DE1566975B1 - Oszillator mit zwei Abstimmbereichen - Google Patents
Oszillator mit zwei AbstimmbereichenInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005574 cross-species transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- NXLOLUFNDSBYTP-UHFFFAOYSA-N retene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(C(C)C)C=C3C=CC2=C1C NXLOLUFNDSBYTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
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- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
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Description
1 2
Die Erfindung betrifft einen Oszillator mit einem Die Schaltung nach F i g 1
Transistor od. dgl. und einem in dessen Ausgangskreis liegenden Schwingkreis, der über zwei Abstimm- F i g. 1 zeigt einen Oszillator, der in einem Fernbereiche
abstimmbar ist und zwei in Serie geschal- sehempfänger als örtlicher Oszillator sowohl für den
tete Kreisinduktivitäten umfaßt. 5 UHF- wie für den VHF-Bereich verwendet werden
Es liegt ein Bedarf nach einem über zwei Fre- kann.
quenzbereiche abstimmbaren Oszillator vor, z. B. für Zur Schwingungserzeugung dient ein PNP-Tranden
Fernsehempfang im UHF- und im VHF-Bereich, sistor 10, zwischen dessen Basis und Masse ein Kon-
und wo es von Vorteil ist, wenn in der Mischstufe ein densator 11 liegt. Zwischen Kollektor und Emitter
gemeinsamer örtlicher Oszillator für beide Frequenz- io liegt ein Kopplungskondensator 20.
bereiche eingesetzt werden kann. Die Frequenzbe- Der mit 12 bezeichnete einstellbare Schwingkreis
reiche der örtlichen Schwingung können sich dann liegt zwischen Kollektor urid Masse und umfaßt einen
von 517 bis 937 MHz (UHF) bzw. von 101 bis Kondensator 13 zwischen Kollektor und Masse sowie
264 MHz (VHF) erstrecken. die Serienverbindung einer UHF-Induktivität 14 und Bei dem Versuch, einen Oszillator mit der Ab- 15 eines frequenzabhängigen Widerstandes 18 mit der
stimmöglichkeit über diesen weiten Frequenzbereich Parallelverbindung eines Kondensators 17 und einer
zu schaffen, ergeben sich jedoch Schwierigkeiten mit VHF-Induktivität 15, welche Serienverbindung ebender
Ausführung der Rückkopplung, damit diese so- so zwischen Kollektor und Masse liegt. Der frequenzwohl
für die höchsten wie für die niedrigsten Fre- abhängige Widerstand 18 wird unten näher beschriequenzen
den richtigen Wert hat. Es ist auch schwie- so ben. Er hat die wesentliche Eigenschaft, im UHF-rig,
einen Schwingkreis zu schaffen, der ohne uner- Bereich einen hohen und im VHF-Bereich einen verwünschte
Schwingungen über den ganzen Bereich ab- hältnismäßig niedrigen Widerstandswert zu besitzen,
gestimmt werden kann. Ein Schleifer 16 kann die beiden Induktivitäten 14
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die ge- und 15 überstreichen und den entsprechenden Punkt
nannten Schwierigkeiten durch eine einfache und zu- as an Masse legen.
verlässige Schaltung zu überwinden. Zwischen dem Schwingkreis 12 und dem Emitter
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß liegt eine Kopplungsimpedanz 21 in Form einer
die Eingangselektrode des Transistors einerseits über Serienverbindung einer Spule 23 mit einem Kondeneine
kapazitive Kopplungsimpedanz mit der Aus- sator 22, die mit dem Punkt 19 zwischen Widerstand
gangselektrode des Transistors und andererseits über 30 18 und Kondensator 17 verbunden ist. Die Resonanzeine
Kopplungsimpedanz, die im Bereich höherer frequenz dieser Verbindung liegt zwischen den beiFrequenzen
vorwiegend induktiv und im Bereich den Frequenzbereichen, d. h. zwischen 264 und
niedrigerer Frequenzen vorwiegend kapazitiv ist, mit 517MHz, z.B. beim geometrischen Mittel 369,4MHz.
dem Verbindungspunkt der beiden Kreisinduktivitä- Der sich hierdurch ergebende Frequenzgang der Reten
verbunden ist. 35 aktanz der Serienverbindung ist in F i g. 2 dargestellt.
Es sind zwar eine deutsche Patentschrift 953 270, Im UHF-Bereich ist die Reaktanz positiv (induktiv)
eine deutsche Auslegeschrift 1 087 180 sowie die und im VHF-Bereich negativ (kapazitiv).
USA.-Patentschrift 2 254 739 bekannt. Bei den Schal- Die Schaltung hat eine Ausgangsklemme für UHF,
tungen gemäß dieser Patentschriften sind keine Serien die über einen Kondensator 25 am Kollektor liegt,
und Resonanzkreise in der Rückkopplung enthalten. 40 sowie eine gesonderte VHF-Ausgangsklemme, die
Für die Erfindung ist es dagegen, wie schon aus dem über einen Kondensator 24 am Punkt 19 liegt.
Oberbegriff hervorgeht, wesentlich, daß zwei Kreise
in Serie geschaltet werden und daß mittels der erfin- Wirkungsweise
dungsgemäßen Maßnahmen die Eingangselektrode Durch Einstellung des Schleifers 16 über eine der
des Transistors einerseits mit der Ausgangselektrode 45 beiden Induktivitäten 14 und 15 findet die Einsteides
Transistors und andererseits mit dem Ver- lung im UHF- bzw. VHF-Bereich statt. Der Widerbindungspunkt
der Kreisinduktivitäten verbunden standswert der UHF-Induktivität 14 ist beim VHF-sind.
Betrieb sehr klein, so daß der Kollektor im wesent-Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen ergibt liehen direkt am oberen Ende des Widerstandes 18
sich auch der technische Fortschritt gegenüber den 5° liegt, der bei VHF ebenso einen niedrigen WiderEntgegenhaltungen.
Bei dem Oszillator gemäß der standswert hat. In diesem Fall besteht daher der einErfindung
bleiben beide Kreise oder Bereiche immer stellbare Schwingkreis hauptsächlich aus der veräneingeschaltet,
während bei den Entgegenhaltungen derbaren Induktivität 15 zusammen mit der Indukzur
Abstimmung über einen weiteren Frequenzbe- tivität des Schleifers 16, die parallel zu einer festen
reich stets Kreise dazugeschaltet oder ausgeschaltet 55 Kapazität (Kondensatoren 13 und 17) liegt. Durch
werden müssen. Einstellung des Schleifers 16 über die VHF-Induk-Dies
bedeutet, daß der Aufwand bei der erfin- tivität 15 wird die Resonanzfrequenz über den VHF-dungsgemäßen
Anordnung wesentlich geringer ist als Bereich von 101 bis 264 MHz variiert,
bei den bekannten Schaltungen. Bei VHF findet die Rückkopplung vom Kollektor Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung in 60 zum Emitter teils über den Kondensator 20, teils über
einer Ausführungsform beschrieben. Es zeigt die Kopplungsimpedanz 21, die in diesem Frequenz-Fig.
1 das Schaltbild eines nach der Erfindung bereich kapazitiv ist, statt. Der Kondensator 20 allein
ausgebildeten Oszillators, reicht im VHF-Bereich nicht zur Aufrechterhaltung F i g. 2 ein Diagramm zur Erläuterung der Wir- der Schwingungen aus, aber durch die unterstützende
kungsweise, 65 Wirkung der Impedanz 21 können die Schwingungen
Fig. 3 eine Ausführungsform des Widerstandes 18 im VHF-Bereich aufrechterhalten werden,
in Fig. lund Im UHF-Betrieb hat der Widerstand 18 einen
Fig. 4 ein Diagramm zur Erläuterung von Fig..3. hohen Widerstandswert, so daß die Induktivität 14
von der Induktivität 15 getrennt wird, und etwaige unerwünschte UHF-Signale, die wegen der Induktivität
des Schleifers 16 und der Masseverbindung derselben bei UHF-Frequenz auf die VHF-Induktivität
übergreifen könnten, werden unterdrückt. Im UHF-Betrieb dient somit als Schwingkreis der Kondensator
13 in Nebenschluß zu der veränderbaren Induktivität, die sich aus der UHF-Induktivität 14 und dem Schleifer
16 zusammensetzt. Durch Einstellung des Schleifers 16 kann die Resonanzfrequenz von 517 bis
937 MHz verändert werden.
Die Rückkopplung findet bei UHF über den Kondensator 20 statt, der dann allein zur Aufrechterhaltung
der Schwingungen ausreicht und der Unterstützung durch die Impedanz 21 nicht bedarf. Vielmehr
sollte der Emitter nun von den für den VHF-Betrieb vorgesehenen Teilen 15 und 17 isoliert werden,
um unerwünschte Resonanzen und Verluste im UHF-Schwingkreis zu vermeiden. Die Impedanz 21
trägt hierzu bei, da sie im UHF-Bereich überwiegend induktiv ist und als HF-Drossel für den Emitter
wirkt.
