DE1449903B2 - Speicheranordnung fuer zerstoerungsfreie abfragen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung für zerstörungsfreies Abfragen mit einer Anzahl von Zugriffs-Magnetkernen, einer gleichen Anzahl von Speicher-Magnetkernen mit rechteckiger Hysteresis-Kennlinie, einer gleichen Anzahl von Abfragewicklungen, die jeweils einen Zugriffskern mit einem Speicherkern koppeln, mit einer Einrichtung zur wahlweisen Umschaltung jedes der Zugriffskerne, mit Vormagnetisierungseinrichtungen zum Zurückstellen der Zugriffskerne und mit einer auf eine Änderung des Magnetisierungszustandes jedes Speicherkerns ansprechende Ausgangswicklung an den Speicherkernen.

Bei einer bekannten Speicheranordnung dieser Art erfolgt das Abfragen der Speicherkerne dadurch, daß in Reihe geschalteten Wicklungen der Speicherkerne ein Strom zugeführt wird, der zum Umschalten der Kerne ausreicht. Der gleiche Strom fließt auch über Wicklungen der zugeordneten Zugriffskerne, reicht hier jedoch durch eine andere Bemessung der Wicklungen nicht zum Umschalten aus. Erst wenn einer weiteren Wicklung des jeweiligen Zugriffskerns ein zusätzlicher Strom zugeführt wird, schaltet der Zugriffskern um. Dieser zusätzliche Strom wird durch einen Schreibtreiber dann geliefert, wenn das dem Eingang des Schreibtreibers zugeführte Lesesignal des zugehörigen Speicherkerns dessen Umschalten anzeigt. Die auf diese Weise umgeschalteten Zugriffskerne schalten dann nach dem Abfragen zurück, wobei gleichzeitig durch die Kopplung über die jeweilige Abfragewicklung auch die zugehörigen Speicherkerne umschalten und dann wieder im ursprünglichen Zustand sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Zu-

verlässigkeit einer solchen Speicheranordnung bezüglich des zerstörungsfreien Ablesens unter Verringerung des Aufwandes zu erhöhen.

Zur Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung aus von einer Speicheranordnung der eingangs genannten Art und ist dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung nach dem durch den Zugriffkern bewirkten Abfragen des mit dem Zugriffskern gekoppelten Speicherkerns für eine vorgegebene Zeit eine relativ kleine Spannung am Zugriffskern erzeugt, die dem Vormagnetisierungsfeld am Umschaltkern entgegenwirkt, so daß das Rücksetzen des Umschaltkerns stufenweise, d. h. derart langsam erfolgt, daß der Speicherkern nicht umgeschaltet wird, daß die Ausgangswicklung jedes Speicherkerns mit der Umschaltvorrichtung derart gekoppelt ist, daß beim Erscheinen einer Ausgangsspannung auf der Ausgangswicklung die von der Umschalteinrichtung gelieferte relativ kleine Spannung unterdrückt wird, so daß das Vormagnetisierungsfeld am Zugriffskern voll wirksam und der Speicherkern schnell umgeschaltet wird, und daß beim Nichterscheinen einer Ausgangsspannung auf der Ausgangswicklung die von der Umschaltvorrichtung gelieferte relativ kleine Spannung ungestört bleibt.

Die Rückkopplung zum Rückschreiben der aus den Speicherkernen gelesenen Information greift dann nicht direkt an den Zugriffskern, sondern indirekt an der Umschaltvorrichtung an. Außerdem ist die Anzahl der Wicklungen auf den Speicherkernen kleiner.

Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Jede Speichereinheit des Speichers wird abgefragt, indem der Magnetisierungszustand des entsprechenden Zugriffs-Magnetkerns umgeschaltet wird und dadurch ein Magnetisierungsfeld an den zugeordneten Speicherkern geliefert wird. In Abhängigkeit von der ursprünglichen Polarität des Flusses im Speicherkern wird eine Spannung in der Ausgangswicklung induziert oder nicht.

