DE1564364B2

DE1564364B2 - Wechselstrombetriebener festkoerperbildwandler

Info

Publication number: DE1564364B2
Application number: DE1966M0071419
Authority: DE
Inventors: Tadao Yokohama Kohashi (Japan)
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1965-10-25
Filing date: 1966-10-24
Publication date: 1976-05-06
Also published as: FR1504050A; GB1173604A; US3495088A; NL146982B; NL6615086A; DE1564364A1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen wechselstrombetriebenen Festkörperbildwandler gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Es ist ein derartiger Festkörperbildwandler bekannt (DT-Gbm 18 69 477), bei dem die photoleitende Schicht vergleichbar dem Steuergitter eines Entladungsgefäßes wirkt, in dem sie bei Bestrahlung zunehmend leitend wird und damit den wirksamen Bereich der zweiten Elektrode vergrößert, die den Wechselstrom vor dem Erreichen der elektrolumineszierenden Schicht ableitet. ,-· Die photoleitende Schicht muß aus einem Material mit hohem Dunkelwiderstand bestehen. Die erste und die dritte Elektrode sind hierbei flächig angeordnet, während die zweite Elektrode gitterförmig zwischen die photoleitende Schicht und die dielektrische Schicht eingebracht ist. Der bekannte Aufbau zeigt eine gewisse Frequenzselektiyität insofern, als mit zunehmender Frequenz die kapazitive Ableitung des Wechselstroms zunimmt, wodurch einerseits die an der elektrolumineszierenden Schicht anliegende Spannung und andererseits die Wirksamkeit der Widerstandsänderungen in der photoleitenden Schicht abnehmen. Ein Betrieb mit wechselnden oder besonders angepaßten Frequenzen ist deshalb für diesen bekannten Bildwandler nicht beschrieben worden. Die mit einem bestimmten Bildwandler festgelegter Konstruktion erzielbaren Wandlungscharakteristiken liegen in festgelegten Grenzen.

Es ist auch bekannt (DT-AS 12 02 913), die Wechselspannung über die photoleitende und die elektrolumineszierende Schicht zu legen, während ein durch Elektrete, die als Füllmasse in der photoleitenden '( Schicht enthalten sind, aufgebrachtes Gleichfeld nur an der photoleitenden Schicht liegt.

Es ist weiterhin bekannt (DT-AS 1133481), eine erhebliche und in gewissem Umfang wählbare Kennli'-niensteilheit der Spannung an der elektrolumineszierenden Schicht in Abhängigkeit von der Einstrahlung dadurch zu erzielen, daß der Festkörperbildwandler einen frequenzselektiven Aufbau mit einer Resonanz aufweist, deren Lage im Spektrum durch die Einstrahlung bewirkt wird. Hierbei ist die auf die Einstrahlung reagierende Schicht eine photosensitive Schicht, deren Kapazität sich bei einer Änderung der Bestrahlung ändert, und ist dem Bildwandler ein äußeres induktives Element vorgeschaltet. Durch Wahl der Speisefrequenz in bezug zu einer mittleren Resonanzfrequenz kann damit eine oder beide Flanken der Resonanz-Impedanzkurve ausgenützt werden. Die äußeren Induktivitäten und mehr noch die Tatsache, daß die Wahl des Materials der photosensitiven Schicht eingeengt ist dahingehend, daß nur eine durch die Einstrahlung in ihrer Kapazität veränderlichen Schicht verwendbar ist, bedeuten erhebliche Nachteile und Beschränkungen für den bekannten Bildverstärker.

Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein günstig ausnutzbares Resonanzverhalten des Festkörperbildwandlers auch ohne äußeres auf den Bildwandler abgestimmtes Zusatzelement und unter Verwendung eines Materials mit sich durch die Bestrahlung änderndem Widerstandsverhalten, wie es für die verschiedenen Arten der Einstrahlung in großer Auswahl und mit günstigen Eigenschaften zur Verfügung steht, zu verwirklichen.

Diese Aufgabe wird, ausgehend von einem Festkörperbildwandler der eingangs genannten Art, gemäß der Erfindung durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 genannten Merkmale gelöst.

