DE1544199A1

DE1544199A1 - Magnetooptische Lichtsteuervorrichtung

Info

Publication number: DE1544199A1
Application number: DE19641544199
Authority: DE
Inventors: Guerci Carl Felix; Schafer Merrill Wilbert
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1963-11-01
Filing date: 1964-10-30
Publication date: 1969-09-04
Also published as: GB1033857A; US3376157A; DE1544199B2

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Matchinen Geselhchaft mbH

23. Oktober 1968
bu-sr

Anmelder: International Business Machines

Corporation, Armonk, N. Y. 10 504

Amtliches Aktenzeichen: P 15 44 199. 3 (J 26 787 IVc/2Ig) Aktenz. der Anmelderin: Docket 10 673 .

Magnetooptische Lichtsteuervorrichtung

Die Erfindung betrifft eine magnetooptische Lichtsteuervorrichtung zur Drehung der Polarisationsebene einfallender polarisierter elektromagnetischer Strahlung mit Hilfe einer zweiwertigen Europiumverbindung.

Solche zweiwertigen Europiumverbindungen, wie z.B. EuSiO., sind wegen ihrer verhältnismäßig hohen magnetischen Suszeptibilität und verhältnismäßig niedrigen Lichtdämpfung, so daß unter der Einwirkung eines Magnetfeldes senkrecht zur Ausbreitungsrichtung der polarisierten Strahlung deren Polarisationsebene unter Ausnutzung des Faraday-Effekts gedreht werden kann, für diesen Zweck geeignet.

Bekanntlich tritt nämlich beim Lichtdurchgang durch ein ferromagnetisches Medium mit unpaarigen Elektronen eine Wechselwirkung zwischen dem durchgehenden Licht und diesen Elektronen auf, so daß die Polarisationsebene des hindurchgehenden Lichts in Abhängigkeit von der Anzahl der Elektronen-Spinzahlen dieser unpaarigen Elektronen unter dem Einfluß eines angelegten Magnetfeldes gedreht werden kann. Die Wirkung dieses mit Faraday-Effekt bezeichneten Effektes eines ferromagnetischen Mediums läßt sich durch die Verdetsche Konstante ausdrücken, die die beobachtete Drehung der Polarisationsebene in Minuten pro Gauss des angelegten Magnetfeldes und pro Zentimeter der Dicke des dur.ν^v» strahlten Mediums

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angibt. Daher ist die spezifische Drehung der Polarisationsebene des durch das Medium hindurchgehenden polarisierten Lichtes um so größer, je größer die Anzahl der unpaarigen Elektronen und ihr Vermögen ist, sich in einem Magnetfeld auszurichten.

Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, zweiwertige Europiumverbindungen für den genannten Zweck bereitzustellen, die eine gegenüber bisher verwendeten Verbindungen höhere Anzahl von unpaarigen Elektronen besitzen, zumindest oberhalb von 4500 A transparent sind und in relativ einfacher Weise herzustellen sind.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß ein Europium(II)-Chalkogenid-Einkristall verwendet wird, der durch epitaktisches Aufwachsen aus der Gasphase auf eine Einkristallunterlage gezüchtet ist. Chalkogenide der oben genannten Art sind bisher als nicht geeignet für diesen Zweck erschienen, da diese im allgemeinen aus mehreren Kristallen zusammengesetzten Medien wegen ihrer Korngrenzen und der damit bedingten Zwischenräume keine ausreichende Transparenz besitzen.

Die Chalkogenide gemäß der Erfindung besitzen keine Dämpfung für die hindurchgehende Strahlung, und außerdem ist die Anzahl der unpaarigen Elektronen, und damit die Verdetsche Konstante, so hoch, daß sich die Polarisationsebene linear mit der Stärke des angelegten Magnetfeldes dreht.

Unter Einkristall werden dabei Medien verstanden, die sich als Schicht auf einer Unterlage befinden und auch solche, die bei ausreichender Dicke von dieser Unterlage abgespalten sind.

Es hat sich als vorteilhaft herausgestellt, wenn die verwendeten Europium(II)-Chalkogenide durch EuO, EuS und EuSe dargestellt werden. Das Z-" -en von

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Einkristallen aus der Gasphase durch epitaktisches Aufwachsen auf einer Einkristallunterlage gleicher Gitterkonstanten und Struktur ist an sich bekannt und geschieht in der Weise, daß die Unterlage in einen Tiegel eingebracht wird, wovon zumindest die Innenwandung aus amorphem Material der aufzubringenden einkristallinen Schicht besteht. Anschließend wird der Tiegel auf eine Temperatur von 600 C bis 1800 C während eines bestimmte von der Aufheizungstemperatur abhängigen Zeitintervalls aufgeheizt.

Vorteilhaft ist es, wenn bei Herstellung eines Europiumoxyd-Einkristalls die Einkristall-Unterlage aus Manganoxyd, bei Herstellung eines Europiumsulfid-Einkristalls die Einkristall-Unterlage aus Kalziumoxyd und bei Herstellung eines Europiumselenid-Einkristalls die Einkristall-Unterlage aus Strontiumoxyd besteht.

Zweckmäßigerweise wird die Einkristall-Unterlage vor Einbringen in den Tiegel bezüglich ihrer jeweiligen Oberflächen bis auf 1 u Oberflächenabweichung auf die Endmaße eines flächenhaften Quaders abgeschliffen, anschließend in einer siedenden Ätzflüssigkeit, die aus einem Teil Phosphorsäure und vier Teilen Wasser besteht, während der Dauer von einer Minute geätzt, in klarem Wasser gespült und dann unter Einwirkung von Azeton getrocknet.

Die magnetooptische Lichtsteuervorrichtung gemäß der Erfindung wird gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung unterhalb des Curie-Punktes des verwendeten Europium(II)-Chalkogenide betrieben, da sich dann die größte Wirkung erzielen läßt.

Der Europium(II)-Chalkogenid-Einkristall gemäß der Erfindung zeichnet sich durch vollkommene Transparenz und einer gegenüber bisher verwendeten Materialien hohen Verdetschen Konstante aus. Außerdem ist die Herstellung relativ einfach,

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Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, die an Hand von Ausführungsbeispielen mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen die Erfindung näher erläutert, und aus den Patentansprüchen.

Es zeigen:

Fig. 1 einen Querschnitt durch den verwendeten Vakuum-Schmelz tiegel zur Herstellung von Europium(n)-Chalkogeniden-Einkristallfilmen;

Fig. 2 eine schematische Querschnittszeichnung eines evakuierten zylinderförmigen Behälters, der den Schmelztiegel enthält;

Fig. 3 in schematischer Weise eine optische Bank, in die ein Europium II chalkogenider Einkristallfilm eingebracht wird.

Transparente Einkristallfilme von EuO, EuS und EuSe werden hergestellt, indem zunächst reines Pulver eines der erwähnten Materialien zu einem Behälter bzw. Schmelztiegel und einem hieran angepaßten, eng anschließenden Deckel geformt wird. Der Innenraum des Behälters bzw. des Schmelztiegels muß von ausreichender Größe sein, um einen Einkristall-Zuchtkeim aufnehmen zu können, der als Träger für daran epitaktisch anwachsende Kristalle dient.

Da Europium-Verbindungen Steinsalzstruktur haben, muß der als Träger dienende Zuchtkeim ebenfalls diese Struktur besitzen, wobei vorzugsweise das Trägermaterial außerdem nahezu die gleiche Gitterkonstante als das darauf niederzuschlagende Material aufweisen sollte. Als Zuchtkeim Materialien für den Träger kommen beispielsweise in Frage: MgO, CaO, SrO, BaO und dergleichen.

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Dieser Einkristall-Zuchtkeim wird nun in den wie oben beschriebenen gebildeten Behälter bzw. Schmelztiegel eingegeben und danach wird der Deckel aufgesetzt. Der Deckel wird durch ein Gewicht beschwert, so daß der Behälter dicht verschlossen bleibt. Dieser Behälter bzw. Schmelztiegel wird dann in ein Gefäß aus schwer schmelzbarem Metall eingebracht, so daß sich eine Schmelztiegelanordriung ergibt. Das genannte Gefäß besteht aus Tantal, Platin, Iridium, Rhodium oder dergleichen Edelmetalle. Die nun den Zuchtkeim enthaltende Schmelztiegelanordnung wird dann bei Hoch-

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vakuum von mindestens 10 torr bis zur gewünschten Temperatur (600 C bis 1850 C) aufgeheizt. Die Aufheizung geschieht entweder nach Einbringen der in eine an den Enden verschmolzenen Quarzglasröhre untergebrachten Schmelztiegelanordnung in einen Y/ide?standsofen oder in einem Hochvakuumgefäß mit Hoehfreq-jg^grwärmung. Im ersten Fall wird die Heiztemperatur auf 1200 C begrenzt, während im zweiten Fall Heizte wirksam werden können, da die Ofenwände kalt sind.