Schaltungsverbindungen sind derart angeordnet, daß, wenn die Ausgangswicklung nicht erregt wird, eine verhältnismäßig kleine Spannung an jede mit dem Zugriffskern verbundene Auswahlwicklung angelegt wird und der Kern unter diesen Bedingungen verhältnismäßig langsam zurückgestellt wird und den Speicherkern nicht umschaltet. Wenn jedoch ein Signal in der Ausgangswicklung induziert wird, wird keine Spannung an die Auswahlwicklungen abgegeben, und der Zugriffskern wird verhältnismäßig schnell zurückgestellt, so daß er den Speicherkern infolge der voll wirksam werdenden Rückstellspannung in seinen ursprünglichen Magnetzustand zurückbringt.

Ein besseres Verständnis der Erfindung und ihrer Vorteile ergibt sich aus der folgenden, ins einzelne gehenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit der Zeichnung, deren einzige Figur das Schaltbild eines bestimmten Ausführungsbeispiels eines Magnetkern-Informationsspeichers nach der Erfindung zeigt.

In der Zeichnung ist eine Zwei-mal-Zwei-Informationsspeichermatrix 18 mit zwei vertikalen Auswahlwicklungen 20 und 21 und zwei horizontalen Auswahlwicklungen 25 und 26 dargestellt. Jede Auswahlwicklung ist über einen oberen Stromschalter 23 mit einer gemeinsamen Spannungsquelle 33 und außerdem über einen unteren Stromschalter 28 mit einem gemeinsamen Erdanschluß verbunden. Jeder obere Stromschalter 23 weist eine erste logische Transistor-Widerstands-Stufe (TRL-Stute) auf, die einen Transistor 3Oy mit geerdetem Emitter aufweist, dessen Kollektor über einen Widerstand 32^ mit einer positiven Spannungsquelle verbunden ist. Jeder obere Stromschalter enthält einen zweiten Transistor 3I₁,. Die Basis-, Kollektor- und Emitteranschlüsse des Transistors 3Iy sind entsprechend mit dem Kollektor des 77?L-Transistors 3Q₁J, der positiven Spannungsquelle 33 und der zugeordneten Auswahlwicklung 20 bzw. 21 verbunden.

Die Basis jedes 27?.L-Transistors 3O₁, eines jeden Schalters 23 ist über einen Widerstand 34^ an einen der Ausgangsanschlüsse einer X-Auswahlschaltung 65 angeschaltet. Die Widerstände 34y in den den Wicklungen 20 und 21 zugeordneten oberen Stromschaltern 23 liegen jeweils an den Ausgangsanschlüssen X₁ und X₁' der X-Auswahlschaltung 65, während die Widerstände 34^ der mit den Wicklungen 25 und 26 verbundenen Schalter 23 entsprechend an den Ausgangsanschlüssen x, und x./ liegen. Jeder der unteren Stromschalter 28 ist schaltungsmäßig mit jedem der oberen Stromschalter 23 identisch. In ähnlicher Weise wie oben für die oberen Schalter 23 beschrieben, sind die Widerstände 34_L in den den Wicklungen 20 und 21 zugeordneten unteren Schaltern 28 jeweils mit den Ausgangsanschlüssen y_t und y/ einer Y-Auswahlschaltung 66 verbunden, während die Widerstände 34, der mit den Wicklungen 25 und 26 verbundenen Schalter 28 jeweils an den Ausgangsanschlüssen y₂ und y.,' liegen. Man beachte, daß die Elemente jedes oberen Stromschalters 23 mit dem Index U versehen sind, während die entsprechenden Elemente jedes unteren Stromschalters den Index L aufweisen.

Die Auswahlschaltungen 65 und 66 liefern normalerweise ein verhältnismäßig hohes Gleichspannungspotential an jeden ihrer Ausgangsanschlüsse. Die Auswahl wird mit Hilfe der Auswahlschaltungen 65 und 66 durchgeführt, die in Abhängigkeit von Taktsignalen, die von einer Taktquelle 68 an sie abgegeben werden, koinzident einen Impuls verhältnismäßig niedriger Spannung an zwei ihrer Ausgangsanschlüsse anlegen. Die relative Zeitdauer der von den X- und Y-Auswahlschaltungen 65 und 66 gelieferten Impulse soll später besprochen werden.

Die gezeigte Zwei-mal-zwei-Speichermatrixanordnung 18 enthält vier Informationsspeichereinheiten. Jede Einheit weist einen Zugriffskern 10 auf, der über eine Wicklung 12 mit einem Speicherkern 11 verbunden ist, wobei ein Widerstand 13 in Reihe zu der Wicklung 12 liegt. Man beachte, daß nur die Bauelemente 10 bis 13 der ersten Speichereinheit in der ersten Zeile und ersten Spalte der Informationsspeichermatrix 18 gezeigt sind. Die übrigen drei Speichereinheiten sind im Interesse größerer Klarheit nicht im einzelnen dargestellt, aber es soll angenommen werden, daß diese Speichereinheiten innerhalb der Matrixanordnung 18 liegen.

An jeden Zugriffskern 10 ist eine der vertikalen Auswahlwicklungen 20 oder 21 und eine der horizontalen Auswahlwicklungen 25 oder 26 angeschaltet, die eine Magnetisierung im Uhrzeigersinn an den Kern liefern. Außerdem ist eine in Reihe zu einer Vorstromquelle 55 geschaltete Vormagnetisierungswicklung 56 mit jedem Zugriffskern 10 verkettet, die kontinuierlich eine im Gegenuhrzeigersinn gerichtete Vor- und Rückstellmagnetisierung liefert. Die an die Auswahlwicklungen gelieferten Ströme sind so ge-

wählt, daß zwei koinzident erregte Auswahlwicklungen, die mit irgendeinem Kern 10 verbunden sind, eine genügend große Magnetisierung erzeugen, um den Zugriffskern 10 aus der im Gegenuhrzeigersinn gerichteten Vormagnetisierung im Uhrzeigersinn umzuschalten. Wenn nur eine mit einem Zugriffskern 10 verbundene Wicklung erregt wird, reicht die sich ergebende Magnetisierung nicht aus, um den Zugriffskern umzuschalten.

Zusätzlich zu den genannten Wicklungen ist eine Ausgangswicklung 15 mit jedem Informationsspeicherkern 11 verbunden. Ein Ende der Wicklung 15 liegt an einem Verbraucher 61 und ist außerdem an einen der Y-Auswahlschaltung 66 zugeordneten Steueranschluß 69 angeschaltet, während das andere Ende (nicht gezeigt) an Erde liegt.

Die ^-Auswahlschaltung 65 liefert wahlweise Ausgangsimpulse verhältnismäßig niedriger Spannung und mit fester Zeitdauer an einen der Ausgangsanschlüsse X₁ oder X₁ und außerdem an einen der Anschlüsse x₂ und X₂'. Die koinzident erzeugten Impulse, die von der Y-Auswahlschaltung 66 geliefert werden, haben normalerweise eine größere Zeitdauer als die entsprechenden Impulse, die von der Auswahlschaltung 65 erzeugt werden. Wenn jedoch von der Ausgangswicklung 15 ein Ausgangserregungssignal an die Auswahlschaltung 66 übertragen wird, enden die von der Y-Auswahlschaltung 66 erzeugte Impulse verhältnismäßig niedriger Spannung zum gleichen Zeitpunkt wie die entsprechenden Impulse, die von der Af-Auswahlschaltung 65 ausgehen. Die X- und Y-Auswahlschaltungen 65 und 66 können beispielsweise monostabile Multivibratoren aufweisen, wobei die zeitliche Steuerung der Anordnungen in der Auswahlschaltung 66 eine Funktion der in der Ausgangswick'.ung 15 erscheinenden Spannung ist.

Die Arbeitsweise eines typischen Stromschalters 23 oder 28 soll kurz beschrieben werden. Normalerweise wird durch die entsprechende Auswahlschaltung 65 oder 66 eine verhältnismäßig hohe Gleichstromspannung an die Schalter angelegt, und zwar über den Widerstand 34 an die Basis des 27?L-Transistors 30. Der Transistor 30 wird durch die angelegte Spannung gesättigt und legt Erdpotential an die Basis des zugeordneten Transistors 31, der dann dauernd nichtleitend ist. Umgekehrt hält eine von der entsprechenden Auswahlschaltung 65 oder 66 an den Widerstand angelegte, verhältnismäßig niedrigere Spannung den Ti?L-Transistor 30 nichtleitend, der dann eine positive Spannung an die Basis des zugeordneten Transistors 31 anlegt, der darauf gesättigt wird. Der Transistor 31 ist unter diesen Bedingungen hoch leitend und stellt einen Weg mit der Impedanz Null für die zugeordnete Auswahlwicklung dar.

Zur Erläuterung eines typischen Betriebszyklus für die in der Zeichnung dargestellte Informationsspeicheranordnung soll angenommen werden, daß der Speicherkern 11 der ersten Zeile und ersten Spalte der Matrix zu Anfang in einen im Uhrzeigersinn gerichteten Zustand maximaler Remanenz eingestellt ist, der mit der binären Speicherpolarität »0« bezeichnet werden soll. Jeder Zugriffskern 10 befindet sich natürlich unter der Einwirkung der erregten Vorstromwicklung im im Gegenuhrzeigersinn gesättigten Zustand. Es soll ferner angenommen werden, daß diese Speichereinheit abgefragt werden soll. Zur Abfrage des Kerns 11 liefern die X-Auswahlschaltung65 und die Y-Auswahlschaltung 66 koinzident verhältnismäßig niedrige Potentiale an die Ausgangsanschlüsse X₁ und x₂ bzw. ^₁ und y₂. Auf Grund dessen befinden sich die Transistoren 30 und 31 in den den Wicklungen 20 und 25 zugeordneten Stromschaltern 23 und 28 im nichtleitenden bzw. gesättigten Zustand, wie oben beschrieben. Es ist daher ein vollständiger Weg von der gemeinsamen Spannungsquelle 33 zum Erdpotential durch jede der Auswahlwicklungen 20 und 25 durchgeschaltet. Die Ströme, die durch die

ίο Auswahlwicklungen 20 und 25 fließen, liefern jeweils eine Magnetisierung für den Zugriffskern 10 im Uhrzeigersinn. Das insgesamt durch die Wicklungen 20 und 25 angelegte Feld übersteigt das Vormagnetisierungsfeld im Gegenuhrzeigersinn, das durch die Wicklung 56 an den Kern 10 angelegt ist. Tatsächlich übersteigt das angelegte Gesamtfeld das Vorspannungsfeld so weit, daß die Umschaltschwelle des Kerns 10 überschritten wird. Im Ergebnis kehrt der Zugriffskern 10 seinen Magnetzustand aus dem Gegenuhrzeigersinn in den Uhrzeigersinn um und induziert dabei einen Strom in der Abfrage- und Rückstellwicklung 12 in Richtung des Vektors 100, der entlang der Wicklung 12 dargestellt ist. Die erregte Wicklung 12 liefert eine Magnetisierung im Uhrzeigersinn an den Speicherkern 11. Da jedoch angenommen worden ist, daß dieser Kern sich bereits im Zustand maximaler Remanenz im Uhrzeigersinn befindet, wird nur ein kleiner vernachlässigbarer Pendel-Muß in ihm umgeschaltet. Als Folge davon wird nur eine vernachlässigbar kleine Spannung in der an den Kern 11 gekoppelten Ausgangswicklung 15 induziert und von der Ausgangswicklung 15 an den Verbraucher 61 und außerdem an die Auswahlschaltung 66 geliefert.

Nach Beendigung der von der ^-Auswahlschaltung 65 gelieferten Auswahlimpulse werden wiederum verhältnismäßig hohe Spannungen an deren Ausgangsanschlüsse X₁ und x₂ angelegt. Da jedoch an die Y-Auswahlschaltung 66 keine in der Ausgangswicklung 15 induzierte Spannung angelegt worden ist, bleiben die verhältnismäßig niedrigen Spannungen an den Ausgangsanschlüssen V₁ und 3', für einen vorgegebenen Zeitabschnitt nach Rückkehr der Ausgangsanschlüsse X₁ und X₂ der Auswahlschaltung 65 in den Zustand verhältnismäßig hoher Spannung bestehen. Die an die mit den Auswahlwicklungen 20 und 25 verbundenen oberen Stromschalter 23 gelieferten, verhältnismäßig hohen Spannungen halten die 77?L-Transistoren 3Oy im leitenden Zustand, so daß Erdpotential an die Basisanschlüsse der zugeordneten Transistoren 3I₁₇ angelegt wird und diese Transistoren nichtleitend sind. Für die mit den Wicklungen 20 und 25 verbundenen unteren Stromschalter 28 liefern jedoch die Ausgangsanschlüsse y_x und y₂ immer noch

verhältnismäßig niedrigere Eingangsspannungen, so daß deren Transistoren 30_t und 31_t im nichtleitenden bzw. leitenden Zustand verbleiben.

Da der Transistor 31_y des an die Wicklung 20 angeschalteten oberen Stromschalters 23 zu diesem Zeitpunkt gesperrt ist, fließt kein Strom in diese Wicklung, und der Kern 10 leitet unter der Einwirkung der erregten Vorstromwicklung 56 eine Umschaltung aus dem Uhrzeigersinn in den Gegenuhrzeigersinn ein. Da jedoch die Flußumschaltung im Kern 10 schnell genug ist, um einige wenige Volt mit der durch das Plus- und Minuszeichen, die dem gezeigten Vektor 110 zugeordnet sind, angegebenen Polarität in der Wicklung 20 zu induzieren, ist die Spannung über der

mit dem Kern 10 verbundenen Wicklung 20 zwangläufig auf einen verhältnismäßig niedrigen festen Wert beschränkt. Das ergibt sich aus der Tatsache, daß die Spannung am unteren Ende der Wicklung 20 dem Erdpotential entspricht, da der angeschaltete Transistor 31_L sich im gesättigten Zustand befindet. In gleicher Weise entspricht auch die Spannung an der Basis des mit der Wicklung 20 verbundenen Transistors 31y dem Erdpotential, da der zugeordnete Transistor 3O₁, ebenfalls gesättigt ist. Folglich wirkt, wenn die Umschaltung im Kern 10 eine Spannung mit der in Richtung des Vektors 110 verlaufenden Polarität in der Wicklung 20 induziert, der Basis -Emitterübergang des Transistors 3Iy des oberen Stromschalters als in Durchlaßrichtung vorgespannte Diode und stellt eine Quelle konstanter Spannung in Höhe einiger Zehntel Volt dar. Wenn man die oben erläuterten, in Reihe aneinander liegenden Spannungen addiert, ergibt sich, daß eine kleine, feste Gleichspannung an die Wicklung 20 angelegt ist. Außerdem wird eine ähnliche Spannung an die Wicklung 25 auf analoge Weise angelegt, wie oben mit Bezug auf die Wicklung 20 beschrieben. Auf diese Weise wird erreicht, daß die Umschaltgeschwindigkeit des im Kern 10 induzierten Flusses zwangläufig auf einem verhältnismäßig niedrigen Wert gehalten wird, so daß in den Wicklungen 20 und 25 nur diese kleinen Spannungen induziert werden. Wenn beispielsweise unter diesen Umständen der Kern seinen Fluß auf Grund der verhältnismäßig großen von der Wicklung 56 gelieferten Magnetisierung mit größerer Geschwindigkeit umschalten wollte, würde ein großer Strom in den Wicklungen 20 und 25 in einer Richtung induziert werden, daß das durch die erregte Wicklung 56 erzeugte Magnetfeld ausgelöscht wird und folglich die Geschwindigkeit, mit der der Zugriffskern 10 zurückgestellt wird, begrenzt ist.

Da der Kern 10 unter diesen Umständen mit verhältnismäßig geringer Geschwindigkeit zurückgestellt wird, wird eine verhältnismäßig kleine Spannung in Gegenrichtung zu dem Vektor 100 in der Abfragewicklung 12 induziert. Der Strom in der Wicklung 12, dessen Höhe sich aus dem Quotienten der induzierten Spannung und dem Wert des Widerstandes 13 ergibt, wird so gewählt, daß er nicht ausreicht, um unter diesen Umständen die Koerzitivkraft des Kerns 11 zu übersteigen. Folglich wird der Speicherkern II während des Rückstellens nicht aus seinem oben angenommenen Anfangszustand im Uhrzeigersinn d. h. binären Zustand »0« umgeschaltet. Es ist also zu erkennen, daß sich die Speichermatrix wieder in einem Zustand befindet, in dem jede ihrer Speichereinheiten abgefragt werden kann, und daß die ursprüngliche Information weiterhin im Kern 11 gespeichert ist, der folglich nicht zerstörend abgefragt worden ist.

Es soll jetzt angenommen werden, daß der Kern 11 zu Anfang in einen maximalen Remanenzzustand im Gegenuhrzeigersinn eingestellt war und folglich eine binäre »1« gespeichert hat, und daß diese Speichereinheit abgefragt werden soll. Wie oben erläutert, liefern dann die Auswahlschaltungen 65 und 66 verhältnismäßig niedrige Spannungen an ihre Ausgangsanschlüsse x_v x₂ und J₁ und y₂, so daß die jeder der Auswahlwicklungen 20 und 25 zugeordneten Transistoren 31 gesättigt werden und Ströme in diesen Wicklungen fließen. Auf Grund der erregten Wicklungen 20 und 25 schaltet der Zugriffskern 10 wiederum aus einem Vormagnetisierungszustand im Gegenuhrzeigersinn in den Uhrzeigersinn um, so daß ein Strom in der Wicklung 12 in Richtung des Vektors 100 induziert wird, der wiederum ein Magnetisierungsfeld in Uhrzeigerrichtung an den Speicherkern J1 anlegt. In diesem Fall ist im Speicherkern 11 ein Magnetfluß im Gegenuhrzeigersinn, entsprechend einer binären »1« gespeichert, und der Magnetzustand kehrt unter der Einwirkung der erregten Wicklung 12 aus der Polarität im Gegenuhrzeigersinn in den Uh γιο zeigersinn um. Da der Magnetzustand des Kerns 11 umschaltet, wird ein verhältnismäßig großer Spannungsimpuls in der Ausgangswicklung 15 induziert, der an den Verbraucher 61 und die F-Auswahlschaltung 66 angelegt wird.

Unter den erläuterten Umständen stellt die F-Auswahlschaltung 66 das Vorhandensein des in der Ausgangswicklung 15 induzierten Impulses fest, und die Auswahlschaltungen 65 und 66 geben bei Beendigung der von der -XT-AuswahJschaltung 65 gelieferten Auswahlimpulse verhältnismäßig hohe Spannungen an ihre Ausgangsanschlüsse Jt₁, x₂ und y_v y₂ ab. Wie oben erläutert, spricht jeder der oberen Stromschalter 23 und in gleicher Weise der unteren Stromschalter 28, die mit den Auswahlwicklungen 20 und 25 verbunden sind, auf die an den Ausgangsanschlüssen X₁, x₂, J₁ und y₂ auftretenden, verhältnismäßig hohen Spannungen an und wird gesperrt, so daß alle Enden der Auswahlwicklungen 20 und 25 auf einem unbestimmten Potential liegen.

Zu diesem Zeitpunkt wird der Zugriffskern 10 wieder durch die von der erregten Vorstrom- und Rückstellwicklung 56 gelieferten Magnetisierung zurückgestellt. In diesem Fall liegen jedoch die Wicklungen 20 und 25 jeweils auf einem unbestimmten Potential, und die Rückstellgeschwindigkeit des Zugriffskerns 10 wird nur durch die Höhe der Erregung begrenzt, die von der Rückstellwicklung 56 erzeugt wird. Folglich wird der Zugriffskern 10 verhältnismäßig schnell zurückgestellt, und es wird ein verhältnismäßig großer Strom in der Wicklung 12 in Gegenrichtung zu dem Vektor 100 induziert. Diese Erregung der Wicklung 12 liefert ein verhältnismäßig starkes Magnetisierungsfeld an den Speicherkern 11, der aus seinem vorhergehenden Zustand im Uhrzeigersinn in seinen ursprünglichen Zustand im Gegenuhrzeigersinn umschaltet. Dann ist die Matrixanordnung wiederum in einem Zustand, in dem jede Speichereinheit von neuem abgefragt werden kann, und der angenommene, einer binären »1« entsprechende Speicherzustand im Gegenuhrzeigersinn ist wieder hergestellt. Es ist also gezeigt worden, daß ein Speicherkern 11 unabhängig von dem Wert der gespeicherten binären Ziffer nicht zerstörend abgefragt wird.

