DE1564563A1 - Elektrisches Bauelement mit mindestens drei elektroden und einer das Bauelement umgebenden,insbesondere einbettenden,Isolierstoffhuelle - Google Patents

Elektrisches Bauelement mit mindestens drei elektroden und einer das Bauelement umgebenden,insbesondere einbettenden,Isolierstoffhuelle

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DE1564563A1 DE19661564563 DE1564563A DE1564563A1 DE 1564563 A1 DE1564563 A1 DE 1564563A1 DE 19661564563 DE19661564563 DE 19661564563 DE 1564563 A DE1564563 A DE 1564563A DE 1564563 A1 DE1564563 A1 DE 1564563A1
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Description

  • Elektrisches Bauelement mit mindestens drei Elektroden und einer das Bauelement umgebenden insbes. einbettenden Isolierstoffhülle. Die Erfindung bezieht sich auf ein elektrisches Bauelement, insbesondere einen Transistor, mit mindestens drei Elektroden und einer das Bauelement umgebenden insbes. ei.nbeitenden Isolierstoffhülle. Isolierstoffhüllen *versprechen auch bei Transistoren und anderen Halbleiteranordnungen Vorteile. Abgesehen von der Vlirtschaftlichkeit der Herstellung solcher Umhüllungen kommt vor allem der Vorteil in Betracht, daß sie sich mit sehr kleinen Abmessungen fertigen lasseni Einer-, Anwendung auf Hochfrequenztransistoren stehen jedoch verschfedene Probleme entgegen. Sie beziehen sich auf die Kapazitäten und Induktivitäten der elektrischen Zuleitungen solcher Anordnungen. Es besteht also die Aufgabe, eine nachteilige Beeinflussung der Transistorsystemeigenschaften durch die elektrischen Zuleitungen zu vermeiden, Die Erfindung bezieht sich auf ein elektrisches Bauelement, insbes. einen Transistor, mit mindestens drei Elektroden und einer das Bauelement umgebenden insbes. einbettenden Isolierstoffhülle, welches dadurch gekennzeichnet ist$ daß mindestens eine zwischen zwei weiteren elektrischen Zuleitungen zu den Elektroden des Bauelementes verlaufende Zuleitung mindestens innerhalb der Isolierätoffhülle als elektrische Schirmung ausgebildet ist.
  • Beispielsweise ist man bei Verviendung eines Hochfrdq-aenztransistors in Basisschaltung bestrebt, die Kapazität zwischen Kollektor und Emitter, bei Verwendung in Emitterschaltung hingegen die Kapazität zwischen Kollektor und Basis klein zu halten. Dementsprechend wird man bei einem' Transistor entsprechend der Erfindung die elektrisc'he-'Zu-'. leitung zur Basiselektrode bei Verwendung des Trcli'n##istors in Basisschaltung, die elektrische Zuleitung zur Emitterrelektrode bei Verwendung des Transistors in Emitterschaltung zusätzlich als elektrische Schirmung ausgestalten. Das Prinzip der elektrischen Schirmung ist an sich bekannt: zwischen den be-iden gegenseitig abzuschirmenden Züleitungen wird ein auf z.B. Nullpotential gehaltener Metallkörperangeord-.
  • net, welcher die zwischen den beiden Zül6ituugph Übergehenden elektrischen Peldlinien unterbricht. Die abschirmende Zuführungsleitung ist zweckmäßig jedoch nicht unbedingt notwendig größer,-insbes. breiter, als die beiden sich gegenüberstehenden, abzuschirmenden Zuleitungen ausgestaltet, weil man auf diese Weise besonders leicht einen geringen Durchgriff durch.die abschirmende Zuleitung hindurch erzielt. In den Zeichnungen sind verschiedene Ausführungsbeispiele einer Anordnung gemäß der Erfindung dargestellt. In Fig. 1-ist'eine vollständige Anordnung im Längsschnitt dargestellt, während die übrigen Figuren Details bezüglich der Elektrodenzuführungen zeigen. In Fig. 1 bedeutet 1 einen Hochfrequenztransistor, z.B. vom 1"lesa--oder vom Planartyp. Dieser ist mit einer der abzuschirmenden Zonen, insbesondere den Kollektor mit einem gleichZeitig als elektrische Zuführung ausgestalteten, metallischen Support 2 verbunden. Des weiteren sind elektrische Zuleitungen 3 und 4 vorgeshen. Als abschirnende Zuführung dient die Zuleitung 3.
    Bei einer Anordnung gem. Pig. 3 ist die abschirm.ende Zulei' tung 3 direkt zwischen den beiden abzuschirrhenden Zulei tungen 2 und 4 hindurchgeführt. Mitunter empfiehlt'es sich, wie in den Beispielen gem. Pig- 3 - 5 gezeigt - die abschirmende Zu g 3 soweit sie sich im Zwischengebiet zwischen den beiden abzuschirmenden Zuleitungen 2.und 4 befindet, zu verjüngen. Insbes. wenn die drei Zuleitungen sich in einer Ebene befinden, wie dies bei einer Anordnung gem. Fig. 3 und 4 zutrifft, empfiehlt sich diese Maßnahme, um die Zuführung 4 möglichst dicht an die Zuführung 2 heranbringen zu können und mit möglichst kurzen Drähten 6 und Tauszukommen. Die in Fig.--3 dargestellte Ausbildung weist noch eine weitere Besonderheit auf: Die Zuführung 3 kann doppelt aus der Kuststoffumhüllung herausgeführt werden. Im Beispielsfall der Fig. 3 ist sie zu diesem Zweck bügelförmig ausgestaltet. Der Bügel kann sowohl 'innerhalb als auch außerhalb der Kunststoffhülle 5 angeordnet sein.
  • Wie in,Fig. 4 dargestellt,kann die durch-die Verjüngung der abschirmenden Zuleitung bedingte Aussparung im Gebiet zwischen den bei-den abzuschirmenden Elektroden 2 und 4 unsymmetrisch zu den beiden Zuleitungen 2 und 4 ausgestaltet sein. Hierdurch erhält man eine besonders geringe Kapazität zwischen der Zuführung 2 und der Zuführung 3.
  • Eine Anordnung gem. Fig. 5 weist im Vergleich zu den Anordnungen nach Fig. 1 bis 4 den Unterschied auf, daß die abschirmende Zuführung 3 sich im Zwischengebi-et der beiden Zuführungen 2 und 4 sich zugleich über dieselben als auch unter dieselben als auch unter dieselben erstreckt. Wegen der besonders guten Abschirmung einer solchen Anordnung werden besonders geringe Abstände zwischen den beiden abzusehirmenden Elektroden 2 und 4 möglich. Die Zuleitungsdrähte zwischen den Elektroden beiderseits der abschirmenden Elektrode können durch Aussparungen, Löcher und dergl. isoliert geführt sein. Die Fertigung einer Anordnung gem. der Erfindung kann auf verschiedene Weisen erfolgen. Beispielsweise kann man die Zuleitungen 2, 3 und 4 nach Halterung in einer Justiervorrichtung und Montage des Transistorsystems mit einem aushärtenden Kunststoff vergießen. Eine besonders zweckmäßige Fertigung einer Anordnung gemäß der Erfindung sieht folgende Arbeitsschritte vor: 1#) Die elektrische Zuführungen 2, 3 und 4 werden aus einein Metallband derart gestanzt, daß außerhalb der später auf.-zubringenden Isolierstoffhülle 5 z.B. rahmenartig angeordnete Stege zwischen den Zuleitungen 2, 3 und 4 verbleiben, welche die gegenseitige Lage dieser Zuleitungen fixieren.
  • 2.) Anschließend werden evtl.-Umbiegungen vorgenommen.
  • 3.) Dann wird das Transistorsysteia.auf en Zuleitungen aufmontiert. 4.) Schließlich wird die Kunstotoffhülle 5 aufgebracht.
  • Als letzter Pertigungssehritt werden die Stege zwischen den Zuleitungen 2, 3 und 4 aufgetrennt. Die Anordnung der elektrischen Zuleitungen bei Transistoren in einer integrierten Schaltung, insbes. auch in einer monol:#thischen Halbleiteranärdnung, lUt sich ebenfalls, in der von der Erfindung gelehrten Weise durchführen. Beispielsweise kann man zur Kontaktierung der E#.ektroden einer in Planarteahnik hergestellten integrierten Halbleiterschaltungen leitende Bahnen als elektrische Zuleitungen verwenden, welche auf der Halbleiteroberfläche, z.B. auf einer auf dieser erzeugten isolierenden-Schutzschichtg z.B. aus sio 2 , aufgedampft, aufgemalt oder auf sonst eine Weise aufge-#racht sind. Es besteht aber dabei auch die Möglichkeit die elektrischen Zuleitungen mindestens zum Teil als hochdo tierte Halbleiterbereiche auszubilden, die beispielsweise durch Diffusion, Epitaxie oder Legieren erzeugt sein können.
  • Dann befindet sich das zu kontaktierende Halbleiterbauelment Z.B. der Transistor 1.innerhalb eines größeren-Halble.iterkri.-etalles - mit den zu kontaktierenden Elektroäen#mindestens zum Teil an der Halbleiteroberfläche,sowie den Zuleitungen,von denen mindestens eine, insbes. die Zuleitung, in Form von hochdotierten Oberflächenzonen vorliegen.

