DE1489145B2 - Verfahren zur Herstellung einer photoempfindlichen Vorrichtung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer photoempfindlichen VorrichtungInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 33
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/085—Oxides of iron group metals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5826—Treatment with charged particles
- C23C14/5833—Ion beam bombardment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5846—Reactive treatment
- C23C14/5853—Oxidation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
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- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
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- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
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Description
1 2
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur In F i g. 1 sind zur Herstellung einer Photowider-Herstellung
einer photoempfindlichen Vorrichtung, standszelle auf einem Träger 1 abwechselnd miteinbei
dem auf einen mit mindestens einer Elektrode ver- ander verbundene, zueinander parallele Elektroden 2
sehenen Träger eine Bleimonoxidschicht aufgedampft und 3 angeordnet. Der Träger 1, der aus Isoliermaterial
wird, die einem Sauerstoff aufprall ausgesetzt wird. 5 besteht, kann durchsichtig sein und z. B. aus Glas be-Es
sind Vorrichtungen mit einer photoempfindlichen stehen. Die Elektroden 2, die elektrisch miteinander
Schicht auf Auftreffplatten für Bildaufnahmeröhren verbunden sind, bestehen z. B. aus leitendem Zinnoxid
aus der deutschen Patentschrift 1 011 459 bekannt. oder aufgedampftem Silber und haben eine Breite von
Diese bestehen im wesentlichen aus Bleimonoxid (PbO) etwa 20 μηι. Die Elektroden 3 können die gleiche
und weisen zwei aufeinanderliegende Schichten auf, io Breite wie die Elektroden 2 haben und z. B. aus auf
deren eine p-Leitfäbigkeit und deren andere n-Leit- den Träger 1 aufgedampftem Nickel oder Platin befähigkeit
besitzen.. Die p-Leitfähigkeit besitzende stehen. Der Abstand zwischen den Mittellinien aufSchicht
liegt auf der sogenannten freien Oberfläche einanderfolgender Elektroden 2 und 3 ist etwa 500 μΐη.
der Bildelektrode ..und, bildet dort eine Zone, die durch Dieser Abstand kann jedoch auch größer sein, z. B.
ein Übermaß an Sauerstoffatomen, gleichbedeutend 15 1000 μπι.
mit einem Untermaß ar?Bleiätomen, hergestellt worden Über jede der Elektroden 2, und lediglich über diese,
ist. i;-j;;;';■■ , wird z. B. mittels einer Maske eine Schicht Bleimon-
In dieser bekannten Patentschrift ist eine Bildauf- oxid 4 mit einer Stärke von einigen μπι, z. B. 2 bis
nahmeröhre gezeigt,'-die eine gläserne Vorderwand mit 3 μπι, aufgedampft. Das Bleimonoxid zur Bildung der
einer Signalelektrode und der Bildelektrode während 20 Schichten 4 kann in einer Gasatmosphäre aufge-
der Herstellung der zuletzt genannten Elektrode zeigt. dampft werden, die aus Sauerstoff und einem inerten
Auf die gläserne Vorderwand wird zunächst diese Gas, ζ. B. Argon, besteht. Nach der Bildung der
Signalelektrode und darauf dann eine Zwischenschicht Schichten 4 werden diese einem Sauerstoff auf prall
mit einer Stärke von einigen μπι aufgedampft. durch eine Gasentladung in einer Sauerstoffatmo- ■'
Diese Schicht besteht aus Wismuttrioxid, das auch 25 Sphäre ausgesetzt. Der Träger 1 kann zu diesem Zweck,
mit Bleimonoxid gemischt werden kann. Auf diese mit der mit den Elektroden 2 und 3 und den Schichtend
Zwischenschicht wird nun durch Aufdampfen eine versehenen Seite nach innen gewendet, den Verschluß
weitere Schicht aus Bleimonoxid in einer Stärke von eines in F i g. 1 nicht dargestellten Gefäßes, bilden,
etwa 5 μπι aufgebracht. Nach dem Aufbringen dieser das an eine Vakuumpumpe angeschlossen und in dem
Schichten werden diese während einer Stunde auf eine 30 Sauerstoff mit einstellbarem Druck enthalten'ist.
Temperatur von 150 bis 25O0C in einer Sauerstoff- In dem Gefäß ist gegenüber der nach innen gewen-■
atmosphäre mit einem-Druck von etwa 5 · IO-4 cm Hg deten Seite des Trägers 1 in einem Abstand von einigen
gehalten. Damit erfolgt praktisch eine Erhöhung der Zentimetern von diesem ein Metallgitter 5 angeordnet.
Geschwindigkeit der^Saüerstoffmoleküle und eine Die miteinander verbundenen Elektroden2 und das
Herstellung einer Schicht wie oben beschrieben. 35 Gitter 5 werden durch getrennte Strömzuführungen 6
Es ist weiterhin aus der Literaturstelle »Helvetica und 7 außerhalb des Gefäßes an die Reihenschaltung
Physica Acta«, 30,1957, S. 495 ff., bekannt, die mittels eines Schalters 8, eines einstellbaren Vorwiderstandes9
einer Koronaentladung in der freien Atmosphäre er- und einer elektrischen Spannungsquelle 10 angeschloszeugten
negativen Sauerstoff ionen sich auf bzw. in die sen. Nachdem das Gefäß entlüftet und Sauerstoff mit
Oberfläche einer aus in einem Kunstharz dispergierten 40 einem Druck von 4000 bis 7000 · 10-s mm Hg, z.B.
Zinkoxid bestehenden Schicht absetzen und absorbie- etwa 5000 · 10~B mm Hg, eingeführt ist, wird zwischen
ren zu lassen. ;v.I!.,\ "''■■.■ dem Gitter 5 und den Bleimonoxidschichten 4 eine
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren der Gasentladung durch Schließen des Schalters 8 erzeugt,
eingangs erwähnten Art und ist dadurch gekennzeich- Die Speisequelle 10 kann nach Wahl eine Gleichnet,
daß der Säuerstoffaufprall mit Sauerstoffionen 45 spannungs- oder Wechselspannungsquelle sein, die
erfolgt, die durch eine Gasentladung in einer sauer- eine Spannung von z. B. etwa 1000 V liefert. Wenn als
stoff haltigen Atmosphäre bei niedrigem Druck er- Speisequelle 10 eine Gleichspannungsquelle benutzt
zeugt und zu der Schicht (4, 33) hin elektrisch be- wird, wird sie vorzugsweise derart geschaltet, daß das
schleunigt werden. .... Gitter 5 positiv gegen die Elektroden 2 ist. Der Vor-Durch
diese Behandlung des Bleimonoxids (PbO) 50 widerstand 9 ist so bemessen oder wird derart eingewird
z. B. eine wesentliche Verkleinerung des Dunkel- stellt, daß die Gasentladung zwischen dem Gitter 5
Stromes der photoempfindlichen Schicht erreicht. und den Schichten 4 eine Dichte des elektrischen
Für die Gasentladung kann die Schicht selbst als Stromes von z. B. 6 bis 10 μΑ pro Quadratzentimeter
Elektrode verwendet und, falls erforderlich, beleuchtet der Oberfläche der Schichten 4 hervorruft. Die Gaswerden.
Auch kann der-Aufprall in einer Sauerstoff- 55 entladung wird während einer Zeit zwischen 10 und 60
atmosphäre mit einem Druck von 4000 bis 6000 aufrechterhalten, und zwar um so länger, je kleiner die
• 10~s mm Hg, ζ. B. 5000 · ΙΟ-6 mm Hg, erfolgen. erwähnte Stromdichte ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Durch die Gasentladung werden die Schichten 4
Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher mit Sauerstoffionen bombardiert, die in diese Schichbeschrieben.
Es zeigt 60 ten aufgenommen werden und infolgedessen das Blei-F i g. 1 schematisch eine Stufe der Herstellung einer monoxid dieser Schichten mehr oder weniger eindeutig
Photowiderstandszelle mit auf einem Träger ange- p-leitfähig machen. Es ist unbedenklich, den Sauerstoff
brachten Elektroden, auf diese Schichten dermaßen intensiv aufprallen zu F i g. 2 schematisch einen Teil einer Anordnung zur lassen, daß diese Schichten infolge der verhältnismäßig
Herstellung einer Vidikon-Aufnahmeröhre. 65 großen Menge zusätzlichen Sauerstoffes in den Schichin
beiden Figuren sind verschiedene Abmessungen, ten 4 eine so große p-Leitfähigkeit erhalten, daß sie
insbesondere die Stärke der verschiedenen Elemente als gut leitend betrachtet werden können,
nicht maßstäblich dargestellt. Nach diesem Sauerstoffaufprall der Schichten 4 wird
3 4
auf den Träger 1 eine sich über die Schichten 4, die Tiegels 22 eine Menge Bleimonoxid geschmolzen und
Elektroden 3 und die zwischenliegenden Räume er- verdampf t worden, wodurch auf der Signalelektrode 30
- streckende, auch aus Bleimonoxid bestehende Schicht eine Schicht aus Bleimonoxid 33 mit einer Stärke von
aufgedampft. Diese Schicht, deren Oberfläche in der 10 bis 20 μπα abgelagert worden ist. Bei diesem Auf-F
i g. 1 mit einer gestrichelten Linie dargestellt ist und 5 dampfen der Schicht 33 kann das Fenster 20 durch
die in dieser Figur, obgleich sie in der in dieser Figur eine geeignete Flüssigkeit, z. B. Glycerin, in dem Gefäß
dargestellten Stufe noch nicht vorhanden ist, mit 11 29 auf einer mehr oder weniger konstanten Temperatur
bezeichnet ist, wird vorzugsweise derart aufgedampft, von etwa 1000C gehalten werden. Das Überdampfen
daß das Material dieser Schicht sich als eigenleitend des Bleimonoxides aus dem Tiegel 22 auf die Signalbzw, nahezu eigenleitend verhält. Die Schicht 11 kann io elektrode 30 kann in einer Atmosphäre durchgeführt
z. B. in einer Gasatmosphäre aufgedampft werden. werden, die Sauerstoff mit einem Druck von z. B. 1 bis
Nach der Bildung der Bleimonoxidschicht 11, die 2 · 10~5 mm Hg und ein inertes Gas, z. B. Argon, entmine
Stärke von z. B. 5 bis 10 μΐη haben kann, wird sie hält.
dauernd gegen die freie Atmosphäre durch eine darüber Nach dem Aufdampfen des Bleimonoxids 33 -wird
anzubringende Kappe oder einen Deckel verschlossen, 15 die Oberfläche dieser Schicht einem Sauerstoffionenderen
.: bzw. dessen Rand mit der Oberfläche des Trä- aufprall ausgesetzt. Die Ionen werden durch eine Gasgers
1 verbunden ist. Wenn der Träger 1 nicht durch- entladung in einer Sauerstoffatmosphäre im Innern des
sichtig ist, müssen die Kappe oder dieser Deckel Kolbens 21 erzeugt. Zu diesem Zweck werden die mit
durchsichtig sein. Der Raum zwischen dem Träger 1 der Signalelektrode 30 verbundene Leitung 31 und
und der Kappe oder dem Deckel kann entlüftet werden, 20 eine mit einem oder mit beiden Tragedrähten 23 und
um eine Beeinflussung der Schicht 11 durch Gase in 24 verbundene Leitung 34, die anders als einfachheitsdiesem
Raum zu vermeiden. Es ist günstig, Sauerstoff halber in F i g. 2 dargestellt ist, durch die Wand der
unter geringem Druck, z. B. etwa 100 · 10~5 mm Hg, mit dem Kolben verbundenen Pumpleitung zugeführt
in diesem Raum vorzusehen. ist, mit der Reihenschaltung einer Spannungsquelle 35,
