DE1539087C - Halbleiterbauelement mit Oberflächensperrschichtkontakt - Google Patents

Description

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Sperrschicht-Kontaktpotential, das üblicherweise · in schicht 12 dient sowohl zur Begrenzung des Gebietes Elektronenvolt, bezogen auf das Ferminiveau, ange- der effektiv wirksamen Sperrschichtelektrode 13 als geben wird. Die Höhe dieses Sperrschicht-Kontakt- auch dazu, ein bequemes Mittel zum Herstellen des potentials ist ein Maß für den in Sperrichtung fließen- äußeren Kontaktanschlusses bzw. Anschlußleiters zu den Sättigungsstrom. Wegen des Unterschiedes der 5 sein. Insoweit das Sperrschicht-Kontaktpotential von Sperrschicht-Kontaktpotentiale in den beiden Metall- Platin gegenüber Silizium größer ist als das von schichten konzentriert sich die an der Metall-Halb- Wolfram gegenüber Silizium, findet Stromleitung leiter-Grenzfläche auftretende Stromleitung auf den- zwischen dem Halbleiter und dem Metallkontakt in jenigen Teil, welcher das niedrigere Sperrschicht- der Weise statt, daß sich dieselbe praktisch voll-Kontaktpotential besitzt. Dieser Teil bildet daher die io ständig auf das Gebiet der Wolframelektrode 13 beeigentlich elektrisch wirksame Sperrschicht-Elek- schränkt. Daher wirkt die Platinschicht 12 im Effekt trode, die demgemäß von Form und Ausdehnung als eine Maske, die das kleine Gebiet der Oberder Schicht mit dem höheren Sperrschicht-Kontakt- flächensperrschichtelektrode 13 begrenzt und bildet potential unabhängig ist. Die Metallschicht, die das darüber hinaus ein leichtes Mittel zum Herstellen höhere Sperrschicht-Kontaktpotential besitzt, kann 15 eines äußeren Anschlusses an diese Elektrode,
daher in einer für ein bequemes Anbringen eines Bei einem vorteilhaften Herstellungsverfahren für Anschlußleiters ausreichenden Größe hergestellt die Diode nach F i g. 1 wird von einem n-leitenden werden. Dabei können im Einzelfall die beiden Me- einkristallinen Siliziumblättchen mit einem zwischen tallschichten aneinander anstoßen oder einander 0,05 und 50 Ohm Ve cm liegenden spezifischen teilweise oder vollständig überlappen. Bei der Her- 20 Widerstand ausgegangen. Wie allgemein bekannt, stellung kann die Metallschicht mit dem höheren richtet sich die gewählte Größe des Ausgangswider-Sperrschicht-Kontaktpotential auch zugleich als eine Standes primär nach den gewünschten Eigenschaften die Form und Abmessungen der eigentlichen Sperr- des fertigen Halbleiterbauelements, insbesondere im schicht-Elektrode ganz oder teilweise bestimmende vorliegenden Fall nach der Stromdichte, die von der Maske dienen. 25 Diode bewältigt werden soll. Ferner können, obgleich

Im folgenden ist die Erfindung an Hand in der vorliegend die Herstellung an Hand eines einzigen

Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele be- etwa 0,5 mm² großen Plätzchens erfolgt, mehrere

schrieben; es zeigt identische Halbleiterbauelemente auf einer größeren

F i g. 1 eine Schrägansicht im Schnitt eines ersten Siliziumscheibe hergestellt werden, die nachfolgend

Ausführungsbeispiels in Form einer Oberflächen- 30 in die einzelnen Blättchen, die die getrennten Dioden

Sperrschicht-Halbleiterdiode und tragen, unterteilt wird. Auch kann man, falls ge-

F i g. 2 eine Schrägansicht im Schnitt eines zwei- wünscht, eine Schicht expitaktisch aufgewachsenen

ten Ausführungsbeispiels in Form eines Transistors Siliziums auf der Fläche der Scheibe erzeugen, um

mit metallischer Basis. ein Material eines bestimmten Reinheitsgrades, Leit-

Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel 10 35 fähigkeitwertes oder Dotierungsprofils zu erhalten, weist ein kristallines Silizium-Halbleiterblättchen 11 Die darunterliegende Unterlage kann aus Material auf. Auf einem Teil der Fläche 16 des Blättchens 11 mit sehr niedrigem Widerstand sein, so daß der ist eine Metallschicht 12, im beschriebenen Beispiel ohmsche Anschluß an das Halbleiterbauelement beeine Platinschicht, vorgesehen, die eine zur Fläche 16 qfuem und leicht erfolgen kann. Diese Verfahrensdurchreichende kleine Mittelöffnung besitzt. Zweck- 4° schritte sind in der einschlägigen Technik allgemein mäßigerweise wird zumindest ein Teil der Platin- bekannt und nicht Gegenstand der Erfindung,
schicht durch Warmbehandlung in Platinsilizid um- Nach einem Verfahren zum Herstellen der Diode gewandelt, damit das Haftvermögen dieser Schicht nach F i g. 1 wird die Fläche 16 des Blättchens 11 verbessert wird. Die elektrischen Eigenschaften blei- sorgfältig poliert und gereinigt. Anschließend wird ben jedoch im wesentlichen die gleichen. Innerhalb 45 auf der Oberfläche eine Oxydschicht erzeugt, und der kleinen Mittelöffnung, deren Durchmesser üb- zwar mit Hilfe irgendeines der allgemein bekannten licherweise kleiner als 0,025 mm ist, ist eine aus Verfahren, z. B. durch thermisches Aufwachsen oder einem anderen Metall, im beschriebenen Beispiel aus durch Niederschlagen aus der Dampfphase. Dann Wolfram, bestehende Schicht 13 vorgesehen, die als wird die Oxydschicht an der für die Platinschicht 12 die Oberflächensperrschicht-Elektrode dient und mit 50 vorgesehenen ringförmigen Stelle entfernt. Dieses der Fläche 16 des Siliziumplättchens 11 den gleich- selektive Entfernen erfolgt mit Hilfe bekannter fotorichtenden Kontakt bildet. chemischer Maskier- und Ätzverfahren.

Die äußere Zuleitung zur gleichrichtenden Elek- Danach wird die Platinschicht 12 im kathodischen trode der Diode erfolgt zweckmäßig über eine Metall- Aufstäubverfahren niedergeschlagen. Die Dicke der leitung 14, die zweckmäßig mit Hilfe von Thermo- 55 Platinschicht wird vorteilhafterweise auf etwa 500 Angkompression oder mit Hilfe eines Lötvorganges an ström eingestellt. Eine kurze Warmbehandlung, die einem Teil der Platinschicht 12 festgelegt wird. Der etwa bei 500° C erfolgt, dient dazu, das Platin am zweite Anschluß der Diode ist ein im wesentlichen Silizium festzusintern, ausgenommen diejenigen Teile, ohmscher Kontakt, der durch eine Metallplattierung die mit Oxyd beschichtet sind.

15 gebildet ist, die auf der gegenüberliegenden Fläche 60 Nachfolgend wird das Siliziumblättchen in heißem

17 des Siliziumblättchens 11 aufgebracht worden ist. Königswasser geätzt, das die ungesinterte Platin-

Die Verfahrensweise zum Herstellen solcher aufplat- schicht, also diejenigen Teile, die auf dem oxyd-

tierter ohmscher Kontakte ist allgemein bekannt. bedeckten Gebiet liegen, entfernt. Hierbei bleibt ein

Die effektiv wirksame Oberflächensperrschicht- Ring aus gesintertem Platin oder Platinsilizid stehen,

oder Schottky-Elektrode ist durch das von der Wolf- 65 der auf der Siliziumunterlage haftet. Die platin- und

ramschicht 13 eingenommene Gebiet definiert, in dem oxydbeschichtete Fläche wird dann erneut mit Hilfe

diese in Kontakt mit dem Siliziumblättchen 11 steht. fotochemischer Verfahren mit dem Ziel maskiert, die

Die die Wolframelektrode 13 umgebende Platin- Oxydschicht auf der Oberfläche außerhalb des Pia-

