DE1519867A1 - Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum - Google Patents

Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum

Info

Publication number
DE1519867A1
DE1519867A1 DE19651519867 DE1519867A DE1519867A1 DE 1519867 A1 DE1519867 A1 DE 1519867A1 DE 19651519867 DE19651519867 DE 19651519867 DE 1519867 A DE1519867 A DE 1519867A DE 1519867 A1 DE1519867 A1 DE 1519867A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vacuum
melting
vacuum chamber
zone
cooled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651519867
Other languages
English (en)
Inventor
Ludwig Sporrer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of DE1519867A1 publication Critical patent/DE1519867A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1004Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1012Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with a window or port for visual observation or examination
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
    • Y10T117/1088Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

:ra!ENS-SCHUOKKRTWüRK;s lirlangen, den 5.9.1969
Aktiengesellschaft Werner-vcn-Oiemens-otr.
PLA 65/1099
i nhtung zum Zonenschmelzen im Vakuu.T.
^s sind bereits Vorrichtungen zum Zonenschmelzen im Vakuum bekanntgeworden, die aus einer Vakuumkammer bespp}*enf in der dan su behandelnde Werkstück mit der Schmelzz durch die Strahlungswärme der Schmelzzone aufgeheizten Wände der Vakuumkammer sind für gewöhnlich gekühlt, da sonst die Gefahr' besteht, daß aus dQT Wand der Vakuumkammer Verunreinigungen treten', die das zu behandelnde Werkstück, z.B. aus Halbleitermaterial wie Silizium, verunreinigen können. Es treten nun Sc rigkeiten dadurch auf, daß sich auf den gekühlten fänden der fjjftaMfr j kammer Material niederschlägt, das dann gegebenenfalls in te^jffffrf Form wieder abblättert und au Störungen des mit dea ZonenschmiSVKtefM' beabsichtigten Aufwachsens von Einkristallen führt, indem die abgeblätterten Teile »ur Schmelze gelangen und dort als Sekundärkeime wirken können, die ein unerwünscHi||aMM|||||||tum eiri-
009809/1341 jjflHHHi
BAD ORIGIN^. '
PL-. bV9
leiten. Tn aus dem behandelten .Verketücte bevorzugt; Verunreinigungen abdampfen, besteht auch aie 7efnhr örtlicher Dotierung durch abgeblättertes Material.
Die Erfindung betrifft die Beseitigung dieser Nachteile. Sie bezieht sich deshalb auf eine Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum mit einer Vakuumkammer, in der sich das zu behandelnde 7/erkstück mit der Schmelzzone befindet, und mit gekühlten Wänden der Vakuumkammer, Sie ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß Innerhalb der Vakuumkammer in einem, verglichen mit der Schmelzzone, großen Abstand von der Schmelzzone eine zweite ungekühlte Wand mit Abstand von der gekühlten 7/and angeordnet ist. -Zweckmäßig ist die ungekühlte Wand auf der der Schmelzzone zugewandten Seite aufgerauht.
,Anhand eines Ausführungsbeispiels, aus dem weitere Vorteile und Kinzelheiten der Erfindung hervorgehen, soll diese näher beschrieben werden. In der Zeichnung ist eine erfindungsgemäß ausgebildete Vakuumkammer in den Figuren 1 und 2 in zwei Schnitten dargestellt, die senkrecht aufeinander stehen..
Die Vakuumkammer besteht aus einem Gehäuse 2, das z.B. aus dickem Stahlblech bestehen kann. Hit Hilfe eines Anschlußstutzens 3 ist sie an eine Vakuumpumpe angeschlossen, mit deren Hilfe ein Vakuum von ZmB. 10~* Ms 10" Torr erzeugt werden kann. Bei der in der Zeichnung dargestellten Vorrichtung handelt ee sich um eine Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen. Es kann sich aber auch um Vorrichtungen zum Zonenschmelzen in einem länglichen Schiffchen handeln, da'dort die gleichen Aufgaben auftreten, die ebenfalls in der erfindungsgemäßen Weise gelöst «erden können. ... '
009809/1341 BAD ORIGINAL
Pl-. 6V1099
Ir. unreif führungen. 4 und Z in der "'and ? der Vakuumkammer sind ir.v.ei Achsen 6 und 7 geführt, die mit Halterungen 3 "bzw. 9 für d·:ρ stabförmige iVerketück 10 versehen sind.* Bei dem Material dee ,V'erkntückr: kann en eich bei spie] rv.vj ere urn Halbleitermaterial, ■/.Ίο ,:■ i 1 iijium oder Germanium,handeln cder auch um hochschmelKendes I.'.otnll-, wie z.B. 7/elfram.
!.'it ;;i"!fp einer Induktiv nrheinrpule 11 vvira in de::: „erkotüok IO eine .."chnel ezciic 12 erzeug+. Tie Induktir-nsheiSijpule 11 ist an einer i'ührung 1"^ gehaltert, die durch eine Durohführung 14 durch die '/»and 2 der Vakuumkammer geführt ist. Cie kann von außen in ^ beiden lotrechten Ki.'htun{;en to.'vert worden, vvc·durch die .."."hinels- zcne 12 durch den stabförmige!] Kürr.er 10 hindurchjeführt werden kann. Die Führung 13 enthält die elektrischen Zuleitungen zur Heisspule 11, scwl-e euch gegebeneni'i:] 1 ? einen Kühlv;:isserkrci«- l-Nuf /zur Kühlung der vrrsugsv.-eiFc aus ii^Lren ausgebildeten, Induktionsheizspule 11.
Die eine Halterung 9 kann beispielsweise drehbar relarert ::ein, v/ührend die andere Halterung 8 in lotrechter Richtung auf und ab bewegt werden kann, wodurch sich Durchmesserschvankungen des behandelten Werkstücks ausgleichen, bzv. der Durchmesser dieses '.Verkstückes verändern lassen.
λπ der Vorderseite der Vakuumkammer ist eine größere Öffnung angebracht, durch die di.e notv/endigen I.ir-nipulationen innerhalb aes Vakuumgefäßes durchgeführt werden können. Sie ist durch eine Tür 15 verschlossen, die ebenfalls aus :--ti?.hl ausgeführt sein kann. Vorteilhaft 1st sie einseitig in . chargieren gehaltert. .Beim Andrücken an Dichtungen 16 bzw. T? wird sie duröh den Druck-
009809/1341
.-: l/Ar
PLA 65/1099
unterschied von selbst gehalten. In der Tür 15 ist ebenfalls eine 'öffnung angebracht, die durch ein Schauglas '18 vakuumdicht verschlossen ist. Das Schauglas 18 kann beispielsweise aus Glas oder Quarzglas bestehen. Zweckmäßigerweise besteht es aus sogenanntem Panzerglas,, Zum Schutz eines das Zonenschmelzen Beobachtenden kann vor der ochauglasscheibe 18 eine weitere durchsichtige Scheibe z,B, auD einem durchsichtigen Kunststoff angeordnet sein, die im Falle einer Implosion vor Splittern der Scheibe 18 schutst5
Bei der Durchführung des Zrnencchinelzens, insbesondere des tiegel frei en" Zonenachmelzens, im V-akuum treten nun die zuvor beschriebenen Schv/terigkeiten "auf, daß abdampfendes Material, dae sich an den gekühlten Wänden niederschlägt, von dort wiedex· abblättern und zur SchmelKzone gelangen kann, z.B. durch Abspringen, Die Kühlung der V/ände der Takuumkammer zumindest durch die Außenluftγ gegebenenfalls aber durch ein zusätzlich angebrachtes Kühlgebläse, bzw. durch angelötete oder angeschweißte Kühlschlangen j die von Kühlwasser durchflossen sind, ist notwendig, ψ da sonst die für die Erzeugung eines Hochvakuums notwendigen Abdichtungen nicht gewährleistet werden können, wenn Temperaturschwankungen auftreten.
Die erflndungsgeniäße Lösung besteht nun darin, daß eine zweite ungekühlte Wand innerhalb des Vakuumgefäßes angeordnet wird, die die gekühlte //and nicht berührt und die die ochmelzzone mit großem Abstand umgibt. Diese /,and kann z.B. durch Strahlungsheizung von der Rchmelzzone her in geringem Maße erwärmt werden, wodurch die Gefahr des Abblätterns erheblich verringert wird. Zusätzlich kann dies'e ungekühlte V/and auf der der Echmelzzone zugewandten Seite
009.B09/1341 '
-A" BADORiGfNAL . 3i/Ar\
■■■■■ :_ - ·5\ ■■■ ;■-. ■..'■■;
aufgerauht sein, wodurch zusätzlich day.«bblättern des aufwachsenden Materials verhindert wird. Hinzu kommt, daß diese zusätzlich eingebrachte V/and gegebenenfalls leicht austauschbar gestaltet sein kann, so daß man während der Pausen des Zonen-•Bchmelzens diese '//and entfernen und durch eine neue saubere Wand ersetzen kann.
Wie in den Fig. 1 und 2 dargestellt, besteht die zusätzliche ungekühlte Wand 20 aus einem zylihderförmig gebogenen Blech. Das Blech weist der Tür 15 zugewandt einen breiten Schlitz auf, durch den die cchmelzzone während ihrer Wanderung beobachtet werden kann. Als-'Material für die ianci. 20 kommen praktisch alle Metalle in Frage, gegebenenfalls aber auch andere Stoffe, wie z.B. Quarz, Keramik oder Graphit. Es wurde bevorzugt Aluminium verwendet, da dieser Stoff durch Sandstrahlen verhältnismäßig leicht aufgerauht werden kann und nach dem Aufrauhen eine so ausgebildete Oberfläche aufweist, daß das Abblättern von aufwachsendem Material stärker als bei anderen Stoffen verhindert
Die iVand 20 kann durch Abstandstücke 21 und 22, die beispielsweise aus Keramik bestehen können» innerhalbder Vakuumkammer gehalten werden. Zweckmäßig wird die Wand 20 in einem so großen Abstand»von der Sohmelzzone 10 angeordnet, daß beispielsweise
• eine Ankopplung der gegebenenfalls aus Metall bestehenden Wand 20 an das Feld der Induktionsheizapule 11 mit Sicherheit ver-
' hindert wird. Gegebenenfalls können auch noch Deckelteile 23 unö 24 vorgesehen eeitt* die die zylinderförmige Wand 20
fl.\
und unten ergänzen, ^s rauß aber darauf geachtet werden,; daß genügend große Abstände und genügend große öffnungen vorgesehen sind, damit die zur Erzeugung eines Hochvakuums notwendige freie Weglänge gewährleistet bleibt.
Die beschriebenen und die dargestellten Merkmale, Arbeitsvorgänge und Anweisungen stellen, r-oweit nicht vorbekannt, im einzelnen, ebenso wie ihre hier offenbarten Kombinationen untereinander, wertvolle erfinderische Verbesoerungen dar.
2 Figuren
2 Patentansprüche
BAD

Claims (1)

Patentansprüche
1. Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum mit einer Vakuumkammer, in der sich das zu behandelnde Werkstück mit der ;:ehmelzzone befindet, und mit gekühlten Y/änden der Vakuumkammer, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb der Vakuumkammer in einem verglichen mit der ochmelzsone großen Abstand von der £chmelzzone eine zweite ungekühlte Wand mit Abstand von der gekühlten <Vand angeordnet ist.
?, Vorrichtung nach Anspruch T, dadurch gekennzeichnet, daß die ungekühlte ."and auf der der Sehmelzzone zugewandten Seite aufgerauht ist.
• BAD ORIGINAL - 7 -009809/1341 —S-i
Seue Uj iieriagen (Art. 7 § !Abs. zur. ι sau 3 des
Leerseite
DE19651519867 1965-02-27 1965-02-27 Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum Pending DE1519867A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0095711 1965-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1519867A1 true DE1519867A1 (de) 1970-02-26

Family

ID=7519569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651519867 Pending DE1519867A1 (de) 1965-02-27 1965-02-27 Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3447910A (de)
JP (1) JPS4822562B1 (de)
BE (1) BE676974A (de)
CH (1) CH431472A (de)
DE (1) DE1519867A1 (de)
GB (1) GB1120554A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7866178B2 (en) * 2007-07-24 2011-01-11 Asia Vital Components Co., Ltd. Device and method for vacuum-sealing a cooling medium
CN102925962B (zh) * 2012-11-06 2015-05-20 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于正压晶体生长炉的操作及观察窗口
CN113648933A (zh) * 2021-08-07 2021-11-16 北京双吉制药有限公司 一种膏剂生产用液化装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3173765A (en) * 1955-03-18 1965-03-16 Itt Method of making crystalline silicon semiconductor material
NL218610A (de) * 1956-07-02
US2912321A (en) * 1956-09-04 1959-11-10 Helen E Brennan Continuous casting and refining of material
US2890139A (en) * 1956-12-10 1959-06-09 Shockley William Semi-conductive material purification method and apparatus
US3211881A (en) * 1962-08-28 1965-10-12 Westinghouse Electric Corp Apparatus for zone heating
US3261671A (en) * 1963-11-29 1966-07-19 Philips Corp Device for treating semi-conductor materials by melting
US3282654A (en) * 1964-05-18 1966-11-01 Union Carbide Corp Crystal growing furnace with an alumina liner

Also Published As

Publication number Publication date
CH431472A (de) 1967-03-15
GB1120554A (en) 1968-07-17
US3447910A (en) 1969-06-03
JPS4822562B1 (de) 1973-07-06
BE676974A (de) 1966-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19725930C2 (de) Verfahren und Anlage zum Behandeln von Substraten mittels Ionen aus einer Niedervoltbogenentladung
DE1515296A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von duennen Schichten
DE102006031244B4 (de) Vorrichtung zum Verdampfen eines Materials mittels eines Elektronenstrahls und zum Abscheiden des Dampfes auf ein Substrat
DE764927C (de) Verfahren zur Verdampfung im Vakuum
EP0432090A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung und Werkstück beschichtet nach dem Verfahren
DE1519867A1 (de) Vorrichtung zum Zonenschmelzen im Vakuum
DE4026185C2 (de)
EP0282540B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum metallisieren von folienoberflächen
EP0024604B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von elektrisch leitenden Stoffen (Metallen) im Hochvakuum
DE1934486B2 (de) Einrichtung zur kuehlung hochhitzebeanspruchter mauerwerksteile, insbesondere von metallschmelzoefen
DE2504610C3 (de) Verfahren zur Herstellung von metallischem Zirkonium
DE361140C (de) Schmelzofen fuer leicht oxydierbare Metallegierungen
DE1433075A1 (de) Vakuum-Schmelz- und-Giessverfahren und Vorrichtung zur Durchfuehrung desselben
DE816933C (de) Verfahren zum Verzinnen von Gegenstaenden durch Verdampfung im Vakuum
DE1193680B (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von reinem Calcium
DE2327812A1 (de) Verfahren zum wiedergewinnen von metall aus schlacke und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2031702C3 (de) Vorrichtung zum Schutz einer Oberfläche gegen Niederschläge von kondensierbaren Metalldämpfen
DE862055C (de) Thermische Zersetzung von Amalgamen
AT205760B (de) Vorrichtung und Verfahren zum Schmelzen bzw. Erhitzen von elektrisch leitenden Materialien im Vakuum
DE665470C (de) Verfahren zur mechanischen Verstaerkung von Gegenstaenden aus Porzellan, Glas, Schamotte o. dgl.
DE102014107768A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Blechen
DE525756C (de) Induktionsofen, insbesondere fuer Hochfrequenz
CH227662A (de) Mit Metallschutzschicht versehener Leichtmetallkolben für Verbrennungskraftmaschinen, sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallschutzschichten an Leichtmetallkolben.
DE432795C (de) Verfahren zur Kondensation von Zinkdaempfen, die der Einwirkung von elektrischen Stroemen ausgesetzt sind
DE3807410A1 (de) Elektronenstrahl-kaltherd-raffinierofen