auf 1200 C begrenzt, während im zweiten Fall Heiztemperaturen über 1200 C

Die den Zuchtkeim enthaltende Schmelztiegelanordnung wird dann für den • Zeitraum erhitzt, der erforderlich ist, um einen Kristallfilm der gewünschten Dicke auf den als Träger dienenden Zuchtkeim, aufwachsen zu lassen. Die Heizzeiten können z.B. zwischen 12h und 13h liegen. Beim Anwachsen des Einkristallfilmes werden Atome oder Moleküle von den Innenwänden des aus dem pulverförmigen Material gebildeten Behälters oder Schmelztiegels auf den als Träger dienenden Kristallzuchtkeim niedergeschlagen. Bei Temperaturen von über 600 C reicht die zur Verfügung stehende thermische Energie aus, daß sich die auf die Oberfläche des KristaHzuehtkeiins ablagernden Atome oder Moleküle in der gleichen Weise ciieiitiex-jeri können, wie die an der Oberfläche des Kristallzuchtkaür.s orientier^:.en Atome oder Moleküle. Die Ablagerung stellt demnach einen e;.'.--ltiis-~:l"n · V -.,- .i'g iar* Mit anderen Worten, wenn der Kristallzuchtkeim {od*.r eic-^: r" .? überhaupt) eine (lOO)-Orientierung besitzt, dar,-« ^euchi: ^l* »J>/ · :-.,<.~i a

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Kristalle ebenfalls in dieser Richtung. Gewöhnlich wird der Kristallzucht keim auf einer niedrigeren Temperatur gehalten als die der Wände des Be-" hälters oder Schmelztiegels. Es ist aber keineswegs erforderlich, den Kristallzuchtkeim auf niedrigerer Temperatur zu halten als die Behälterwände, weil das Kristallwachstum darauf beruht, daß die Oberflächenenergie des Kristallzuchtkeims niedriger ist als die der Behälterwände. Die Filmdicken des abgelagerten Einkristallfilms variieren von 400 A bis zu Dicken von einigen

Die Temperaturbereiche betragen für das erfindungsgemäße Verfahren zum Aufwachsen von Einkristailfilmen aus Eüropiumoxyd 600 C bis 1600 C und aus Europiumsulfid und Europiumselenid 1350 C bis 1850 C. Alle Einkristallfilme aus EuO, EuS und EuSe zeigen hohe Werte für die Verdetsche Konstante, welche in der gleichen Größenordnung liegen, wie die der Verdetschen Konstanten von Eu„ SiO und zwar auch bei Raumtemperatur. Dies ist bedingt durch die große magnetische Suszeptibilität und den hohen Grad der Transparenz dieser Kristalle.

Auf Grund dieses hohen Wertes der Verdetschen Konstanten können diese Europium-Chalkogenide in Form von Einkristallfilmen in magnetooptischen Vorrichtungen verwendet werden, wie z. B. in Modulatoren für optische Sender mit selektiv fluoreszentem Medium und in optischen Schaltgliedern. Tatsächlich besitzen Einkristallfilme aus EuO, EuS und EuSe wegen ihrer kubischen Struktur und daraus sich ergebender relativ großer Anzahl unterschiedlicher Positionen für Durchgang und Löschung des polarisierten Lichtes einen beachtlichen Vorteil gegenüber Eu₃SiO₄ in magnetooptischen Vorrichtungen.

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Tabelle 1 zeigt die magnetischen Eigenschaften von Einkristallfilmen aus EuO, EuS und EuSe; die Curie-Punkt-Werte erscheinen in der linken Spalte während in der rechten Spalte die magnetischen Momente gemessen in Bohrschen Magnetonen aufgetragen sind.

TabeUe 1

EinkristaiTfilm Curie-Punkt Magnetisches Moment gemessen in B ohr sehen Magnetonen

EuO 70°K 6, 90

EuS 18°K --i- 6,85

EuSe 7°K 6,80

Alle Einkristallfilme aus-EuO, EaS und EuSe, die gemäß dem Verfahren nach der Erfindung hergestellt sind, zeigen magnetooptische und optische Eigenschaften.

Folgende Verfahrensbeispiele im Rahmen der Erfindung beziehen sich insbesondere auf die Herstellung von Einkristallfilmen aus Europiumll-Chal-: kogeniden.

Beispiel I - Einkristallfilm aus EuO Europiumoxyd (EuO) wird in einer zur Vermeidung von Oxydation trockenen Schale zu feinem Pulver zerrieben. Anschließend wird es in eine Prägeform gefüllt und mit einem Druck von etwa 703 at zu einem etwa 12, 7 mm langen Kern mit einem Durchmesser von etwa 9, 5 mm gepreßt. Anschließend wird dann darin konzentrisch zur Längsachse des so gebildeten Zylinders ein Loch mit einem Durchmesser von etwa 4, 76 mm und einer Tiefe von etwa 9,5 mm gebohrt, so daß ein Schmelztiegel 2, Fig. 2_t entsteht, der etwa 3, 5 g wiegt. Anschließend wird ein Europiumoxyd-Deckel 5 durch Pressen von EuO-Pulver in einer Prägeform unter Druck von 703 at hergestellt, so daß eine Scheibe von etwa 9, 5 mm Durchmesser und 3, 2 mm

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Dicke entsteht, die etwa ein Gramm wiegt.

Die miteinander zusammenwirkenden Flächen des Europiumoxyd-Schmelz tiegels und des Deckels werden nachgearbeitet, um einen dichten Verschluß des Schmelztiegels zu gewährleisten.

Ein Einkristall MgO-Träger 1 mit den Abmessungen 1, 59 mm, 3,18 mm, 7, 59 mm wird nun als Kristallzuchtkeim zubereitet, indem die Oberfläche auf relative Unterschiede von 1 τα poliert wird und anschließend mit einem geeigneten Ätzmittel, wie Phosphorsäurelösung behandelt wird, die aus 1 Teil H„P0 und 4 Teilen Wasser besteht. Der MgO-Kristall 1 wird in kochende Lösung getaucht und dann wird alles während einer Minute kräftig geschüttelt. Nach Herausnahme wird'der Kristall in Wasser gründlich gespült und darauf mit Azeton getrocknet.

Der Europium-Schmelztiegel wird nun in ein Platingefäß gesenkt, das etwa 19,1 mm lang ist, einen inneren Durchmesser von etwa 10, 3 mm besitzt und eine Wandstärke von 0, 0197 mm aufweist. Der MgO-Träger 1 wird jetzt in den Europiumoxyd-Schmelztiegel 2 hineingestellt, und mit dem Deckel 5 wird der Schmelztiegel 2 verschlossen. Auf den Europiumoxyd-Deckel 5 wird eine Platinscheibe 12 mit 9, 5 mm Durchmesser und einer Dicke von 0, 0197 mm aufgelegt. Die gesamte Schmelztiegelanordnung 9 wird in eine Quarzglas röhre 10 eingebracht, die einen Innendurchmesser von 12 mm, eine Wandstärke von 1 mm und eine Länge von 508 mm besitzt. An einem Ende ist die Quarzglas röhre 10 geschlossen. Auf die Platinscheibe 12 wird ein als Gewicht dienender Stab 10 aus rostfreiem Stahl mit einer Länge von 254 mm und einem Durchmesser von 7, 95 mm gestellt, um den Europiumoxyddeckel 5 zu belasten und eine Sinterwirkung zwischen Deckel 5 und Schmelztiegel 2 herbeiführen zu können.

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Die vorher entgaste Quarzglas röhre 10 wird auf mindestens 1O~ torr evakuiert und ab ge schmolz en, so daß sich eine Röhrenkapsel mit einer Länge von etwa 300 mm ergibt.

Das Aufheizen dieser Röhrenkapsel geschieht dadurch, daß sie in einen Ofen alle 5 min 12, 7 mm tiefer eingeführt wird, bis die heiße Zone des Ofens erreicht ist. Eine Betriebstemperatur von 1000 C wird für eine Dauer von 282h beibehalten. Am Ende der Heizperiode wird die Röhrenkapsel alle 5 min um 12, 7 mm aus dem Ofen herausgezogen. Der Träger 1 wird herausgenommen und in ein Trockengefäß gebracht. Es zeigt sich, daß der Kristallzuchtkeim nunmehr an allen freien Oberflächen mit einem blauroten Einkristallfilm 8 aus Europiumoxyd überzogen ist.

Beispiel II - Einkristallfilm aus EuO Europiumoxyd (EuO) wird in einer trockenen Schale zu feinem Pulver zermahlen. Das Pulver wird in eine Preßform mit einem Durchmesser von etwa 9, 5 mm eingefüllt und zu einem zylindrischen Kern gepresst, der l,.2-7 mm lang und 9, 5 mm dick ist. Der Druck beträgt wiederum 703 at. In Richtung der Zylinderachse des Kerns wird ein Loch mit einem Durchmesser von 4, 76 mm und einer Tiefe von 9, 5 .mm gebohrt, so daß ein Schmelztiegel 2, Fig. 1, mit einem Gewicht von 3, 5 g entsteht. Der Deckel dieses Schmelztiegels besteht ebenfalls aus gepreßtera Europiumoxyd-Pulver und besteht aus einer Scheibe mit einem Durchmesser von etwa 9, 5 mm, die 9, 5 mm dick ist und etwa 1 g wiegt. Die zusammenwirkenden Oberflächen des Deckels 5 und des Schmelztiegels 2 sind nachgearbeitet, um einen dichten Verschluß des Schmelztiegels zu ermöglichen.

Der aus einem MgO-Einkristall bestehende Träger 1 besitzt die Abmessungen 1, 59 mm . 3,18 mm . 7, 57 mm und ist durch Polieren auf einen Oberflächenunterschied von etwa 1 u gebracht und wird anschließend einem 'itzvorgang unterzogen. Zum Ätzen dient eine Phosphorsäurelösung, testehonu ε us 1 Teil H₃P₄ und 4 Teilen Wasser. Der MgO/Träger wird ir eis ko i.e e ^:>bosph >r-

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lösung während einer Minute unter kräftigem Schütteln eingetaucht. Nach dem Herausnehmen wird der MgO-Träger gründlich mit Wasser gespült und dann mit Azeton getrocknet.

Der Europium-Schmelztiegel 2 wird in ein Tantalgefäß 4 hineingestellt, das einen Außendurchmesser von 11,1 mm, eine Länge von etwa 38 mm und eine Wandstärke von etwa 0, 51 mm besitzt. Der MgO-Träger wird in den Europiumoxyd-Schmelztiegel 2 gestellt. Ein Tantalkegelstumpf 3 mit einem Durchmesser von etwa 9, 5 mm für die kleinere Endfläche und einer Länge von etwa 19 mm wird auf den, den Schmelztiegel 2 abschließenden Deckel 5 gestellt, um den Berührungsdruck zwischen dem Deckel 5 und der Auflagefläche des Schmelztiegels 2 zu erhöhen und dadurch eine Sinterwirkung zwischen dem Europiumdeckel 5 und dem Europium-Schmelztiegel 2 zu erleichtern.

Die Schmelztiegelanordnung 9 wird dann in eine Quarzglasröhre 6 eines Ofens

eingebracht, die an ein Hochvakuumpumpsystem angeschlossen ist. Die Quarzglas röhre wird auf ein Hochvakuum von mindestens 10 torr evakuier ™ Das Aufheizen geschieht durch eine Hochfrequenzspule 7, die bei Erregung

auf das Tantalgefäß 4 einwirkt. Die Heiztemperatur wird innerhalb von 30 bis 60 Minuten auf die Betriebstemperatur gebracht, die in einem Bereich von 1560 C liegt und für eine Dauer von 30h beibehalten wird. Nach dem Heizvorgang wird die Schmelztiegelanordnung während eines Zeitraums von zwei Stunden abgekühlt. Der sich nun auf dem Einkristallträger zeigende Überzug 8 gleicht dem im Beispiel 1 beschriebenen.

Beispiel III - Einkristallfilme aus EuS. Das Verfahren gleicht dem unter Beispiel I beschriebenen mit dem Unterschied, daß Europiumsulfid anstelle von Europiumoxyd verwendet wird. Außerdem dient anstelle von MgO, wie in Beispiel I, CaO als Trägermaterial. Eine Betriebstemperatur von

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etwa 1750 C wirkt für die Dauer von 60h auf die Schmelztiegelanordnung 9 ein. Der sich hierbei ergebende EuS-Einkristallfilm auf den freien Oberflächen des CaO-Trägers ist gelbrot.