In der Zeichnung zeigt

F i g. 1 eine Ersatzschaltung,

Fig.2 die Abhängigkeit der Ausgangsstrahlung L₂ des Festkörperbildwandlers in Abhängigkeit von der von der Eingangsstrahlung L\ abhängigen Verstimmung,

F i g. 3 bis 7 jeweils einen Querschnitt durch eine Ausführungsform eines Festkörperbildwandlers, dessen elektrisches Verhalten der Ersatzschaltung nach F i g. 1 entspricht.

Die Ersatzschaltung nach F i g. 1 besteht aus einer Wechselstromquelle 1, an die in Reihenschaltung eine Kapazität Q, ein durch Einstrahlung veränderlicher Widerstand Ri aus einem photoleitenden Material und eine Parallelschaltung aus einer Kapazität. C₂ und einem Widerstand A₂, der im dargestellten Beispiel ebenfalls aus photoleitendem Material besteht, angeschlossen ist. Eine über der Parallelschaltung aus C₂ und A₂ liegende Spannung V₂ stellt eine Funktion der Kreisfrequenz ω der angelegten Wechselspannung dar und zeigt in Abhängigkeit von dieser Frequenz eine deutliche Resonanz. Der Kondensator C₂ entspricht der Kapazität einer elektrolumineszierenden Schicht, die eine von der Spannung V₂ abhängige Ausgangsstrahlung L₂ abgibt. Da die Spannung V₂ von der Frequenz abhängt, ist auch die Ausgangsstrahlung L₂ frequenzabhängig (F i g. 2). Durch Änderung der Einstrahlung L\ und damit der Widerstandswerte von R\ und R₂ kann die Resonanzkurve verschoben werden, so daß sich gleichzeitig das Maß der Verstimmung und damit die Höhe der am Kondensator C₂ anliegenden Spannung ändert. Hierdurch kann die Ausgangsstrahlung L₂ in verhältnismäßig weitem Hub beeinflußt werden. Wird nun eine Wechselspannung V(co) an diese ÄC-Schaltung angelegt und die Kreisfrequenz ω variiert, so ist die an den Kondensator C₂ angelegte Spannung V₂ (ω) innerhalb eines Bereichs von Null bis zu einem gewissen, endlichen Spannungswert frei steuerbar, und es zeigt sich ein frequenzselektives Verhalten, wobei ein Höchstwert bei einer Resonanzkreisfrequenz

VC₁C₂R₁R₂

gegeben ist

Die Beziehung zwischen ωο/ω und der optischen Ausgangsstrahlung L₂ ist wie in F i g. 2 dargestellt. V₂ (ω) und somit auch die optische Ausgangsstrahlung L₂ werden am höchsten bei ω = ωο, d. h. ωο/ω = 1, und es erscheint ein scharfer, einziger Scheitel. Die Widerstände Ri und R₂ verringern sich beim Bestrahlen durch die Eingangsstrahlung L₁. Die Abszisse ω_ο/ω ist daher eine zunehmende Funktion von LiIω.

Dies beschriebene Verhalten wird durch einen Festkörperbildwandler nach F i g. 3 erzielt. Dieser Bildwandler bestellt aus einer elektrolumineszierenden Schicht 2, einer photoleitenden Schicht 3, einer dielektrischen Schicht 4 und einer Tragplatte 5 in der dargestellten Anordnung. Die elektrolumineszierende Schicht 2 ist streifenförmig mit Unterbrechungen angeordnet, in denen sich photoelektrische Streifen 6 befinden. Die Streifen 6 können aus gleichem Material bestehend mit der photoleitenden Schicht 3 verbunden sein und Rippen darstellen, zwischen denen Nuten gebildet sind, in die das Material der elektrolumineszierenden Schicht 2 eingebracht ist. Die Streifen 6 können jedoch auch aus neutralem Widerstandsmaterial, bestehen, oder können aus einem anderen photoleitenden Material, wie die photoleitende Schicht 3 bestehen. Im letzteren Fall können beispielsweise die photoleitende Schicht 3 aus infrarotempfindlichem Material, das einen niedrigen spezifischen Dunkelwiderstand aufweist, und die photoleitenden Streifen 6 aus einem lichtempfindlichen Material, das auf die Ausgangsstrahlung der elektrolumineszierenden Schicht 2 anspricht, bestehen. Hierdurch wird ein zusätzlicher Rückkopplungseffekt erzielt.

