DE1564704A1 - Hochfrequenztransistor - Google Patents

Hochfrequenztransistor

Info

Publication number
DE1564704A1
DE1564704A1 DE19661564704 DE1564704A DE1564704A1 DE 1564704 A1 DE1564704 A1 DE 1564704A1 DE 19661564704 DE19661564704 DE 19661564704 DE 1564704 A DE1564704 A DE 1564704A DE 1564704 A1 DE1564704 A1 DE 1564704A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
base
layer
frequency transistor
high frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19661564704
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Wiesner Dr Dipl-Ing Richard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of DE1564704A1 publication Critical patent/DE1564704A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P14/69215—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/6309—
    • H10P14/6322—
    • H10P14/6334—
    • H10P14/6686—

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
DE19661564704 1966-09-12 1966-09-12 Hochfrequenztransistor Pending DE1564704A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0105812 1966-09-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1564704A1 true DE1564704A1 (de) 1969-12-11

Family

ID=7526887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19661564704 Pending DE1564704A1 (de) 1966-09-12 1966-09-12 Hochfrequenztransistor

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1564704A1 (enExample)
FR (1) FR1551938A (enExample)
NL (1) NL6710792A (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3302025A1 (de) * 1983-01-22 1984-07-26 Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen eines epibasistransistors

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3604986A (en) * 1970-03-17 1971-09-14 Bell Telephone Labor Inc High frequency transistors with shallow emitters

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3302025A1 (de) * 1983-01-22 1984-07-26 Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen eines epibasistransistors

Also Published As

Publication number Publication date
FR1551938A (enExample) 1969-01-03
NL6710792A (enExample) 1968-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1764464C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines lateralen Transistors
DE3545040C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Schicht und einer Kollektorzone in einer monolithischen Halbleitervorrichtung
DE2655400A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3205022A1 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung
EP0293641B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines voll selbstjustierten Bipolartransistors
DE2500207A1 (de) Integrierte halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0684639A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors
DE19958062C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung mit einem solchen Bipolartransistor
DE2133976A1 (de) Halbleiteranordnung, insbesondere mono hthische integrierte Schaltung, und Ver fahren zu deren Herstellung
DE1764570B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit zueinander komplementären NPN- und PNP-Transistoren
EP0062725B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines integrierten Planartransistors
DE2141695B2 (de) Verfahren zum herstellen eines monolithischen halbleiterbauelementes
DE2525529B2 (de) Halbleiteranordnung mit komplementaeren transistorstrukturen und verfahren zu ihrer herstellung
DE4112285A1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE2600375C3 (de) Halbleiteranordnung mit mindestens zwei komplementären Transistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3631425A1 (de) Transistorherstellung
DE1564704A1 (de) Hochfrequenztransistor
DE2529951A1 (de) Lateraler, bipolarer transistor
DE2403816C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2039091A1 (de) Transistor mit minimaler Seiteninjektion in einem monolithischen Halbleiterkoerper und Verfahren zur Herstellung dieses Transistors
DE69634585T2 (de) Halbleiteranordnung mit schutzring und verfahren zur herstellung
DE1439758A1 (de) Verfahren zur Herstellung passivierter Transistoren mit nichtdiffundierter Basiszone in einem Halbleiterkoerper
DE3813836A1 (de) Verfahren zur herstellung monolithisch integrierter, multifunktionaler schaltungen
DE2133977C3 (de) Halbleiterbauelement
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern