DE1539094A1 - Halbleiterelement fuer eine Junction- bzw. UEbergangsflaechenvorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterelement fuer eine Junction- bzw. UEbergangsflaechenvorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE1539094A1 DE19651539094 DE1539094A DE1539094A1 DE 1539094 A1 DE1539094 A1 DE 1539094A1 DE 19651539094 DE19651539094 DE 19651539094 DE 1539094 A DE1539094 A DE 1539094A DE 1539094 A1 DE1539094 A1 DE 1539094A1
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Description

Westinghouse Brake and Signal Company limited, London (England)
Halbleiterelement für eine Junction- bzw„ Übergangsflächenvorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung,,
Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen an Halbleiterelementen für Junction- bzw. Übergangsfläehenvorrichtungen, wie steuerbare Halbleitergleichrichter,- z„Be Thyristoren, und auf die Herstellung solcher Halbleiterelemente.
Bei gewissen solchen Vorrichtungen ist es erwünscht, einen oder mehrere übergänge, ζ«Βο pn-übergänge in dem Plalbleitermaterial vorzusehen, bei welchem der Wirkungsgrad der Injektion von Minoritätsträgern von der einen zur anderen deite des Übergangs steuerbar gering und insbesondere bei geringen Stromdichten niedrig und bei hohen otromüichten hoch ist«
Der iüinoritätsträger-Injektionäwirkungsgrad der meioton, wenn nicht aller pn-übergänge scheint aich in
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einem begrenzten Ausmaß in dieser v/eise zu verhalten, jedoch ist es für manche spezifische Vorrichtungen schwierig, den Injektionswirkungsgrad bei niedrigen Stromdichten genügend herabzusetzen, ohne den Injektionswirkungsgrad bei hohen Stromdii-'chten in einem unzulässigen Ausmaß zu vermindern»
Ein Beispiel einer solchen spezifischen Vorrichtung ist ein steuerbarer Halbleitergleichrichter, der beispielsweise einen sogenannten Siliziumschichtkörper aufweist0 Ein typischer Gleichrichter dieser Art enthält einen pnp-Sehichtkörper, bei dem in einer der äußeren p-Schichten eine weitere η-Zone gebildet ist, die einen Übergang der oben genannten Art schafft und so eine pnpn-Vorrichtung ergibt« .
Die Parameter, welche durch den Injektionswirkungsgrad dieses Übergangs beeinflußt werden, sind die folgenden:
a) die Durchbruchspannung in Durchlaßrichtung bei erhöhten Temperaturen,
b) die Fähigkeit, hohen Anstiegsgeschwindigkeiten der Durchlaßspannung zu widerstehen, ·
c) der Torzündstrom und
d) der Durchlaßspannungsabfall im leitenden Zustande Die Parameter a) und b) erfordern einen geringen Injektionswirkungsgrad von der η-Zone zu der benachbarten p-Schicht in dem Übergang bei niedrigen Stromdichten, während die Parameter c) und d) einen hohen Injektionswirkungsgrad
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"bei hohen Stromdichten erfordern» !Typische Ausführungen haben, wenn die Parameter c) und d) innerhalb zulässiger Grenzen gehalten wurden, bisher dazu geführt, daß die Arbeitstemperatur auf etwa 1250G und die Anstiegsgeschwindigkeit der Durchlaßspannung auf etwa 25 Volt je Mikrosekunde begrenzt isto
Gemäß der Erfindung, ist ein Halbleiterelement für eine Junction- bzw. Übergangsflächenvorrichtung geschaffen, bei dem wenigstens ein Teil eines oder des bbergangs so behandelt worden ist, daß der Injektionswirkungsgrad bei niedrigen Stromdichten herabgesetzt ist, während relativ dazu ein hoher Injektionswirkungsgrad bei hohen Stromdichten aufrechterhalten oder sogar vergrößert ist.
Es wurde gefunden, daß auf diese Vieise aie oben erwähnten Ausführungen verbessert und aie damit einhergehenden Vorteile erzielt werden können.
Die Behandlung kam, das Dotieren mit einem Material umfassen, das eine Substanz enthält, die aus den Substanzen der Übergangsreihe des Periodischen Systems, einschließlich derjenigen der ü-ruppen Ib und Hb■ ausgewählt ist.
Die Do ti eruiigs behänd lung kann durch Diffundieren mit einem ketall oder einer Le^ieruiiK erfolgen, die ein solches Lie tall enthält, aas aus: den rasch diffundierenden ine tall en d-er.Ubeiv:-',ii-igsrei.L.£: -ausgewählt ist.
Das install -:ann Wickel sein, und dieses kann in. den übergang oaei- eine:: Jeil Von ihm aus einer jj'olie aus einer
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Gold-Antimon-Uickel-Legierung hineindiffundiert werden. Bei der Herstellung eines Silizium-Halbleiterelementes unter Verwendung einer solchen 3?olie kann die Behandlung bei einer Anfangstemperatur zwischen 600 und 800 G durchgeführt werden.
Wenn die Erfindung beispielsweise auf einen Thyristor' angewendet wird, dann bedeutet der geringe Injektionswirkungsgrad bei niedrigen Stromdichten, daß der [thyristor an seiner Torelektrode durch restliche Streuströme (wie sie in einer Stromkreisanordnung stets auftreten) nicht nachteilig beeinflußt wird und augenblicklich zündet, sobald an seine Torelektrode ein Steuerimpuls angelegt wird»- Der yon der Vorrichtung durchgelassene Strom kann dann sehr hoch sein (bis zu mehreren Hundert Ampere), da der Wirkungsgrad hoch und der in der Sperrichtung fließende Strom gering ist.
Die Erfindung wird nachstehend in Verbindung mit der , Zeichnung an zwei Beispielen näher erläutert«
Gemäß dem ersten Beispiel wird von einem monokristallinen Stab ein dcheibchen 1 aus Silizium der η-Type geschnitten (I1Ig. 1A) und auf eine Dicke von etwa 0,2 bis 0,3 mm geläppt«
Auf das Scheibchen wird dann ein Akzeptorelement 2, wie Gallium, aufniffundiert (Pig. 1B), um eine die Außenseite des Scheibchens umgehende Zone der p-Type bis zu einer Tiefe von etwa 0,05 bis 0,075 nun zu bilden»
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Danach wird das Scheibchen nach irgendeiner ssweckentsprechenden Methode in Pastillen zerschnitten, so daß ein : pnp-Schichtkörper "bzw. ein pnp-Flächenelement erhalten wird (j?ig0 10)·.
Dann wird auf die eine Seite der Pastille eine aus ' einer Gold-Antimon-Legierung "bestehende j?olie 3> die eine Dipke zwischen 0,038 und 0,076 mm hat, bei einer zweckentsprechenden !Temperatur zwischen z.B« 600 und 800 C auf legiert (l'ig. 1D), so daß während der Abkühlung aus der Legierung neu gewachsenes Silizium abgelagert wird, das eine ausreichende Menge Antimon enthält, um den benachbarten Siliziumbereich in die n-Leitfähigkeitstype zu dotieren, wie dies in i'ig. 1D veranschaulicht ist. Die neu gewachsene Zone der n-'Hype bildet auf diese Weise die vierte Schicht einer steuerbaren pnpn-Schiehtkörper-Gleichrichtervorrichtungo
Danach wird auf die Oberseite der Gold-Antimon-!Folie eine dünne Schicht aus einem rasch diffundierenden Metall der Übergangsreihe, in diesem Beispiel Hiekel, aufgebrachte Dies kann durch unmittelbares Plattieren aus einer Lösung oder auf irgendeine andere zweckentsprechende v/eise erfolgen, beispielsweise durch Hinzufügen einer zusätzlichen Komponente, wie eines scheiben- oder ringförmigen Stücks, das bereits mit der erforderlichen Hickelmenge plattiert ist, wobei .eine typische ückeliüenge etwa 0,01 bis 1,0 ·;ό, bezogen auf das U-ewicht der Gold-Antimon-Legierurig, beträgt0
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Die zusätzliche Komponente soll aus einem Material bestehen, welches bei der unterschiedlichen Wärmedehnung keine Beanspruchung hervorruft, und sie wird daher zweckmäßig aus Molybdän hergestellt.
Der Siliziumschichtkörper mit dem zugesetzten Nickel wird dann auf eine Temperatur erhitzt, die hoch genug ist, um zu bewirken, daß die Gold-Antimon-Silizium-Legierung schmilzt und das Wickel absorbiert, aber niedriger als die ursprüngliche temperatur ist, bei welcher die Gold-Antimonlegierung an das Silizium anlegiert wurde«
Auf diese rfeise wird der Teil (und vorzugsweise nur ein Stück davon) der in der oberen p-Sehieht befindliche η-Zone, der bei dieser geringeren Temperatur von der Legierung absorbiert und nachfolgend bei der Abkühlung wieder abgelagert wird, mit iiiokel bis zu der erforderlichen Konzentration dotierte Dies ist in !'ig. 1ü in etwas schema— tischer v/eise durch die gestrichelte Linie "Mi" angedeutet»
Das vorstehend beschriebene Verfahren ermöglicht die Herstellung einer steuerbaren Gleichrichtervorrichtung, die bei einer Arbeitstemperatür von wenigstens 125°C und einer Anstiegsgeschwindigkeit der Durchlaßspannung von mehr als 200 YoIt je Mikrosekunde eine Sperrspannung von mehr als 1000 Volt zu halten vermag»
Gemäß dem zweiten Beispiel, das nachstehend beschrieben wird, erfolgt die Dotierungsbehandlung mittels einer Gold-Antimon-Nickel-Legierungo
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Bei diesem Verfahren wird ein aus einem Schichtkörper bestehendes Grundelement für einen steuerbaren Siliziumgleichrichter, wie es in Hg, 10 wiedergegeben ist, auf die im ersten Beispiel beschriebene Yfeise hergestellt, Und auf das pnp-Flächenelement wird eine aus einer Gold— Äntä»tm.~Kickel-iegierung bestehende Folie auf legierte Biese Folie, die zweckmäßig eine Dicke zwischen etwa 0,038 und Ö,O?6 mm hat, wird auf die eine p-Seite des Flächenelements aufgebracht, und die Legierung, aus der die Folie besteht, hat einen Hickelgehalt zwischen 0,5 und 5 Sew. ΰβ und einen Antimongehalt zwischen 0,1 und 1,0 $
]?lächenelement wird dann einer Wärmebehandlung bei etwa 600 bis 8000G unterworfen, so', daß während der Abkühlung aus der Folienlegierung neu gewachsenes Silizium abgelagert wird, das genügend Antimon enthält, um&ie benachbarte Siliziumzone in die n-Leitfähigkeitstype zu dotieren, wie dies in I?ig. 1D veranschaulicht ist.
Die neu gewachsene η-Zone bildet so die vierte Schicht eines pnpn-3?läehenelements einea steuerbaren Gleichrichters *
Die tfärmebehundlung bewirkt, aaß die in der oberen p-Schicht des lileiaents enthaltene η-Zone mit iiickel bis zu einer Blonzentration diffuiidiei't wird, die durch die anfänglichen iehaite der iOiä-iurtiEioii-xiickel-Legierung bestimmt wireu
Das vorstehend beschriebene Verfahren ermöglicht
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ebenfalls die Herstellung einer steuerbaren Gleichrichtervorriohtung, die bei einer Arbeitetemperatur von wenigstens 125°0 und einer Anstiegsgescliwindigkeit der Durchlaßspannung von mehr als 200 Volt· je Mikrosekunde eine Sperrspannung von mehr als 1000 Volt zu halten vermag.