An die Streifen der elektrolumineszierenden Schicht 2 schließt eine erste Elektrode 7 an, an die Streifen 6 eine zweite Elektrode 8 und an die dielektrische Schicht 4 eine dritte Elektrode 9. Während die erste und die zweite Elektrode entsprechend dem Bau der jeweils bedeckten streifenförmig unterbrochenen Schichten selbst Streifenform haben, ist die dritte Elektrode 9 als zusammenhängende Fläche ausgebildet. Die erste Elektrode muß für die Ausgangsstrahlung L₂ und die dritte Elektrode für die Eingangsstrahlung Li durchlässig sein. Da die erste und die zweite Elektrode an nebeneinanderliegenden Streifen anliegen und gleiches Potential haben, können sie auch als gemeinsame Elektrodenschicht ausgebildet sein, die Trennung der ersten und der zweiten Elektrode in der dargestellten Weise bewirkt jedoch eine Verschärfung der Frequenzselektivität. Die erste und die zweite Elektrode sind gemeinsam über eine Leitung 10 und die dritte Elektrode ist über eine Leitung 11 mit der Wechselstromquelle 1 verbunden.

Die Ersatzschaltung nach F i g. 1 ist für ein Bildelement in Fig.3 angedeutet Je nach der Beschaffenheit der Streifen 6 ist hierbei der Widerstand i?₂ in Fi g. 1 entweder konstant, oder von der Eingangsstrahlung L\ beeinflußt (dargestellter Zustand) oder von einem Anteil der Ausgangsstrahlung L₂ beeinflußt.

Durch entsprechende Wahl der angelegten Frequenz kann ein gewünschtes Verhalten entsprechend der Charakteristik nach F i g. 3 erzielt werden. Im Fall der Rückkopplung ist es unter Umständen auch möglich, durch die Wahl der Frequenz ωο/ω 2= 1 einen bistabilen Zustand mit Speicherung des Strahlungsbilds zu erhalten.

Es ist zu beachten, daß als Material der elektrolumineszierenden Schicht 2 ein Material mit verhältnismäßig niedrigem spezifischen Widerstand und hohen dielektrischen Verlusten verwendet werden kann, dessen Widerstand noch als Parallelwiderstand zu den Widerstandsstreifen 6 gedacht werden kann.

Bei der Ausführungsform nach F i g. 4 ist die dritte Elektrode 9 im Gegensatz zu der Ausführungsform nach F i g. 3 wie die erste und die zweite Elektrode in Form von Streifen mit Zwischenraumbereichen ausgebildet. Die zweite Elektrode 8 hat Zwischenraumbereiche 14 zwischen den Elektrodenelementen und ist in Form eines Gitters in Kontakt mit der photoleitenden Schicht

3 angeordnet: Die elektrolumineszierende Schicht 2 ist als zusammenhängende Schicht ausgebildet. Wie aus F i g. 4 hervorgeht, sind sämtliche ersten Elektroden 7 jeweils in einer in bezug auf den zwischen einander benachbarten zweiten Elektroden 8 vorgesehenen Zwischenraumbereich 14 im wesentlichen zentral gelegenen Stellung angeordnet. Die Ebenen der Elektroden 7 und 8 werden durch die elektrolumineszierende Schicht 2 in einem Abstand gehalten.

In einem Bildelement 15 des Bildwandlers ist die Ersatzschaltung nach F i g. 1 angedeutet Es entspricht der Kondensator C\ der Kapazität desjenigen Teils der Schicht 4, der zwischen der dritten Elektrode 9 und der ihr zunächstliegenden Oberseite der photoleitenden Schicht 3 gelegen ist, R\ dem Widerstand in Richtung der Stärke desjenigen Teils der Schicht 3, der zwischen deren der Elektrode 9 zunächstliegenden Oberseite und derjenigen Oberfläche gelegen ist, auf der die zweite Elektrode 8 angeordnet ist, R₂ der Hälfte des seitlichen Widerstandes der Schicht 3 zwischen den einander benachbarten zweiten Elektroden 8 und C₂ der Kapazität in Richtung der Stärke desjenigen Teils der elektrolumineszierenden Schicht 2, der der ersten Elektrode 7 entspricht.