Um die so hergestellte Photowiderstandszelle zu be- 25 eines Vorwiderstandes 36 und eines Schalters 37 vertreiben,
wird zwischen den Elektroden 2 einerseits und bunden. Die Spannungsquelle 35 ist vorzugsweise
den Elektroden 3 andererseits ein Stromkreis mit eine Gleichspannungsquelle, die z. B. etwa 1000 V
einer elektrischen Spannungsquelle und Mitteln zum liefert. Der Pluspol dieser Gleichspannungsquelle wird
Feststellen des elektrischen Stromes in diesem Kreis mit der Leitung 34 verbunden. Durch Schließen des
in der Weise angeschlossen, daß die Elektroden 2 an 30 Schalters 37 wird zwischen dem Platintiegel 22 und
den negativen Pol und die Elektroden 3 an den posi- der Bleimonoxidschicht 33 eine Gasentladung in der
tiven Pol der Spannungsquelle angeschlossen sind. Sauerstoff atmosphäre erzeugt, die in dieser Stufe im
Infolge der eindeutig größeren p-Leitfähigkeit der Kolben vorhanden ist. Diese Sauerstoff atmosphäre
Schichten 4 im Vergleich zu dem Werkstoff der Schicht kann einen Druck von 4000 bis 6000 · 10~5 mm Hg,
11 wird erreicht, daß der Dunkelstrom infolge etwaiger 35 z. B. einen Druck von etwa 5000 · 10~s mm Hg, haben,
durch die Elektroden 2 in das Bleimonoxid injizierten Um die Schicht 33 hinreichend leitend zu machen,
Elektronen niedrig bleibt. kann sie von oben her (L in F i g. 2) beleuchtet werden.
F i g. 2 zeigt schematisch einen Teil einer Anord- Der Vorschaltwiderstand 36 wird vorzugsweise derart
nung, durch welche auf ein mit einer Signalelektrode gewählt, daß der Gesamtstrom in diesem Kreis mit
30 versehenes Fenster 20 eines zylindrischen Kolbens 4° diesem Widerstand etwa 60 μΑ beträgt, was bedeutet,
21, der später die Umhüllung einer Vidikon-Auf- daß bei dem im Beispiel vorhandenen Durchmesser
nahmeröhre bildet, eine Schicht aus Bleimonoxid des Fensters 20 von etwa 3 cm die Stromdichte in der
aufgedampft wird, wobei die Oberfläche dieser Schicht Schicht 33 etwa 8 μΑ/cm2 beträgt,
durch Gasentladung in einer Sauerstoffatmosphäre Bei dem erwähnten Druck der Sauerstoffatmo-
einem Sauerstoff auf prall ausgesetzt wird. 45 Sphäre im Kolben 21 von etwa 5000 · 10~5 mm Hg,
Der Kolben 21 ist an eine nicht dargestellte Leitung einer Spannung der Quelle 35 von etwa 1000 V und
eines Pumpensystems angeschlossen. Im Innern des einem Abstand zwischen der oberen Seite des Tiegels 22
Kolbens, gegenüber dem Fenster 20, ist ein Auf- und der Oberfläche der Schicht 33 von etwa 40 mm
dampf gefäß 22 angeordnet, das von zwei zusammen eignet sich bei ausreichender Beleuchtung der Schicht 33
als Thermoelement wirkenden Drähten 23 und 24 5° ein Vorschaltwiderstand 36 von 6 MOhm.
abgebogen wird, die in einem Glasträger 25 befestigt Die Dauer der Gasentladung, bei welcher die Obersind. Im Innern des Kolbens 21 enden zwei Kapillar- fläche der Schicht 33 mit Sauerstoffionen bombardiert röhrchen 26 und 27, durch welche z. B. Sauerstoff oder wird, wobei die Ionen in diese Schicht aufgenommen ein Gemisch von zwei oder mehreren Gasen in einer werden, kann etwa eine halbe Minute betragen. Es ist einstellbaren Strömung in den Kolben 21 eingeführt 55 nicht notwendig, daß das Fenster 20 auf einer bestimmwerden können. Um die obere Seite des Kolbens 21 ten Temperatur gehalten wird. Das Fenster kann auf ist ein durch einen Gummiring 28, der sich an den Zimmertemperatur gehalten werden.
Kolben 21 anschließt, verschlossenes Gefäß 29 ange- Es ist nicht notwendig, daß bei der Gasentladung in bracht, das eine Flüssigkeit enthalten kann, mit der das der Sauerstoffatmosphäre im Kolben 21 die Bleimon-Fenster 20 auf einer bestimmten Temperatur gehalten 60 oxidschicht 33 selber eine der Elektroden bildet. Man wird. kann im Kolben 21 auch eine getrennte Elektrode
abgebogen wird, die in einem Glasträger 25 befestigt Die Dauer der Gasentladung, bei welcher die Obersind. Im Innern des Kolbens 21 enden zwei Kapillar- fläche der Schicht 33 mit Sauerstoffionen bombardiert röhrchen 26 und 27, durch welche z. B. Sauerstoff oder wird, wobei die Ionen in diese Schicht aufgenommen ein Gemisch von zwei oder mehreren Gasen in einer werden, kann etwa eine halbe Minute betragen. Es ist einstellbaren Strömung in den Kolben 21 eingeführt 55 nicht notwendig, daß das Fenster 20 auf einer bestimmwerden können. Um die obere Seite des Kolbens 21 ten Temperatur gehalten wird. Das Fenster kann auf ist ein durch einen Gummiring 28, der sich an den Zimmertemperatur gehalten werden.
Kolben 21 anschließt, verschlossenes Gefäß 29 ange- Es ist nicht notwendig, daß bei der Gasentladung in bracht, das eine Flüssigkeit enthalten kann, mit der das der Sauerstoffatmosphäre im Kolben 21 die Bleimon-Fenster 20 auf einer bestimmten Temperatur gehalten 60 oxidschicht 33 selber eine der Elektroden bildet. Man wird. kann im Kolben 21 auch eine getrennte Elektrode
Die Innenseite des Fensters 20 ist mit einer durch- gegenüber dem oder um den Platintiegel 22 anbringen,
sichtigen, leitenden Signalelektrode 30 versehen, die z. B. eine Elektrode in Form eines Metallzylinders 40,
z. B. aus leitendem Zinnoxid bestehen kann, mit der der in F i g. 2 durch eine gestrichelte Linie dargestellt
eine nach der Außenseite des Kolbens geführte Strom- 65 ist. In diesem Falle wird der Schalter 37 nicht an die
zuführungsleitung 31 verbunden ist. In der dem Zu- mit der Signalelektrode 30 verbundene Leitung 31,
stand nach F i g. 2 vorhergehenden Stufe ist durch sondern an eine durch eine gestrichelte Linie darge-
Hochfrequenzerwärmung des aus Platin bestehenden stellte Leitung 38 angeschlossen, die auch wieder
anders, als einfachheitshalber in F i g. 2 dargestellt ist,
durch die Wand der Pumpleitung geführt ist, auf welcher der Kolben 21 angebracht und die mit dem
Zylinder 40 verbunden ist. Dieser Zylinder kann auf der oberen Seite gegebenenfalls durch eine Gaze 39
verschlossen sein.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung einer photoemp-
findlichen Vorrichtung, bei dem auf einen mit
mindestens einer Elektrode versehenen Träger eine Bleimonoxidschicht aufgedampft wird, die einem
' ■■;·.■ Sauerstoffaufprall ausgesetzt wird, dadurch
gekeηnzeichnet, daß der Sauerstoffaufprall
mit Sauerstoffionen erfolgt, die durch eine Gasentladung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre
bei niedrigem Druck erzeugt und zu der Schicht (4, 33) hin elektrisch beschleunigt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Gasentladung die Schicht
(4, 33) selbst als Elektrode verwendet und, falls erforderlich, beleuchtet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Aufprall in einer
Sauerstoff atmosphäre mit einem Druck von 4000 bis 6000 · 10-5 mm Hg, z.B. 5000 · IQ-5 mm Hg,
erfolgt. .