Bei den beiden vorstehend beschriebenen Beispielen der Durchführung der Erfindung ist nickel als Dotiermateriel benutzt worden, jedoch können auch andere Metalle aus der Übergangsreihe des Periodischen Systems, einschließlich der·»· jenigen der Gruppen Ib und Hb, oder legierungen, die solche Metalle enthalten, verwendet werden.
Insbesondere kann das Metall aus den rasch diffundierenden Metallen der Übergangsreihe ausgewählt werden, unter denen außer Nickel Eisen, Kobalt,Kupfer und Zink genannt werdön können*
Das ausgewählte Element oder Metall kann z.B. mit Gold und Antimon legiert werden.
Das Metall bzw. die Legierung"kann etwa 0,1 bis 5 Gew.fa ausmachen und wird wieder zweckmäßig auf das Flächenelement in Form einer Folie aufgebracht·
Es ist auch möglich, nur einen 'jje.il· e£es Übergangs in dieser Weise zu behandeln, und im Fall eines steuerbaren Halbleitergleichrichters kann ein Teil der injizierenden Schicht mit einer angemessenen Konzentration des Metalls bzw. der Legierung diffundiert werden. Durch die auf diese Weise bewirkte Verminderung des InjektionsWirkungsgrads ist
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es möglich, zu erreichen, daß die Anstiegsgeschwindigkeit der Durchlaßspannung in der iirößenordnurig von mehreren Hundert Volt je Mikroseimnde liegt, wllhrend· der Torzündstrom und der DuröhlaßstrOiüabfall auf 2julässigen Werten gehalten werden. ■
jis sei bemerkt, α aß die Urfindung sowohl auf pn-Übergänge als auch auf np-Übergange angewendet werden kann«

Claims (1)

  1. • 0 1539084
    Patentansprüche . '....-...
    Io Halbleiterelement für eine Junction- bzw. Übergangsflächenvorrichtung,; dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil eines oder des Übergangs so behandelt worden ist, daß. der Injektionswirkungsgrad bei niedrigen Stromdichteη herabgesetzt ist, während relativ dazu ein hoher Injektionswirkungsgrad bei hohen Stromdichten aufrechterhalten oder sogar vergrößert ist.
    2„- Halbleiterelement nach Anspruch, 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch, die -Behandlung eine !Dotierung mit einem Material bewirkt ist,, c. as eine Substanz enthält, die aus den Substanzen der Übergangsreihe des Periodischen Systems, einschließlich ,derjenigen der.Gruppen Ib und IXb ausgewählt, iaty . ... . ... - . ■ ...
    3» Halbleiterelement nach Anspruch ·2, dadurch gekennzeichnet, daß die.Dotierungsbehandlung durch Diffundieren mit einem IvIetall., das aus der übergangsreihe des, Periodischen Systems ausgewählt, ist,, oder mit einer ein .solches Metall enthaltenden Legierung durchgeführt ist. . -■
    4· Halbleiterelement nach Anspruch 3, dadurch gerkennzeichnet,, daß das Metall nickel ist. . . :
    - 5· Halbleiterelement nach, Anspruch 3 oder 4» ^fr©- durch gekennzeichnet! daß das Metall mit Gold und Antimon legiert ist·. .- - ;, ■>_..- . - .. -. ■- .' ;... : . ., _;.-,.
    6« .Halb!eiterelement nach den Ansprüchen 4_ umd; 5,
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    ■_ u'_ 1539084
    dadurch gekennzeichnet, äa.ä der Hiokelgehalt in dem Bereich von 0,5 bis 5 Gew.% und der Antimongehalt in dem Bereich von 0,1 bis 1 Gew. u/o liegt.
    7· Halbleiterelement nach den Ansprüchen 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Nickelmenge 0,01 bis 1,0 Gew.j4 derjenigen der Gold-Antimon-Menge ausmacht.
    8· Halbleiterelement nach den Ansprüchen 3 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Anteilmenge des tie tails
    ν »
    0,1 bis 5 Gew.yo beträgt. ·
    9· Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementß für eine Junction— bzw. Übergangsflächenvorriohtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß eB die Stufe des Auflegierens einer aus einer Gold-Antimon-Legierung bestehenden Eolie auf die eine Seite eines Siliziumflächenelements bei einer Temperatur zwischen 600 und 8000C umfaßt. ■
    10· Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß auf die auflegierte Gold-Antimon-Legierungsfolie eine Nickelschicht aufgebracht und das Nickel bei einer Temperatur diffundiert wird, die kleiner als die Temperatur ist, bei welcher die üOlie aui'legiert wurde.
    11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet» daß das Nickel durch Plattieren aufgebracht wird.
    12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Nickel dadurch aufgebracht wird, daß der auflegierten Gold-Antimon-Le^ierungsiQli.e .eine nickelplattierte
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    15390*4
    Komponente hinzugefügt wirdo
    13. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß für die folie eine Gold-Antimon-Legierung verwendet wird, der 0,5 bis 5 Gew.5^ nickel zugesetzt sind und deren Antimongehalt 0,1 bis 1 Gew.yS beträgt.
    14ο Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Kickelmenge 0,01 bis 1,0 Gew.^a derjenigen der Gold-Antimon-Menge ausmacht ο
    15· Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß ein Siliziumscheibchen der einen Leitfähigkeitstype hergestellt wird, das Scheibchen mit einem zweckentsprechenden Element diffundiert wird, um eine Zone entgegengesetzter Leitfähigkeitstype um die Außenseite des Scheibchens herum zu bilden, das cjcheibchen in Pastillen zerschnitten wird, um ein flächenelement zu bilden, und auf die eine Seite des Elements eine aus einer Gold-Antimon— Legierung bestehende folie auflegiert wird, die einen Ge-halt an einem Metall aus der tjbergangsreihe des Periodischen Systems zwischen 0,01 und 5 Gewo/ί besitzt, wob.ei das Auflfcgieren bei einer Temperatur zwischen 600 und 80C0O ausgeführt wird»
    16ο Verfahren nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, α aß das Lie tall aus der ubergartgsreihe Wickel ist.
    17o Halbleiterelement für eine Junction- o^w. cToergangsflächenvor:'"ichtung., das nach dem Verfahren gemäß einem der .anSpruche 9 bis 16 hergestellt is to
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    _ 13 _ 1539Θ94
    18 ο Halbleitervorrichtung, die ein Halbleiter-1 element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 oder gemäß dem Anspruch. 17 enthält»
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    -AH -
    Lee r seife
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1337283A (en) * 1969-12-26 1973-11-14 Hitachi Ltd Method of manufacturing a semiconductor device
US3860947A (en) * 1970-03-19 1975-01-14 Hiroshi Gamo Thyristor with gold doping profile
US3636618A (en) * 1970-03-23 1972-01-25 Monsanto Co Ohmic contact for semiconductor devices
JPS5811733B2 (ja) * 1975-03-24 1983-03-04 株式会社日立製作所 ハンドウタイソウチ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2813233A (en) * 1954-07-01 1957-11-12 Bell Telephone Labor Inc Semiconductive device
BE580254A (de) * 1958-07-17
US2980832A (en) * 1959-06-10 1961-04-18 Westinghouse Electric Corp High current npnp switch
NL265436A (de) * 1960-01-20
DE1295089B (de) * 1960-12-23 1969-05-14 Philips Patentverwaltung Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors
CH396228A (de) * 1962-05-29 1965-07-31 Siemens Ag Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium

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Publication number Publication date
GB1095047A (en) 1967-12-13
BE668868A (de) 1965-12-16
US3514675A (en) 1970-05-26
SE329881B (de) 1970-10-26

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