In der Ausführungsform nach F i g. 5 besteht die photoleitende Schicht 3 aus einem infrarotempfindlichen Material, das einen niedrigen spezifischen Dunkelwiderstand aufweist, wie etwa PbS, PbSe oder (Cd-Hg)Te. Die Elektrodenelemente der zweiten Elektrode 8 sind in einem Abstand voneinander in Form schmaler Metallstreifen an der einen Oberfläche der photoleitenden Schicht 3 angeordnet Die dielektrische Schicht 4 besteht aus einer Vielzahl von in einem Abstand voneinander angeordneten Streifen aus einem Material wie beispielsweise SiO₂, in deren jeder eine der dritten Elektroden 9 angeordnet ist Die elektrolumineszierende Schicht 2 ist ähnlich der Ausführungsform nach Fig.3 streifenförmig unterbrochen und in den Zwischenräumen befinden sich Distanzschichten 16, die aus dem gleichen Material wie die Schichten 4 hergestellt sind. Doch können diese Distanzschichten 16 auch fortgelassen werden, in welchem Falle sich die photoleitende Schicht 3 unter Ausfüllen der nunmehr ausgesparten Teile der elektrolumineszierenden Schicht 2 in diese hineinerstrecken kann und die zweite Elektrode 8 unmittelbar auf der Tragplatte 5 oder aber auf der gegenüberliegenden Oberfläche der photoleitenden Schicht 3 angeordnet sein kann.

Für ein Bildelement ist die Ersatzschaltung nach F i g. 1 in F i g. 5 angedeutet. Ersichtlich stellt sich auch hier das Resonanzverhalten nach Fig.3 ein. Beim Aufbau nach Fig.5 ist R\ gleich R₂, wenn die Elektrodenelemente der ersten Elektrode 7 genau in der Mitte zwischen den Elektrodenelementen der zweiten Elektrode 8 und denen der benachbarten dritten Elektrode 9 angeordnet ist. In diesem Fall zeigt die einen einzigen Scheitel aufweisende Kennlinie für V₂ oder die Ausgangsstrahlung L₂, bezogen auf ω, also die Frequenzselektivität, ihre schärfste Ausprägung, wenn die Bedingungen C₂ = 2Ci erfüllt ist Hieraus ergibt sich für das Verhältnis der angelegten Spannungen = 1/4 und die Winkelfrequenz ωο ist durch

U-C₁-R₁ ■

gegeben. Es sei nun angenommen, daß der seitliche Abstand zwischen den Elektrodenelementen der ersten Elektrode 7 und denen der dritten Elektrode 9 gleich P₁ und der seitliche Abstand zwischen den Elektrodenelementen der ersten Elektrode 7 und denen der zweiten Elektrode 8 gleich P₂ ist. Dann wäre also P\ = P₂ die erforderliche Bedingung für die Realisierung der Beziehung R\ = R₂. Es sei weiterhin angenommen, daß die Schichten 4 und 2 die Dielektrizitätskonstanten ει bzw. £2 sowie die Stärken t\ bzw. t₂, die Elemente der dritten Elektrode 9 die Breite w\ und die der ersten Elektrode 7 die Breite W₂ aufweisen. Die Optimalbedingung C₂ = 2Ci läßt sich dann durch eine geeignete Auswahl dieser Teile hinsichtlich der elektrischen und geometrischen Erfordernisse erfüllen, so daß einer Gleichung

= 2

entsprochen wird.

Es sei angenommen, daß für den die elektrolumineszierende Schicht 2 bildenden, ZnS-EL-FiIm S₂ = 8 und t₂ = 1 μφ, für die Elemente der Elektrode 7 w₂ = 50 μίτι und für den die dielektrische Schicht 4 bildenden SiO₂-FiIm ει = 5 und fi = 1 μπι sei. Die Breite w\ der Elemente der Elektrode 9 ergibt sich dann zu W\ = 40 μΐη. Da andererseits der die photoleitende Schicht 3 bildende PbS-FiIm im Dunkelzustand einen spezifischen Oberflächenwiderstand von etwa 2 ΜΩ/cm² hat, ist unter der Voraussetzung P\ — P₂ = 250 μπι die Resonanzfrequenz im Dunkelzustand zu iod « 25,5 kHz gegeben. Die Betriebsfrequenz f der Wechselspannungsquelle 1 ist daher bei dieser Ausführungsform unter Berücksichtigung der Frequenz fod innerhalb eines variablen Bereichs von einigen Kilohertz bis zu einigen hundert Kilohertz einstellbar. Die Spannung V wird unter Berücksichtigung der dielektrischen Durchschlagsfestigkeit der Schicht 3 mit einem Wert von 50 bis 100 Volt gewählt, und V₂₁T_13x beläuft sich deshalb etwa auf 12,5 bis 25 Volt, was hinreichend ist, um die aus dem Vakuum niedergeschlagene elektrolumineszierende Schicht 2 zur Lumineszenz anzuregen.

Eine abgeänderte Ausführungsform der Vorrichtung der Fig.5 ist in Fig.6 dargestellt, wobei die elektrolumineszierende Schicht 2 und die kapazitive dielektrische Schicht 4 beide in durchgehender, flächiger Form ausgebildet sind und die Elektrodenelemente der dritten Elektrode 9 ähnlich der Ausführung nach F i g. 5 außen auf der Schicht 4 sitzen, die die photoleitende Schicht 3 überdeckt. Dieser Aufbau bietet insofern Vorteile, als er sehr leicht herzustellen ist und die Schicht 4 jeglicher Zersetzung der Schicht 3 durch die Einwirkung der umgebenden Luft vorbeugt.

In der Darstellung der F i g. 6 ist vorgesehen, daß die elektrolumineszierende Schicht 2 sich in gleichmäßiger Ausbildung und zusammenhängend zwischen der ersten Elektrode 7 und der zweiten Elektrode 8 erstreckt. Doch ist dies nicht unbedingt erforderlich, und es können mit Ausnahme der die Elemente der ersten Elektrode 7 bedeckenden Teile alle anderen Teile der Schicht 2 fortgelassen und ein lichtdurchlässiges Material wie beispielsweise ein Kunststoff oder ein lichtreflektierendes Material wie beispielsweise Titanoxid dazu benutzt werden, die freien Zwischenräume oder Aussparungen auszufüllen. Auch in diesem Fall kann es sich bei der ersten Elektrode 7 um eine flächige Elektrode handeln,-die sich im wesentlichen in voller Länge zwischen den einander benachbarten zweiten und dritten Elektroden 8 bzw. 9 erstreckt.

Auch bei der Ausführungsform nach F i g. 7 kann die photoleitende Schicht 3 aus einem Material mit geringem spezifischem Dunkelwiderstand, beispielsweise aus PbS, PbSe, (Cd - Hg)Te, CdS oder CdSe bestehen. In die photoleitende Schicht 3 sind die zweite Elektrode 8 und die dritte Elektrode 9 eingebettet, die jeweils aus Metalldraht bestehen und zueinander parallel nach Art eines Gitters angeordnet sind. Die dielektrische Schicht 4 ist in Form eines Überzugs auf den Drähten der dritten Elektrode 9 ausgebildet und besteht aus einem dielektrischen Material von geringem dielektrischem Verlust, beispielsweise aus Formaldehydharz oder Glasemail. Die erste Elektrode 7 ist in der dargestellten Weise aus Elektrodenelementen in Form lichtdurchlässiger leitender Streifen auf der Abstrahlungsseite der elektrolumineszierenden Schicht 2 ausgebildet. Die Elektrodenelemente der ersten Elektrode 7 sind in bezug zu einander benachbarten Elementen der zweiten

und dritten Elektrode 8 bzw. 9 im wesentlichen zentral im zwischen diesen liegenden Zwischenraum angeordnet.

In bezug zur Ersatzschaltung nach F i g. 1 wird der Kondensator Q durch die Kapazität der dielektrischen Schicht 4 zwischen der dritten Elektrode 9 und dem Material der photoleitenden Schicht 3 gebildet, der Widerstand R\ stellt den Widerstand der photoleitenden Schicht 2 in Richtung ihrer Flächenausdehnung bis zum Bereich der Elemente der ersten Elektrode 7 dar und der Widerstand R₂ den weiteren Widerstand der Schicht 3 in Richtung ihrer Flächenausdehnung bis zu den drahtförmigen Elementen der zweiten Elektrode 8. Der Zwischenbereich zwischen den Widerständen R\ und R₂, also etwa der Mittelstreifen zwischen der zweiten und der dritten Elektrode 8 bzw. 9, stellt eine Platte des Kondensators C₂ dar, dessen andere Platte durch das jeweilige Element der ersten Elektrode 7 gebildet wird.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

609519/301

Claims

Patentansprüche:

1. Wechselstromgetriebener Festkörperbildwandler mit frequenzselektiv wirkendem Aufbau, mit einer elektrolumineszierenden Schicht, einer sich flächig an diese anschließenden, in ihrem Widerstand von einer Einstrahlung abhängigen photoleitenden Schicht und mit einer sich an die photoleitende Schicht anschließenden dielektrischen Schicht sowie mit drei zusammenhängenden oder streifenförmigen, schichtförmig in den Aufbau eingebauten Elektroden zum Zuführen des Wechselstroms, von denen eine erste Elektrode, die an die elektrolumineszierende Schicht auf einer von der photoleitenden Schicht abgewandten Seite anschließt, und eine aus Elektrodenelementen mit Zwischenräumen bestehende zweite Elektrode, die ohmisch mit der photoleitenden Schicht verbunden ist, gemeinsam mit einer Wechselstromklemme verbunden sind und eine dritte Elektrode, die an die dielektrische Schicht auf der der photoleitenden Schicht gegenüberliegenden Seite anschließt, mit der anderen Wechselstromklemme verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Elektrodenelementen mit Zwischenräumen bestehende erste Elektrode (7) mit ihren Elektrodenelementen, auf die Schicht-Grundebene projiziert, im Zwischenraumbereich (14) zwischen den Elektrodenelementen der zweiten Elektrode (8) angeordnet ist und zwischen der zweiten (8) und der dritten (9) Elektrode in Reihe Teile der photoleitenden (3) und der dielektrischen (4) Schicht liegen.

2. Festkörperbildwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch die dritte Elektrode (9) aus Elektrodenelementen mit Zwischenräumen besteht und diese Elektrodenelemente im Zwischenraumbereich zwischen den Elektrodenelementen der zweiten Elektrode (8) angeordnet sind.

3. Festkörperbildwandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenelemente der ersten Elektrode (7) und die Elektrodenelemente der dritten Elektrode (9) jeweils abwechselnden Zwischenraumbereichen der Elektrodenelemente der zweiten Elektrode (8) angeordnet sind (F i g. 5, 6,7).

4. Festkörperbildwandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrolumineszierende Schicht (2) streifenförmig unterbrochen ist und die Elektrodenelemente der ersten Elektrode (7) an den Streifen der elektrolumineszierenden Schicht (2) anliegen (F ig. 3,5).

5. Festkörperbildwandler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrolumineszierende Schicht (2) durch Streifen (6) aus vorzugsweise photoleitendem Widerstandsmaterial unterbrochen ist, die in Richtung der Schichtendicke jeweils mit elektrischem Kontakt zwischen den Elektrodenelementen der zweiten Elektrode (8) und der photoleitenden Schicht (3) liegen (F i g. 3).

6. Festkörperbildwandler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß auch die dielektrische Schicht (4) streifenförmig unterbrochen ist, daß sich die Streifen der elektrolumineszierenden Schicht (2) und der dielektrischen Schicht (4) in einer gemeinsamen Schichtebene abwechseln und daß die Streifen der dielektrischen Schicht (4) in Richtung der Schichtdicke jeweils zwischen den Elektrodenelementen der dritten Elektrode (9) und der photoleitenden Schicht (3) liegen (F i g. 5).

7. Festkörperbildwandler nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrode (9) aus drahtförmigen Elektrodenelementen besteht, die jeweils mit der dielektrischen Schicht (4) überzogen sind und in die photoleitende Schicht (3) eingebettet sind (F i g. 7).