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL63290120A NL145987B (nl) | 1963-03-12 | 1963-03-12 | Werkwijze voor het vervaardigen van een beeldopneembuis en een beeldopneembuis vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1489145A1 DE1489145A1 (de) | 1969-01-09 |
DE1489145B2 true DE1489145B2 (de) | 1970-09-10 |
Family
ID=19754516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19641489145 Pending DE1489145B2 (de) | 1963-03-12 | 1964-03-09 | Verfahren zur Herstellung einer photoempfindlichen Vorrichtung |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3307983A (de) |
JP (1) | JPS4027987B1 (de) |
AT (1) | AT245640B (de) |
CH (1) | CH430898A (de) |
DE (1) | DE1489145B2 (de) |
DK (1) | DK119436B (de) |
ES (1) | ES297431A1 (de) |
FR (1) | FR1385209A (de) |
GB (1) | GB1070622A (de) |
NL (2) | NL145987B (de) |
NO (1) | NO116423B (de) |
SE (1) | SE327471B (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR95921E (fr) * | 1963-08-06 | 1972-03-10 | Gen Electric | Plaque au monoxyde de plomb pour électrophotographie par rayons x, et procédé pour sa préparation. |
NL6500458A (de) * | 1965-01-15 | 1966-07-18 | ||
US3468705A (en) * | 1965-11-26 | 1969-09-23 | Xerox Corp | Method of preparing lead oxide films |
US3492621A (en) * | 1966-06-24 | 1970-01-27 | Nippon Kogaku Kk | High sensitivity photoconductive cell |
US3607388A (en) * | 1967-03-18 | 1971-09-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of preparing photoconductive layers on substrates |
JPS4910709B1 (de) * | 1968-03-08 | 1974-03-12 | ||
US3530055A (en) * | 1968-08-26 | 1970-09-22 | Ibm | Formation of layers of solids on substrates |
JPS4929828B1 (de) * | 1968-10-25 | 1974-08-07 | ||
US4189406A (en) * | 1974-02-04 | 1980-02-19 | Eastman Kodak Company | Method for hot-pressing photoconductors |
US3909308A (en) * | 1974-08-19 | 1975-09-30 | Rca Corp | Production of lead monoxide coated vidicon target |
US4170662A (en) * | 1974-11-05 | 1979-10-09 | Eastman Kodak Company | Plasma plating |
US4001099A (en) * | 1976-03-03 | 1977-01-04 | Rca Corporation | Photosensitive camera tube target primarily of lead monoxide |
JPH068509B2 (ja) * | 1985-09-17 | 1994-02-02 | 勝 岡田 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH291362A (de) * | 1950-08-03 | 1953-06-15 | Berghaus Elektrophysik Anst | Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung technischer Prozesse mittels Gasentladungen, die mit einer kathodeischen Werkstoffzerstäubung verbunden sind. |
US3174882A (en) * | 1961-02-02 | 1965-03-23 | Bell Telephone Labor Inc | Tunnel diode |
-
0
- NL NL290120D patent/NL290120A/xx unknown
-
1963
- 1963-03-12 NL NL63290120A patent/NL145987B/xx not_active IP Right Cessation
-
1964
- 1964-03-09 DE DE19641489145 patent/DE1489145B2/de active Pending
- 1964-03-09 CH CH298564A patent/CH430898A/de unknown
- 1964-03-09 AT AT201164A patent/AT245640B/de active
- 1964-03-09 DK DK118564AA patent/DK119436B/da unknown
- 1964-03-09 SE SE02939/64A patent/SE327471B/xx unknown
- 1964-03-09 NO NO152357A patent/NO116423B/no unknown
- 1964-03-10 GB GB10053/64A patent/GB1070622A/en not_active Expired
- 1964-03-10 ES ES0297431A patent/ES297431A1/es not_active Expired
- 1964-03-10 US US350872A patent/US3307983A/en not_active Expired - Lifetime
- 1964-03-12 JP JP1360464A patent/JPS4027987B1/ja active Pending
- 1964-03-12 FR FR967120A patent/FR1385209A/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL290120A (de) | |
NO116423B (de) | 1969-03-24 |
JPS4027987B1 (de) | 1965-12-10 |
NL145987B (nl) | 1975-05-15 |
ES297431A1 (es) | 1964-05-16 |
FR1385209A (fr) | 1965-01-08 |
CH430898A (de) | 1967-02-28 |
US3307983A (en) | 1967-03-07 |
SE327471B (de) | 1970-08-24 |
GB1070622A (en) | 1967-06-01 |
DK119436B (da) | 1971-01-04 |
DE1489145A1 (de) | 1969-01-09 |
AT245640B (de) | 1966-03-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |