DE1489146C - Vorrichtung mit einer photoempfindli chen Schicht auf einem Trager - Google Patents
Vorrichtung mit einer photoempfindli chen Schicht auf einem TragerInfo
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- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N Tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral Effects 0.000 description 2
- 230000001960 triggered Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 230000001809 detectable Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung eigenleitfähige Schicht und die Elektrode in einem
mit einer photoempfindlichen Schicht auf einem Trä- durch eine am Träger befestigte durchsichtige Kappe
ger, die mindestens eine Elektrode aufweist und bei abgeschlossenen Raum liegen,
der ein zweiter Stromanschluß eine zweite Elektrode Zur Erhöhung der Rotempfindlichkeit der photo-
oder ein Elektronenstrahl ist, und bei der die Schicht 5 empfindlichen Schicht kann die sich ganz oder
aus einer ganz- oder nahezu eigenleitfähigen Teil- nahezu elgentleitfähig verhaltende Teilschicht noch
schicht einer Metall-Sauerstoffverbindung besteht, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten,
an die sich mindestens eine eindeutig p- oder n-leit- Die Photozelle kaiin durch den Träger oder auch
fähige Teilschicht gleichen Werkstoffes anschließt. durch die Kappe bestrahlbar sein. Die Teilschicht
Bei einer bekannten Vorrichtung nach dem deut- io kann als optisches Filter in der Auf treffplatte einer
sehen Patent 1011459 dieser Art für eine Vidikon- Vidikonaufnahmeröhre eingebaut sein. Sie kann
Aufnahmeröhre ist eine photoempfindliche Auftreff- n-leitfähig, 30 bis 60μΐη stark sein und an der
platte aus Bleimonoxid (PbO) vorgesehen. Diese Signalelektrode anliegen.
Auf treffplatte besitzt bei einer Stärke von etwa 5 μηι Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung mit
hintereinanderliegende Zonen entgegengesetzten Leit- 15 zwei Ausfiihrungsbeispielen näher erläutert. In der
fähigkeitstyps, wodurch mindestens ein flächenförmi- Zeichnung zeigt ·
ger p-n-Übergang geschaffen und damit ein niedriger Fig. 1 schematisch einen Querschnitt einer als
Dunkelstrom erzielt wird. Mehrschichtenzelle ausgebildeten Vorrichtung nach
In dieser Patentschrift ist angegeben, daß die Bild- der Erfindung,
elektrode nicht nur für sichtbares Licht, sondern zo F i g. 2 schematisch einen Längsschnitt durch eine
auch für ultraviolettes Licht und für Röntgenstrahlen als Vidikon-Aufnahmeröhre ausgebildeten Vorrichempfindlich
ist, wobei die Röntgenstrahlen durch das tung gemäß der Erfindung, und ((
Bleimonoxid (PbO) relativ stark absorbiert werden. Fig. 3 in vergrößertem Maßstab einen Teil des.
Es ist weiterhin · bekannt aus »Philips Research Querschnittes der in der Röhre nach F i g. 2 vorReports
Supplements«, 1961, Nr. 4, insbesondere 25 handenen Auftreffplatte.
S. 149 und 155, in eine photoempfindliche Schicht In allen Figuren und insbesondere in den Fig. 1
eine eigenleitfähige Schicht einzubauen. und 3 sind verschiedene Abmessungen, insbesondere
Die Erfindung bezieht sich nun auf eine Vorrich- Stärkeabmessungen, sehr abweichend von ihren wirk-
tung der eingangs erwähnten Art und ist dadurch liehen Verhältnissen dargestellt. Sofern nützlich, sind
gekennzeichnet, daß mindestens eine als optisches 30 nachstehend für verschiedene Abmessungen prak-
Filter verwendbare p- und/oder n-leitfähige Teil- tische Zahlen angegeben.
schicht einen gegenüber der eigentleitfähigen Teil- Bei der in F i g. 1 in einem Querschnitt dargestell-
schicht vernachlässigbaren elektrischen Widerstand ten Photowiderstandszelle ist auf einem isolierenden
und eine Stärke von einigen μΐη bis etwa 150 μΐη durchsichtigen Träger 1 eine flächenförmige durchaufweist.