Claims (2)

  1. P a t e n t a n s__p r ü c h e : 1. Elektrisches Bauelement, insbes. Transistor, mit mindestens drei Elektroden und einer das Bauelement umgebenen, insbes. einbettenden-Isolierstoffhülle, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine zwischen zwei weiteren elektrischen Zuleitungen zu den Elektroden des Bauelements verlaufende Zuleitung mindestens innerhalb der Isolierstoffhülle als elektrische Schirmung ausgebildet ist.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß' sich die elektrischen Zuleitungen zu den Elektroden des Bauelementes innerhalb der Isolierstoffhülle etwa in einer Ebenebefinden. 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,. daß die abschirmende Zuleitung än beiden Enden aus der Isolierstoffhülle herausgeführt ist. 4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die abschirmende Zuleitung im bzvi. am Zwischenraum der beiden abzuschirmenden Elektroden verjüngt ist. 5. Anordnung nach Anspriuch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die Verjüngung bedingte Aussparung der abschirmenden Zuleitung assymmetrisch in Bezug auf die abzuschirmenden Elektrodenzuleitungen angeordnet ist. 6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die abschirmende, bandartig ausgestaltete Zuleitung etwa senkrecht zu der Verbindung zwischen den abzuschii#menden Zuleitungen angeordnet ist. 7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Kontaktierungsdraht von dem von einer Zuleitung getragenen Bauelement zu einer auf der anderen Seite der abschirmenden Zuleitung angeordneten Zuleitung durch eine Ausparung,- Lücke, Durchbohrung oder dergl. der abschirmenden Zuführung isoliert hindurch geführt ist. 8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das zu kontaktierende Bauelement Bestandteil einer integrierten Schaltung, insbeo. einer monolithischen Halbleiterschaltung ist. 9-. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die abschirmende Zuleitung auch hochdotiertem Halbleitermaterial besteht.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5107326A (en) * 1990-01-31 1992-04-21 Siemens Aktiengesellschaft High-frequency smd transistor having two emitter terminals
EP0566921A1 (de) * 1992-04-18 1993-10-27 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Halbleiterbaugruppe, insbesondere Fernsteuer-Empfangsmodul

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EP0566921A1 (de) * 1992-04-18 1993-10-27 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Halbleiterbaugruppe, insbesondere Fernsteuer-Empfangsmodul

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