DE1087180B - Einstufiger Transistorschwinger, insbesondere fuer Fernmeldeanlagen - Google Patents

Einstufiger Transistorschwinger, insbesondere fuer Fernmeldeanlagen

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DE1087180B
DE1087180B DES63583A DES0063583A DE1087180B DE 1087180 B DE1087180 B DE 1087180B DE S63583 A DES63583 A DE S63583A DE S0063583 A DES0063583 A DE S0063583A DE 1087180 B DE1087180 B DE 1087180B
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DE
Germany
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circuit
stage transistor
collector
emitter
transistor oscillator
Prior art date
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Application number
DES63583A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr-Ing Francesco Semeria
Santo Montagna
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Siemens SpA
Original Assignee
Siemens SpA
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    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
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    • H03B5/1231Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • HELECTRICITY
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    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

DEUTSCHES
In den herkömmlichen oder jedenfalls bekannten einstufigen Transistorschwingern wird die durch die Induktivität L und die Kapazität C des Schwingkreises bestimmte Schwingfrequenz sowohl durch die Istwerte der Parameter des verwendeten Transistors (die Herstellungstoleranzen der Transistoren streuen bekanntlich noch in sehr weiten Grenzen) als auch durch die Arbeitstemperatur des Transistors selbst beeinflußt.
Es sind bereits Verfahren zum Ausgleichen der Auswirkungen von Temperaturschwankungen bekannt, die jedoch die Verwendung von zusätzlichen Mitteln, wie Widerstände, Thermistoren usw., bedingen. Von diesen Verfahren sind in der technischen Literatur zahlreiche Beispiele beschrieben.
Es wurde aber bisher keine einfache und wirtschaftliche Lösung gezeigt, um die Auswirkungen der Streuung der Parameterwerte eines bestimmten Transistortyps zu beseitigen, was offensichtlich für die Serienfabrikation eines bestimmten Schwingertyps von größter Bedeutung ist.
In den genannten herkömmlichen Transistorschwingern sind auch die Stabilität der erzeugten Frequenz und deren Klirrfaktor bekanntlich in erheblichem Ausmaße von der Stabilität und von den Charakteristiken des angeschlossenen Verbrauchers abhängig.
Die vorliegende Erfindung betrifft nun einen einstufigen Transistorschwinger, insbesondere für Fernmeldeanlagen, durch den die genannten Nachteile beseitigt werden. Der erfindungsgemäße Schwinger ist dadurch gekennzeichnet, daß im Emitterkreis des Transistors ein Widerstand und ein dazu parallel liegender Serienresonanzkreis geschaltet sind, daß Emitter- und Basiskreis über Phasenumkehrmittel miteinander gekoppelt sind, von welchen das dem Emitterkreis entnommene Signal der Basis über Phasenentzerrungsmittel zugeführt wird, die dazu dienen, die Anregung und Aufrechterhaltung der Schwingungen unter dem günstigsten Wirkungsgrad zu gewährleisten, und daß das erzeugte Signal dem Kollektorkreis entnommen wird.
Die Frequenz der erzeugten Schwingungen ist unwesentlichen durch die Eigenwerte des Serienresonanzkreises bestimmt, der vorzugsweise ein hohes LIC-Verhältnis aufweist.
Der Erfindungsgegenstand wird im nachstehenden an Hand der Zeichnung näher erläutert, in der zwei Ausführungsbeispiele dargestellt sind.
Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 ist ein Transistör Tr, z. B. ein pnp-Transistor, dargestellt, deren Basiselektrode B in an sich bekannter Weise gepolt ist (die entsprechenden Schaltungseinzelheiten wurden der Einfachheit halber weggelassen) und deren Einstufiger Transistorschwinger,
insbesondere für Fernmeldeanlagen
Anmelder:
Siemens Societä per Azioni,
Mailand (Italien)
Vertreter: Dr. H. Collenbusch, Patentanwalt,
Nürnberg, Oedenberger Str. 37
Beanspruchte Priorität:
Italien vom 11. Oktober 1958
Dr.-Ing. Francesco Semeria, Mailand,
und Santo Montagna, Bollate, Mailand (Italien),
sind als Erfinder genannt worden
Emitter über den hochohmigen Gegenkopplungswiderstand R 2 an Masse liegt, wobei parallel zu diesem Widerstand der Serienresonanzkreis Ll, Cl geschaltet ist, der auf die gewünschte Frequenz / abgestimmt ist. Die Spule Ll weist eine phasenumkehrende Zweitwicklung L' 1 auf, die zwischen Masse und der Basiselektrode B über einen Kondensator CI geschaltet ist, welcher dazu dient, die galvanische Verbindung zwischen Basiselektrode und Masse zu unterbrechen, und deren Kapazität nach einem weiteren Erfindungsmerkmal derart gewählt ist, daß die in L' 1 induzierte Spannung in die Basiselektrode mit dem Phasenwinkel injektiert wird, der die Anregung und Aufrechterhaltung der Schwingungen unter dem günstigsten Wirkungsgrad gewährleistet. Der Kollektor C ist mit der Energiequelle 5* über den Widerstand R1 verbunden, während das erzeugte Signal an den Ausgangsklemmen 1 und 2 über den Entkopplungskondensator C 3 abgenommen wird.
Da dem Transistor Tr im Emitterkreis durch den Widerstand R2 (der im Falle eines Transistors kleiner Leistung beispielsweise einen Wert von mehreren kOhm aufweisen kann) eine starke Gegenkopplung erteilt wird, sind die normale Streuung der Werte der Eingangsparameter des Transistors und deren temperaturabhängige Schwankungen nur von geringfügiger Größe im Vergleich zu dem Wert von R2. Demzufolge wird die Frequenz eines nach der vorliegenden Erfindung aufgebauten Transistorschwingers
009 587/284
praktisch nur durch die Werte von Ll, Cl, C2 und vom Nennwert der Parameter des verwendeten Transistors bestimmt und innerhalb weiter Grenzen von der Arbeitstemperatur nicht beeinflußt.
Für bestimmte Verwendungszwecke kann der Kondensator CI1 der als fester Kondensator dargestellt 1st, auch ein veränderlicher Kondensator sein, so daß eine gewünschte Frequenzeinstellung innerhalb eines bestimmten Frequenzbandes ermöglicht wird.
Die beschriebene Anordnung benötigt an sich keinen Parallelresonanzkreis im Kollektorkreis, obwohl dieser in manchen Fällen von Vorteil ist, z. B. wenn dem Schwinger eine größere Leistung und/oder eine praktisch klirrfreie Schwingung abgenommen werden soll.
Aus dem Vorangehenden geht deutlich hervor, daß die Anregung und die Aufrechterhaltung der Schwingungen zwischen Emitter- und Basiselektrode örtlich beschränkt sind, wogegen der durch den Innenwiderstand des Transistors entkoppelte Kollektorkreis nicht daran teilnimmt. Der an den Ausgangsklemmen 1 und 2 (vgl. Fig. 1 und 2) liegende äußere Verbraucher wirkt daher praktisch keinen bemerkenswerten Einfluß auf die Frequenz und auf die Wellenform des durch den Schwinger erzeugten Signals aus, wenn man von den praktisch nicht vorkommenden Grenzfällen absieht, bei denen grobe Widerstands-Anpassungsfehler vorliegen.
Die mittels der Wicklung L' 1 der Spule L1 erzeugte Phasenumkehr kann selbstverständlich auch mit anderen an sich bekannten Anordnungen, z. B. mittels eines Übertragers erzielt werden, ohne aus den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu treten.
In Fig. 2 ist eine weitere Ausführungsform des Erfindungsgegenstandes dargestellt, die zum Unterschied von der Fig. 1 an Stelle des Widerstandes R1 und des Kondensators C 3 im Kollektorkreis einen Parallelresonanzkreis L 2, C 4 aufweist, der auf die Frequenz des Schwingers abgestimmt ist und dem bereits erwähnten Zweck dient, an den Ausgangsklemmen 1 und 2 über die Zweitwicklung L' 2 eine größere Leistung und/oder eine praktisch klirrfreie Wellenform entnehmen zu können. Diese Lösung hat den weiteren wesentlichen Vorteil, daß man über einen gegen Masse symmetrischen Ausgang verfügt.
