DE1471070A1 - Heissgepresster Silikaglas-Bornitridkoerper - Google Patents
Heissgepresster Silikaglas-BornitridkoerperInfo
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- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
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Description
The Carborundum Company
Niagara Falls, Ν.Υ., USA 28.7.1964
Heissgepresster Silikaglas-Bornitridkörper
Die Erfindung bezieht sich auf Bornitridkörper und bezweckt, dielektrische Eigenschaften zu erzeugen und einen guten
Widerstand gegen Feuchtigkeit zu erzielen.
In der Elektro-Industrie werden. Isoliermaterialien verlangt,
die eine hohe Dielektrizitätskonstante haben sowie einen niedrigen Energieverbrauch, Widerstandsfähigkeit
gegen Wärmestösse und Feuchtigkeit, hohe Festigkeit, hohe Dichte und gute Bearbeitbarkeit. Verbindungen für Isolatoren
mit all diesen Eigenschaften sind bisher unbekannt. Als Isoliermaterialien werden meist Porzellan, Steatitporzellan,
gesintertes Aluminiumoxyd, geschmolzenes Siliziumoxyd und Borsilikaglas verwendet.Porzellan hat einen hohen
Energieverbrauch und geringen Widerstand gegen Wärmestösse. Steatitporzellan hat geringen Widerstand gegen
Wärmestösse und wegen der !Instabilität des MgSiG, bei
Feuchtigkeit schlechte elektrische Betriebseigenschaften. Geschmolzenes Siliziumoxyd hat zwar gute elektrische
Eigenschaften und einen hohen Widerstand gegen Wärmestösse, es ist aber sehr teuer und bricht leicht. Auch
gesintertes Aluminiumoxyd hat gute elektrische Eigenschaften, aber geringeren Widerstand gegen Wärmestöße,
und es ist auch sehr teuer und bricht leicht. Borsilikaglas
hat zufriedenstellende elektrische Eigenschaften, aber es ist in Wasser unstabil und bricht verhältnismässig
leicht, Alle genannten Materialien sind schlecht bearbeitbar. Bearbeitbarkeit ist aber wichtig wegen der Formgebungen
und/oder der engen Toleranzen, die bei der
Wo/Th ■ - 2 -
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elektrischen Isolierung von keramischen Materialien gefordert
werden. Man kann wohl die keramischen Materialien schleifen, aber das ist schwierig, weil die Materialien
leicht "brechen.
Die Erfindung bezweckt also die Schaffung von Isolierkörpern
mit guten physikalischen elektrischen Eigenschaften, die stabil und leicht bearbeitbar sind und
billig sind.
Die obengenannten gewünschten Eigenschaften sind erfindungsgemäß erzielbar, wenn die Körper aus rekristallisiertem
Bornitrid und Silikaglas bestehen.
Bornitrid (BN) kommt meistens als feines weisses oder
graues Pulver vor, das sich schlüpfrig anfühlt, und das bei ungefähr 3000° C schmilzt oder sich zersetzt. Bornitrid
kann in einer neutralen Atmosphäre ohne Zersetzung bis über 2000° 0 erhitzt werden. Bornitrit ist
feuerfest und nicht leitend und ist wegen seiner? Schlüpfrigkeit
als hitzefestes Schmiermittel benutzt worden.
Beispielsweise nach dem US-Patent 2 839 366 hergestelltes
Bornitrid hat im trockenen Zustand eine Dielektrizitätskonstante E von ungefähr 4,2 bei 25 ~C und 1 kc sowie
einen geringen Energieverbrauch. Man kann ein solches
Bornitrid heisspressen in einer G-raphitform und so leicht bearbeitbare Isolierkörper herstellen. Die Körper sind
aber dann sehr empfindlich gegenüber Wasser, und die elektrischen Eigenschaften solcher Körper sind in nassem
Zustande schlecht. Erhitzt man Bornitrid auf etwa 1000° C, dann wird es widerstandsfähiger gegen Oxydation
bei hohen Temperaturen, aber durch eine solche Behandlung
des Pulvers, die auch Stabilisierung genannt wird, verschwindet die ungünstige Einwirkung der Feuchtigkeit
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auf dl« elektrischen Eigenschaften nioht. Biese ungünstigen
Einflüsse eohreibt man der Anwesenheit von Boroxyd (B2Oa)
Oder von Substanzen zu, die unter Hydrolyse Boroxyd
bilden. Selbst nach Stabilisierung von Bornitrid ist
bei Anwesenheit ron Wasser Boroxyd vorhanden.
Is hat sioh ergeben, dass bei Verwendung von rekrlstallisiertem Bornitrid sich ein Körper ergibt, der kein freies
SpO« enthält» selbst wenn der Körper sechs !Tage lang
kochendem Wasser ausgesetzt wird* Das RekrIstallisleren
kann erfolgen, Indem man das Bornitrid auf über 1800° C,
zweokm&ssig auf etwa 2000° 0, erhitzt, jedenfalls aber
unter der Zeroetzungstemperatur, und zwar solange, bis
Hekrietallisierung auftritt. Im allgemeine^ genügt eine
Erhitzungsdauer von etwa einer Stunde im unteren Erhitzungebereich. Obgleich, wie oben gesagt, rekristallislertee Bornitrid stabil ist, selbst bei längerer Aus
wirkung von kochendem f.aeser, ist es nicht «u Isoliexkörpern heiss preesbar. Man konnte also dielektrische
Körper aus reinem rekriatalliaiertem Bornitrid nioht
herstellen*
Erfindungsgemäes ergeben sich aber solche Isolierkörper
durch Verwendung von Mischungen von rekristallisieren
Bornitrid und Eilika. Solche Körper haben eine DielektriBitätskonstante K von etwa 4 bei 1 ko und 25° C
sowie einen Energieverbrauch von etwa 4 χ 10 ♦ Die
Körper werden von feuchtigkeit nicht beeinflusst, sind hoohwiderstandsfählg gegen Wärmestösse und sind in einem
groesen Silikabereich gut bearbeitbar» Die Körper haben
also alle die obengenannten, für ein keramleohes
dielektrisches material gewünschten Eigenschaften.Die
Körper sind ausserdem billig herzustellen.
Die herstellung erfolgt durch Heitspreseen einer wischung
von Silika und rekristalliaertem Bornitrid in einer
909809/0399 BAD
Vieralg Ttllt fein verteilten r*kri*talli«i·**·« »·**
nitrite Alt eintr fartikelgröeie τοη 1 Ut 5
; wurden «it etoheaig Teilen feinen eiUkaful##t# f$t
Partikelgröeee τοη 1 bie 5 Mikron vereitent und i» eü*
ι Graphitfor« eingebracht iweok· Bildung τοη Zylindern
! j 100 χ 100 asu Die gt*ohloteent For« wurde in einen IVf
; Heieepreeeen geeigneten Ofen eingebracht und In eiaea
Stlokatoffstroa auf 1750° 0 erhitat. 9er 8Uoketo**
, eohütet gegen uxyd*tiont Dann wurde 90 Minuten lamg el»
Foradruok τοη 14 kg/oa2 angewendet* Raoh Abkühlen der
for« konnten τοη dem geformten Zylinder «it mit Karbidepitien Ttetetüekt abgeeohnitten werten«
Der erhaltene Körper haue»int Dichte τοη 2,2 gr/a*'f
hatte ein· tbtnt Jläoh· und war wel··« Ilek
eine· eolohtn I·ölitrkörper· teigten ein I τοη 9»$ 1*1
1 ko und 29° 0 und einen Snergitvtrbrauoh »ei Troekensuatand τοη 3,0 χ 10~« Litte aan eine felngeaahle«·
Menge 4Θ Stunden lang in destillierte« "waeeer mnd
«an» dann etigtt eioh, da·· da· Filtrat ktin IgO- ent*
hielt« Dadurch ergibt eich, da·· da· Produkt in *·#■·*
■tabll ist« Bestätigt wurde dae, indem «an ein auiter
••oh« lag· lang bei 20° 0 in Waettr elntauoht« und
troeken wieohte. Bei Tier Minuten lang·« Test war te·
i iaaer nooh 3,5 bei 1 ko und 25° 0» und der Inergie ·»
-4
Die äueaaaanotsung dtr Körptr kann variitren, wie sieb
aus folgendem Beispiel ergibt·
PünfundeeohBig Teile fein verteilten rekrittallieierten
Bornitrid· wurden mit fünfunddreieelg Teilen feinen
Silikapulver· Teraieoht und in einer öraphitfor« hei··
90Ö80S/0399
ORIGINAL
!•ft···!· Ι Ham wurde in StIok·toff auf 1750° 0 erhitit,
und ·· Wttri· 90 Minuten lan« «in JOradruok von 14 kg/om2
angewendet. Die abgeeohnittenen feststüoke hatten «in·
l Ton 3,37 *·1 1 ko und 25° ö
■owie einen Inergitverbrauch von 9,2 ζ 10 %
fels.piel III
Aus seehsig feilen fein verteilten rekristallisieren
Bornitrid· und vierzig Teilen fein verteilter Silika wurde eben·©» wie im Beispiel II, ein Körper heiasgepresst,
der ein I roe. 3#87 bei 1 ko und 25° 0 hatte sowie einen
Energieverbrauch von 1,4 x 10 .