Es ist leicht zu erkennen, daß eine Information zu Anfang in die Matrixanordnung eingeschrieben werden kann, indem die Ausgangswicklung 15 von der Y-Auswahlanordnung 66 abgetrennt und die F-Auswahlanordnung durch Erregungssignale beaufschlagt wird, die von einer Eingangsinformationsquelle 60 geliefert werden. Durch nacheinander erfolgende Auswahl des jeder Speichereinheit zugehörigen Zugriffskerns 10 führt ein von der Eingangsinformationsquelle 60 gelieferter Impuls zur Einspeicherung einer binären »1« in den gewählten Speicherkernil, während eine binäre »0« in den Kern 11 einer gewählten Speichereinheit durch das NichtVorhandensein eines Erregungssignals von der Eingangsinformationsquelle 60 eingegeben wird.

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Das hier beschriebene Ausführungsbeispiel eines nicht zerstörend abfragbaren Magnetspeichers nach der Erfindung weist also eine Matrixanordnung von vormagnetisierten, durch koinzidente Ströme anwählbaren Zugriffsmagnetkernen d. h. Zugriffsschaltern auf. Jeweils einer einer Vielzahl von ferromagnetischen Speicherkernen mit rechteckiger Hysteresisschleife ist mit jedem Zugriffskern durch eine Abfrage- und Rückstellwicklung verbunden, die eine in Reihe geschaltete Impedanz enthält, und eine Ausgangswicklung ist an jeden Speicherkern angeschaltet. Eine binäre Information wird dadurch dargestellt, daß jeder Speicherkern in einem gewählten von zwei möglichen Zuständen maximaler Remanenz verbleibt. »5

Eine Speichereinheit des Speichers wird abgefragt, indem der Magnetisierungszustand des entsprechenden Zugriffskerns umgeschaltet wird, wobei ein Magnetisierungsfeld in dem zugeordneten Speicherkern erzeugt wird. In Abhängigkeit von der ursprünglichen Polarität des Magnetflusses im Speicherkern wird eine Spannung in der Ausgangswicklung induziert oder nicht. Wenn die Ausgangswicklung nicht erregt ist, wird eine konstante Spannung an jede mit dem Zugriffskern verbundene Auswahlwicklung angelegt, der unter diesen Umständen verhältnismäßig langsam zurückgestellt wird und somit den Speicherkern nicht umschaltet. Wenn jedoch ein Signal in der Ausgangswicklung erzeugt wird, wird keine Spannung an die Auswahlwicklungen angelegt, und der Zugriffskern wird verhältnismäßig schnell zurückgestellt, so daß der Speicherkern in seinen ursprünglichen Magnetisierungszustand zurückgestellt wird.

Man beachte, daß die oben erläuterte Anordnung nur ein Ausführungsbeispiel für die Anwendung der erfindungsgemäßen Gedanken ist. Die Zwei-mal-zwei-Speichermatrix ist nur aus Gründen der Klarheit gewählt worden. Es hätte ebensogut eine Speicheranordnung beliebiger Kapazität benutzt werden können. Für eine solche erhöhte Kapazität wären natürlich weitere obere und untere Stromschalter und zusätzliche Auswahlwicklungen erforderlich. Außerdem müßten bei einer solchen Anordnung eine Vielzahl von parallelen Widerständen zur Erzeugung logischer Verknüpfungen an die Basis aller 77?L-Transistoren 30 in den oberen und unteren Stromschaltern angelegt werden, um die gewünschten Auswahlwicklungen zu erregen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Speicheranordnung für zerstörungsfreies Abfragen mit einer Anzahl von Zugriffs-Magnetkernen, einer gleichen Anzahl von Speicher-Magnetkernen mit rechteckiger Hysteresis-Kennlinie, einer gleichen Anzahl von Abfragewicklungen, die jeweils einen Zugriffskern mit einem Speicherkern koppeln, mit einer Einrichtung zur wahlweisen Umschaltung jedes der Zugriffskerne, mit Vormagnetisierungseinrichtungen zum Zurückstellen der Zugriffskerne und mit einer auf eine Änderung des Magnetisierungszustandes jedes Speicherkerns ansprechende Ausgangswicklung an den Speicherkernen, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung (z.B. Auswahlvorrichtungen 65, 66 mit Stromschaltern 23, 28) nach dem durch Umschalten des Zugriffskerns (10) bewirkten Abfragen des mit dem Zugriffskern gekoppelten Speicherkerns (11) für eine vorgegebene Zeit eine relativ kleine Spannung am Zugriffskern (10) erzeugt, die dem Vormagnetisierungsfeld am Umschaltkern (10) entgegenwirkt, so daß das Rücksetzen des Umschaltkerns stufenweise, d. h. derart langsam erfolgt, daß der Speicherkern nicht umgeschaltet wird, daß die Ausgangswicklung (15) jedes Speicherkerns mit der Umschaltvorrichtung (z. B. mit der Auswahlvorrichtung (66) derart gekoppelt ist, daß beim Erscheinen einer Ausgangsspannung auf der Ausgangswicklung (15) die von der Umschalteinrichtung gelieferte relativ kleine Spannung unterdrückt wird, so daß das Vormagnetisierungsfeld am Zugriffskern voll wirksam und der Speicherkern schnell umgeschaltet wird, und daß beim Nichterscheinen einer Ausgangsspannung auf der Ausgangswicklung (15) die von der Umschaltvorrichtung gelieferte relativ kleine Spannung ungestört bleibt.

2. Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschaltvorrichtung (33, 65, 66) zum Anlegen der Spannung wenigstens einen oberen (23) und einen unteren Stromschalter (28) enthält, die jeweils mit den Enden von Auswahlwicklungen (20, 25) des Zugriffkerns (10) verbunden sind.

3. Speicheranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Stromschalter (23, 28) einen ersten, normalerweise leitenden Transistor (30) und einen zweiten, normalerweise gesperrten Transistor (31) enthält, daß der Basisanschluß des normalerweise gesperrten Transistors (31) mit dem Kollektoranschluß des normalerweise leitenden Transistors (30) verbunden ist und daß der Emitteranschluß des normalerweise gesperrten Transistors (31) im oberen Stromschalter (23) über die Auswahlwicklungen (20,25) mit dem Kollektoranschluß des normalerweise gesperrten Transistors (31) im unteren Stromschalter (28) verbunden ist.

4. Speicheranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung zum Anlegen der Spannung eine Eingangsimpulsspannungsquelle (66) aufweist, die mit dem Basisanschluß des normalerweise leitenden Transistors (30) in einem Stromschalter und mit der Ausgangswicklung (15) des Speicherkerns (11) verbunden ist.

5. Speicheranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verbraucher (61) mit der Ausgangswicklung (15) verbunden ist und daß eine Eingangsinformationsquelle (60) mit der Eingangsimpulsspannungsquelle (66) verbunden ist.

6. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschalteinrichtung eine erste Impulsquelle (65) und eine zweite Impulsquelle (66) enthält, die wahlweise verhältnismäßig hohe oder niedrige unipolare Spannung an die Basisanschlüsse der Transistoren (30, 31) in den Stromschaltern (23, 28) liefern.

7. Speicheranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsquellen (65, 66) jeweils an eine Taktimpulse liefernde Taktquelle (68) angeschaltet sind.

8. Speicheranordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die von der zweiten Impulsquelle (66) gelieferten Impulse in ihrer Breite mit Bezug auf die von der ersten Impulsquelle (65) gelieferten Impulse einstellbar sind.

9. Speicheranordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Impulsquellen (65, 66) monostabile Multivibratorschaltungen aufweisen und daß die Breite der von der zweiten Impulsquelle (66) gelieferten Impulse eine Funktion der in der Ausgangswicklung (15) auftretenden Spannung ist.