Die vorliegende Erfindung hat ganz allgemeine An-Wendungsmöglichkeiten, die sich auf die Gebiete der Fernmeldetechnik, der Funktechnik, der Personalsuchanlagen, der Fernmeß- und Fernsteuertechnik, der Meßtechnik u. dgl. erstrecken, wo eine Genauigkeit und eine Frequenzstabilität gefordert werden, die zwischen einem herkömmlichen Transistorschwinger und einem quarzstabilisierten Transistorschwinger liegen.
Als weitere Anwendungsbeispiele seien noch tonfrequente Schwinger für Fernschreib- und Fernwahlzwecke, Schwinger als Sender von elektrischen Zeichen (Fernmessungen, Fernsteuerungen, Teilnehmerwahl mittels bestimmter Frequeuzfolgen) sowie feste und einstellbare Schwinger für Rundfunk, Fernsehen und Meßgeräte genannt.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Einstufiger Transistorschwinger, insbesondere für Fernmeldeanlagen, dadurch gekennzeichnet, daß im Emitterkreis (E) des Transistors (Tr) ein Widerstand (R2) und ein dazu parallel liegender Serienresonanzkreis (Ll, Cl) geschaltet sind, daß Emitter (E) und Basiselektrode (B) über Phasenumkehrmittel (L' 1) miteinander gekoppelt sind, von welchen das dem Emitterkreis (E) entnommene Signal der Basis (E) über Phasenentzerrungsmittel (C 2) zugeführt wird, die dazu dienen, die Anregung und Aufrechterhaltung der Schwingungen unter dem günstigsten Wirkungsgrad zu gewährleisten, und daß das erzeugte Signal dem Kollektorkreis (C) entnommen wird.
2. Einstufiger Transistorschwinger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spule (Ll) des Serienresonanzkreises (Ll, Cl) eine als Phasenumkehrmittel dienende Zweitwicklung (L' 1) aufweist, über welche der Emitterkreis (E) mit dem Basiskreis (B) gekoppelt ist.
3. Einstufiger Transistorschwinger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Emitter- (E) und Basiskreis (B) über einen getrennten, als Phasenumkehrmittel dienender Übertrager miteinander gekoppelt sind.
4. Einstufiger Transistorschwinger nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das dem Emitterkreis (E) entnommene Signal durch die Phasenumkehrmittel (z.B. L'l) der Basis (B) über einen Kondensator (C 2) zugeführt wird.
5. Einstufiger Transistorschwinger nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Kollektorkreis (C) ein Widerstand (R3) geschaltet ist und das erzeugte Signal dem Kollektor (C) über einen Kondensator (C 3) entnommen wird.
6. Einstufiger Transistorschwinger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Kollektorkreis (C) ein auf die Eigenfrequenz des Schwingers abgestimmter Parallelresonanzkreis (L 2, C 4) geschaltet ist und das erzeugte Signal dem Kollektor (C) über einen Kondensator (C 3) entnommen wird.
7. Einstufiger Transistorschwinger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Kollektorkreis (C) ein auf die Eigenfrequenz des Schwingers abgestimmter Parallelresonanzkreis (L 2, C 4) geschaltet ist und das erzeugte Signal dem Kollektorkreis (C) über eine Zweitwicklung (L' 2) der Spule (L 2) des Parallelresonanzkreises (L 2, C 4) entnommen wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DES63583A 1958-10-11 1959-06-23 Einstufiger Transistorschwinger, insbesondere fuer Fernmeldeanlagen Pending DE1087180B (de)

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DE (1) DE1087180B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3248722A (en) * 1961-02-21 1966-04-26 Hood Gust & Irish Frequency keyed transistor oscillator signal receiver
DE1566975B1 (de) * 1966-10-05 1971-03-04 Aga Ab Oszillator mit zwei Abstimmbereichen
DE2533459A1 (de) * 1974-07-26 1976-02-05 Lignes Telegraph Telephon Integrierbare mikrowellenschaltung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1566975B1 (de) * 1966-10-05 1971-03-04 Aga Ab Oszillator mit zwei Abstimmbereichen
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