Dabei ist die Empfindlichkeit der Vorrich- 35 sichtige Elektrode 2 angebracht, mit welcher ein
tung nach der Erfindung für kurzwellige Strahlung nach Fig. 1 der fechten Seite abgebildeter, an dem
im Vergleich zu der Empfindlichkeit für langwellige Träger 1 befestigter, zur Stromzuführung dienender
Strahlung um einen kleineren oder größeren Teil Kontaktstift 3 elektrisch verbunden ist. Der Träger
unterdrückt. Die Erfindung bezieht sich also auf besteht vorzugsweise aus Glas, in welchem Falle die
eine photoempfindliche Vorrichtung, die im wesent- 40 Elektrode 2 aus einer leitenden Zinnoxydschicht be-
lichen für die Strahlung im roten bzw. infraroten stehen kann. In anderen Fällen oder auch statt des
Teil des Spektrums empfindlich ist. Zinnoxyds kann eine sehr dünne Schicht aufge-
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, · dampften Metalls, z. B. Gold, die Elektrode 2 ί
daß ein Teil der photoempfindlichen Schicht, der bilden.
bei der Anlage einer elektrischen Spannung an 45 Über die Elektrode 2 und teilweise neben ihr auf
die Schicht praktisch feldfrei bleibt, als optisches der linken Seite erstreckt sich eine Schicht 4, die im
Filter für einen* in der Strahlungsrichtung hinter wesentlichen aus einem photoempfindlichen Material
diesem Teil liegenden, nicht feldfreien Teil der besteht, das nach Wahl mehr oder weniger gut lei-Schicht
dienen kann, da es im wesentlichen die im" tend oder eigenleitend bzw. nahezu eigenleitend gezuletzt
genannten Teil ausgelösten Ladungsträger 50 wählt werden kann. In dem vorliegenden Fall besind, welche den in einem äußeren Kreis feststell- steht die Schicht 4 im wesentlichen aus Bleimonoxid
baren Strom liefern. (PbO); sie hat eine Stärke von etwa 230 μΐη. Über
Nach weiterer Ausbildung des Erfindungsgedan- die Schicht 4 erstreckt sich eine zweite durchsichtige
kens kann die Teilschicht etwa eine Dicke von Elektrode 5, die sich auf der linken Seite auf dem
100 μΐη und die eindeutig p- oder n-leitfähige Teil- 55 Träger 1 fortsetzt und an dieser Stelle mit einem
schicht etwa eine Dicke von 130 μπι aufweisen. zweiten Kontaktstift 6 verbunden ist, der auch in
Die Vorrichtung nach der Erfindung kann als dem Träger 1 befestigt ist. Die Elektrode 5 kann aus
Photozelle ausgebildet sein, in der der Träger aus einer dünnen Schicht aufgedampften Metalls, z.B.
Glas besteht, auf dem eine durchsichtige Strom- Gold oder Silber, bestehen. Die von den Elekanschlußelektrode
aus einer leitenden Zinnoxyd- 60 troden2 und 5 und der zwischenliegenden photo-
schicht oder aus Gold mit einem Kontaktstift ange- empfindlichen Schicht 4 gebildete Anordnung ist
bracht ist, auf der sich mindestens teilweise die gegen die freie Luft durch einer ringsum mit dem
Schicht, die p- oder n-leitfähig ist, und über diese Rand des Trägers 1 befestigte Kappe 7 aus durch-
die eigentleitfähige Schicht erstrecken, und letztere sichtigem Material verschlossen. Die Kappe 7 kann
durch eine dünne Elektrode aus z.B. Gold oder 65 aus dem gleichen Material wie der Träger 1 bestehen.
