DE1544270A1 - Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkristalls aus der Gasphase im stationaeren System - Google Patents

Verfahren zum Dotieren eines Halbleiterkristalls aus der Gasphase im stationaeren System

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    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
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