DE1471070C - Isolierkörper für die Elektroindustrie und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Isolierkörper für die Elektroindustrie und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
weiter Grenzen des Siliciumdioxid-Gehaltes gut bearbeitbar. Die Körper haben also alle für einen keramischen
elektrischen Isolierwerkstoff aufgeführten Eigenschaften und sind außerdem billig herzustellen.
Gemäß der Erfindung werden die Isolierkörper durch. Heißpressung einer Mischung von Siliciumdioxid
und rekristallisiertem Bornitrid in einer Stickstoffatmosphäre hergestellt.
In der Technik sind zwar bereits Heißpreßkörper aus Bornitrid einerseits und Siliciumnitrid und/oder
Aluminiumnitrid und gegebenenfalls Siliciumcarbid als Bindemittel andererseits oder aus Bornitrid und
Metallsiliciden bekanntgeworden, doch handelt es sich dabei durchweg um Feuerfestkörper, die kein rekristallisiertes
Bornitrid enthalten und auch bei Temperaturen heißgepreßt werden, die weit unterhalb der
Rekristallisationstemperatur des Bornitrids liegen. Ihre elektrischen sowie ihre mechanischen Eigenschaften
und ihre Bearbeitbarkeit entsprechen nicht den oben für elektrische Isolierkörper aufgestellten
Forderungen.
Folgende Beispiele veranschaulichen die Erfindung.
40 Teile feinverteiltes rekristallisiertes Bornitrid mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 1 bis 5 μπι
wurde mit 60 Teilen feinem Siliciumdioxidpulver mit einem Teilchendurchmesser von 1 bis 5 μΐη vermischt
und in eine Graphitform eingefüllt, die sich zum Formen
von Zylindern der Abmessungen 100 mm Durchmesser · 100 mm eignete.
Die geschlossene Form wurde in einem zum Heißpressen geeigneten Ofen eingesetzt und in einem
Stickstoffstrom auf 17500C erhitzt. Der Stickstoff
hatte, dabei die Aufgabe, die Form gegen Oxydation zu schützen. Dann wurde 90 Minuten lang ein Formdruck
von 140 kp/cm2 ausgeübt. Nach dem Abkühlen der Form wurde ein Zylinder erhalten, von.dem mit
Hartmetall bestückten Werkzeugen leicht Prüfkörper abgetrennt werden konnten.
Das erhaltene Produkt hatte eine Dichte von 2,2 g/cm3, eine grauweiße Farbe und eine glatte Oberfläche.
Eine Untersuchung der elektrischen Eigenschaften der aus dem keramischen Körper erhaltenen
ι Prüflinge ergab eine Dielektrizitätskonstante von • k = 3,5 bei 1 kHz und 25° C sowie im trockenen Zuj
stand einen elektrischen Verlustfaktor von 3,0 · 10~4. j Kochen einer feingemahlenen Probe des Produktes
48 Stunden lang in destilliertem Wasser am Rückflußkühler und Abfiltrieren ergab ein Filtrat, in dem kein
B2O3 festgestellt werden konnte. Daraus geht hervor,
daß das Produkt in Wasser beständig ist. Dies wurde auch durch einen Versuch bestätigt, bei dem eine
Probe 6 Tage lang bei 200C in Wasser eingetaucht,
trockengerieben und innerhalb von 4 Minuten geprüft wurde. Die Dielektrizitätskonstante A: war immer
noch 3,5 bei 1 kHz und 25 0C, und der elektrische Verlustfaktor betrug nur 3,3 · 10~4. Die Zusammensetzung
der Isolierkörper gemäß der Erfindung kann innerhalb verhältnismäßig weiter Grenzen variieren,
wie sich aus folgendem Beispiel ergibt.
65 Teile feinverteiltes rekristallisiertes Bornitrid wurden mit 35 Teilen feinem Siliciumdioxidpulver
gründlich vermischt, und die Mischung wurde in eine zum Heißpressen geeignete Graphitform gefüllt. Die
gefüllte Form wurde in Stickstoff auf 17500C erhitzt, und es wurde 90 Minuten lang ein Formdruck von
140 kp/cm2 ausgeübt. Die Form wurde dann abgekühlt und der Heißpreßkörper herausgenommen. Mit Hilfe
gebräuchlicher carbidbestückter Werkzeuge wurden aus dem Körper Isolierprüflinge herausgeschnitten.
