt und zerstört wird. Diese Gefahr ist besonders gross bei Thyristoren für hohe Spannungen, aber auch gross bei reihengesöhalteten Thyristoren, bei denen man gewöhnlioh parallel
-2-
00981Λ/1005
zu den Thyristoren Spannungsteiler anschliesst, die Kondensatoren enthalten. Diese entladen sich,- wenn keine Schutzmassnahmen getroffen werden, am Anfang des Zündverlaufs durch die Thyristoren.
Die Gefahr einer Zerstörung des Halbleiterkörpers kann dadurch vermindert werden, dass die Zündung dazu gebracht wird, sich so schnell wie möglich auszubreiten, d.h. indem man den gezündeten Teil der Thyristorfläche in jedem Augenblick so gross wie möglich macht. Die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Zündung hängt vor allem von der lateralen Resistanz der -Basisschicht des Halbleiterkörpers ab und von den Kapazitäten der PN-Übergänge. Da solche Paktoren wie Leitspannungsfall, Leckstrom und Sperr- und Blockspannungsfestigkeit berücksichtigt werden müssen, hat es sich bisher als schwierig erwiesen, die Ausbreitungsgeschwindigkeit des gezündeten Bereichs wesentlich zu vergrössern.
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der gezündete Bereich am Anfang des Zündverlaufs sehr schnell anwächst. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die an die Basissehieht, an der die Steuerelektrode angeschlossen ist, grenzende Emitterschicht in wenigstens zwei voneinander getrennte Teile aufgeteilt ist, wobei eine der Hauptelektroden an einem dieser Teile, die Hauptschicht, angeschlossen ist und die übrigen Teile, die Hilfsschichten, durch. Impedanzelemente mit diesem" Teil elektrisch verbunden sind.
0098U/10O5
Die Erfindung ist im folgenden anhand der Zeichnung näher ■beschrieben, in dieser zeigen :
Pig. 1 einen Querschnitt durch einen erfindungsgemässen Thyristor,
Pig. 2 denselben Thyristor von der Kathodenseite gesehen und Fig. 3 einen erfindungsgemässen Thyristor, der in einen Kreis für die Steuerung des Stromes durch eine Belastung eingeschaltet ist.
In Pig. 1 sind in einer monokristallinen Scheibe aus halbleitendem Material, vorzugsweise Silizium, in bekannter Weise, z.B. durch Diffusion oder Legierung, vier abwechselnd P- und N-leitende Schichten ausgebildet, der HF-Emitter .1, die P-Basis 2, N-Basis und der P-Emitter 4. Der Halbleiterkörper ist auf einer Metallplatte 5 angebracht, die mit einem Anodenanschluss 6 versehen ist. Die N-Emitterschicht, 1 ist mit einem Metallkontakt 7 versehen, der einen Kathodenanschluss 8 hat. Am Rande der P-Basissahicht 2 ist eine Steuerelektrode 9 angebracht. Mit Hilfe eines Steuerimpulsgerätes, symbolisch als Batterie 10 in Reihe mit einem Schalter 11 gezeigt, kann der Steuerelektrode eine positive Spannung im Verhältnis zur Kathode beigebracht werden.
Ausser der N-Emitterschicht 2 (Hauptschicht) sind drei weitere separate N-Emitterschichten - 12, 13 und 14 (Hilfsemitter) auf oder in der Oberfläche der P-Basisschicht 2 angebracht. Diese sind mit den Anschlüssen 15, 16 und 17 versehen. Der Thyristor ist also mit einer Hauptkathode KQ (1, 7) und mit drei Hilfekathoden K1 (12, 15), K2 (131 16) und K- (14, 17) versehen.
0098 U/1005 _4.
Die·Kathode Κ* ist mit Kp durch den Widerstand 18 verbunden, der die Resistanz R^ hat. Kg ist mit K, durch den Widerstand 19 mit der Resistanz R2 verbunden. K- ist mit der Hauptkathode KQ durch den Widerstand 20 mit der Resistanz R, verbunden. Die Resistanzwerte sind so gewählt, dass R- > R2 ^R^ ist. Die Hilfsemitter 12, 13, 14 sind so angeordnet, dass der Abstand zwischen der Hilfsschicht 14 und der Hauptschicht 1 ist.
Die Resistanz der P-Basisschicht - gemessen zwischen angenommenen, anstelle der Kathoden angebrachten gleich grossen nicht gleichgerichteten Elektroden K', K^, K2 und Ki - soll im grossen ganzen gleich sein zwischen K^ und K2> zwischen K2 und Ki und zwischen Ki und K', doch so, dass der Widerstand zwischen K^ und K^, K2 und K0 grosser als der Widerstand zwischen Ki und K2 und zwischen K2 und Ki ist. Die Resistanzwerte der Widerstände 18 bis 20 sind so gewählt, dass sie alle wesentlich kleiner als die genannte Resistanz der P-Basisschicht sind.
Diese Bedingung muss bei der geometrischen Ausformung der Hilfskathoden und Hauptkathode: beachtet werden. Die Kathoden können im übrigen jede beliebige Form haben, z.B. auch konzentrische Ringe sein, wobei die Hilfskathoden die Hauptkathode K umschliessen oder die Hilfskathoden können als Ringe im Zentrum liegen und die Hauptkathode ein umschliessender Ring sein.
Wenn eine Blockspannung dem Thyristor (Anode positiv im Verhältnis zur Kathode) aufgedrückt wird, sperrt der mittlere PN-Über-
-5-BAD 0RK3INAL
■0 098U/10O5. .
-.. ,-■■■■.- 5 - ■
gang (zwischen den Sch.ich.ten 2 und 3). Wenn eine positive Steuerspannung der Steuerelektrode aufgedrückt wird, wird der Thyristor erst an der Kathode K1 gezündet. Es ist bekannt, dass "bei Zündung eines Thyristors der nicht gezündete Teil des Überganges zwischen den Schichten 1 und 2 aufgrund der Umverteilung der Raumladung an den blockierenden Übergängen zwischen den Schichten 2 und 3 in der Sperr-Richtung vorgespannt wird. Die Schicht 1 kann deshalb nicht in den ungezündeten Teil Elektronen gegen den sperrenden Übergang injizieren und zu de-r Zündung beitragen. Bei dem gezeigten Thyristor fliesst im ersten Augenblick Strom von der Anode durch den Halbleiterkörper zu K.. und durch die Widerstände 18 bis 20 zur Hauptkathode K , Weil die Resistanz dieser Widerstände in der oben angegebenen Weise gewählt sind (R.. V R2 z7 R-) > wird der Übergang zwischen der Hilfsschicht 13 und der P-lasisschicht 2 in der Leibrichtung vorgespannt. Eine starke Elektroneninjektion wird bei diesem Übergang erhalten und·der Thyristor zündet bei K2- Der Strom fliesst nun von der Anode durch den Thyristor auch zu K^, und durch den Widerstand I9 und 20 zu der Kathode KQ. Der Thyristor zündet nun aus denselben Gründen bei K,, und kurz danach ist der Spannungsfall über den Widerstand 20 so gross, dass auch bei Hauptkathode K eine Zündung erfolgt.
Dieser Vorgang findet sehr schnell statt. Nach einigen Zehnteln /Üb nach dem Zünden der erste'n Hilf ska thode haben alle Kathoden gezündet. Die Zeit, die bei einem Thyristor von normaler Ausführung nötig, räre, damit die Zündung sich eine entsprechende Strecke ausbreitet, wäre ca 10 bis 100/us. BADORiGiNAL
009814/1005 ·■' : ' '
Durch zweckmässige Wahl der Hilfskathodenanzahl tind deren Anordnung-kann die lokale Energieentwicklung bei jeder Kathode während des kritischen Initialzustandes des Zündverlaufs so» ·;· ■ niedrig gehalten werden, dass der Thyristor nicht zerstört wird.
Die Widerstände 18, 19 und 20 können durch Impedanzelemen&e von überwiegend induktivem- Charakter ersetzt werden. Die Wider--'' stände können auf der Oberfläche des Halbleiterkörper's "s.B. durch Verdampfung angebrachte dünne Metallschichten oder dünne : Bänder aus Widerstandsmaterial sein, die an den-Kathoden fest·*- gelötet sind. . ■ ^.
ilach einer Ausführungsform der Erfindung ist die P-Basisschieht' ausser mit der Steuerelektrode mit mehreren auf dem Rande der ' P-Basisschicht, z*B. mit gleichen Zwischenräumen angebrachten Elektroden versehen. Diesen wird in bekannter Welse wie der Steuerelektrode wenigstens während des Bl ockie rungs int erval:ls; eine negative Spannung im Verhältnis zur Kathode aufgedrückt', -wö^" durch die Tendenz des Thyristors, bei steilen Überspannungen selbst zu zünden, vermindert wird. Indem man nach dieser Weiterentwicklung der Erfindung der Steuerelektrode eine negative Vorspannung aufdrückt, deren Absolutwert kleiner als der Absolutwert der Vorspannungen der zusätzlichen Elektroden ist," wird erreicht, dass, wenn der Thyristor selbst zündet, dies bei den Steuerelektroden geschieht, wodurch: sich die Zündung schnell' in der oben beschriebenen Weise über die Hilfskathode zur Hauptkathode ausbreitet. Der Thyristor ist in dieser Ausführungsform gegen Zerstörung sowohl bei normaler Zündung als auch'bei'
Selbstzündung geschützt, BAD
0098U/100S ~7-
Figur 3 zeigt einen Thyristor '21 nach derErfindung, der in einem-Kreis für die Steuerung des Stromes durch die von der Wechselspannungsquelle 22 gespeiste Belastung 23 angeschlossen ' ist. Der Thyristor ist nur schematisch gezeigt. Seine Steuerelektrode 9 ist wie in Figur 1 an dem aus der Batterie 10 und dem Schalter 11 bestehenden symbolischen Steuergerät angeschlossen. Die Steuerelektrode 9 ist über den Widerstand 24 auch an einer Anzapfung der Batterie 25 und deren positiver Pol an der Hauptkathode It angeschlossen. Die Steuerelektrode bekommt dadurch, ausser wenn der Schalter 11 geschlossen ist, eine negative Spannung im Verhältnis zur Kathode K , was die Tendenz zur Selbstzündung herabsetzt. Am Rande derselben Basisschicht wie die Steuerelektrode sind weitere Elektroden, Vorspannungselektroden, angeschlossen, von welchen nur die Elektrode 26 gezeigt ist. Diese ist über den Widerstand 27 am negativen Pol der Vorspannungsquelle 25 angeschlossen. Wenn die Steuerelektrode die niedrigste (positivste) Vorspannung hat, wird bei Selbstzündung diese in der Nähe der Steuerelektrode stattfinden und die obengenannten Vorteile ergeben.
Der Strom durch die Belastung 23 kann in bekannter Weise durch Variation der Phasenlage des Steuerstroms gesteuert werden.
Die Erfindung ist für einen Thyristor gezeigt, bei dem die Steuerelektrode auf der P-BasisschiJit angebracht ist, aber sie kann natürlich bei einem an und für sich bekannten Thyristor angewendet werden, bei dem die Steuerelektrode auf der N-Basis-
-8-
0Q98U/10Q5
;■■■■':.■■' ■■■'■■'. BAD «
■ - 8 -
schicht angeordnet ist. Statt die .ET-Emitterschicht in eine Haupt- und mehrere Hilfsschichten aufzuteilen, wird dann die P-Emitterschicht entsprechend aufgeteilt.
Wie oben nachgewiesen, ergibt eine erfindungsgemäsBe Halbleiteranordnung - verglichen mit bekannten Anordnungen - eine wesentlich grössere Zündfestigkeit.
BAD ORiQINAL'
U-M 08 5

Claims (14)

  1. - g - . ■ ■
    Patentansprüche :
    »1... Steuerbare Halbleiteranordnung mit einem Körper aus halbleitendem Material mit wenigstens vier abwechselnd P- und IT-leitende Schichten, zwei äussere Schichten, Emitterschichten, und zwei zwischen diesen liegende Schichten, Basisschichten, wobei an jeder Emitterschicht eine Hauptelektrode für den Belastungsstrom und an einer der Basisschichten eine Steuerelektrode angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, dass die an die Basisschicht grenzende Emitterschicht in wenigstens zwei voneinander getrennte Teile aufgeteilt ist, wobei eine der Hauptelektroden an einem dieser Teile - Hauptemitter - angeschlossen und die"übrigen Teile, Hilfsemitter, mittels Impedanzelemente mit diesem Teil verbunden sind.
  2. 2. - Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, die einen ersten, einen zweiten, einen dritten usw. Hilfsemitter enthält, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Hilfsemitter am nächsten des Hauptemitters und die übrigen Hilfsemitter in nacheinander zunehmendem Abstand vom Hauptemitter angeordnet sind.
  3. 3. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Abstände zwischen zwei aufeinander folgenden Hilfeemittern im wesentlichen gleieh gross sind.
    0098H/10ÖS
  4. 4. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen dem ersten Hilfsemitter und dem Hauptemitter im wesentlichen gleich gross wie der Abstand zwischen zwei aufeinander folgenden Hilfsemittern ist.
  5. 5. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einem ersten bis zu einem nsten Hilfsemitter, dadurch gekennzeichnet, dass der n:te Hilfsemitter am nächsten der Steuerelektrode angeordnet ist und die übrigen in nacheinander zunehmendem Abstand von diesem.
  6. 6. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Fläche eines Hilfsemitters klein ist verglichen mit der Fläche der Hauptschicht.
  7. 7. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einem ersten, einem zweiten usw. Hilfsemitter, dadurch gekennzeichnet, dass ein erstes Impedanzelement zwischen dem Hauptemitter und dem ersten Hilfsemitter und ein zweites Impedanzelement zwischen dem ersten und dem zweiten Hilfsemitter angeschlossen sind usw.
  8. 8. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, dass die Resistanz eines jeden Impedanzelementes kleiner ist als die Resistanz des darauffolgenden Impedanzelementes.
    -11-
    0098U./100S
  9. 9. Steuerbare Halbleiter anordnung nach einem der vorne rgelienden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Resistanz eines jeden Impedanzelementes wesentlich kleiner als eine "beliebige der Resistanz der an die Hilfsemitterschichten grenzenden Basisschicht ist, die zwischen anstelle der Emitterschichten auf der •Basisschürt angebrachten nicht gleichrichtenden Eontakte mit derselben fläche /wie die betreffende Emitterschicht gemessen werden können.
  10. 10. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanzelemente von überwiegend resistivem Charakter sind.
  11. 11. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanzelemente von induktivem Charakter sind.
  12. 12. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanzelemente aus auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgedampften Metallschicht'en bestehen»
  13. 13. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanzelemente aus an den Schichten festgelöteten Metallbändern bestehen.
  14. 14. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, bei der die Basissehicht ausser mit der Steuerelektrode mit zusätzlichen Elek-
    BAD-.
    troden versehen let, wobei sowohl der Steuerelektrode als auch den zusätzlichen Elektroden eine im Verhältnis zur Kathode negative Spannung wenigstens während des Teils des Intervalls, in welchem kein Belastungsstrom flieset, aufgedrückt ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Absolutwert der Vorspannung der Steuerelektrode kleiner ist als der Absolutwert der Vorspannung der zusätzlichen Elektroden.
    BAD ORIQlMAL
    9PI'' ' ι ΓΠ 5
DE19671589475 1966-10-12 1967-10-06 Thyristor mit Hilfskathoden Pending DE1589475A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE1377466A SE337064B (de) 1966-10-12 1966-10-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1589475A1 true DE1589475A1 (de) 1970-04-02

Family

ID=20297962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671589475 Pending DE1589475A1 (de) 1966-10-12 1967-10-06 Thyristor mit Hilfskathoden

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH477763A (de)
DE (1) DE1589475A1 (de)
GB (1) GB1192814A (de)
NL (1) NL6713880A (de)
SE (1) SE337064B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2825794A1 (de) * 1978-06-13 1979-12-20 Licentia Gmbh Abschaltbarer thyristor mit mindestens vier schichten unterschiedlichen leitfaehigkeittyps, bei dem die abschaltung durch kurzschliessen der der steuerbasisschicht benachbarten kontaktierten aeusseren emitterschicht mit der anliegenden, nach aussen gefuehrten und kontaktierten steuerbasisschicht erfolgt
DE2907732A1 (de) * 1979-02-28 1980-09-04 Siemens Ag Thyristor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2825794A1 (de) * 1978-06-13 1979-12-20 Licentia Gmbh Abschaltbarer thyristor mit mindestens vier schichten unterschiedlichen leitfaehigkeittyps, bei dem die abschaltung durch kurzschliessen der der steuerbasisschicht benachbarten kontaktierten aeusseren emitterschicht mit der anliegenden, nach aussen gefuehrten und kontaktierten steuerbasisschicht erfolgt
DE2907732A1 (de) * 1979-02-28 1980-09-04 Siemens Ag Thyristor

Also Published As

Publication number Publication date
GB1192814A (en) 1970-05-20
SE337064B (de) 1971-07-26
NL6713880A (de) 1968-04-16
CH477763A (de) 1969-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2800172C2 (de) Thyristor mit Zündverstärkung und Löschsteuerung
DE69220330T2 (de) Halbleiterbauelement zum Schutz gegen Überspannungen
DE1589455A1 (de) Steuerbare Halbleiteranordnung
EP0002840A1 (de) Kathodenseitig steuerbarer Thyristor mit einer Anodenzone aus zwei aneinandergrenzenden Bereichen mit unterschiedlicher Leitfähigkeit
DE1927834A1 (de) Thyristorschaltung
DE2739187C2 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einer Mehrzahl von Schichten unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps
DE2238564A1 (de) Thyristor
DE1589475A1 (de) Thyristor mit Hilfskathoden
DE1539630B1 (de) Steuerbare Halbleiteranordnung
DE2406866C3 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE1564863C2 (de) Planartransistor mit einer Emitter-, einer Basis- und einer Kollektorzone
DE1816009C3 (de) Thyristor
DE2300754A1 (de) Thyristor
DE2449089C3 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter
DE1539877A1 (de) Schaltbares Halbleiterbauelement
DE4207225C2 (de) Integrierte Schaltung mit Abgleichbauteilen
DE1210490B (de) Steuerbares Halbleiterbauelement mit einer pnpn- oder npnp-Zonenfolge und Verfahren zum Herstellen
DE1464979C3 (de) Halbleiterschaltelement
DE3046134C2 (de) Optisch zündbarer Zweirichtungs-Thyristor
DE1539644C (de) Thyristor mit einer Halbleiterscheibe mit vier schichtförmigen Zonen
DE1539630C (de) Steuerbare Halbleiteranordnung
DE1539644B1 (de) Thyristor mit einer Halbleiterscheibe mit vier schichtfoermigen Zonen
DE2020714A1 (de) Gesteuertes Halbleiterbauelement oder Halbleiterschalter
DE2212154C3 (de) Halbleiter-Gleichrichteranordnung
DE2655622A1 (de) Thyristor mit hohem dv/dt-wert der aenderungsfestigkeit