Die Einstellung des Oszillators über sowohl den UHF- wie den VHF-Bereich durch einfache Betätigung
des Schleifers 16 ist in erster Linie durch die Kopplungsimpedanz 21 möglich geworden, weil diese
im VHF-Betrieb die erforderliche zusätzliche Rückkopplung bewirkt, während sie im UHF-Betrieb nicht
zur Rückkopplung beiträgt, sondern statt dessen zur Isolierung des Emitters von den VHF-Teilen.
Widerstand 18
Eine Ausführungsform des frequenzabhängigen Widerstandes 18 ist in F i g. 3 dargestellt und umfaßt
einen Leiter 18 α mit einem darauf aufgeschobenen Körper 18 b aus verlustreichem dielektrischem Material,
z. B. Ferrit, der sich über einen Abschnitt X des Leiters erstreckt. Der Körper ist zylinderförmig
und kann mit dem Leiter fest verbunden oder auf diesen nur lose aufgeschoben sein. Im letzteren Fall
sollte er möglichst dicht sitzen, damit der Luftspalt möglichst klein gehalten wird.
Wirkungsweise des Widerstandes 18
Der Frequenzgang des Widerstandes 18 ist von der Wahl des Materials abhängig. F i g. 4 zeigt eine Kurve
für das Ferrit U-17 von Siemens und Halske AG. Wie ersichtlich, ist der Widerstand bei VHF klein und
bei UHF wesentlich (in diesem Fall 100 bis lOOOmal) größer.
Wenn ein hochfrequenter Strom durch den Leiter 18 a fließt, dringt das hierdurch erzeugte Magnetfeld
in den Ferritkörper ein und wird durch die Verluste im Ferritmaterial abgeschwächt, wodurch eine scheinbare
Erhöhung des Widerstandswertes entsteht. Bei niedriger Frequenz ist die Verlustwirkung schwächer,
entsprechend einem niedrigeren Widerstandswert, wie in F i g. 4 dargestellt. Da der größte Teil der Verluste
in unmittelbarer Nähe des Leiters entsteht, kann der Ferritkörper dünn sein. Der in F i g. 4 gezeigte Frequenzgang
kann mit einer Stärke von etwa 1 bis 3 mm erreicht werden. Selbstverständlich ist die Verlustwirkung
der Länge X proportional.
Claims (6)
1. Oszillator mit einem Transistor od. dgl. und einem in dessen Ausgangskreis liegenden
Schwingkreis, der über zwei Abstimmbereiche abstimmbar ist und zwei in Serie geschaltete
Kreisinduktivitäten umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangselektrode
des Transistors (10) einerseits über eine kapazitive Kopplungsimpedanz (20) mit der Ausgangselektrode
des Transistors und andererseits über eine Kopplungsimpedanz (21), die im Bereich
höherer Frequenzen vorwiegend induktiv und im Bereich niedrigerer Frequenzen vorwiegend kapazitiv
ist, mit dem Verbindungspunkt (19) der beiden Kreisinduktivitäten verbunden ist.
2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungsimpedanz (21)
ein Serienresonanzkreis (22, 23) ist, dessen Resonanzfrequenz zwischen den beiden Abstimmbereichen
liegt.
3. Oszillator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die für den Eingangs- und
den Ausgangskreis gemeinsame Elektrode über einen Kondensator (11) an Masse liegt.
4. Oszillator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Oszillator
einen Transistor (10) mit dem Emitter als Eingangs- und dem Kollektor als Ausgangselektrode
umfaßt.
5. Oszillator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen
den beiden Kreisinduktivitäten (14, 15) ein frequenzabhängiger Widerstand (18) liegt, dessen
Widerstandswert im höheren Frequenzbereich wesentlich höher als im niedrigeren Frequenzbereich
ist.
6. Oszillator nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der frequenzabhängige Widerstand
(18) einen Leiter (18 a) mit einem denselben umgebenden Ferritkörper (18 b) umfaßt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
COPY
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US584442A US3401356A (en) | 1966-10-05 | 1966-10-05 | Tunable oscillator circuits capable of oscillation within both a high and a lower frequency band |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1566975B1 true DE1566975B1 (de) | 1971-03-04 |
Family
ID=24337339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671566975D Pending DE1566975B1 (de) | 1966-10-05 | 1967-09-15 | Oszillator mit zwei Abstimmbereichen |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3401356A (de) |
DE (1) | DE1566975B1 (de) |
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