Die Prüflinge hatten eine Dielektrizitätskonstante von 3,37 bei 25°C und 1 kHz und einen elektrischen
ίο Verlustfaktor von 9,2 · ΙΟ-4.
Aus einer Mischung von 60 Teilen feinverteiltem rekristallisiertem
Bornitrid und 40 Teilen feinverteiltem Siliciumdioxid wurde unter Verwendung der gleichen
Einrichtung und des gleichen Verfahrens wie im Beispiel 2 ein Körper heißgepreßt. Der erhaltene kerami-.
sehe Isolierkörper hatte eine Dielektrizitätskonstante von k = 3,87 bei 1 kHz und 25 0C sowie einen Verlustfaktor
von 1,4 · ΙΟ-4.
Wie aus vorstehenden Beispielen ersichtlich, liegt die Zusammensetzung der erfindungsgemäß vorgeschlagenen
Körper vorzugsweise im Bereich von 35 bis 60% Siliciumdioxid und 40 bis 65% Bornitrid. Es wurde
jedoch gefunden, daß auch Körper dieser Art, bei denen der Bornitridgehalt bis zu 70% oder bis herab
zu 30% beträgt, die gewünschten Eigenschaften haben und für bestimmte Zwecke brauchbar sind.
Die Körper gemäß der vorliegenden Erfindung sind verhältnismäßig dicht, haben ein spezifisches Gewicht
von 2,16 oder höher, lassen sich leicht spangebend bearbeiten, d. h., sie können leicht nach herkömmlichen
Verfahren und mit Hilfe gebräuchlicher Hartmetallwerkzeuge spanend geformt werden, sind gegen eine
Verschlechterung ihrer Eigenschaften durch Wasser sehr beständig und haben ein G.efüge, das durch feinverteilte
Bornitridteilchen als dispergierter Phase in einer kontinuierlichen Phase einer glasartigen Matrix
gekennzeichnet ist, die im Wesentlichen aus Siliciumdioxid besteht. Die glasartige Matrix scheint die Bornitridteilchen
zu benetzen, ohne sie anzugreifen, und es scheint auch keine Neigung zur Entglasung zu bestehen.
Hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften haben die Körper Dielektrizitätskonstanten bei 25 0C und
1 kHz im Bereich von k = 2,5 bis 4,5 und im trockenen Zustand Verlustfaktoren von 1 · 10-" bis 10 · ΙΟ"4.
Die Körper sind gegen Oxydation sehr widerstandsfähig. Sie überstehen im Gegensatz zu heißgepreßten
Körpern, die nur aus Bornitrid bestehen, erhitzen in Luft auf 10000C für eine Dauer von mehr als 3 Tagen
mit nur leichtem Gewichtsverlust. Selbst eine längere Einwirkung einer oxydierenden Atmosphäre bei
11000C ist möglich, ohne daß unannehmbar hohe Gewichtsverluste auftreten. Die Körper gemäß der
Erfindung zeichnen sich ferner durch eine verhältnismäßig gute Festigkeit und eine ausgezeichnete Temperaturwechselfestigkeit
aus. Die Festigkeit liegt in der Größenordnung von 1055 kp/cm2 bei Raumtemperatur.
Zur Bestimmung der Temperaturwechselfestigkeit wurden Prüflinge, die aus einem Körper wie dem des
Beispiels 1 herausgeschnitten worden waren, abwechselnd auf 14000C erhitzt und dann rasch abgekühlt.
Nach zwanzig Zyklen dieser Behandlung und anschließendem Eintauchen der heißen Prüflinge in kaltes
Wasser wurden keine Oxydation, Rißbildung oder
5 6
Verformung beobachtet. Es ist daher offensichtlich, einem spezifischen Gewicht von etwa 2,16 oder höher
daß die Körper eine ausgezeichnete Temperatur- erhalten. Wie zu erwarten, verringert sich die Zeit zur
Wechselfestigkeit haben. Messungen der Wärmeaus- Erzielung der gewünschten Körper mit höheren Temdehnung
der Körper gemäß der Erfindung ergaben peraturen und höheren Drücken und umgekehrt,
einen sehr niedrigen Beiwert und erheblich geringere 5 Erwähnt sei hier, daß die Körper nach dem Heißanisotropische
Eigenschaften, als sie bei heißgepreß- pressen mit.einer .solchen Geschwindigkeit abgekühlt
tem gewöhnlichem Bornitrid gefunden werden. Die ■Werden;--JjpüSS>"etv';daß' eine Entglasung des Süicium-Wärmeleitfähigkeit
der Körper gemäß der Erfindung dioxidglS'se.s.A'ermieden wird.
ist hoch, sie liegt in der Größenordnung von Im Idealfall bestehen die Körper gemäß der vor-
12,4 kcal/m · h · grd. io liegenden Erfindung nur aus Bornitrid und Silicium-
Das in den Beispielen veranschaulichte Verfahren dioxid. In den meisten Fällen jedoch enthalten das
zur Herstellung der Körper gemäß der Erfindung kann Siliciumdioxid und/oder das Bornitrid kleinere Anteile
in verschiedener Weise abgeändert werden. Beispiels- oder Verunreinigungen von MgO, Al2O3, BaO und
weise können die Preßbedingungen in bezug auf den B2O3. Wenn diese Stoffe in sehr kleinen Mengen zuDruck,
die Temperatur und die Dauer geändert wer- 15 gegen sind, d. h. in der Größenordnung von Bruchden.
Ein Druck von mindestens 140 kp/cm2 ist in der teilen eines Prozentes, werden sie zu einem Teil der
Regel vorzuziehen, um die gewünschte Dichte der Glasphase und stören bei den meisten Verwendungs-Körper
zu erzielen, doch kann im unteren Teil des zwecken nicht. Einige dieser Verunreinigungen bilden
bevorzugten Temperaturbereichs ein Druck von jedoch Verbindungen, die die Beständigkeit der Glas-280
kp/cm2 oder mehr zweckmäßiger sein und eine 20 phase gegen Wasser herabsetzen und die daher, wenn
Verkürzung der Preßzeit ermöglichen. Bei höheren sie in wesentlichen Mengen vorhanden sind, die elek-Temperaturen
reichen in der Regel 140 kp/cm2 aus, irischen Eigenschaften der Körper ungünstig beeindoch
können bei richtigem Aufbringen auch etwas flüssen. Dessen ungeachtet sind die heißgepreßten
niedrigere Drücke angewandt werden. Natürlich kön- Körper aus mit Siliciumdioxid gebundenem Bornitrid
nen, falls gewünscht, auch sehr viel höhere Drücke 25 in vieler Hinsicht demjenigen aus reinem Bornitrid i
benutzt werden, aber im allgemeinen sind solche überlegen, selbst wenn sie in dieser oder jener Hinsicht |
Drücke nicht notwendig und auch nicht besonders nicht die gewünschten maximalen Eigenschaften auf- j
vorteilhaft. Es ist ferner selbstverständlich, daß die weisen.
Teilchengrößen des rekristallisierten Bornitrids und Wie oben angegeben, können elektrische Isolier-
des Siliciumdioxids innerhalb angemessener Grenzen, 30 körper und Gegenstände direkt nach dem Verfahren
die für den Fachmann leicht erkennb r sind, schwan- der Erfindung geformt oder aus größeren Körpern
ken kann. durch spangebende Bearbeitung leicht hergestellt wer-
Um Körper der gewünschten Eigenschaften zu er- den. Kleine, spanend hergestellte Isolatoren sind von j
halten, wird eine Heißpreßtemperatur im Bereich von besonderem Interesse, da sie eine gute Oberfläche
etwa 1700 bis 18000C bevorzugt. In manchen Fällen 35 haben, der leicht die glatte Beschaffenheit erteilt wer-
können höhere Temperaturen angewandt werden, aber den kann, die zu ihrer Verwendung als Untergrund für ι
niedrigere Temperaturen als 1700°C sind in der Regel Dünnfilmschaltungen und in Mikrobauelementen not- ■
unpraktisch. Es wurde gefunden, daß eine Temperatur wendig ist. Im letztgenannten Fall ist die hohe Wärme- j
von etwa 750°C am günstigsten ist. Bei einer derartigen leitfähigkeit von Vorteil. j
Temperatur und mit einem Druck von etwa 140 kp/cm2 40 Prozent- und Teilangaben sind, sofern nicht anders
werden durch 30 Minuten langes Pressen Körper mit angegeben, Gewichtsprozente und Gewichtsteile. !
Claims (2)
1. Isolierkörper für die Elektroindustrie mit löst, daß er zu 30 bis 70 Gewichtsprozent aus reguter
Bearbeitbarkeit, guten physikalischen und di- S kristallisierten Bornitridteilchen und im übrigen aus
elektrischen Eigenschaften sowie guter Wasser- einer glasigen Siliciumdioxid-Matrix und gegebenenbeständigkeit,
dadurch gekennzeich- falls den üblichen Verunreinigungen in geringen Menn
e t, daß er zu 30 bis 70 Gewichtsprozent aus re- gen besteht.
kristallisierten Bornitridteilchen und im übrigen Das Verfahren zum Herstellen des Körpers besteht
aus einer glasigen Siliciumdioxid-Matrix und gege- io darin, daß ein feinteiliges Gemenge der genannten
benenfalls den üblichen Verunreinigungen in ge- Bestandteile bei mindestens 1700°C mit zu einem
ringen Mengen besteht. spezifischen Gewicht von mindestens 2,16 g/cm3 füh-
2. Verfahren zum Herstellen des Körpers nach renden Drücken gepreßt und danach unter Vermeidung
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein fein- einer Entglasung abgekühlt wird.
teiliges Gemenge der genannten Bestandteile bei 15 Bornitrid (BN) kommt in der Regel als feines weißes
mindestens 17000C mit zu einem spezifischen oder graues Pulver vor, das sich schlüpfrig anfühlt
Gewicht von mindestens 2,16 g/cm3 führenden und bei etwa 30000C schmilzt oder sich zersetzt. In
Drücken gepreßt und danach unter Vermeidung einer inerten Atmosphäre kann Bornitrid ohne Zer-
einer Entglasung abgekühlt wird. Setzung bis auf über 2000°C erhitzt werden. Bornitrid
20 ist feuerfest, leitet den elektrischen Strom nicht und ist wegen seiner Schlüpfrigkeit als hitzebeständiges
Schmiermittel benutzt worden.
Das beispielsweise nach dem Verfahren der USA.-Patentschrift 2 839 366 hergestellte Bornitrid hat im
Die Erfindung betrifft einen Isolierkörper für die 35 trockenen Zustand eine Dielektrizitätskonstante von
Elektroindustrie mit guter Bearbeitbarkeit, guten k «* 4,2 bei 25°C und IkHz sowie einen niedrigen
physikalischen und dielektrischen Eigenschaften sowie elektrischen Verlustfaktor. Aus derartigem Bornitrid
guter Beständigkeit gegen Wasser und ein Verfahren lassen sich durch Heißpressen in einer feuerfesten
zu seiner Herstellung. Form, z. B. einer solchen aus Graphit, nach bekannten
In der Elektroindustrie werden Isolierstoffe benö- 30 Verfahren gut bearbeitbare Isolierkörper herstellen,
tigt, die eine hohe Dielektrizitätskonstante und einen Diese Körper sind aber empfindlich gegen Wasser, und
niedrigen elektrischen Verlustfaktor haben, gegen ihre elektrischen Eigenschaften sind in nassem Zustand
Temperaturwechsel und Feuchtigkeit beständig sind, schlecht. Durch eine Wärmebehandlung bei etwa
eine gute mechanische Festigkeit haben und sich leicht 10000C wird Bornitrid gegen Oxydation bei hohen
bearbeiten lassen. Isolierwerkstoffe mit allen diesen 35 Temperaturen beständiger, aber eine solche Behand-
Eigenschaften sind bisher nicht bekannt. Als kerami- lung des Pulvers, die auch als Stabilisierung bezeichnet
sehe Isoliermaterialien werden meist Porzellan, Steatit- wird, beseitigt den ungünstigen Einfluß von Feuchtig-
porzellan, gesintertes Aluminiumoxid, geschmolzenes keit auf die elektrischen Eigenschaften nicht. Diesen
Siliciumdioxid und Borsilikatglas verwendet. Porzellan ungünstigen Einfluß schreibt man der Gegenwart von
hat einen hohen elektrischen Verlustfaktor und ist 40 Boroxid (B2O3) oder Stoffen zu, die durch Hydrolyse
gegen Temperaturwechsel nur wenig beständig. Steatit- Boroxid bilden. Anscheinend ist selbst nach der Stabi-
porzellan hat ebenfalls eine geringe Temperatur- lisierung von Bornitrid bei Gegenwart von Wasser
Wechselfestigkeit und wegen der Unbeständigkeit des Boroxid vorhanden.
Magnesiumsilikats bei Einwirkung von Feuchtigkeit Es wurde nun gefunden, daß durch die Rekristallisaschlechte
elektrische Betriebseigenschaften. Geschmol- 45 tion von Bornitrid ein Produkt erhalten wird, in dem
zenes Siliciumdioxid hat zwar gute elektrische Eigen- kein freies B2O3 vorkommt, selbst dann nicht, wenn
schäften und ist gegen Temperaturwechsel unempfind- das Produkt 6 Tage der Einwirkung von siedendem
lieh, ist aber auch sehr kostspielig und zerbrechlich. Wasser ausgesetzt ist. Die Rekristallisation kann durch
Gesintertes Aluminiumoxid hat ebenfalls gute elek- Erhitzen des Bornitrids auf eine Temperatur von über
trische Eigenschaften, aber eine geringere Temperatur- 5° 18000C, vorzugsweise auf etwa 2000°C, aber unterhalb
Wechselfestigkeit und ist ebenfalls kostspielig und zer- der Zersetzungstemperatur während einer Zeitspanne
brechlich. Borsilikatglas ist gegen Wasser nicht be- erfolgen, die die Rekristallisation ermöglicht. Im allständig und verhältnismäßig bruchempfindlich. Alle gemeinen reicht eine Erhitzungsdauer von etwa
genannten Stoffe sind schlecht bearbeitbar. Eine gute einer Stunde im unteren Teil des oben angegebenen
Bearbeitbarkeit ist aber aus Gründen der Form- 55 Bereiches aus. Rekristallisiertes Bornitrid ist zwar, wie
gebung und/oder der Einhaltung enger Toleranzen, oben ausgeführt, selbst bei längerer Einwirkung von
die bei der Herstellung elektrischer Isolierkörper aus kochendem Wasser stabil, doch kann es nicht zu
keramischen Werkstoffen gefordert werden, von gro- Isolierkörpern heiß verpreßt werden. Aus reinem
ßer Bedeutung. Zwar kann man keramische Isolier- rekristallisiertem Bornitrid lassen sich also dielektrische
körper auf Form schleifen, doch ist das schwierig, weil 60 Körper nicht herstellen.
die Werkstoffe dabei leicht brechen. Erfindungsgemäß können aber solche Isolieikörper
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Isolierkörper für durch Verwendung von Mischungen aus rekristallisierdie
Elektroindustrie mit hoher Dielektrizitätskonstante, tem Bornitrid und Siliciumdioxid hergestellt weiden,
kleinem elektrischen Verlustfaktor, guter Temperatur- Diese Körper haben eine Dielektrizitätskonstante von
Wechselfestigkeit, guter mechanischer Festigkeit, guter 65 k ä>
4 bei 1 kHz und 25°C sowie einen elektrischen chemischer Beständigkeit gegen Wasser und guter Verlustfaktor von etwa 4· 10"1. Die Körper werden
Bearbeitbarkeit anzugeben, der sich zugleich billig von Feuchtigkeit nicht beeinflußt, sind hoch widerherstellen
läßt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist standsfähig gegen Tempcraturwechsel und innerhalb
Applications Claiming Priority (3)
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DE1471070B2 DE1471070B2 (de) | 1972-08-24 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1993004485A1 (en) * | 1991-08-13 | 1993-03-04 | American Technology, Inc. | Boron nitride insulated electrical components and method for making same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993004485A1 (en) * | 1991-08-13 | 1993-03-04 | American Technology, Inc. | Boron nitride insulated electrical components and method for making same |
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