Silber mit einem Kontaktstift mindstens teilweise ab- Die photoempfindliche Schicht 4 besteht aus zwei
gedeckt ist und die Stromanschlußelektrode, der sich aneinander anschließenden Teilschichten
Kontaktstift, die p- oder n-leitfähige Schicht, die und 9, von denen die Teilschicht 8 sich auf der Seite
des Trägers 1 und die Teilschicht 9 sich auf der Seite der Elektrode 5 befindet. Die Teilschicht 8 besteht
aus photoempfindlichem Material, das durch starke Abweichung von der stöchiometrischen Zusammensetzung
oder durch Einbau geeigneter Dotierungs- ^5 stoffe entweder eindeutig n-leitfähig oder eindeutig
p-leitfähig ist, in dem Maße, daß die Teilschicht 8 als eine negativ gut leitende Schicht betrachtet werden
kann. Die Stärke der Teilschicht 8 ist etwa 130 μΐη,
die der Teilschicht 9 somit etwa 100 μΐη. ίο
Bei Anwendung von Bleimonoxyd als Material für die Schicht 4 kann starke p-Leitfähigkeit der Teilschicht
8 durch Einbau einer verhältnismäßig großen Menge zusätzlichen Sauerstoffes oder eines p-Leitfähigkeit
bewirkenden Elementes, z. B. Thallium, in diesem Teil erzielt werden. Die Teilschicht 8 kann
statt stark p-leitfähig auch stark n-leitfähig sein, z. B. indem in diese Teilschicht eine verhältnismäßig große
Menge eines η-Leitfähigkeit bewirkenden Elementes, z. B. Wismut oder Antimon eingebaut ist oder die
Teilschicht in einem starken Übermaß Blei enthält.
Die Teilschicht 9 besteht aus einem Material, das im Gegensatz zu dem Material der Teilschicht 8 keine
eindeutige p- oder η-Leitfähigkeit aufweist, sondern sich im wesentlichen eigenleitend oder nahezu eigenleitend
verhält. Diese kurz »eigenleitend« genannte Teilschicht 9 kann dadurch erhalten werden, daß auf
die vorher aufgedampfte Teilschicht 8 Bleimonoxyd in. einer Atmosphäre aufgedampft wird, die außer
Sauerstoff ein η-Leitfähigkeit bewirkendes Gas, ζ. Β.
Wasserdampf, enthält. Die Drücke des Sauerstoffes und des η-formenden Gases in dieser Atmosphäre
sind derart aufeinander eingestellt, daß die in die Schicht zusätzlich aufgenommenen Mengen an Sauerstoff
und dem η-Leitfähigkeit bewirkenden Gas sich am Ende gegenseitig praktisch ausgleichen. Zum Erzielen
einer erhöhten Rotempfindlichkeit der Teilschicht 9 ist vorzugsweise in diese Schicht noch
Schwefel, Selen oder Tellur eingebaut. ■
Für den Betrieb der beschriebenen Photowider-Standszelle werden die Kontaktstifte 3 und 6 mit
einer Gleichspannungsquelle verbunden, wobei der Stromkreis wie üblich Mittel enthält, um nach einer
etwaigen Verstärkung den die Zelle durchfließenden Strom feststellen zu können. Wenn die Teilschicht 8
stark n-leitfähig ist, wird die Zelle derart an die Gleichspannung angeschlossen, daß der Kontaktstift 3
eine positive Spannung gegen den Kontaktstift 6 hat, so daß die Elektrode 2 die positive Stromzuführung
an die photoempfindliche Schicht 4 versorgt. Ist dagegen die Teilschicht 8 stark p-leitfähig, so wird die
Zelle umgekehrt an die Gleichspannungsquelle angeschlossen, so daß die Elektrode 2 in diesem Falle
die negative Stromzuführung versorgt.
In Hinsicht auf die Wirkungsweise der beschriebenen Vorrichtung sei folgendes bemerkt.
Bei Bestrahlung der photoempfindlichen Schicht 4 durch den Träger 1 absorbiert die Teilschicht 8 praktisch
alle ultraviolette und sichtbare Strahlung mit einer kürzeren Wellenlänge als Rot, so daß die Teilschicht
9 lediglich durch Rot und Strahlung mit längerer Wellenlänge erreichbar ist. Durch die einfallende
Strahlung werden sowohl in der Teilschicht 8 als auch in der Teilschicht 9 Ladungsträger ausgelöst.
Da jedoch die Teilschicht 8, wie vorstehend erwähnt, mehr oder weniger leitend und infolgedessen kein
elektrisches Feld in dieser Schicht vorhanden ist, liefern die in dieser Teilschicht 8 ausgelösten Ladungsträger
keinen Beitrag zu dem im äußeren Stromkreis feststellbaren Strom, der daher im wesentlichen
von den in der Teilschicht 9 ausgelösten Ladungsträgern stammt. Die Photowiderstandszelle ist
daher bei Strahlung durch den Träger 1 im wesentlichen empfindlich für Strahlung, die nur in begrenztem Ausmaß in der Teilschicht 8 absorbiert wird. Im
vorliegenden Falle ist sie empfindlich für rote bzw. infrarote Strahlen. Auch Röntgenstrahlen oder andere
ähnliche harte Strahlen können durch die Teilschicht 8 die Teilschicht 9 erreichen, so daß die Zelle
auch für diese Strahlen bei der beschriebenen Bestrahlungsweise empfindlich ist.
Wird Strahlung von der anderen Seite her auf die. photoempfindliche Schicht 4 gerichtet, also durch die
Kappe 7, so wird die Teilschicht 9 nicht mehr optisch von der Teilschicht 8 abgeschirmt, so daß die Photowiderstandszelle
in diesem Falle auch für Strahlung empfindlich ist, für welche das photoempfindliche
Material zwar empfindlich ist, aber die beim Einfall der Strahlung durch den Träger 1 praktisch vollständig
in der Teilschicht 8 absorbiert wird. Je nach
dem gewünschten Empfindlichkeitsgebiet kann daher die photoempfindliche Schicht 4 durch den Träger 1
oder durch die Kappe 7 bestrahlt werden. '
Die Fig. 2 und 3 erläutern eine Aufnahmeröhre des Vidikon-Typs, die einen entlüfteten, langgestreckten
zylindrischen Kolben 11 aus Glas hat. Das linke Ende des Kolbens 11 ist durch einen Glasfuß 12 verschlossen, in dem Anschlußstifte 13 angebracht sind.
Diese Anschlußstifte sind mit verschiedenen Teilen eines an diesem Ende des Kolbens 11 angebrachten
Elektrodensystem 14 verbunden. Dieses schematisch angedeutete Elektrodensystem, das unter anderem
eine Kathode 15, ein Steuergitter 16 und eine gelochte, elektrisch mit einer Wandelektrode 18 verbundene
Anode 17 enthält, kann einen Elektronenstrahl 19 erzeugen, durch den eine am anderen Ende
des Kolbens 11 angebrachte, photoleitende Auftreffplatte 20 abgetastet werden kann. Die Auftreffplatte
20 (F i g. 3) besteht im wesentlichen aus Bleimonoxyd (PbO), das auf eine durchsichtige, elektrisch
gut leitende Signalelektrode 21 aufgedampft ist, die sich über die Innenseite des durch das rechte
Ende des Kolbens 11 gebildeten Fensters 22 erstreckt. Die Signalelektrode 21 kann aus einer sehr
dünnen Schicht aufgedampften Metalls, z. B. Gold, oder auch, wie dies bei Röhren des Vidikon-Typs
üblicher ist, aus Zinnoxyd bestehen. Mit der Signalelektrode 21 ist durch eine durch die Wand des Kolbens
11 geführte Stromzuführungsleitung 23 verbunden. Um elektrische Signale zu erhalten, die dem
Bild entsprechen, das z. B. mittels eines in F i g. 2 schematisch durch eine Linse 24 dargestellten optischen
Systems durch das Fenster 22 und die Signalelektrode 21 auf die Auftreffplatte 20 projiziert wird,
werden geeignete Spannungen den Elektroden des Systems 14 und von einer Spannungsquelle 25 über
einen Signalwiderstand 26 der Signalelektrode 21 eine gegen die Kathode 15 der Röhre positive Spannung
von 10 bis 100 V, z. B. 40 V, zugeführt wird. Mittels der üblichen Ablenk- und Fokussierungsspulen
um die Röhre, die in F i g. 2 gemeinsam durch 27 bezeichnet sind, wird dem Elektronenstrahl 19
eine Bewegung zum Abtasten der freien Oberfläche der Auftreffplatte 20 erteilt. Bei diesem Abtasten
wird diese Oberfläche an der jeweiligen Auftreffstelle auf das Potential der Kathode 15 gelegt, wodurch ein
elektrisches Signal entsteht, das über einen Kondensator 28 über dem Signalwiderstand 26 abgenommen
werden kann.
Fig. 3 zeigt in vergrößertem Maßstab einen Teil des Querschnittes der Auftreflplatte 20, der Signalelektrode
21 und des Fensters 22 der in F i g. 2 dargestellten Röhre. Die im wesentlichen aus aufgedampftem
Bleimonoxyd bestehende Auftreffplatte 20 enthält zwei zur Signalelektrode parallele Teilschichten
31 und 32, die in elektrischer Hinsicht verschieden sind. Die Teilschicht 31 besteht aus Bleimonoxyd,
das *z.B. durch den Einbau von Wismut oder Antimon oder auch Wasserdampf oder von verschiedenen
dieser n-Dotierungsstoffen zusammen stark n-leitfähig ist. Die Teilschicht 32 besteht dagegen
im wesentlichen aus Bleimonoxyd, das sich elektrisch eigenleitend oder nahezu eigenleitend verhält.
Diese Teilschicht 32 kann weiter eine geringe Menge Schwefel, Selen und/oder Tellur enthalten,
damit ihre Empfindlichkeit für Strahlung verhältnismäßig langer Wellenlänge gesteigert wird. Lediglich
an der freien, durch den Elektronenstrahl 19 abzutastenden Oberfläche der Teilschicht 32 ist das in
Fig. 3 mit 33 bezeichnete Material mehr oder
weniger eindeutig p-leitfähig, ohne daß jedoch das Oberflächenmaterial derart leitend ist,. daß störende
Querleitfähigkeit auftreten könnte.
■ Beim Betrieb der vorstehend an Hand der F i g. 2 und 3 beschriebenen Aufnahmeröhre ist die Teilschicht 31 als positive Stromzuführungselektrode für die sich eigenleitende Teilschicht 32 und außerdem als optisches Filter wirksam. Infolge der Absorption der Strahlung mit kürzerer Wellenlänge in der Teilschicht 31 verschiebt sich das Maximum der relativen spektralen Empfindlichkeit der Aufnahmeröhre bei einer größeren Stärke der Teilschicht 31 nach längeren Wellenlängen. Bereits bei einer Stärke der Teilschicht 31 von 1 bis 2 μκη bleibt praktisch keine Empfindlichkeit für Ultraviolett und Blau mehr übrig; die Grünempfindlichkeit ist bei einer Stärke der Teilschicht 31 von etwa 5 μπι nicht mehr von Bedeutung, und bei einer Stärke der Teilschicht 31 von etwa 80 am oder mehr, z. B. 150 μπι, bleibt nur noch eine Empfindlichkeit für Strahlung in dem roten oder infraroten Spektralbereich übrig.
■ Beim Betrieb der vorstehend an Hand der F i g. 2 und 3 beschriebenen Aufnahmeröhre ist die Teilschicht 31 als positive Stromzuführungselektrode für die sich eigenleitende Teilschicht 32 und außerdem als optisches Filter wirksam. Infolge der Absorption der Strahlung mit kürzerer Wellenlänge in der Teilschicht 31 verschiebt sich das Maximum der relativen spektralen Empfindlichkeit der Aufnahmeröhre bei einer größeren Stärke der Teilschicht 31 nach längeren Wellenlängen. Bereits bei einer Stärke der Teilschicht 31 von 1 bis 2 μκη bleibt praktisch keine Empfindlichkeit für Ultraviolett und Blau mehr übrig; die Grünempfindlichkeit ist bei einer Stärke der Teilschicht 31 von etwa 5 μπι nicht mehr von Bedeutung, und bei einer Stärke der Teilschicht 31 von etwa 80 am oder mehr, z. B. 150 μπι, bleibt nur noch eine Empfindlichkeit für Strahlung in dem roten oder infraroten Spektralbereich übrig.
Die Teilschicht32, d.h. der photoelektrisch wirksame
Teil der Auf treffplatte 20, hat vorzugsweise eine Stärke von 10 bis 30 μπι. Es ist günstig, eine
größere Stärke zu wählen, wenn die Umstände dies erlauben, z. B. wenn die Kapazität der Auftreflplatte
infolgedessen nicht zu gering wird.
Die Stärke und die Zusammensetzung der n-leitfähigen
Teilschicht 31 können derart gewählt werden, daß die Röhre praktisch nur für Röntgenstrahlen
empfindlich ist, so daß beim Betrieb mit solchen Strahlen keine Maßnahmen getroffen werden müssen,
um auf das Fenster 22 der Röhre fallendes Tageslicht abzuschirmen. Dies läßt sich z. B. mit einer
Teilschicht 31 mit einer Stärke von etwa 30 μΐη oder
mehr erreichen, wobei diese Teilschicht infolge von Einbau von Schwefel, Selen oder Tellur eine starke
Absorption von Licht großer Wellenlänge haben kann. Die.Teilschicht 31 hat dabei vorzugsweise eine
Stärke von 60 μΐη oder mehr. . ."
Claims (7)
1. Vorrichtung mit einer photoempfindlichen Schicht auf einem Träger, die mindestens eine
Elektrode aufweist und bei der ein zweiter Stromanschluß eine zweite Elektrode oder ein
Elektronenstrahl ist, und bei der die Schicht aus einer ganz- oder nahezu eigenleitfähigen Teilschicht
einer Metall-Sauerstoffverbindung besteht, an die sich mindestens eine eindeutig p-
oder n-leitfähige Teilschicht gleichen Werkstoffes anschließt, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens eine als optisches Filter verwendbare p- und/oder n-leitfähige Teilschicht (8, 31)
einen gegenüber der eigenleitfähigen Teilschicht (9, 32) vernachlässigbaren elektrischen Widerstand
und eine Stärke von einigen μηι bis etwa 150 μΐη aufweist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilschicht (9) etwa eine
Dicke von 100 μΐη und die eindeutig p- oder
n-leitfähige Teilschicht (8) etwa eine Dicke von 130 μπι aufweisen.
; ..
3. Vorrichtung nach einem oder beiden der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung als Photozelle ausgebildet ist, in der der Träger (1) aus Glas besteht,
auf dem eine durchsichtige Stromanschlußelektrode (2) aus einer leitenden Zinnoxydschicht
oder aus Gold mit einem Kontaktstift (3) angebracht ist, auf der sich mindestens teilweise die
Schicht (8) und über diese die Schicht (9) erstrecken, und letztere durch eine dünne Elektrode
(5) aus z. B. Gold oder Silber mit einem Kontaktstift (6) mindestens teilweise abgedeckt
ist und die Teile (2, 8, 9, 5) in einem durch eine am Träger (1) befestigte durchsichtige Kappe (7)
' abgeschlossenen Raum liegen. ;
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Erhöhung der Rotempfindlichkeit der photoempfindlichen Schicht die sich ganz
oder nahezu eigenleitf ähig verhaltende Teilschicht (9, 32) noch Schwefel, Selen oder Tellur enthält.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Photozelle durch den Träger (1) oder auch durch die Kappe (7) bestrahlbar ist.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Teilschicht (31) als optisches
. Filter in der Auftreffplatte (20) einer Vidikonaufnahmeröhre
eingebaut ist..: .
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der - vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilschicht (31) n-leitfähig, 30
bis 60 μπι stark ist und an der Signalelektrode
(21) anliegt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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