Beispiel IV - Einkristallfilme aus EuSe. Es wird gemäß dem Verfahren nach Beispiel II vorgegangen mit der Ausnahme, daß anstelle von Europiumoxyd des Beispiels II Europiumselenid verwendet wird. Außerdem wird hier SrO als Träger anstelle von MgO im Beispiel II benutzt. Die Betriebstemperatur beträgt 1680°C füi
kristallfilm ist gelbrot.

ratur beträgt 1680 C für eine Dauer von 90h. Der sich ergebende EuSe-EIn-

Die oben angegebenen Abmessungen des Sehmelztiegels und der Träger sollen nur beispielsweise angeführt sein und keine Beschränkung der Erfindung darstellen, wenn Einkristallfilme anderer Bemessung hergestellt werden.

Zur Verwendung in magneto optisch en Vorrichtungen werden die mit Oberflächenfilmen überzogenen Einkristallträger einer derartigen Behandlung unterworfen, daß nur eine Oberfläche ihren Überzug behält. Dies geschieht entweder durch Schleifen oder durch Polieren der restlichen fünf Flächen,^: so daß nur die gewünschte Fläche ihren Oberflächenfilm behält. Eine andere Methode besteht darin, daß die überzogenen Oberflächen, die nicht benötigt werden, abgespalten werden.

Die durch die schematisch angedeutete optische Bank in Fig. 3 gebildete magnetooptische Vorrichtung zeigt einen Trägerkristall 1 mit einem Einkristallfilm 8 aus Europium II-Chalkogenid auf einer Oberfläche, welcher zwischen zwei Kreuzpolarisations-Filter, d.h. Polarisator 13 und Analysator 14, jeweils in einem bestimmten Abstand angeordnet ist. Der Trägerkristall 1 ist dem Einfluß eines Magnetfeldes unterworfen, das durch einen . Elektromagneten 15 oder durch Helmholtz-Spulen erzeugt werden kann. Eine

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Lichtquelle 16 und eine photoempfindliche Zelle 17 sind so angebracht, daß das von der Lichtquelle 16 ausgehende Licht nacheinander durch den Polarisator 13, den Einkristallfilm 8, den Trägerkristall 1 und den Analysator 14 auf die photoempfindliche Zelle gelangt. Da das Ausmaß der Drehung der Ebene des durch den Einkristallfilm aus Europium II-Chalkogenid gelangenden polarisierten Lichtes von der Stärke des magnetischen Feldes abhängt, kann demzufolge auch durch Änderung des magnetischen Feldes der Betrag und die Richtung des von der Lichtquelle 16 durch den Einkristallfilm 8 gelangenden Lichts geändert wird. Im ferromagnetischen Bereich, d.h. unterhalb des Curie-Punktes, bei Sättigung ist die Drehung unabhängig vom angelegten magnetischen Feld, und es ergibt sich eine maximale Drehung.

Wenn Europium II-Chalkogenid-Einkristallfilme ausreichender Dicke abgelagert werden, dann wird bei Verwendung ein Träger überflüssig. Durch Schleifen oder Abspalten läßt er sich entfernen.

Die Erfindung ist für die Verwendung von Einkristallfilmen aus EuO, EuS oder EuSe beschrieben worden, die dem Einfluß eines Magnetfeldes ausgesetzt worden sind, wobei optische Vorrichtungen zur Darstellung des Faraday-Effektes benutzt worden sind. Es können aber auch entsprechend abgeänderte Vorrichtungen zur Verwendung anderer Einkristalle als hier beschrieben, benutzt werden.

Die besten Ergebnisse lassen sich jedoch erzielen, wenn die eigentliche Drehung des durch den Einkristall gelangenden Lichtes sich linear mit dem angelegten Magnetfeld ändert. Die maximale Drehung ergibt sich in jedem Falle für die hier beschriebenen Materialien, wenn jeweils im ferromagnetischen Bereich gearbeitet wird, d.h. unterhalb des Curie-Punktes.

Claims

Um AnmelduMSunterlagen _ 13 _ Docket 10 673 P 15 44 199.3 23. Oktober 1968 bu-sr PATENTANSPRÜCHE

1. Magnetooptische Lichtsteuervorrichtung zur Drehung der Polarisationsebene einfallender polarisierter, elektromagnetischer Strahlung mit Hilfe einer zweiwertigen Europiumverbindung, gekennzeichnet durch einen Europium (II)-Chalkogenid-EinkristalL der durch epitaktisches Aufwachsen aus der Gasphase auf eine Einkristallunterlage gezüchtet ist.

2. Magneto optische Lichtsteuervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Europium (II)-Chalkogenid-Einkristall unterhalb des Curie-Punktes betrieben wird.

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