DE1514683B1 - Verfahren zum Erzeugen von elektrischen Nebenschluessen zum UEberbruecken von pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern - Google Patents

Verfahren zum Erzeugen von elektrischen Nebenschluessen zum UEberbruecken von pn-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern

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DE1514683B1
DE1514683B1 DE19661514683 DE1514683A DE1514683B1 DE 1514683 B1 DE1514683 B1 DE 1514683B1 DE 19661514683 DE19661514683 DE 19661514683 DE 1514683 A DE1514683 A DE 1514683A DE 1514683 B1 DE1514683 B1 DE 1514683B1
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semiconductor
mask
semiconductor body
perforated
perforations
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DE19661514683
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Kurt Dr Rer Nat Raithel
Rene Rosenheinrich
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P50/692—
    • H10P50/695—
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GB1107497A (en) 1968-03-27
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FR1511259A (fr) 1968-01-26
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CH450556A (de) 1968-01-31

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