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tinringes zu maskieren. Diese Maske kann auf dem Außer den vorstehend erwähnten Metallen für die Platinring überstehen, ohne daß hierdurch der fol- Oberflächensperrschichtelektrode sind die Metalle gende Ätzschritt beeinträchtigt wird. Bei diesem Ätz- Molybdän, Silber und Kupfer als Alternative zu schritt findet eine Ätzung in Flourwasserstoffsäure Wolfram zu nennen. Entsprechende Alternativen zu mit dem Ziel statt, nur das innerhalb des Platinringes 5 Platin sind die Metalle Gold und Vanadium,
gelegene Siliziumoxyd zu entfernen. Der Platinring Nachstehend sind hinsichtlich ihrer Sperrschichtselbst wird durch dieses Ätzmittel nicht angegriffen. Kontaktpotentiale (in Elektronenvolt) geeignete Me-Anschließend läßt man im freigelegten, innerhalb talle für sowohl p-leitendes als auch η-leitendes SiIides Platinringes 12 gelegenen Mittelteiles die Wolf- zium angeführt:
ramschicht 13 aufwachsen. Zu diesem Zweck wird io .
das Blättchen in einem Reaktion-Nickelrohr unter- n-ieitendes MUzmm

gebracht, das mit Hilfe eines Ofens auf etwa 370° C Gold 0,80 eV

erwärmt wird. Dann wird in als Trägergas dienen- Platin 0,85 eV

dem gereinigtem Argon suspendiertes Wolframhexa- Vanadium 0,82 eV

fluorid durch das Reaktionsrohr durchgeleitet. Wolf- 15 Wolfram 0,65 eV

ramhexafluorid reagiert mit Silizium bei erhöhter Silber 0,67 eV

Temperatur; es wächst daher ein Wolframfilm auf Kupfer 0,55 eV

dem nicht maskierten Teil des Siliziumblättchens Molybdän 0,65 eV

auf. In diesem Fall ist das Blättchen dem Wolfram- . .

hexafluorid-Strom etwa 2 Minuten lang ausgesetzt 20 p-leitendes Silizium

worden. Nach Abkühlen auf Zimmertemperatur er- Gold 0,32 eV

hält man einen etwa 200 Angström dicken Wolfram- Platin 0,27 eV

film auf dem unmaskierten Teil des Siliziums. Vanadium 0,30 eV

Für das vorstehend beschriebene Verfahren zum Wolfram 0,47 eV

Herstellen des Wolframniederschlages ist es wichtig, 25 Silber 0,45 eV

daß das Trägergas gereinigt wird, z. B. durch bei Kupfer 0,57 eV

800° C erfolgendes Hindurchleiten des Trägergases Molybdän 0,45 eV

durch eine Säule metallischer Titanwicklungen. Eine

abgemessene Wolframhexafluorid-Flüssigkeitsmenge Es sei bemerkt, daß die vorstehend beschriebenen wird in den gereinigten Argonstrom injiziert, wobei 30 Ausführungsformen an Hand η-leitenden Siliziums eine Verdampfung stattfindet. Die Mischung wird beschrieben worden ist. Aus der vorstehenden tabeldann über eine Natriumfluorid-Absorptionsstufe, die larischen Übersicht ist ersichtlich, daß für p-leitendes zur Entfernung von Fluorwasserstoff-Spuren vor- Silizium das Vorzeichen der Potentialdifferenzen gesesehen ist, dem Reaktionsrohr zugeführt. Da im vertauscht ist, demgemäß ist in diesem Fall die Reialjgemeinen die Wolframabscheidung über eine Re- 35 henfolge der Metalle bei Aufbau des Halbleiterbauaktion zwischen Silizium und der Wolframverbin- elementes umzukehren. Wird beispielsweise die Diode dung fortschreitet, tritt das Wachstum der Wolfram- 10 nach F i g. 1 unter Verwendung eines p-leitenden schicht nur an den freiliegenden Teilen der Silizium- Siliziumhalbleiterkörpers hergestellt, so wird für das schicht auf. Metall der Oberflächensperrschichtelektrode 13 z. B. Nach dem Niederschlagen der Wolframelektrode 40 Platin und für das Metall der Schicht 12 beispielsist das Halbleiterbauelement zum Anschluß des weise Wolfram verwendet. Der wesentliche Gesichtsdrahtförmigen Anschlußleiters 14 fertig. Letzterer punkt der Erfindung, der bei allen Anordnungen zu kann an jeder gewünschten Stelle der Platinschicht beachten ist, ist die relative Differenz im Sperrangelötet oder anderweitig angebracht werden. Wie schicht-Kontaktpotential der beiden verwendeten vorstehend erwähnt, wird der auf der gegenüberlie- 45 Metalle.

genden Fläche 17 aufplattierte ohmsche Kontakt 15 In gleicher Weise kann die Erfindung auch vorteilmit Hilfe irgendeines der bekannten Verfahren her- haft bei dem Transistor vom sogenannten »heißen gestellt. Elektronen«-Typ nach der USA.-Patentschrift Die vorstehend beschriebene Wolframabschei- 3 121 809 Anwendung finden. Ein derartiger Trandungsmethode kann gleichfalls auch in Verbindung 5<> sistor weist einen dreizonigen, mit drei Elektroden mit Germanium oder Galliumarsenid als Halbleiter- versehenen Körper auf, bei dem die mittlere oder material verwendet werden. Das Ätzen einer Wolf- Basis-Zone eine sehr dünne Metallschicht ist, die ramelektrode auf Germanium und Silizium kann mit eine Schottkysche Sperrschicht mit den aus einem Hilfe einer Fluorwasserstoffsäure-Salpetersäure- üblichen Halbleitermaterial bestehenden Emitter-Mischung erfolgen. Im Falle von Galliumarsenid 55 und Kollektorzonen bildet. Ein beispielhafter Aufbau kann eine Wolframelektrode mit Hilfe einer Schwe- eines solchen Transistors, der unter Verwendung der felsäure-Wasserstoffperoxyd-Mischung auf die ge- Prinzipien der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, wünschte Größe chemisch geätzt werden. ist in der F i g. 2 dargestellt.

Beim Halbleiterbauelement nach F i g. 1 dient die Das Halbleiterbauelement nach F i g. 2 weist einen Platinschicht 12, wie vorstehend erwähnt, zur Defl- ⁶° Halbleiterkörper 31 auf, der beispielsweise aus n-leinition der Ausdehnung der Metallschicht 13, im be- tendem. Silizium mit einem spezifischen Widerstand schriebenen Beispiel der Wolframschicht, und bildet von 1 Ohm/cm besteht. Eine Siliziumoxydschicht 32 darüber hinaus ein bequemes Mittel zum Herstellen deckt einen Teil der Oberfläche der Unterlage 31 ab. eines nach außen führenden Anschlußkontaktes. Die mittlere oder Basiszone 33 des Halbleiterbau-Falls gewünscht kann die Ausdehnung der Metall- 65 elementes ist eine dünne Wolframschicht, die auf die schicht 12 vor dem Anbringen des äußeren An- gleiche Weise erzeugt worden ist, wie vorhin im Zuschlusses 14 mit Hilfe üblicher Maskier- und Ätz- sammenhang mit der Beschreibung der Vorrichtung techniken reduziert werden. nach F i g. 1 beschrieben worden ist. Angrenzend an

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die Wolframbasisschicht 33 ist eine Platinschicht 34 handelt wird, das nicht nur das Silizium abträgt, sonvorgesehen, die die Wolframschicht 33 teilweise um- dem auch Teile der darunterliegenden Wolframgeben kann, so daß eine leichte Möglichkeit zum schicht 33, so daß zugleich hiermit die Ausdehnung Anbringen eines äußeren Anschlusses gegeben ist. der Basiszone 33 in der entsprechenden Richtung Wiederum wird die effektiv wirksame Sperrschicht 5 festgelegt werden kann. Eine auf die Mesa 35 auf-— wie im Fall der vorstehend beschriebenen Diode — plattierte Metallelektrode 36 dient als Anschlußmittel durch die Wolfram-Silizium-Grenzfläche definiert, für die Emitterzone 35. Die nach außen führenden die den Kollektorübergang bildet. Auf der Oberseite Anschlüsse der Emitter- und Basis-Zone können der Wolframschicht 33 und der Platinschicht 34 ist durch auf die übliche Weise mit Hilfe von Thermoeine Schicht 35 aufgebracht, die aus η-leitendem SiIi- io kompression angeheftete Anschlußleiter 37 bzw. 38 zium besteht und mit Hilfe eines der bekannten Ver- hergestellt werden. An der ursprünglichen Siliziumfahren erzeugt worden ist, z. B. durch Aufdampfen, unterlage, die die Kollektorzone 31 bildet, wird ein Epitaxie oder durch kathodische Aufstäubeverfahren. ohmscher Kontakt mit Hilfe eines auf der Unterseite Üblicherweise wird diese Siliziumschicht auf der gan- des Halbleiterbaulementes aufplattierten Kontaktes zen Fläche niedergeschlagen und dann auf die in 15 39 auf übliche Weise hergestellt.
F i g. 2 dargestellte Mesakonfiguration mit Hilfe der Im Zusammenhang mit dem in F i g. 2 dargestellüblichen Maskier- und Ätztechniken reduziert. Im ten Transistor sei noch bemerkt, daß die erhöhte einzelnen kann hierzu der Teil der Oberfläche der Kapazität des Basiskontaktes, die durch die nieder-Schicht 35, der stehenbleiben soll, durch eine ätz- geschlagene Platinschicht verursacht wird, dadurch beständige Beschichtung definiert werden, wonach 20 reduziert werden kann, daß die Leitfähigkeit des undie Fläche mit dem Standardätzmittel für Silizium, mittelbar darunter liegenden Halbleitermaterials in Salpetersäure-Fluorwasserstoffsäure-Mischung, be- geeigneter Weise verringert wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. I 2

   engbegrenzten Gebiet zu durchbrechen, wird wäh-

   Patentansprüche: rend der Herstellung eine in einem Nickelrohr gehalterte Wolframspitze in den Kollektor bis zur Beriih-

   1. Halbleiterbauelement mit einem Halbleiter- rung mit der unverletzten Germaniumoberfläche an körper, einer diesen auf einem Teil seiner Ober- 5 der Legierungsfront eingesenkt und die Ausbildung fläche kontaktierenden ersten Metallschicht, einer der Rekristallisierungszone an der Berührungsstelle mit einem weiteren Teil der Oberfläche des Halb- verhindert. Von der gestörten Stelle kann ein'Strom leiterkörpers sowie mit der ersten Metallschicht von Majoritätsladungsträgern ausgehen, wenn die in Kontakt stehenden zweiten Metallschicht und übrige Fläche des Kollektors in Sperrichtung vorgeeinem von beiden Metallschichten getrennt ange- io spannt ist. Diese Ausbildung hat nichts damit zu tun, ordneten ohmschen Kontakt am Halbleiterkörper, einen guten elektrischen Kontakt mit einem Metall dadurch gekennzeichnet, daß beide zu schaffen, das mit dem Halbleiterkörper in Ober-Metallschichten einen Oberflächensperrschicht- flächensperrschichtkontakt sieht.

   kontakt mit dem Halbleiterkörper (11; 31) bilden, Die Herstellung von Oberflächensperrschichtwobei das Metall der zweiten Metallschicht (12; 15 kontakten, sogenannten Schottky-Kontakten, mit 34) ein höheres Sperrschicht-Kontaktpotential einem Halbleiterkörper ist an sich bekannt (demgegenüber dem Halbleitermaterial hat als das sehe Auslegeschrift 1000 533). Als abscheidbare Metall der ersten Metallschicht (13; 33), und daß Metalle auf Silizium sind insbesondere Gold, Silber, der Anschlußleiter (14; 38) zu den beiden Metall- Palladium, Rhodium, Platin und/oder Kupfer geschichten an der zweiten Metallschicht (12; 34) 20 nannt. Beim bekannten Verfahren zur Kontaktierung angebracht ist. eines Halbleiterkörpers ist jedoch die besondere

   2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, da- Ausbildung des hier beschriebenen Halbleiterbaudurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Halbleiter- elementes nicht offenbart.

   körper (35) des gleichen Leitungstyps wie der Bei einem bekannten, Majoritätsträger venvenerste Halbleiterkörper (31) in Oberflächensperr- 25 denden Halbleiterbauelement (USA.-Patentschrift schichtkontakt mit der ersten Metallschicht (33) 3 121809) ist zwischen Halbleitermaterialien eine auf deren dem ersten Halbleiterkörper (31) abge- dünne metallische Basis eingefügt. Hierbei ist es wandter Seite steht und mit einem hiervon ge- schwierig, den Zuführungsanschluß für die Metalltrennt angeordneten ohmschen Kontakt (36) mit schicht anzubringen.

   einem Anschlußleiter (37) versehen ist. 30 Ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen

   S.HalbleiterbauelementnachAnspruchloderl, Kontaktes an einer oxydüberzogenen Halbleiter-

   dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung scheibe ist nicht mehr neu (österreichische Patent-

   von η-leitendem Halbleitermaterial die erste Me- schrift 229 368). Hierbei wird über einer geschlos-

   tallschicht (13; 33) aus zumindest einem der Me- senen'Schicht aus aktivem Material (Titan, Zirkon,

   talle Molybdän, Wolfram, Kupfer oder Silber 35 Niob, Tantal, Thorium oder Vanadium) eine Schicht

   -" und die zweite Metallschicht (12; 34) aus zumin- aus Kontaktmetall (Gold, Silber, Palladium, Rho-

   dest einem der Metalle Platin, Gold oder Vana- dium, Kupfer, Nickel und Platin) niedergeschlagen

   dium bestehen. _r- und das Ganze so lange erhitzt, bis wenigstens ein

   4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, Teil des im Halbleiterüberzug enthaltenden Sauer-

   dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung 4° Stoffs in eine sich ausbildende Schicht eines Oxyds

   von p-leitendem Halbleitermaterial die zweite des aktiven Metalls übergeführt ist.

   Metallschicht (12; 34) aus zumindest einem der Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein

   Metalle Molybdän, Wolfram, Kupfer oder Silber Halbleiterbauelement zu schaffen, welches mikrosko-

   und die erste Metallschicht (13; 33) aus zumin- pisch kleine Abmessungen aufweisen kann, wobei

   dest einem der Metalle Platin, Gold oder Vana- 45 insbesondere ein guter elektrischer Kontakt mit

   dium bestehen. einem Metall geschaffen wird, das mit dem Halbleiterkörper in Oberflächensperrschichtkontakt steht.

   Die gestellte Aufgabe wird bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art dadurch ge-50 löst, daß beide Metallschichten einen Oberflächen-

   Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbau- Sperrschichtkontakt mit dem Halbleiterkörper bilden,

   element mit einem Halbleiterkörper, einer diesen auf wobei das Metall der zweiten Metallschicht ein

   einem Teil seiner Oberfläche kontaktierenden ersten höheres Sperrschichtkontaktpotential gegenüber dem

   Metallschicht, einer mit einem weiteren Teil der Halbleitermaterial hat als das Metall der ersten

   Oberfläche des Halbleiterkörpers sowie mit der 55 Metallschicht, und daß der Anschlußleiter zu den

   ersten Metallschicht in Kontakt stehenden zweiten beiden Metallschichten an der zweiten Metallschicht

   Metallschicht und einem von beiden Metallschichten angebracht ist.

   getrennt angeordneten ohmschen Kontakt am Halb- Durch die Erfindung wird eine mikroskopisch

   leiterkörper. kleine Abmessung der wirksamen Zonen bei HaIb-

   Ein Halbleiterbauelement dieser Ausbildung ist 60 leiterbauelementen erzielt, so daß diese insbesondere

   bekannt (H. Salow u. a.: Der Transistor, Bd. 15 der für hohe Frequenzen verwendet werden können.

   Reihe »Technische Physik in Einzeldarstellungen«, Weiterhin kann die Ausdehnung und Gestalt der

   Berlin, 1963, S. 404), wobei unter Verwendung des Oberflächensperrschichtelektrode genau gesteuert

   Mechanismus der Doppelbasisdiode eine transistor- werden, soweit das Gebiet des gleichrichtenden

   ähnliche Anordnung geschaffen wird. Als Basis- 65 Übergangs durch eine Metall-Halbleiter-Grenzfläche

   material ist hochohmiges p-Germanium vorgesehen bestimmt ist.

   und für die Emitter- und Kollektorlegierungskontakte Wie bekannt, existiert für die meisten Metall-Blei-Antimon. Um die Kollektorsperrschicht in einem Halbleiter-Kombinationen ein charakteristisches