Dae MieohungeverhältniG liegt vorzugsweise zwiaohea
öle 60?C Silika und 40^ bis 65* Bornitrid. Aber auch bei
einem Anteil von 7Ö£ oder 3 O^ ergeben ei oh imrner nooh
für beetiaaite Sweoke gute Bigensohaiten.
£ fWäe· der Erfindung sind aiemlich dicht und haben
•in epeiifieeiiee ^©wioht von Z,16 oder höher, und sie
sind leiont bearbeitbar. Di· Körper widerstehen einer
Zersturung duroii Viaeeer, und ihre Struktur besteht aus
fein verteilten Bornitridpartikeln in einer kontinuierlichen Blase einer Slasiaaese» die im wesentlichen ailik«.
ist. Offenbai benetat die &laeaasse die Bornitridp&rtikel,
ohne diese Partikel anaugreifen, und es besteht keine
feaäens auf
BIe dielektrisch· Konstante beträgt bei den erfindungage-
»Mssen Körpern bei 1 ko und 25° C 2,$ bis 4,5, und der
beträgt in trockenen 2uatand zwiaehen
bie 10 ζ 10""^, Die Körper sind si«mlioh Oxydetione-
£tst und ktttmen In der Luft mehr als drei 'Jage einer *
bad
Temperatur von 1000° C ausgesetst werden sit nur »ehr geringem Verlust, verglichen mit einem heissgepreftafen Körper
nur aua Bornitrid. Auch bei längerem Aueeetsen in eine;
oxydierenden Atmosphäre, selbst bei 1100° G1 ergeben »loh
keine übermäsBlgen Verluste. Dlenerfindungegemäseen Körper
haben auch β ne verhältnismässig' gute Festigkeit und ausgezeichneten Widerstand gegen Wäratstüsse. Die festigkeit
beträgt etwa 10,5 kg/om bei Baumtemperatur« Zur Beetimmung
des Widerstandes gegen Wärmeetöeae wurden Teetkörper naon
Beispiel I auf 1400° 0 erhitat und βohne11 abgekühlt. Se
zeigten 8ion weder Oxydation nooh Bisse, und auoh bei
swansigmallger Wiederholung der Irhitsung und der Abkühlung
zeigten β loh bei ßintauohen der Körper in kaltes Wa**#r
keine Deformationen. Daraus 1st eraiohtlioh, dass die
Körper einen ausgezeichneten Widerstand gegen Wärme·tösee
haben. Beim dessen der Wärmeauedehnung der Körper ergab
«loh ein sehr niedriger Koeffizient und sehr viel weniger
Anisotropie als beixgewöhnliohem heiesgepreseten Bornitrid. Die armeleitfähigkeit der erfindungsgemäeeen
Körper ist hoch und liegt etwa bei 100 Btu/ft2-Är-°f/in.
Sie Sgga der Körper kann variieren. Beispieleweise können der Pressdruck, die Temperatur und die Zeit
auoh. andere sein. Gewöhnlich ist ein Formdruok von
14 kg/om vorzuziehen, wobei eioh die gewünscht^ Dichte
ergibt, aber im ersten feil der Erhitzung kann der Formdruck auoh 28 kg/om betragen, und dann kann die Ire·.··»
■eit geringer sein. Bei höheren Temperaturen kann ge*
wöhalioh ein niedrigerer ?ormdruok verwendet werden, ^e
können auch sehr hohe Drüoke verwendet werden» aber da·
1·% nicht notwendig und hat keine bestimmten Verteile»
Auch die Paxtlkelgrösae der Mischungsbestandteile keim
variieren.
«AD
lltgen* DIi Temperatur kann manchmal höher sein, soll
aber nicht Unterhalb 1700° 0 liegen. 1750° 0 sind am
etaten, Bei tine*, solchen Temperatur und bei einem Druck
Ten U kg/t** ergibt tion bei dreißig Minuten langem
Frttttn tin aptalfltthtt ttewioht von etwa 2ι16 oder höher.
Beihttherea Temperaturen und höherem Druck verringert
tieh dlt aUfeuweadende Seit und umgekehrt. Beim Abkühlen
nath dem fressen muss darauf geaohtet «erden» dass kelnt
Xatglatung dee SllikagXattt eintritt* Idtalerweitt betteken die trfindungegeateeen Körper nur aut Bornitrid
und eiliktfiei. Nietens sind abtr kleinere Bestandteile
von Verunreinigungen vorhanden» «it beispielsweise
HgQ* *2,»$ι* **Ö mnd B2°3* Wtnn dle Anttile tolohtr Veranstinigungtn einen Bruohteil eines Prozentes betragen,
dann «erden eis Beetandteile der Glasphase und tlnd in den
aeltten Pillen nicht eohHdlioh. Einige der Unreinigkeiten
bilden allerdings Verbindungen, die den Wideretand der aiaaphaee gegen Watttr verringern, und dit deehalb auch,
bei gröeeeren Mengenanteilen, die elektrischen Eigenschaften
itt Körpers ungünstig bttinflutatn. Auf jeden Fall sind
aber ntlttgtprtuttt Körper aut Bornitridι gebunden mit
ßillkaglae» besser alt nur aut Bornitrid bestehende törper.
11t oben angegeben» können elektrische Isolierkörper direkt
geformt werden oder aber auch aue gröaeeren Körpern durch
Bearbeitung hergestellt werden. Betondera intereseant eind
kleine bearbeitete Isolatoren, well den bearbeiteten Flächen tint gute Qberfläohenbeeohaffenhelt gegeben «erden kann»
wie das btltplelt«tlae erforderlich let für die Unterlagen von Geltungen mit dünnem Film sowie bei Mikroleltungen.
Im letzteren Falle let die Wärmeleitfähigkeit der erfindungtgtmäeaen Körper besonders erwünscht.
Soweit im Vorhergehenden von froienteätaen gesprochen wird,
tlnd ProeentsätJce und Teilsahlen auf das Gewicht eurUokaubeaiehen·.
■; ^
Patentansprüche ι
909809/0399
-8-
Claims (3)
1) HeieegepreeBter Silikaglae-Bornitridkörperf dadurch
gekennzeichnet, date dm» Bornitrid rekriitallieieitt·
Bornitrid let und in einem Anteil von 30 big 7Q£
vorhanden let*
2) ileieegepreester Silikaglae-Bornitridkörper nach An-■pruch 1, dadurch gekenaeelohnet» da as Bornitrid mit
feinen Partikeln in dem Silikagla· verteilt let«
3) Verfahren sur Einteilung eine« ktramiiohtn Ieolier-
Körptr» nach. Anepruoh 1 oder 2» dadurch g*k«nne·lohnet,
da·· die fein verteilte Mitohung der
bei wenigfiten· et«« 1700° io langt und bei lolohen
Drücken heleegepresst nird9 dae· eich ein «p«*ifi»ohee
Geflöht von etwa 2#16 ergibt, und dae Abkühlen te«
Körper« eo erfolgt» da» keine Eniglaeung de« Silikagl&eet auftritt«
BAD ORIGINAL 9 0 9809/039 9
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US310521A US3240614A (en) | 1963-09-19 | 1963-09-19 | Bonded boron nitride |
US31052163 | 1963-09-19 | ||
DEC0033539 | 1964-07-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1471070A1 true DE1471070A1 (de) | 1969-02-27 |
DE1471070B2 DE1471070B2 (de) | 1972-08-24 |
DE1471070C DE1471070C (de) | 1973-03-22 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL143885B (nl) | 1974-11-15 |
US3240614A (en) | 1966-03-15 |
NL6410158A (de) | 1965-03-22 |
DE1471070B2 (de) | 1972-08-24 |
GB1052295A (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |